JPH0637077A

JPH0637077A - 処理装置

Info

Publication number: JPH0637077A
Application number: JP21373292A
Authority: JP
Inventors: Kiyohisa Tateyama; 清久立山; Masanori Tateyama; 正規建山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1992-05-18
Filing date: 1992-07-17
Publication date: 1994-02-10
Anticipated expiration: 2014-03-10
Also published as: JP2869835B2

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理体の裏面への処理液の侵入を防止する
と共に、気体の風圧を利用して被処理体の保持を行う。【構成】ウエハＷを保持するスピンチャック１に被処
理体保持機構１０を形成する。被処理体保持機構１０
を、Ｎ2 ガスの風圧を受けて回転する回転体１１と、ス
ピンチャック１の周辺部に配設される複数の被処理体保
持爪１２と、この被処理体保持爪１２に回転体１１の回
転運動を伝達する伝達リンク１３とで構成する。これに
より、スピンチャック１上に載置されるウエハＷの裏面
に供給されるＮ2 ガスの風圧を受けて回転体１１が回転
し、回転体１１の回転運動を伝達リンク１３を介して被
処理体保持爪１２に伝達して、被処理体保持爪１２によ
りウエハＷの周縁部を挾持保持する。また、Ｎ2 ガスに
よってウエハＷの裏面への処理液の回り込みを防止する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を回転保持しつつ処理する処理装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、被処理
体例えば半導体ウエハを水平に保持して回転させ、半導
体ウエハの表面に処理液（洗浄液）を供給すると共に、
例えばナイロンやモヘヤ等にて形成されるブラシを半導
体ウエハの表面に押し当てて表面の粒子汚染物を除去す
る処理装置が知られている。

【０００３】また、この種の処理装置において、半導体
ウエハの外周縁を３本以上の挾持爪で挾持するグリップ
チャック方式のものが採用されており、このグリップチ
ャック方式として、例えば特公平３−９６０７号公報に
記載の構造のものが知られている。この特公平３−９６
０７号公報に記載の技術は、処理室内に突設される回転
軸を筒状回転軸にて形成し、この筒状回転軸内に相対回
転又は相対移動可能に爪駆動軸を貫通し、この爪駆動軸
の突設側に可動爪操作リンクを介して可動爪を連結して
なる。そして、筒状駆動軸と爪駆動軸との間に付勢手段
を掛止すると共に、付勢手段に対向して設けられた可動
爪解除手段により爪駆動軸を介して半導体ウエハを挾持
・解放するように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、グリップチャック方式を
採用するため、保持される半導体ウエハの裏面に処理液
侵入防止用の気体（例えば窒素（Ｎ2 ）ガス）を供給し
て両面処理を可能とすることができるが、筒状駆動軸内
に爪駆動軸を貫通する２重軸構造であり、しかも、筒状
駆動軸と爪駆動軸との間に付勢手段を掛止すると共に、
付勢手段に対向して設けられた可動爪解除手段により爪
駆動軸を介して半導体ウエハを挾持・解放する構造であ
るため、構造が複雑になると共に、２系統の駆動源が必
要となるので、装置全体が大型になるという問題があっ
た。

【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の裏面への処理液の侵入を防止すると共
に、処理液侵入防止用気体の風圧を利用して被処理体の
保持を行えるようにした処理装置を提供することを目的
とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体を回転保持手段に
て保持すると共に、被処理体の表面に処理液を供給して
処理する処理装置を前提とし、上記回転保持手段に、上
記被処理体の裏面に向って気体を供給すると共に、この
気体の風圧により駆動して上記被処理体を保持する被処
理体保持機構を形成してなるものである。

