JPH11289002A - 枚葉処理機構 - Google Patents
枚葉処理機構Info
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- JPH11289002A JPH11289002A JP10091416A JP9141698A JPH11289002A JP H11289002 A JPH11289002 A JP H11289002A JP 10091416 A JP10091416 A JP 10091416A JP 9141698 A JP9141698 A JP 9141698A JP H11289002 A JPH11289002 A JP H11289002A
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- wafer
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】信頼性や歩留まりの低下の原因をなくするよう
に改善された、半導体ウェハの枚葉処理機構を提供する
こと。 【解決手段】回転ベース２は、半導体ウェハ７を所定位
置に載せるため、周辺各所に位置決め部２１を円弧状に
所定の高さを持って均等に設けている。位置決め部２１
の相互間に半導体ウェハの端面部分を保持するため可動
状態の保持部材４が位置決め部２１の円弧状の形を繋ぐ
ようにはまり込む。回転ベース２において、半導体ウェ
ハ７を載せたとき、ウェハの裏面が接触する位置２２か
らの位置決め部２１及び保持部材４の突出高さＸｍｍ
は、ウェハの端面の厚さをＡｍｍとすると、０＜Ｘ＜Ａ
＋０．５ｍｍを満足する。ウェハの高速回転時、処理液
の跳ね返り、気流の乱れによる処理ムラ、処理液がウェ
ハの裏面へ回り込みを大幅に低減する。
に改善された、半導体ウェハの枚葉処理機構を提供する
こと。 【解決手段】回転ベース２は、半導体ウェハ７を所定位
置に載せるため、周辺各所に位置決め部２１を円弧状に
所定の高さを持って均等に設けている。位置決め部２１
の相互間に半導体ウェハの端面部分を保持するため可動
状態の保持部材４が位置決め部２１の円弧状の形を繋ぐ
ようにはまり込む。回転ベース２において、半導体ウェ
ハ７を載せたとき、ウェハの裏面が接触する位置２２か
らの位置決め部２１及び保持部材４の突出高さＸｍｍ
は、ウェハの端面の厚さをＡｍｍとすると、０＜Ｘ＜Ａ
＋０．５ｍｍを満足する。ウェハの高速回転時、処理液
の跳ね返り、気流の乱れによる処理ムラ、処理液がウェ
ハの裏面へ回り込みを大幅に低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造工程に
おいて、被処理体、特に半導体ウェハにおける現像、洗
浄、エッチング等で用いられる枚葉処理チャックを改善
した枚葉処理機構に関する。
おいて、被処理体、特に半導体ウェハにおける現像、洗
浄、エッチング等で用いられる枚葉処理チャックを改善
した枚葉処理機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉処理チャックにおけるウェハ
の固定機構は、次の（Ａ），（Ｂ）に代表されるものが
ある。 （Ａ）ウェハ裏面を真空引きで吸着し、ウェハを固定す
る機構。
の固定機構は、次の（Ａ），（Ｂ）に代表されるものが
ある。 （Ａ）ウェハ裏面を真空引きで吸着し、ウェハを固定す
る機構。
【０００３】（Ｂ）ウェハ外周端部を複数のピンにより
挟み込み、ウェハを固定する機構。図５（ａ），（ｂ）
はそれぞれ、（Ａ）の機構に関する、ウェハ裏面の平面
図と、横からの概観図を示す。真空吸着チャック３１
は、回転駆動部３２にその中心軸が固定されている。ウ
ェハ３３は、真空吸着チャック３１とウェハ３３の裏面
が部分的に接触し、真空引きで固定される。
挟み込み、ウェハを固定する機構。図５（ａ），（ｂ）
はそれぞれ、（Ａ）の機構に関する、ウェハ裏面の平面
図と、横からの概観図を示す。真空吸着チャック３１
は、回転駆動部３２にその中心軸が固定されている。ウ
