JPH0637151A - Manufacturing method of tape carrier for TAB - Google Patents

Manufacturing method of tape carrier for TAB

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JPH0637151A
JPH0637151A JP18782392A JP18782392A JPH0637151A JP H0637151 A JPH0637151 A JP H0637151A JP 18782392 A JP18782392 A JP 18782392A JP 18782392 A JP18782392 A JP 18782392A JP H0637151 A JPH0637151 A JP H0637151A
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tape carrier
inner lead
support ring
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tab
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Kazuhiko Fukuda
和彦 福田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 イナーリードの変形の生じにくいTAB用テ
ープキャリアを提供する。 【構成】 テープ基材1のデバイスホール5の銅箔導体
13面に、樹脂等の絶縁材19を塗布した後にイナーリ
ードを形成し、イナーリードの先端部のみ絶縁材を残し
イナーリードを相互に接続させる。この絶縁材によって
いわゆるサポートリングが形成される。サポートリング
はバンプの高さより薄く形成される。この作用により、
テープキャリア製造過程または製造後ならびにフェイス
アップまたはフェイスダウンボンディング工程時に生じ
易い、イナーリドの変形の発生を防止することができ
る。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a tape carrier for TAB in which deformation of inner leads does not easily occur. [Structure] An inner lead is formed after applying an insulating material 19 such as a resin on the surface of the copper foil conductor 13 in the device hole 5 of the tape base material 1, and the insulating material is left only at the tip of the inner lead, and the inner leads are mutually connected. To connect. A so-called support ring is formed by this insulating material. The support ring is formed thinner than the height of the bump. By this action,
It is possible to prevent deformation of the inner lid, which is likely to occur during or after the tape carrier manufacturing process and during the face-up or face-down bonding process.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本特許は、TAB(Tape Automate
d Bonding)用テープキャリアに関するものである。
[Industrial application] This patent is for TAB (Tape Automate)
d Bonding) tape carrier.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来技術に基づくテープキャリアの外形
が図14に、同イナーリード部の断面が図15に、又製
造工程が図13に示されている。
2. Description of the Related Art An outline of a tape carrier based on the prior art is shown in FIG. 14, a cross section of the same inner lead portion is shown in FIG. 15, and a manufacturing process is shown in FIG.

【0003】テープキャリアは主に2層構造(ポリイミ
ド基材と導体)テープキャリアと3層構造(ポリイミド
基材と接着剤と導体)テープがあり、半導体チップとテ
ープキャリアの接続法の1つとして、半導体チップ側に
Auの突起であるAuバンプが設けられる。
The tape carrier is mainly composed of a two-layer structure (polyimide base material and conductor) tape carrier and a three-layer structure (polyimide base material, adhesive and conductor) tape, which is one of the connection methods for the semiconductor chip and the tape carrier. , Au bumps, which are Au protrusions, are provided on the semiconductor chip side.

【0004】また、テープキャリア側にはAuバンプと
の接合をはかるためのSnメッキされたイナーリードと
なる銅箔導体の引出しパターンを設け、Auバンプとイ
ナーリードの位置合わせをおこない両者を加熱圧着して
AuとSnの共晶合金を作り、電気的な接合を行ってい
た。
On the tape carrier side, a lead-out pattern of a copper foil conductor serving as an Sn-plated inner lead for bonding with an Au bump is provided, and the Au bump and the inner lead are aligned with each other by heating and pressure bonding. Then, a eutectic alloy of Au and Sn was made, and electrical connection was performed.

【0005】しかし、従来のテープキャリアの構造では
イナーリードは一端が外部に飛び出し他方の片側しか支
持されておらず、テープキャリアの製造工程から半導体
チップをテープキャリアに搭載するまでの工程内におい
て外部からの衝撃や接触によりねじれ、折曲がり等の変
形が生じ易かった。
However, in the structure of the conventional tape carrier, one end of the inner lead protrudes to the outside and only one side of the inner lead is supported, so that the inner lead is not exposed during the process from the manufacturing process of the tape carrier to the mounting of the semiconductor chip on the tape carrier. Deformation such as twisting and bending was likely to occur due to impact or contact from the.

