JPH063692A - 光導電型液晶ライトバルブ - Google Patents
光導電型液晶ライトバルブInfo
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- JPH063692A JPH063692A JP16287792A JP16287792A JPH063692A JP H063692 A JPH063692 A JP H063692A JP 16287792 A JP16287792 A JP 16287792A JP 16287792 A JP16287792 A JP 16287792A JP H063692 A JPH063692 A JP H063692A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 書込み光に対する読出し光出力の応答を長く
保持することができるとともに、光感度の低下しない光
導電型液晶ライトバルブを提供する。 【構成】 光導電層５及び液晶層１が積層され、光導電
層５及び液晶層１の外側に一対の透明電極８，９が配さ
れた構成の光導電型液晶ライトバルブであって、光導電
層５は、窒素を含有するアモルファスシリコンからなる
ことを特徴とする。 【効果】 アモルファスシリコンに窒素を混在される光
導電層が、書込みパルス光消滅後も液晶層に必要な印加
電圧を暫時持続させるので、書込み光に対する読出し光
レベルの充分な応答を得ることができ、しかも光導電層
は、光感度の経時変化が小さいので、常に良好な投射画
像を得ることができる。
保持することができるとともに、光感度の低下しない光
導電型液晶ライトバルブを提供する。 【構成】 光導電層５及び液晶層１が積層され、光導電
層５及び液晶層１の外側に一対の透明電極８，９が配さ
れた構成の光導電型液晶ライトバルブであって、光導電
層５は、窒素を含有するアモルファスシリコンからなる
ことを特徴とする。 【効果】 アモルファスシリコンに窒素を混在される光
導電層が、書込みパルス光消滅後も液晶層に必要な印加
電圧を暫時持続させるので、書込み光に対する読出し光
レベルの充分な応答を得ることができ、しかも光導電層
は、光感度の経時変化が小さいので、常に良好な投射画
像を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投写型液晶表示装置に
用いられる光導電型液晶ライトバルブに関する。
用いられる光導電型液晶ライトバルブに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光導電型液晶ライトバルブは、
書込み光によってその光導電層に像が描かれ、この光導
電層の像に対応する感光反応に応じた電圧変化を液晶層
に印加し、当該液晶分子の配向の変化に対応した読出し
反射光量をもって画像をスクリーン等に投写する。この
光導電型液晶ライトバルブを例えばＣＲＴの光書込みに
よる投写型ディスプレイに応用する場合、光導電層の書
込み面上には残光時間が１ｍｓｅｃ程度の書込み光によ
って走査される。この場合、ある一つの画素について着
目すると、図１（ａ）に示されるように、当該画素は比
較的照射時間の短いパルス光によって書込まれることに
なる。そして、ライトバルブをテレビモニタ用に使用す
る場合、液晶層に充分な応答をさせるには、図１（ｂ）
の如く、通常十数ｍｓｅｃすなわち１フィールド時間
（１６．６７ｍｓｅｃ）程度の電圧の印加が必要であ
る。
書込み光によってその光導電層に像が描かれ、この光導
電層の像に対応する感光反応に応じた電圧変化を液晶層
に印加し、当該液晶分子の配向の変化に対応した読出し
反射光量をもって画像をスクリーン等に投写する。この
光導電型液晶ライトバルブを例えばＣＲＴの光書込みに
よる投写型ディスプレイに応用する場合、光導電層の書
込み面上には残光時間が１ｍｓｅｃ程度の書込み光によ
って走査される。この場合、ある一つの画素について着
目すると、図１（ａ）に示されるように、当該画素は比
較的照射時間の短いパルス光によって書込まれることに
なる。そして、ライトバルブをテレビモニタ用に使用す
る場合、液晶層に充分な応答をさせるには、図１（ｂ）
の如く、通常十数ｍｓｅｃすなわち１フィールド時間
（１６．６７ｍｓｅｃ）程度の電圧の印加が必要であ
る。
【０００３】この液晶層に印加する電圧を書込み光に応
じて変化させるための光導電層として従来の水素化アモ
ルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと称す）膜を用い
た場合の光書込み特性を図２に示す。同図（ａ）は、ａ
−Ｓｉ：Ｈ膜に照射する書込みパルス光であり、これを
ライトバルブの書込み側より入射すると、同図（ｂ）に
示すようにａ−Ｓｉ：Ｈ膜のインピーダンス変化は書込