【０００７】この発明において、上記被処理体保持機構
は気体の風圧により被処理体の保持・解放を司るもので
あれば、その構造は任意のものでよいが、好ましくは被
処理体保持機構を、気体の風圧により回転する回転体
と、回転保持手段の周辺部の少なくとも３箇所に配設さ
れる揺動可能な被処理体保持爪と、この被処理体保持爪
に上記回転体の回転運動を伝達する伝達リンクとで構成
するか、あるいは、被処理体保持機構を、気体の風圧に
より直線移動する移動体と、回転保持手段の周辺部の少
なくとも３箇所に揺動可能に配設されると共に、上記移
動体によって被処理体の保持又は解放位置に切換え可能
な被処理体保持爪とで構成する方がよい。

【０００８】上記被処理体保持機構を移動体と被処理体
保持爪とで構成する場合には、移動体をシリンダ内に摺
動自在に配設されるピストンにて形成し、上記シリンダ
における被処理体裏面と対向する部位に、上記ピストン
の移動に伴って開閉する気体吐出口を設けてなる方が好
ましい。

【０００９】

【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、被処理体を保持する回転保持手段における被処
理体の裏面に向って気体を供給すると、この気体の風圧
を受けて被処理体保持機構が駆動し、気体は被処理体の
外周方向に向かって流れる。したがって、被処理体の裏
面への処理液の侵入を防止すると同時に、被処理体を保
持することができる。

【００１０】また、被処理体保持機構を、気体の風圧を
受けて回転する回転体と、回転保持手段の周辺部の少な
くとも３箇所に配設される揺動可能な被処理体保持爪
と、この被処理体保持爪に回転体の回転運動を伝達する
伝達リンクとで構成することにより、構造を簡単にする
ことができると共に、装置全体の小型化を図ることがで
きる。

【００１１】また、被処理体保持機構を、気体の風圧に
より直線移動する移動体と、回転保持手段の周辺部の少
なくとも３箇所に揺動可能に配設されると共に、移動体
によって被処理体の保持又は解放位置に切換え可能な被
処理体保持爪とで構成することにより、構造を簡単にす
ることができ、装置全体の小型化が図れる上、気体の風
圧によって確実に被処理体を保持することができる。こ
の場合、移動体をシリンダ内に摺動自在に配設されるピ
ストンにて形成し、シリンダにおける被処理体裏面と対
向する部位に、ピストンの移動に伴って開閉する気体吐
出口を設けることにより、被処理体の保持と同時に、被
処理体の裏面への処理液の侵入を防止することができ
る。

【００１２】

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例では、この発明の処理装置
を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について
説明する。

【００１３】◎第一実施例上記半導体ウエハの洗浄処理装置は、図１及び図２に示
すように、被処理体である半導体ウエハＷ（以下にウエ
ハという）を水平状態に保持する回転保持手段であるス
ピンチャック１と、このスピンチャック１にて保持され
るウエハＷの上面にジェットノズル７から供給される処
理液すなわち洗浄液を用いてウエハＷの表面に付着する
粒子汚染物を洗浄除去するディスクブラシ２とで主要部
が構成されている。

【００１４】スピンチャック１は、図示しない駆動モー
タによって回転される中空円筒状の回転軸４の上端部に
水平に連結する回転板５と、この回転板５上に形成され
てウエハＷを水平状態に保持する被処理体保持機構１０
（以下に保持機構という）とで構成されており、回転軸
４の中空部には、洗浄処理液侵入防止用気体（Ｎ2 ガ
ス）の供給通路３が設けられている。

【００１５】上記保持機構１０は、図３ないし図５に示
すように、回転軸４の上端に連結されてＮ2 ガスの風圧
を受けて回転する回転体１１と、回転板５の周辺部の６
箇所に配設される揺動可能な被処理体保持爪１２（以下
に保持爪という）と、各保持爪１２に回転体１１の回転
運動を伝達する伝達リンク１３とで構成されている。こ
の場合、回転体１１は、図６に示すように、円柱状のボ
ス部１４ａから放射方向に向って突出する６本の脚片１
４ｂを有する回転伝達部１４と、この回転伝達部１４の
上方に連結軸１５及びキー１５ａをもって連結される外
周面に６枚の傾斜状羽根片１６ａを突設する回転羽根１
６とで構成されており、水平面に対して例えば約３０度
に傾斜する各傾斜状羽根片１６ａの下面に、回転板５の
基部５ａに設けられたＮ2 ガス供給通路３と連通する通
路５ｂから上方に向って噴射されるＮ2 ガスが衝突し得
るようになっている。したがって、図示しないＮ2 ガス
供給源から回転軸４のＮ2 ガス供給通路３内に供給され
て通路５ｂから噴射されるＮ2 ガスの風圧を受けて回転
羽根１６が回転すると共に、回転伝達部１４が回転する
ことができる。また、Ｎ2 ガスは回転羽根１６の下面に
衝突した後、外周方向に流れてウエハＷの裏面への洗浄
液の回り込み侵入を防止することができる。