ェハ３３は、真空吸着チャック３１とウェハ３３の裏面
が部分的に接触し、真空引きで固定される。
【０００４】このような機構では、図５（ａ）に示すよ
うに、ウェハ３３の裏面におけるウェハチャックの接触
部において、ダストが圧着され付着することがある（吸
着痕３４）。このダストは、ウェハの水平精度に誤差を
生じさせたり、以降の処理中に剥がれてウェハ表面に回
り込んで付着したりする。このようなダストの存在は、
製品歩留まりの低下の原因となる。
うに、ウェハ３３の裏面におけるウェハチャックの接触
部において、ダストが圧着され付着することがある（吸
着痕３４）。このダストは、ウェハの水平精度に誤差を
生じさせたり、以降の処理中に剥がれてウェハ表面に回
り込んで付着したりする。このようなダストの存在は、
製品歩留まりの低下の原因となる。
【０００５】図６（ａ），（ｂ）はそれぞれ、（Ｂ）の
機構に関する、ウェハ表面から見た平面図と、横からの
概観図を示す。ピン保持式のウェハチャック３５は、回
転駆動部３２にその中心軸が固定されている。ウェハ３
３は、ウェハチャック３５の周囲の複数のピン３６によ
りウェハ１の外周部が挟み込まれることにより固定され
る。
機構に関する、ウェハ表面から見た平面図と、横からの
概観図を示す。ピン保持式のウェハチャック３５は、回
転駆動部３２にその中心軸が固定されている。ウェハ３
３は、ウェハチャック３５の周囲の複数のピン３６によ
りウェハ１の外周部が挟み込まれることにより固定され
る。
【０００６】このような機構では、ピン３６がウェハ表
面から１ｍｍ以上突出している。このため、次のような
懸念がある。 （ｉ）ウェハ回転時の処理において、処理液がピン３６
に当たって跳ね、ウェハ３３への再付着による汚染が発
生する。 （ii）ウェハ回転時の処理において、ピン３６の存在に
より乱気流が発生し、ウェハ３３のピン周辺部分におい
て現像、エッチング等の処理に関し、処理ムラ３７が発
生する。 (iii) ウェハ回転時の処理において、ピン３６を経由し
てウェハ裏面の外周近傍部分に処理液が回り込む。この
処理液がエッチング液なら、裏面の外周近傍部分がエッ
チングされてしまう。 上記（ｉ），（ii），(iii) はいずれも製造歩留まりを
低下させる原因となる。
面から１ｍｍ以上突出している。このため、次のような
懸念がある。 （ｉ）ウェハ回転時の処理において、処理液がピン３６
に当たって跳ね、ウェハ３３への再付着による汚染が発
生する。 （ii）ウェハ回転時の処理において、ピン３６の存在に
より乱気流が発生し、ウェハ３３のピン周辺部分におい
て現像、エッチング等の処理に関し、処理ムラ３７が発
生する。 (iii) ウェハ回転時の処理において、ピン３６を経由し
てウェハ裏面の外周近傍部分に処理液が回り込む。この
処理液がエッチング液なら、裏面の外周近傍部分がエッ
チングされてしまう。 上記（ｉ），（ii），(iii) はいずれも製造歩留まりを
低下させる原因となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の枚葉処理機構に
おいて、ウェハ裏面の真空チャックによるウェハの固定
機構では、ウェハ裏面にダストが付着する。また、ウェ
ハ外周端部をピンで挟み込むウェハの固定機構では、ピ
ンがウェハ表面より１ｍｍ以上突出しており、ウェハ回
転中の処理液の跳ね、ピン周辺部分におけるウェハ表面
の現像、エッチング等の処理ムラ、ウェハ裏面への処理
液の回り込みといった、製造工程における信頼性を低下
させる原因を抱えているという問題がある。
おいて、ウェハ裏面の真空チャックによるウェハの固定
機構では、ウェハ裏面にダストが付着する。また、ウェ
ハ外周端部をピンで挟み込むウェハの固定機構では、ピ
ンがウェハ表面より１ｍｍ以上突出しており、ウェハ回
転中の処理液の跳ね、ピン周辺部分におけるウェハ表面
の現像、エッチング等の処理ムラ、ウェハ裏面への処理
液の回り込みといった、製造工程における信頼性を低下
させる原因を抱えているという問題がある。
【０００８】この発明は上記のような事情を考慮し、そ