みパルス光に対して鋭敏に反応し、該パルス光の立下り
とほぼ同時にａ−Ｓｉ：Ｈ膜のインピーダンスも瞬時に
定常値に戻ってしまう。従って、同図（ｃ）に示すよう
に、液晶層に印加される電圧も当該立下りにおいて直ち
に基準電圧へと立下がることになるので液晶層もこれに
応答し、この液晶層を介して反射する読出し光における
輝度信号も同図（ｄ）の如く、書込み光がなくなると、
瞬時に暗レベルの値に戻ってしまい、液晶層を１フィー
ルド相当時間分応答させることができなくなるという問
題がある。
じて変化させるための光導電層として従来の水素化アモ
ルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと称す）膜を用い
た場合の光書込み特性を図２に示す。同図（ａ）は、ａ
−Ｓｉ：Ｈ膜に照射する書込みパルス光であり、これを
ライトバルブの書込み側より入射すると、同図（ｂ）に
示すようにａ−Ｓｉ：Ｈ膜のインピーダンス変化は書込
みパルス光に対して鋭敏に反応し、該パルス光の立下り
とほぼ同時にａ−Ｓｉ：Ｈ膜のインピーダンスも瞬時に
定常値に戻ってしまう。従って、同図（ｃ）に示すよう
に、液晶層に印加される電圧も当該立下りにおいて直ち
に基準電圧へと立下がることになるので液晶層もこれに
応答し、この液晶層を介して反射する読出し光における
輝度信号も同図（ｄ）の如く、書込み光がなくなると、
瞬時に暗レベルの値に戻ってしまい、液晶層を１フィー
ルド相当時間分応答させることができなくなるという問
題がある。
【０００４】この問題を解決すべくａ−Ｓｉ：Ｈ膜にＢ
（ボロン）を混在させた光導電膜を有する光導電型液晶
ライトバルブが既に本願出願人による特願平２−２３９
６５４号において提案されている。これによれば、書込
みパルス光消滅後も液晶層に必要な印加電圧を暫時持続
させるので、書込み光に対する読出し光レベルの充分な
応答特性を得ることができ、その特性は、図３の如くな
る。すなわち、図２と同様に、同図（ａ）に示すような
パルス光を、液晶層１に書込み側より入射すると、光導
電膜９のインピーダンスは、同図（ｂ）のように書込み
パルス光の消失後すなわち該パルス光の立下りにおい
て、ボロンを添加しない場合よりもゆっくりと定常値に
立上がる。よって、同図（ｃ）に示されるように、液晶
層１に印加される電圧もそれに応じてゆっくりと基準電
圧値まで下がることになるので、液晶層１の応答時間も
長くなり、同図（ｄ）のように読出し光における輝度信
号も長時間明レベルを持続させることができるというも
のである。
（ボロン）を混在させた光導電膜を有する光導電型液晶
ライトバルブが既に本願出願人による特願平２−２３９
６５４号において提案されている。これによれば、書込
みパルス光消滅後も液晶層に必要な印加電圧を暫時持続
させるので、書込み光に対する読出し光レベルの充分な
応答特性を得ることができ、その特性は、図３の如くな
る。すなわち、図２と同様に、同図（ａ）に示すような
パルス光を、液晶層１に書込み側より入射すると、光導
電膜９のインピーダンスは、同図（ｂ）のように書込み
パルス光の消失後すなわち該パルス光の立下りにおい
て、ボロンを添加しない場合よりもゆっくりと定常値に
立上がる。よって、同図（ｃ）に示されるように、液晶
層１に印加される電圧もそれに応じてゆっくりと基準電
圧値まで下がることになるので、液晶層１の応答時間も
長くなり、同図（ｄ）のように読出し光における輝度信
号も長時間明レベルを持続させることができるというも
のである。
【０００５】しかしながら、ボロンを添加したａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜は、書込光の照射を続けていくと図４に示され
るように、次第にその光感度が低下していくという問題
があった。図４は、静的光感度特性を示しており、６０
ｐｐｍにてボロンを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜に対し、そ
の両面から透明電極を挟んで当該電極間に周波数１０Ｋ
Ｈｚの矩形波電圧を印加しつつ、ＬＥＤから波長６６０
ｎｍの書込光を連続して照射した場合における当該ａ−
Ｓｉ：Ｈ膜の光感度の経時変化を示したものである。横
軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．（Light Soaking Time）［Ｈｒ］は測定
開始時点からの経過時間であり、縦軸Ｉ．Ｄ．Ｒ．はイ
ンピーダンス減少率（Inpeadance DecreaseRatio）とし
て書込光の暗時におけるインピーダンス｜Ｚd｜と照射
時におけるインピーダンス｜Ｚp｜の比｜Ｚd｜／｜Ｚp
｜をその連続の入射書込光に対する光感度として表して