【００１６】上記保持爪１２は支点ピン１７ａをもって
回転板５の外周片部に水平方向に揺動可能に枢着される
揺動リンク１７の一端に固定ねじ１２ａをもって立設さ
れる円柱状基部１２ｂと、この円柱状基部１２ｂの上部
に突設されてウエハＷの縁部を載置するウエハ載置フラ
ンジ１２ｃと、このウエハ載置フランジ１２ｃの上方突
出側の頂部に設けられるウエハ案内用テーパー部１２ｄ
とで構成されている。このように構成される保持爪１２
は、ウエハＷの非保持状態において、フォーク状の搬送
アーム（図示せず）によって外部から搬送されて上方か
ら落し込まれるウエハＷをウエハ案内用テーパー部１２
ｄで案内して、ウエハ載置フランジ１２ｃ上に仮載置す
ることができる。

【００１７】上記のように構成される保持爪１２の揺動
リンク１７の他端部と回転体１１の回転伝達部１４に設
けられた脚片１４ｂの先端部とにはそれぞれヒンジピン
１３ａをもって伝達リンク１３が枢着されて、回転体１
１の回転運動を保持爪１２の揺動リンク１７に伝達する
と共に、保持爪１２をスピンチャック１の回転中心に対
して接離移動すなわちウエハＷの保持・解放方向に移動
することができるようになっている。なお、伝達リンク
１３は回転板５の上面に設けられた案内溝５ｃに沿って
摺動自在に配設されている（図３参照）。

【００１８】上記ディスクブラシ２は、スピンチャック
１の側方に配設される操作アーム６の先端部の下面に回
転（自転及び公転）可能に装着される円盤２ａの下面に
多数植設される例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形
成されている。このディスクブラシ２は、図示しない駆
動手段によって駆動する操作アーム６によってスピンチ
ャック１の回転板５上に回転（θ）移動すると共に、垂
直方向（Ｚ）に移動するように構成されており、待機中
にブラシ洗浄器８によって洗浄されるようになってい
る。

【００１９】一方、ジェットノズル７は、図１に示すよ
うに、スピンチャック１に関してディスクブラシ２と対
向する側に配設されており、操作機構９によって垂直方
向（Ｚ）及び水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム７ａの
先端部に装着されている。このジェットノズル７は、デ
ィスクブラシ２の使用時にウエハＷの上面に移動して図
示しない洗浄液供給源から供給される洗浄液をディスク
ブラシ２の近傍位置に散布し得るようになっている。

【００２０】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハＷを解放状態におかれた保持爪１２のウエハ載
置フランジ１２ｃ上に仮載置した後、ウエハ搬送アーム
を下方に移動させてスピンチャック１から後退させる。
次に、Ｎ2 ガス供給源から回転軸４のＮ2 ガス供給通路
３内にＮ2 ガスを供給すると、Ｎ2 ガスはＮ2 ガス供給
通路３から通路５ｂを通って上方に噴射されるて回転体
１１の傾斜状羽根片１６ａの下面に衝突する。傾斜状羽
根片１６ａは水平面に対して約３０度傾斜しているの
で、Ｎ2 ガスの衝突力の水平方向分力によって回転体１
１が水平方向に回転する。この回転体１１の水平方向の
回転は伝達リンク１３を介して保持爪１２の揺動リンク
１７に伝達され、保持爪１２がスピンチャック１の中心
方向に向って移動して、ウエハＷの周縁部を挟持保持す
る。