の課題は、信頼性や歩留まりの低下の原因をなくするよ
うに改善された、半導体ウェハの枚葉処理機構を提供す
ることにある。
の課題は、信頼性や歩留まりの低下の原因をなくするよ
うに改善された、半導体ウェハの枚葉処理機構を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の枚葉処理装置
は、回転駆動部と、前記回転駆動部に中心軸が接続され
被処理体を所定位置に載せるため周辺各所に位置決め部
を有した回転ベースと、前記回転ベースの周辺において
位置決め部の相互間に設けられた被処理体の端面を保持
する保持部材と、前記回転ベースの上方に設けられ被処
理体への処理に対応した物質が送出される処理ノズルと
を具備し、前記回転ベースにおける被処理体の裏面の接
触位置からの前記位置決め部及び保持部材の突出高さＸ
ｍｍは、被処理体の端面の厚さをＡｍｍとすると、０＜
Ｘ＜Ａ＋０．５ｍｍであることを特徴とする。
は、回転駆動部と、前記回転駆動部に中心軸が接続され
被処理体を所定位置に載せるため周辺各所に位置決め部
を有した回転ベースと、前記回転ベースの周辺において
位置決め部の相互間に設けられた被処理体の端面を保持
する保持部材と、前記回転ベースの上方に設けられ被処
理体への処理に対応した物質が送出される処理ノズルと
を具備し、前記回転ベースにおける被処理体の裏面の接
触位置からの前記位置決め部及び保持部材の突出高さＸ
ｍｍは、被処理体の端面の厚さをＡｍｍとすると、０＜
Ｘ＜Ａ＋０．５ｍｍであることを特徴とする。
【００１０】この発明では、位置決め部の相互間に被処
理体の保持部材が設けられ、その突出高さが被処理体の
表面から０．５ｍｍを越えない構成とされる。これによ
り、被処理体の高速回転時、乱気流や処理液の跳ね返り
が抑えられる。
理体の保持部材が設けられ、その突出高さが被処理体の
表面から０．５ｍｍを越えない構成とされる。これによ
り、被処理体の高速回転時、乱気流や処理液の跳ね返り
が抑えられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の実施形態によ
る枚葉処理機構の要部の構成図であり、（ａ）は上から
見た平面図、（ｂ）は横から見た断面図を示す。回転駆
動部１の回転軸に回転ベース２の中心軸が接続されてい
る。この回転ベース２は、被処理体、例えば半導体ウェ
ハ（二点鎖線７）を所定位置に載せるため、周辺各所に
位置決め部２１を有している。ここでは、位置決め部２
１は、回転ベース２の周囲３個所に円弧状に所定の高さ
を持って均等に設けられる。
る枚葉処理機構の要部の構成図であり、（ａ）は上から
見た平面図、（ｂ）は横から見た断面図を示す。回転駆
動部１の回転軸に回転ベース２の中心軸が接続されてい
る。この回転ベース２は、被処理体、例えば半導体ウェ
ハ（二点鎖線７）を所定位置に載せるため、周辺各所に
位置決め部２１を有している。ここでは、位置決め部２
１は、回転ベース２の周囲３個所に円弧状に所定の高さ
を持って均等に設けられる。
【００１２】また、回転ベース２の周辺において、位置
決め部２１の相互間に半導体ウェハの端面部分を保持す
るための保持部材４が設けられている。この保持部材４
は、位置決め部２１の円弧状の形を繋ぐようにはまり込
んでいる。この保持部材４は、実質的に位置決め部２１
と同じ高さを持って均等に設けられるのが好ましい。す
なわち、位置決め部２１と保持部材４により、搭載する
ウェハに適正な回転ベース２の外周枠が構成されると考
えてもよい。
決め部２１の相互間に半導体ウェハの端面部分を保持す
るための保持部材４が設けられている。この保持部材４
は、位置決め部２１の円弧状の形を繋ぐようにはまり込
んでいる。この保持部材４は、実質的に位置決め部２１
と同じ高さを持って均等に設けられるのが好ましい。す
なわち、位置決め部２１と保持部材４により、搭載する
ウェハに適正な回転ベース２の外周枠が構成されると考
えてもよい。
【００１３】上記保持部材４は、例えば、それぞれ重心
がオフセットされた点に設けられるガイドピン４１によ