いる。また、図４における測定ポイントとしての△，
□，▲，■，●，○印は、照射レベルがそれぞれ順に
２．５ｍＷ／ｃｍ2，４８０μＷ／ｃｍ2，１３０μＷ／
ｃｍ2，２０μＷ／ｃｍ2，６μＷ／ｃｍ2，０μＷ／ｃ
ｍ2の書込光を所定時間連続して入射した場合のもので
あり、各測定ポイント間においては、照射レベルが１０
ｍＷ／ｃｍ2の書込光を照射している。
ｉ：Ｈ膜は、書込光の照射を続けていくと図４に示され
るように、次第にその光感度が低下していくという問題
があった。図４は、静的光感度特性を示しており、６０
ｐｐｍにてボロンを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜に対し、そ
の両面から透明電極を挟んで当該電極間に周波数１０Ｋ
Ｈｚの矩形波電圧を印加しつつ、ＬＥＤから波長６６０
ｎｍの書込光を連続して照射した場合における当該ａ−
Ｓｉ：Ｈ膜の光感度の経時変化を示したものである。横
軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．（Light Soaking Time）［Ｈｒ］は測定
開始時点からの経過時間であり、縦軸Ｉ．Ｄ．Ｒ．はイ
ンピーダンス減少率（Inpeadance DecreaseRatio）とし
て書込光の暗時におけるインピーダンス｜Ｚd｜と照射
時におけるインピーダンス｜Ｚp｜の比｜Ｚd｜／｜Ｚp
｜をその連続の入射書込光に対する光感度として表して
いる。また、図４における測定ポイントとしての△，
□，▲，■，●，○印は、照射レベルがそれぞれ順に
２．５ｍＷ／ｃｍ2，４８０μＷ／ｃｍ2，１３０μＷ／
ｃｍ2，２０μＷ／ｃｍ2，６μＷ／ｃｍ2，０μＷ／ｃ
ｍ2の書込光を所定時間連続して入射した場合のもので
あり、各測定ポイント間においては、照射レベルが１０
ｍＷ／ｃｍ2の書込光を照射している。
【０００６】この特性図から明らかな如く、ボロンを添
加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、書込光を連続して入射すると
その感度が時間とともに減少し、特に１３０μＷ／ｃｍ
2の書込光を入射した場合において顕著に減少すること
が分かる。また、図５はパルス光感度特性を示してお
り、上記同様のボロンを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含む
光導電型液晶ライトバルブに対し、液晶層を挟む電極間
に周波数１０ＫＨｚの矩形波電圧を印加し、ＬＥＤから
波長６６０ｎｍ，平均入射レベル１８０μＷ／ｃｍ2，
残光時間１ｍｓｅｃの書込パルス光を入射した場合にお
ける当該ライトバルブのパルス光感度の経時変化を示し
たものである。横軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．（Light Soaking Tim
e）［Ｈｒ］は測定開始時点からの経過時間であり、縦
軸［％］は所定レベルの読出光を入射した場合における
ライトバルブの最大輝度レベルＩmaxに対する出力輝度
レベルＩの割合（Ｉ／Ｉmax）×１００を書込パルス光
に対する応答レベルとして表している。なお、各測定ポ
イント間においては、照射レベルが１０ｍＷ／ｃｍ2の
書込光を照射している。
加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、書込光を連続して入射すると
その感度が時間とともに減少し、特に１３０μＷ／ｃｍ
2の書込光を入射した場合において顕著に減少すること
が分かる。また、図５はパルス光感度特性を示してお
り、上記同様のボロンを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含む
光導電型液晶ライトバルブに対し、液晶層を挟む電極間
に周波数１０ＫＨｚの矩形波電圧を印加し、ＬＥＤから
波長６６０ｎｍ，平均入射レベル１８０μＷ／ｃｍ2，
残光時間１ｍｓｅｃの書込パルス光を入射した場合にお
ける当該ライトバルブのパルス光感度の経時変化を示し
たものである。横軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．（Light Soaking Tim
e）［Ｈｒ］は測定開始時点からの経過時間であり、縦
軸［％］は所定レベルの読出光を入射した場合における
ライトバルブの最大輝度レベルＩmaxに対する出力輝度
レベルＩの割合（Ｉ／Ｉmax）×１００を書込パルス光
に対する応答レベルとして表している。なお、各測定ポ
イント間においては、照射レベルが１０ｍＷ／ｃｍ2の
書込光を照射している。
【０００７】この特性図から明らかな如く、ボロンを添