【００２１】上記のようにしてウエハＷの周縁部を挾持
保持した状態で、図示しない駆動モータが駆動して回転
軸４を回転してウエハＷを水平回転する。そして、ディ
スクブラシ２とジェットノズル７をウエハＷの上方に移
動すると共に、ジェットノズル７からウエハＷの表面に
洗浄液を散布して、ディスクブラシ２によってウエハＷ
の表面を擦りながら洗浄し表面に付着する粒子汚染物等
を除去する。この洗浄は、ジェットノズル７から洗浄液
を散布するジェット洗浄単独で行ってもよく、ディスク
ブラシ２近傍に洗浄液を供給しつつ洗浄するブラシ洗浄
単独で行ってもよく、また、両者を交互に行う、同時に
行うなど、被処理体の種類や洗浄状態に応じて、種々変
更設定して行うようにしてもよい。このとき、ウエハＷ
の裏面側にはＮ2 ガスが供給されており、しかも外周方
向に向って流れているので、洗浄液はウエハＷの裏面に
回り込む虞れはない。

【００２２】なお、上記実施例では、保持爪１２が６箇
所に配設される場合について説明したが、必ずしも保持
爪１２の数は６個である必要はなく、少なくとも３箇所
に配設されていればよい。また、保持・解放動作する保
持爪１２の他にウエハＷを載置のみ可能とする固定保持
爪を併設してもよい。例えば、上記実施例における等間
隔の３箇所を保持・解放動作する保持爪１２とし、残り
の３箇所に配設される保持爪を固定保持爪とすることも
可能である。また、保持爪１２のクランプ力の調節機能
を設ける方が好ましく、この調節手段として、例えばＮ
2 ガスの供給圧を調整するか、揺動リンク１７の支点ピ
ン１７ａの位置を調節するか、揺動リンク１７にストッ
パーを設けるとか、スプリングを付設するとか、あるい
は、回転体１１の傾斜状羽根片１６ａの傾斜角を調節す
るなどの方法を採用することができる。

【００２３】◎第二実施例図７はこの発明の処理装置の第二実施例の要部の概略平
面図、図８は第二実施例における要部断面図が示されて
いる。

【００２４】第二実施例における処理装置は供給される
Ｎ2 ガスの気圧（圧力）によって更に確実にウエハＷを
保持し得るようにした場合である。

【００２５】すなわち、保持機構１０を供給されるＮ2
ガスの風圧により直線移動する移動体１８と、スピンチ
ャック１の周辺部の少なくとも３箇所に揺動可能に配設
されると共に、移動体１８によってウエハＷの保持又は
解放位置に切換え可能な保持爪１２とで構成した場合で
ある。この場合、移動体１８は、回転板５上に配設され
る複数（図面では６つの場合を示す）のシリンダ１８ａ
内にそれぞれ摺動自在に配設されるピストンにて形成さ
れている。また、シリンダ１８ａは通路１８ｃを介して
Ｎ2 ガス供給通路３と連通し、シリンダ１８ａにおける
ウエハＷの裏面と対向する部位には、移動体すなわちピ
ストン１８の移動に伴って開閉する気体吐出口であるＮ
2 ガス吐出口１８ｂが穿設されている。

【００２６】また、保持爪１２は、支点ピン１２ｅをも
って回転板５の周辺部に水平方向に揺動（回転）可能に
取付けられており、ピストン１８と係合する側と反対側
には、スプリング１９ａの付勢力によって常時保持爪１
２を解放位置に押圧する押圧体１９が当接係合してい
る。