り回転ベース２と接続されている。保持部材４は、この
ガイドピン４１を軸として可動状態になっている。これ
により、回転ベース２の遠心力によって一方端側が回転
ベース２の外側に他方端側が回転ベース２の内側に移動
してウェハを保持するようになっている。
がオフセットされた点に設けられるガイドピン４１によ
り回転ベース２と接続されている。保持部材４は、この
ガイドピン４１を軸として可動状態になっている。これ
により、回転ベース２の遠心力によって一方端側が回転
ベース２の外側に他方端側が回転ベース２の内側に移動
してウェハを保持するようになっている。
【００１４】チャック開ピン１０は、回転ベース２での
ウェハの出し入れの際、保持部材４を押し開くもので、
例えば、ウェハの搬送部と連動して作動する。なお、位
置決め部２１の半円状の切り欠き部２１１は、ウェハの
出し入れの際、ウェハの搬送部のアームの先端部が一時
的に入る部分である。
ウェハの出し入れの際、保持部材４を押し開くもので、
例えば、ウェハの搬送部と連動して作動する。なお、位
置決め部２１の半円状の切り欠き部２１１は、ウェハの
出し入れの際、ウェハの搬送部のアームの先端部が一時
的に入る部分である。
【００１５】上記回転ベース２において、半導体ウェハ
（二点鎖線７で図示）を載せたとき、ウェハの裏面が接
触する位置２２からの上記位置決め部２１及び保持部材
４の突出高さＸｍｍは、ウェハの端面の厚さをＡｍｍと
すると、 ０＜Ｘ＜Ａ＋０．５ｍｍ を満足するように構成されている。
（二点鎖線７で図示）を載せたとき、ウェハの裏面が接
触する位置２２からの上記位置決め部２１及び保持部材
４の突出高さＸｍｍは、ウェハの端面の厚さをＡｍｍと
すると、 ０＜Ｘ＜Ａ＋０．５ｍｍ を満足するように構成されている。
【００１６】すなわち、ウェハを回転ベース２に載せた
とき、位置決め部２１及び保持部材４の突出高さがウェ
ハの表面から０．５ｍｍを越えないように構成される。
しかも、均等な高さで回転ベース２の外周枠を構成する
ように設けられているのである。ここでは、より好まし
い一例として位置決め部２１及び保持部材４の突出高さ
がウェハの表面より低いようになっている。
とき、位置決め部２１及び保持部材４の突出高さがウェ
ハの表面から０．５ｍｍを越えないように構成される。
しかも、均等な高さで回転ベース２の外周枠を構成する
ように設けられているのである。ここでは、より好まし
い一例として位置決め部２１及び保持部材４の突出高さ
がウェハの表面より低いようになっている。
【００１７】このように、位置決め部２１及び保持部材
４の突出高さが搭載する半導体ウェハの表面から０．５
ｍｍを越えないように構成されれば、従来技術のように
所々にウェハ保持用のピンが１ｍｍ以上突出している構
成に比べて、ウェハの高速回転時、処理液の跳ね返り、
気流の乱れによる処理ムラが抑えられる。また、突出し
たピンでは処理液が溜まり易く、ピンを経由して処理液
がウェハの裏面へ回り込むといった従来の問題も改善さ
れ、処理液がウェハの裏面へ回り込みにくくなった。こ
れにより、製品歩留まりの低下を減少させる。
４の突出高さが搭載する半導体ウェハの表面から０．５
ｍｍを越えないように構成されれば、従来技術のように
所々にウェハ保持用のピンが１ｍｍ以上突出している構
成に比べて、ウェハの高速回転時、処理液の跳ね返り、
気流の乱れによる処理ムラが抑えられる。また、突出し
たピンでは処理液が溜まり易く、ピンを経由して処理液
がウェハの裏面へ回り込むといった従来の問題も改善さ
れ、処理液がウェハの裏面へ回り込みにくくなった。こ
れにより、製品歩留まりの低下を減少させる。
【００１８】図１によれば、さらなる特徴として、上記
回転ベース２の下部において中心軸の周りに例えばＮ2
ガス供給用のブロック５が設けられている。回転ベース
２には、その内部を貫通しブロック５からのガスが送り
込まれる供給口２３が配備されている。ブロック５は回
転ベース２の回転時においても固定されている。６はラ
ビリンスシールを示しており、ガス供給時の漏れを低減
する。