加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、書込パルス光に対する光感度
が時間とともに減少し、１０時間が過ぎると、感度は０
に近づくことが分かる。このように、光導電膜において
光感度が低下すると、光導電型液晶ライトバルブの投射
画像も良好に維持することができなくなる。
加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、書込パルス光に対する光感度
が時間とともに減少し、１０時間が過ぎると、感度は０
に近づくことが分かる。このように、光導電膜において
光感度が低下すると、光導電型液晶ライトバルブの投射
画像も良好に維持することができなくなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明の目的
は、書込み光に対する読出し光出力の応答を長く保持す
ることができるとともに、光感度の低下しない光導電型
液晶ライトバルブを提供することである。
は、書込み光に対する読出し光出力の応答を長く保持す
ることができるとともに、光感度の低下しない光導電型
液晶ライトバルブを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による光導電型液
晶ライトバルブは、光導電層及び液晶層が積層され、前
記光導電層及び液晶層の外側に一対の透明電極が配され
た構成の光導電型液晶ライトバルブであって、前記光導
電層は、窒素が添加されたアモルファスシリコンからな
ることを特徴としている。
晶ライトバルブは、光導電層及び液晶層が積層され、前
記光導電層及び液晶層の外側に一対の透明電極が配され
た構成の光導電型液晶ライトバルブであって、前記光導
電層は、窒素が添加されたアモルファスシリコンからな
ることを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明による光導電型液晶ライトバルブは、ア
モルファスシリコンに窒素を含有する光導電層が、画面
の走査に充分な応答時間を保持する光書込特性を有する
とともに、経時変化の小なる光書込特性を有する。
モルファスシリコンに窒素を含有する光導電層が、画面
の走査に充分な応答時間を保持する光書込特性を有する
とともに、経時変化の小なる光書込特性を有する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。図６は本発明の一実施例を示すブロック図である。
図において液晶層１の周りにはスペーサ２が設けられ、
液晶層１の両面には液晶配向膜３，４が配されている。
この液晶層１と光導電膜たるａ−Ｓｉ：Ｈ膜５とが光反
射膜（誘電体ミラー）６及び光吸収膜（光遮断膜）７を
挟んで積層されている。光反射膜６は読出し側から入射
する投写光を反射するためのもの、光吸収膜７は光反射
膜６からの漏れ光を吸収するためのものである。液晶層
１と光導電膜５の外側には透明電極としての透明導電膜
８，９が配されており、これらの全てはガラス基板１
０，１１によって封止されている。透明導電膜８，９の
間には交流電圧が駆動電源１２によって印加されてい
る。
る。図６は本発明の一実施例を示すブロック図である。
図において液晶層１の周りにはスペーサ２が設けられ、
液晶層１の両面には液晶配向膜３，４が配されている。
この液晶層１と光導電膜たるａ−Ｓｉ：Ｈ膜５とが光反
射膜（誘電体ミラー）６及び光吸収膜（光遮断膜）７を
挟んで積層されている。光反射膜６は読出し側から入射
する投写光を反射するためのもの、光吸収膜７は光反射
膜６からの漏れ光を吸収するためのものである。液晶層
１と光導電膜５の外側には透明電極としての透明導電膜
８，９が配されており、これらの全てはガラス基板１
０，１１によって封止されている。透明導電膜８，９の
間には交流電圧が駆動電源１２によって印加されてい
る。
【００１２】光導電膜５は、水素化アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）にＮ（窒素）を添加したものであ
る。光導電膜５の形成は、ＮＨ3ガスとＳｉＨ4ガスと
を、ＮＨ 3／ＳｉＨ4のガス流量比（体積比）で好ましく
は０．０１〜１にて混合し、これをプラズマで分解する
ことによってなされる。ライトバルブに入射された書込
み光は、ガラス基板１１及び透明導電膜９を透過し、光
導電膜５の書込み面に像を描いて照射する。光導電膜５
の書込み面のうち、上記書込み光によって照射された部
分の導電性は、その書込み光の光出力強度に応じて低下
するので、駆動電源１２による電圧が液晶層１に加わ
り、液晶分子の配向を変化せしめる。
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）にＮ（窒素）を添加したものであ