【００２７】なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。

【００２８】上記のように構成される第二実施例の処理
装置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、上記
第一実施例と同様に、まず、図示しないフォーク状のウ
エハ搬送アームにて搬送されるウエハＷを解放状態にお
かれた保持爪１２上に仮載置した後、ウエハ搬送アーム
を下方に移動させてスピンチャック１から後退させる。
次に、Ｎ2 ガス供給源から回転軸４のＮ2 ガス供給通路
３内にＮ2 ガスを供給すると、Ｎ2 ガスはＮ2 ガス供給
通路３から通路１８ｃを通ってシリンダ１８ａ内を流
れ、ピストン１８を外周方向へ押圧する。ピストン１８
の移動によって保持爪１２がスプリング１９ａの付勢力
に抗して保持側に回転して、ウエハＷの周縁部を挟持保
持する。

【００２９】上記のようにしてウエハＷの周縁部を挾持
保持した状態で、上記第一実施例と同様に、図示しない
駆動モータが駆動して回転軸４を回転してウエハＷを水
平回転する。そして、ディスクブラシ２とジェットノズ
ル７をウエハＷの上方に移動すると共に、ジェットノズ
ル７からウエハＷの表面に洗浄液を散布して、ディスク
ブラシ２によってウエハＷの表面を擦りながら洗浄し表
面に付着する粒子汚染物等を除去する。このとき、シリ
ンダ１８ａ内に供給されたＮ2 ガスが、ピストン１８の
移動に伴って開放したＮ2 ガス吐出口１８ｂからウエハ
Ｗの裏面側に供給された後、外周方向に向って流れてい
るので、洗浄液はウエハＷの裏面に回り込む虞れはな
い。

【００３０】したがって、第二実施例における処理装置
によれば、Ｎ2 ガスの供給のみでウエハＷを保持するこ
とができるので、スピンチャック１の回転状態に左右さ
れることなく、確実にウエハＷを保持することができ
る。

【００３１】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。

【００３２】上記半導体ウエハの塗布現像装置は、図９
に示すように、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット
３０にウエハＷを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構２０とで主要部が構成されている。

【００３３】搬入・搬出機構２０は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア２１と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２２と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２３と、このア−ム２３をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２４
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
３０との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２５とを備えている。

【００３４】処理機構ユニット３０には、アライメント
ステージ２５よりＸ方向に形成された搬送路３１に沿っ
て移動自在に搬送機構３２が設けられており、この搬送
機構３２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３３が設けられている。搬送路３１の一方の側には、
ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３４
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３５と、過熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３６とが配置されて
いる。搬送路３１の他方の側にはウエハＷの表面にレジ
ストを塗布する処理液塗布機構３７と、ウエハＷの表面
に付着する粒子汚染物等を洗浄処理する洗浄処理装置３
８（この発明の処理装置）とが配置されている。

【００３５】以上のように構成される半導体ウエハ塗布
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２０のア−ム２３によってウエハキャリア２１
から搬出されてアライメントステージ２５上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２５上のウエハＷ
は、搬送機構３２のメインアーム３３に保持されて、各
処理機構３４〜３８へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３３によってアライメントステージ２５に戻され、更
にア−ム２３により搬送されてウエハキャリア２２に収
納される。

【００３６】上記実施例では被処理体が半導体ウエハの
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板、フォトマスク、セラミック基板、コン
パクトディスクなどについて同様に洗浄等の処理を施す
ものについても適用できるものである。

【００３７】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。

【００３８】１）請求項１記載の処理装置によれば、被
処理体を保持する回転保持手段に、被処理体の裏面に向
って気体を供給すると共に、この気体の風圧により駆動
して被処理体を保持する被処理体保持機構を形成するの
で、被処理体の裏面への処理液の侵入を防止すると同時
に、被処理体を保持することができる。

【００３９】２）請求項２記載の処理装置によれば、被
処理体保持機構を、気体の風圧により回転する回転体
と、回転保持手段の周辺部の少なくとも３箇所に配設さ
れる揺動可能な被処理体保持爪と、この被処理体保持爪
に回転体の回転運動を伝達する伝達リンクとで構成する
ので、構造を簡単にすることができると共に、装置全体
の小型化が図れる。