回転ベース２の下部において中心軸の周りに例えばＮ2
ガス供給用のブロック５が設けられている。回転ベース
２には、その内部を貫通しブロック５からのガスが送り
込まれる供給口２３が配備されている。ブロック５は回
転ベース２の回転時においても固定されている。６はラ
ビリンスシールを示しており、ガス供給時の漏れを低減
する。
【００１９】上記構成によれば、回転ベース２の回転
時、供給口２３にブロック５からＮ2ガスが送り込ま
れ、回転ベース２とウェハの裏面との間の空間の気圧が
高められる構成になっている。
時、供給口２３にブロック５からＮ2ガスが送り込ま
れ、回転ベース２とウェハの裏面との間の空間の気圧が
高められる構成になっている。
【００２０】なお、回転ベース２の上記位置決め部２１
及び保持部材４に隣接した周辺個所２２がウェハの裏面
周囲の接触位置に対応する。この周辺個所２２から回転
ベース２の中心に向かってはウェハの裏面との接触を避
けるため徐々にウェハとの隔たりが大きくなる。
及び保持部材４に隣接した周辺個所２２がウェハの裏面
周囲の接触位置に対応する。この周辺個所２２から回転
ベース２の中心に向かってはウェハの裏面との接触を避
けるため徐々にウェハとの隔たりが大きくなる。
【００２１】供給口２３は、回転ベース２とウェハの裏
面との間隔が上記回転ベース２の周辺個所２２の近傍に
比べて広くなった空間の周辺に設けられる。このような
空間の気圧が高められることによって、処理液のウェハ
の裏面への回り込みを抑える効果はさらに高められる。
面との間隔が上記回転ベース２の周辺個所２２の近傍に
比べて広くなった空間の周辺に設けられる。このような
空間の気圧が高められることによって、処理液のウェハ
の裏面への回り込みを抑える効果はさらに高められる。
【００２２】また、回転ベース２の端面２４は上記位置
決め部２１または保持部材４の延在を含んで中心軸から
遠ざかる方向にテーパ形状を有している。この形状は、
回転ベース２の回転時、乱気流を低減する作用がある。
換言すれば、ウェハ外周の気流を整流する効果がある。
決め部２１または保持部材４の延在を含んで中心軸から
遠ざかる方向にテーパ形状を有している。この形状は、
回転ベース２の回転時、乱気流を低減する作用がある。
換言すれば、ウェハ外周の気流を整流する効果がある。
【００２３】図２は、図１の点線の円で囲んだＦ２部分
の、回転ベースの端面と半導体ウェハの保持部材の部分
的な拡大図を示している。保持部材４の突出高さが半導
体ウェハ７の表面より低く構成されている図示しない
が、位置決め部２１も同様の突出高さを有するのが好ま
しい。
の、回転ベースの端面と半導体ウェハの保持部材の部分
的な拡大図を示している。保持部材４の突出高さが半導
体ウェハ７の表面より低く構成されている図示しない
が、位置決め部２１も同様の突出高さを有するのが好ま
しい。
【００２４】半導体ウェハの厚さは様々で、例えば０．
２ｍｍ〜１．０ｍｍといったものがある。これは保持部
材４及び位置決め部２１の突出高さが半導体ウェハ７の
表面より低く構成されたものであるが、突出高さがウェ
ハ７の表面と実質同じ高さの状態でもどちらでもこの発
明の効果が得られる。
２ｍｍ〜１．０ｍｍといったものがある。これは保持部
材４及び位置決め部２１の突出高さが半導体ウェハ７の
表面より低く構成されたものであるが、突出高さがウェ
ハ７の表面と実質同じ高さの状態でもどちらでもこの発
明の効果が得られる。
【００２５】すなわち、保持部材４及び位置決め部２１
がウェハ７の表面より突出しない構成によっても、ウェ
ハの高速回転時、処理液の跳ね返り、気流の乱れによる
処理ムラ、処理液のウェハの裏面への回り込みが抑えら
れる。
がウェハ７の表面より突出しない構成によっても、ウェ
ハの高速回転時、処理液の跳ね返り、気流の乱れによる
処理ムラ、処理液のウェハの裏面への回り込みが抑えら
れる。
【００２６】特に、レジスト塗布に関する処理は、この
ように保持部材４及び位置決め部２１がウェハ７の表面
より突出しない構成が望ましい。エッチング、洗浄に関
する処理なら、位置決め部２１及び保持部材４の突出高