る。光導電膜５の形成は、ＮＨ3ガスとＳｉＨ4ガスと
を、ＮＨ 3／ＳｉＨ4のガス流量比（体積比）で好ましく
は０．０１〜１にて混合し、これをプラズマで分解する
ことによってなされる。ライトバルブに入射された書込
み光は、ガラス基板１１及び透明導電膜９を透過し、光
導電膜５の書込み面に像を描いて照射する。光導電膜５
の書込み面のうち、上記書込み光によって照射された部
分の導電性は、その書込み光の光出力強度に応じて低下
するので、駆動電源１２による電圧が液晶層１に加わ
り、液晶分子の配向を変化せしめる。
【００１３】一方、偏光プリズム１３から入射された読
出し光は、上記書込み光に応じて配列の変化する液晶分
子によって、液晶層及びその側面に配される光反射膜６
に反射または吸収される。反射した反射光は、液晶配向
膜３、透明導電膜８、ガラス基板１０及び偏光プリズム
１３を透過した後、図示せぬスクリーンへ投写される。
出し光は、上記書込み光に応じて配列の変化する液晶分
子によって、液晶層及びその側面に配される光反射膜６
に反射または吸収される。反射した反射光は、液晶配向
膜３、透明導電膜８、ガラス基板１０及び偏光プリズム
１３を透過した後、図示せぬスクリーンへ投写される。
【００１４】このようにＮを含有するａ−Ｓｉ：Ｈ膜に
て構成された光導電型液晶ライトバルブの光書込応答特
性は次のようになる。図７ないし図１２は、上記光導電
型液晶ライトバルブに対し、透明電極間に周波数１０Ｋ
Ｈｚの矩形波電圧を印加し、読出側より所定の読出光を
照射しつつ、書込側より波長６６０ｎｍ，平均照射レベ
ル１８０μＷ／ｃｍ2，残光１ｍｓｅｃの書込パルス光
を１フィールドの周期たる１６．６７ｍｓｅｃの間隔で
１６回連続して照射した場合におけるパルス光書込応答
特性を示したものである。Ｎの含有量がＮＨ3／ＳｉＨ4
ガス流量比で図７は０，図８が０．０２，図９が０．０
５，図１０が０．１，図１１が０．２，図１２が０．５
のａ−Ｓｉ：Ｈ膜にて構成された光導電型液晶ライトバ
ルブの特性を示している。横軸［ｍｓ］は書込パルス光
入射開始時点からの経過時間であり、縦軸［％］は所定
レベルの読出光を入射した場合におけるライトバルブの
最大輝度レベルＩmaxに対する出力輝度レベルＩの割合
（Ｉ／Ｉmax）×１００を書込パルス光に対する応答レ
ベルとして表している。
て構成された光導電型液晶ライトバルブの光書込応答特
性は次のようになる。図７ないし図１２は、上記光導電
型液晶ライトバルブに対し、透明電極間に周波数１０Ｋ
Ｈｚの矩形波電圧を印加し、読出側より所定の読出光を
照射しつつ、書込側より波長６６０ｎｍ，平均照射レベ
ル１８０μＷ／ｃｍ2，残光１ｍｓｅｃの書込パルス光
を１フィールドの周期たる１６．６７ｍｓｅｃの間隔で
１６回連続して照射した場合におけるパルス光書込応答
特性を示したものである。Ｎの含有量がＮＨ3／ＳｉＨ4
ガス流量比で図７は０，図８が０．０２，図９が０．０
５，図１０が０．１，図１１が０．２，図１２が０．５
のａ−Ｓｉ：Ｈ膜にて構成された光導電型液晶ライトバ
ルブの特性を示している。横軸［ｍｓ］は書込パルス光
入射開始時点からの経過時間であり、縦軸［％］は所定
レベルの読出光を入射した場合におけるライトバルブの
最大輝度レベルＩmaxに対する出力輝度レベルＩの割合
（Ｉ／Ｉmax）×１００を書込パルス光に対する応答レ
ベルとして表している。
【００１５】これら特性図によれば、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の
Ｎの含有量によって出力として生ずる輝度レベルも変化
することが分かる。各特性曲線の１つ１つの山は、入射
した書込パルス光の１つ１つに対する出力特性を示して
おり、１６の書込パルス光のうち前半に入射したパルス
光に対しては出力輝度レベルも立ち上がりが遅くそのピ
ークレベルも比較的小なるレベルに留まるものである
が、後半に入射したパルス光に対しては出力輝度レベル
は立ち上がりが速くそのピークレベルも比較的大なるレ
ベルとなって安定した出力となる傾向があることが分か
る。また、応答時間についても例えば図１２において最
後に入射した書込パルス光に対する出力輝度特性（斜線
にて示される）に注目すると、かかる特性の山は出力レ
ベルが約８０％のピークを有し、そこから徐々にその出
力レベルを低下させ、山の発生からおよそ６０ｍｓｅｃ
後に当該ピークレベルの出力が消滅したものとみなすピ
ークレベルの１０％（この場合出力レベル８％）まで減
衰することとなる。この特性によれば、図１において示
したような１の画素において必要な応答時間（１フィー
ルド時間）を充分に満足することが分かる。特に、Ｎの
含有量がＮＨ3／ＳｉＨ4比で０．０２〜０．５のａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜はその応答特性が良好である。