【００４０】３）請求項３記載の処理装置によれば、被
処理体保持機構を、気体の風圧により直線移動する移動
体と、回転保持手段の周辺部の少なくとも３箇所に揺動
可能に配設されると共に、移動体によって被処理体の保
持又は解放位置に切換え可能な被処理体保持爪とで構成
するので、構造を簡単にすることができ、装置全体の小
型化が図れる上、気体の風圧によって確実に被処理体を
保持することができる。

【００４１】４）請求項４記載の処理装置によれば、移
動体をシリンダ内に摺動自在に配設されるピストンにて
形成し、シリンダにおける被処理体裏面と対向する部位
に、ピストンの移動に伴って開閉する気体吐出口を設け
るので、上記３）に加えて被処理体の保持と同時に、被
処理体の裏面への処理液の侵入を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の処理装置の第一実施例を示す概略斜
視図である。

【図２】第一実施例の処理装置の要部を示す概略斜視図
である。

【図３】第一実施例における被処理体保持機構を示す平
面図である。

【図４】第一実施例における被処理体保持機構の断面側
面図である。

【図５】第一実施例における回転体、被処理体保持爪及
び伝達リンクを示す断面図である。

【図６】第一実施例における回転体を示す分解斜視図で
ある。

【図７】この発明の処理装置の第二実施例の要部を示す
概略平面図である。

【図８】第二実施例の処理装置の要部を示す断面図であ
る。

【図９】この発明の処理装置を半導体ウエハ塗布現像装
置に適用した状態の全体を示す平面図である。

【符号の説明】

１スピンチャック（回転保持手段）１０被処理体保持機構１１回転体１２被処理体保持爪１３伝達リンク１７揺動リンク１８ピストン（移動体）１８ａシリンダ１８ｂＮガス吐出口（気体吐出口）Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年８月２１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】第二実施例における処理装置は供給され
るＮ2 ガスの気圧によって更に確実にウエハＷを保持し
得るようにした場合である。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２５】すなわち、保持機構１０を供給されるＮ
2 ガスの風圧（圧力）により直線移動する移動体１８
と、スピンチャック１の周辺部の少なくとも３箇所に揺
動可能に配設されると共に、移動体１８によってウエハ
Ｗの保持又は解放位置に切換え可能な保持爪１２とで構
成した場合である。この場合、移動体１８は、回転板５
上に配設される複数（図面では６つの場合を示す）のシ
リンダ１８ａ内にそれぞれ摺動自在に配設されるピスト
ンにて形成されている。また、シリンダ１８ａは通路１
８ｃを介してＮ2 ガス供給通路３と連通し、シリンダ１
８ａにおけるウエハＷの裏面と対向する部位には、移動
体すなわちピストン１８の移動に伴って開閉する気体吐
出口であるＮ2 ガス吐出口１８ｂが穿設されている。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を回転保持手段にて保持すると
共に、被処理体の表面に処理液を供給して処理する処理
装置において、上記回転保持手段に、上記被処理体の裏面に向って気体
を供給すると共に、この気体の風圧により駆動して上記
被処理体を保持する被処理体保持機構を形成してなるこ
とを特徴とする処理装置。
【請求項２】被処理体保持機構を、気体の風圧により
回転する回転体と、回転保持手段の周辺部の少なくとも
３箇所に配設される揺動可能な被処理体保持爪と、この
被処理体保持爪に上記回転体の回転運動を伝達する伝達
リンクとで構成してなることを特徴とする請求項１記載
の処理装置。
【請求項３】被処理体保持機構を、気体の風圧により
直線移動する移動体と、回転保持手段の周辺部の少なく
とも３箇所に揺動可能に配設されると共に、上記移動体
によって被処理体の保持又は解放位置に切換え可能な被
処理体保持爪とで構成してなることを特徴とする請求項
１記載の処理装置。
【請求項４】移動体をシリンダ内に摺動自在に配設さ
れるピストンにて形成し、上記シリンダにおける被処理
体裏面と対向する部位に、上記ピストンの移動に伴って
開閉する気体吐出口を設けてなることを特徴とする請求
項３記載の処理装置。