さがウェハの表面から０．５ｍｍを越えないように構成
すれば、この発明の効果は発揮できる。もちろん、エッ
チング、洗浄に関する処理でも、このように保持部材４
及び位置決め部２１がウェハ７の表面より突出しない構
成も好ましい。
ように保持部材４及び位置決め部２１がウェハ７の表面
より突出しない構成が望ましい。エッチング、洗浄に関
する処理なら、位置決め部２１及び保持部材４の突出高
さがウェハの表面から０．５ｍｍを越えないように構成
すれば、この発明の効果は発揮できる。もちろん、エッ
チング、洗浄に関する処理でも、このように保持部材４
及び位置決め部２１がウェハ７の表面より突出しない構
成も好ましい。
【００２７】図３は、図１の枚葉処理機構を示す概観図
である。図１と同様の個所には同一の符号を付してい
る。周囲にリフレクタ８、処理ノズル９を示した。ま
た、上部には参考までにウェハ搬送部の一例を簡略化し
て示している。
である。図１と同様の個所には同一の符号を付してい
る。周囲にリフレクタ８、処理ノズル９を示した。ま
た、上部には参考までにウェハ搬送部の一例を簡略化し
て示している。
【００２８】リフレクタ８は、この枚葉処理機構が納ま
っている図示しないチャンバの内側に、上記回転ベース
２を主に囲むように設けられ、処理液の跳ねを防止しつ
つ排出に導く作用を有する。
っている図示しないチャンバの内側に、上記回転ベース
２を主に囲むように設けられ、処理液の跳ねを防止しつ
つ排出に導く作用を有する。
【００２９】処理ノズル９は、回転ベース２の上方に設
けられ、ウェハへの処理に対応した物質が送出される。
例えば、この枚葉処理機構が、洗浄処理をするものであ
れば、純水、エッチング処理をするものであればエッチ
ング液、現像処理をするものであれば、なら現像液等で
ある。洗浄とエッチングなど複数の用途を一つのチャン
バで行う枚葉処理機構であれば、処理ノズル９は複数設
けられる。
けられ、ウェハへの処理に対応した物質が送出される。
例えば、この枚葉処理機構が、洗浄処理をするものであ
れば、純水、エッチング処理をするものであればエッチ
ング液、現像処理をするものであれば、なら現像液等で
ある。洗浄とエッチングなど複数の用途を一つのチャン
バで行う枚葉処理機構であれば、処理ノズル９は複数設
けられる。
【００３０】ウェハ搬送部は、例えば、３本のアーム１
１ａ，１１ｂ，１１ｃでウェハ７の端面を挟み込み移動
する。ウェハの出し入れの際、位置決め部２１の半円状
の切り欠き部２１１，２１２，２１３に、それぞれのア
ーム１１ａ，１１ｂ，１１ｃの先端を挿入してウェハを
挟んだり離したりする。
１ａ，１１ｂ，１１ｃでウェハ７の端面を挟み込み移動
する。ウェハの出し入れの際、位置決め部２１の半円状
の切り欠き部２１１，２１２，２１３に、それぞれのア
ーム１１ａ，１１ｂ，１１ｃの先端を挿入してウェハを
挟んだり離したりする。
【００３１】図４は、図１の回転ベースの分解図であ
る。回転ベース２の下方にはガス供給用のブロック５、
回転駆動部１を示している。位置決め部２１は、回転ベ
ース２と一体的に形成されている。保持部材４それぞれ
は、位置決め部２１の相互間に円弧状の形を繋ぐように
同じ高さではまり込む。各保持部材４は、重心がオフセ
ットされた開口４３を介する上述したガイドピン４１に
より回転ベース２と接続され、このガイドピン４１を軸
として可動状態となる。
る。回転ベース２の下方にはガス供給用のブロック５、
回転駆動部１を示している。位置決め部２１は、回転ベ
ース２と一体的に形成されている。保持部材４それぞれ
は、位置決め部２１の相互間に円弧状の形を繋ぐように
同じ高さではまり込む。各保持部材４は、重心がオフセ
ットされた開口４３を介する上述したガイドピン４１に
より回転ベース２と接続され、このガイドピン４１を軸
として可動状態となる。
【００３２】回転ベース２は、例えば３０００ｒｐｍで
回転する。各保持部材４は、回転ベース２の回転始動
後、およそ５０ｒｐｍに達すると、遠心力によって一方
端側が回転ベースの外側に他方端側が回転ベースの内側