Ｎの含有量によって出力として生ずる輝度レベルも変化
することが分かる。各特性曲線の１つ１つの山は、入射
した書込パルス光の１つ１つに対する出力特性を示して
おり、１６の書込パルス光のうち前半に入射したパルス
光に対しては出力輝度レベルも立ち上がりが遅くそのピ
ークレベルも比較的小なるレベルに留まるものである
が、後半に入射したパルス光に対しては出力輝度レベル
は立ち上がりが速くそのピークレベルも比較的大なるレ
ベルとなって安定した出力となる傾向があることが分か
る。また、応答時間についても例えば図１２において最
後に入射した書込パルス光に対する出力輝度特性（斜線
にて示される）に注目すると、かかる特性の山は出力レ
ベルが約８０％のピークを有し、そこから徐々にその出
力レベルを低下させ、山の発生からおよそ６０ｍｓｅｃ
後に当該ピークレベルの出力が消滅したものとみなすピ
ークレベルの１０％（この場合出力レベル８％）まで減
衰することとなる。この特性によれば、図１において示
したような１の画素において必要な応答時間（１フィー
ルド時間）を充分に満足することが分かる。特に、Ｎの
含有量がＮＨ3／ＳｉＨ4比で０．０２〜０．５のａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜はその応答特性が良好である。
【００１６】図１３は、Ｎの含有量がＮＨ3／ＳｉＨ4ガ
ス流量比で０．０５のａ−Ｓｉ：Ｈ膜の静的光感度特性
を示しており、図４と同一条件にて書込光を連続して照
射した場合における当該ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の光感度の経時
変化を示したものである。横軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．及び縦軸
Ｉ．Ｄ．Ｒ．、並びに各測定ポイントについても図４と
同様である。
ス流量比で０．０５のａ−Ｓｉ：Ｈ膜の静的光感度特性
を示しており、図４と同一条件にて書込光を連続して照
射した場合における当該ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の光感度の経時
変化を示したものである。横軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．及び縦軸
Ｉ．Ｄ．Ｒ．、並びに各測定ポイントについても図４と
同様である。
【００１７】この特性図から明らかな如く、Ｎを添加し
たａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、ボロンを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜
に比べ、書込光を連続して入射してもその感度が時間と
ともにさほど減少することなく平坦な特性を示すことが
分かる。また、図１４はパルス光感度特性を示してお
り、上記同様のＮの含有量がＨ3／ＳｉＨ4ガス流量比で
０．０５のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含む光導電型液晶ライトバ
ルブに対し、図５と同一条件にて書込光を入射した場合
における当該ライトバルブのパルス光感度の経時変化を
示したものである。横軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．及び縦軸［％］に
ついても図５と同様である。なお、各測定ポイントにお
いては、例えば図９において最後に入射した３つの書込
パルス光に応答した出力輝度レベル（図８の斜線部の面
積に相当する）の平均値を出力輝度レベルＩとしたもの
である。
たａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、ボロンを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜
に比べ、書込光を連続して入射してもその感度が時間と
ともにさほど減少することなく平坦な特性を示すことが
分かる。また、図１４はパルス光感度特性を示してお
り、上記同様のＮの含有量がＨ3／ＳｉＨ4ガス流量比で
０．０５のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含む光導電型液晶ライトバ
ルブに対し、図５と同一条件にて書込光を入射した場合
における当該ライトバルブのパルス光感度の経時変化を
示したものである。横軸Ｌ．Ｓ．Ｔ．及び縦軸［％］に
ついても図５と同様である。なお、各測定ポイントにお
いては、例えば図９において最後に入射した３つの書込
パルス光に応答した出力輝度レベル（図８の斜線部の面