に移動してウェハを保持する。このように保持部材４を
作動させるように構成すれば、ウェハの保持に関しては
問題ない。また、処理するウェハの厚さによって保持部
材４の厚さ、あるいは材質を変えることも可能である。
回転する。各保持部材４は、回転ベース２の回転始動
後、およそ５０ｒｐｍに達すると、遠心力によって一方
端側が回転ベースの外側に他方端側が回転ベースの内側
に移動してウェハを保持する。このように保持部材４を
作動させるように構成すれば、ウェハの保持に関しては
問題ない。また、処理するウェハの厚さによって保持部
材４の厚さ、あるいは材質を変えることも可能である。
【００３３】保持部材４の材質は、セラミック、テフロ
ンが適当である。処理によっては、ウェハに悪影響を与
えなければ金属でもよい場合がある。ガイドピン４１の
材質は、セラミック、ステンレスやチタンなどの金属が
考えられる。回転ベース２の材質は、セラミックか樹脂
系（テフロン）が適当である。また、ガス供給用のブロ
ック５の材質は適当に選べばよい。また、供給ガスはＮ
2 に限らず、処理するウェハに対して不活性とみられる
清浄な空気なら他のガスでもかまわない。
ンが適当である。処理によっては、ウェハに悪影響を与
えなければ金属でもよい場合がある。ガイドピン４１の
材質は、セラミック、ステンレスやチタンなどの金属が
考えられる。回転ベース２の材質は、セラミックか樹脂
系（テフロン）が適当である。また、ガス供給用のブロ
ック５の材質は適当に選べばよい。また、供給ガスはＮ
2 に限らず、処理するウェハに対して不活性とみられる
清浄な空気なら他のガスでもかまわない。
【００３４】以上のような実施形態の構成によれば、被
処理体である半導体ウェハの高速回転時、乱気流や処理
液の跳ね返り、処理ムラ及び処理液の裏面への回り込み
が抑えられる。この結果、この発明の枚葉処理機構は、
信頼性や歩留まりの低下の原因がなくなるように改善さ
れる。
処理体である半導体ウェハの高速回転時、乱気流や処理
液の跳ね返り、処理ムラ及び処理液の裏面への回り込み
が抑えられる。この結果、この発明の枚葉処理機構は、
信頼性や歩留まりの低下の原因がなくなるように改善さ
れる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
被処理体（ウェハ）の位置決め部とその相互間の保持部
材が、突出高さとして被処理体の表面から０．５ｍｍを
越えない構成とされる。これにより、被処理体の高速回
転時、乱気流や処理液の跳ね返りが抑えられ，信頼性や
歩留まりの低下の原因を大幅に低減した枚葉処理機構が
提供できる。
被処理体（ウェハ）の位置決め部とその相互間の保持部
材が、突出高さとして被処理体の表面から０．５ｍｍを
越えない構成とされる。これにより、被処理体の高速回
転時、乱気流や処理液の跳ね返りが抑えられ，信頼性や
歩留まりの低下の原因を大幅に低減した枚葉処理機構が
提供できる。
【図１】 この発明の実施形態による枚葉処理機構の要
部の構成図であり、（ａ）は上から見た平面図、（ｂ）
は横から見た断面図を示す。
部の構成図であり、（ａ）は上から見た平面図、（ｂ）
は横から見た断面図を示す。
【図２】図１（ｂ）の一部の拡大図。
【図３】図１の枚葉処理機構を示す概観図。
【図４】図１の回転ベースの分解図。
【図５】ウェハ裏面を真空引きで吸着し、ウェハを固定
する機構を示す従来例であり、（ａ），（ｂ）はそれぞ
れ、ウェハ裏面の平面図と、横からの概観図。
する機構を示す従来例であり、（ａ），（ｂ）はそれぞ
れ、ウェハ裏面の平面図と、横からの概観図。
【図６】ウェハ外周端部を複数のピンにより挟み込み、
ウェハを固定する機構を示す従来例であり、（ａ），
（ｂ）はそれぞれ、ウェハ表面から見た平面図と、横か
らの概観図。
ウェハを固定する機構を示す従来例であり、（ａ），
（ｂ）はそれぞれ、ウェハ表面から見た平面図と、横か
らの概観図。
１…回転駆動部 ２…回転ベース ２１…位置決め部 ２３…ガスが送り込まれる供給口４…保持部材 ２４…回転ベースの端面 ５…ガス供給用のブロック ６…ラビリンスシール ７…半導体ウェハ ８…リフレクタ ９…処理ノズル １０…チャック開ピン
Claims (7)
- 【請求項１】 回転駆動部と、 前記回転駆動部に中心軸が接続され被処理体を所定位置
に載せるため周辺各所に位置決め部を有した回転ベース
と、 前記回転ベースの周辺において位置決め部の相互間に設
けられた被処理体の端面を保持する保持部材と、 前記回転ベースの上方に設けられ被処理体への処理に対
応した物質が送出される処理ノズルとを具備し、 前記回転ベースにおける被処理体の裏面の接触位置から
の前記位置決め部及び保持部材の突出高さＸｍｍは、被
処理体の端面の厚さをＡｍｍとすると、０＜Ｘ＜Ａ＋
０．５ｍｍであることを特徴とする枚葉処理機構。 - 【請求項２】 前記回転ベースの下部において中心軸の
周りに設けられたガス供給用のブロックと、 前記回転ベース内部を貫通し前記ブロックからのガスが
送り込まれる供給口とを具備し、 前記回転ベースと被処理体の裏面との間の空間の気圧が
高められる構成になっていることを特徴とする請求項１
に記載の枚葉処理機構。 - 【請求項３】 前記回転ベースは前記位置決め部及び保
持部材に隣接した周辺個所が被処理体の裏面の接触位置
に対応し、中心に向かっては被処理体の裏面との接触を
避ける形状となっていることを特徴とする請求項１また
は２に記載の枚葉処理機構。 - 【請求項４】 前記保持部材は前記位置決め部と実質的
に同じ突出高さで設けられることを特徴とする請求項１
ないし３いずれか一つに記載の枚葉処理機構。 - 【請求項５】 前記位置決め部及び保持部材の突出高さ
が被処理体の表面と実質同じ高さかそれより低いことを
特徴とする請求項１ないし４いずれか一つに記載の枚葉
処理機構。 - 【請求項６】 前記回転ベースの端面は前記位置決め部
または保持部材の延在を含んで中心軸から遠ざかる方向
にテーパ形状を有することを特徴とする請求項１ないし
５いずれか一つに記載の枚葉処理機構。 - 【請求項７】 前記保持部材それぞれは重心がオフセッ
トされた１点を軸として可動状態になっており、遠心力
によって一方端側が回転ベースの外側に他方端側が回転
ベースの内側に移動して被処理体を保持することを特徴
とする請求項１ないし６いずれか一つに記載の枚葉処理
機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091416A JPH11289002A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 枚葉処理機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091416A JPH11289002A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 枚葉処理機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289002A true JPH11289002A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=14025780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10091416A Abandoned JPH11289002A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 枚葉処理機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11289002A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-04-03 JP JP10091416A patent/JPH11289002A/ja not_active Abandoned
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20041012 |