積に相当する）の平均値を出力輝度レベルＩとしたもの
である。
【００１８】そして、この特性図とボロンを添加したａ
−Ｓｉ：Ｈ膜を含む光導電型液晶ライトバルブのパルス
光書込特性を示した先の図５とを比較すれば明らかな如
く、Ｎを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、書込パルス光によ
る光感度の経時変化は緩やかとなることが分かる。な
お、上記実施例の他に、テトラヘドラル系アモルファス
合金（ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＧｅ，ａ−ＳｉＳｕ）にＮ
を添加しても有効である。
−Ｓｉ：Ｈ膜を含む光導電型液晶ライトバルブのパルス
光書込特性を示した先の図５とを比較すれば明らかな如
く、Ｎを添加したａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、書込パルス光によ
る光感度の経時変化は緩やかとなることが分かる。な
お、上記実施例の他に、テトラヘドラル系アモルファス
合金（ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＧｅ，ａ−ＳｉＳｕ）にＮ
を添加しても有効である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導電型
液晶ライトバルブにおいては、アモルファスシリコンに
窒素を混在せしめて得られる光導電層が、書込みパルス
光消滅後も液晶層に必要な印加電圧を暫時持続させるの
で、書込み光に対する読出し光レベルの充分な応答を得
ることができる。しかもかかる光導電層は、光感度の経
時変化が小さいので、常に良好な投射画像を得ることが
できる。
液晶ライトバルブにおいては、アモルファスシリコンに
窒素を混在せしめて得られる光導電層が、書込みパルス
光消滅後も液晶層に必要な印加電圧を暫時持続させるの
で、書込み光に対する読出し光レベルの充分な応答を得
ることができる。しかもかかる光導電層は、光感度の経
時変化が小さいので、常に良好な投射画像を得ることが
できる。
【図１】 １つの画素について着目した時の書込光の入
射レベル及びそれに対する液晶の応答特性を示す図。
射レベル及びそれに対する液晶の応答特性を示す図。
【図２】 ａ−Ｓｉにボロンを添加しない場合の従来の
光導電型液晶ライトバルブにおける光書込特性を示す
図。
光導電型液晶ライトバルブにおける光書込特性を示す
図。
【図３】 ａ−Ｓｉにボロンを添加した場合の従来の光
導電型液晶ライトバルブにおける光書込特性を示す図。
導電型液晶ライトバルブにおける光書込特性を示す図。
【図４】 ａ−Ｓｉにボロンを添加した場合の従来の光
導電型液晶ライトバルブにおける静的光感度特性を示す
図。
導電型液晶ライトバルブにおける静的光感度特性を示す
図。
【図５】 ａ−Ｓｉにボロンを添加した場合の従来の光
導電型液晶ライトバルブにおけるパルス光書込による光
感度特性を示す図。
導電型液晶ライトバルブにおけるパルス光書込による光
感度特性を示す図。
【図６】 本発明の一実施例の光導電型液晶ライトバル
ブの構造を示す図。
ブの構造を示す図。
【図７】 光導電膜のＮの含有量をＨ3／ＳｉＨ4ガス流
量比で０とした場合の本発明の光導電型液晶ライトバル
ブの光書込応答特性を示す図。
量比で０とした場合の本発明の光導電型液晶ライトバル
ブの光書込応答特性を示す図。
【図８】 光導電膜のＮの含有量をＨ3／ＳｉＨ4ガス流
量比で０．０２とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
量比で０．０２とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
【図９】 光導電膜のＮの含有量をＨ3／ＳｉＨ4ガス流
量比で０．０５とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
量比で０．０５とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
【図１０】 光導電膜のＮの含有量をＨ3／ＳｉＨ4ガス
流量比で０．１とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
流量比で０．１とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
【図１１】 光導電膜のＮの含有量をＨ3／ＳｉＨ4ガス
流量比で０．２とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
流量比で０．２とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
【図１２】 光導電膜のＮの含有量をＨ3／ＳｉＨ4ガス
流量比で０．５とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
流量比で０．５とした場合の本発明の光導電型液晶ライ
トバルブの光書込応答特性を示す図。
【図１３】 本発明の光導電型液晶ライトバルブにおけ
る静的光感度特性を示す図。
る静的光感度特性を示す図。
【図１４】 本発明の光導電型液晶ライトバルブにおけ
るパルス光書込による光感度特性を示す図。
るパルス光書込による光感度特性を示す図。
１ 液晶層 ２ スペーサ ３，４ 配向膜 ５ 光導電膜 ６ 光反射膜 ７ 光吸収膜 ８，９ 透明導電膜 １０，１１ ガラス基板 １２ 駆動電源 １３ 偏光プリズム
Claims (2)
- 【請求項１】 光導電層及び液晶層が積層され、前記光
導電層及び液晶層の外側に一対の透明電極が配された構
成の光導電型液晶ライトバルブであって、前記光導電層
は、窒素を含有するアモルファスシリコンからなること
を特徴とする光導電型液晶ライトバルブ。 - 【請求項２】 前記アモルファスシリコンの窒素含有量
は、ＮＨ3／ＳｉＨ4ガス流量比で０．０１ないし１であ
ることを特徴とする請求項１記載の光導電型液晶ライト
バルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16287792A JPH063692A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16287792A JPH063692A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063692A true JPH063692A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15762970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16287792A Pending JPH063692A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063692A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012006119A3 (en) * | 2010-06-28 | 2012-04-05 | Llc Lawrence Livermore National Security | High voltage photo-switch package module |
| US9025919B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-05-05 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High voltage photo-switch package module having encapsulation with profiled metallized concavities |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16287792A patent/JPH063692A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012006119A3 (en) * | 2010-06-28 | 2012-04-05 | Llc Lawrence Livermore National Security | High voltage photo-switch package module |
| US8655125B2 (en) | 2010-06-28 | 2014-02-18 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High voltage photo switch package module |
| US9025919B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-05-05 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High voltage photo-switch package module having encapsulation with profiled metallized concavities |
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