【0006】従来技術として、(1) 特開平2−9705
1号、(2) 特開平2−102553号、(3) 特開平2−
122533号、(4) 特開平2−156647号の資料
を参考掲示する。
The prior art is as follows: (1) JP-A-2-9705
No. 1, (2) JP-A-2-102533, (3) JP-A-2-
122533, (4) The material of Japanese Patent Laid-Open No. 156647/1990 is shown for reference.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のテープキャリア
製造プロセスを図13に示している。これは、3層構造
のテープキャリアであり、2層構造のテープキャリアの
場合は銅箔導体とポリイミド基材を接着している接着剤
が無いものである。
A conventional tape carrier manufacturing process is shown in FIG. This is a tape carrier having a three-layer structure, and in the case of a tape carrier having a two-layer structure, there is no adhesive for bonding the copper foil conductor and the polyimide base material.

【0008】従来の製造プロセスでは図13(f) の裏面
コーティング剤は図13(g) の銅エッチングの後、図1
3(h) のレジスト剥離により同時に除去されるため、図
13(g) の銅エッチングにより形成されるイナーリード
は外部に飛び出し片側しか支持されない。そのため、図
13(h) のレジスト剥離(ホトレジスト及びコーティン
グ樹脂)以後からチップをテープキャリアに搭載するま
での工程内において変形が生じ易かった。変形の代表的
な形態が図16および図17に示されている。図17は
図16のイナーリード部を拡大して表しており、図17
の(a) がねじれ、同(b) および(c) が折れ曲りの状態を
示している。これらの不都合はイナーリードが外部に飛
び出し片側しか支持されていないため機械的に弱く、テ
ープキャリアの製造工程から半導体チップをテープキャ
リアに搭載するまでの工程内で、搬送時における外部か
らの衝撃や接触により生じる。この問題点はイナーリー
ド形成直後にサポートリングを形成することにより削減
される。
In the conventional manufacturing process, the back surface coating agent shown in FIG. 13 (f) is formed after the copper etching shown in FIG.
Since it is removed at the same time by removing the resist of 3 (h), the inner lead formed by the copper etching of FIG. 13 (g) is projected to the outside and is supported only on one side. Therefore, deformation is likely to occur in the process from the step of removing the resist (the photoresist and the coating resin) to the step of mounting the chip on the tape carrier in FIG. 13 (h). Representative forms of the variations are shown in FIGS. 16 and 17. 17 is an enlarged view of the inner lead portion of FIG.
(A) of the figure shows a twisted state, and (b) and (c) of the figure show a bent state. These disadvantages are mechanically weak because the inner lead protrudes to the outside and is supported on only one side, and during the process from the tape carrier manufacturing process to the mounting of the semiconductor chip on the tape carrier, external impact during transportation or Caused by contact. This problem is reduced by forming the support ring immediately after forming the inner lead.

【0009】図18および図19は従来品のプロセスに
て作成したサポートリング付きテープキャリアを使用し
た場合のフェイスダウンおよびフェイスアップボンディ
ングプロセスである。この場合、フェイスダウンボンデ
ィングにおいてはサポートリングの厚みの影響がないた
め正常な接続が可能である。しかし、図19で示される
フェイスアップボンディングの場合はサポートリングの
厚みがバンプの高さよりも厚く (50〜125 μm )なり、
イナーリードとバンプをボンディングツールによって接
合する際にサポートリングがチップに接触し、厚みの大
きい分イナーリードが圧し曲げられてしまう。このた
め、接続後イナーリードは断線31を生じ易くフェイス
アップボンディングを行うのは困難であった。
18 and 19 show a face-down and face-up bonding process when a tape carrier with a support ring prepared by a conventional process is used. In this case, in the face-down bonding, since there is no influence of the thickness of the support ring, normal connection is possible. However, in the case of face-up bonding shown in FIG. 19, the thickness of the support ring becomes thicker than the height of the bump (50 to 125 μm),
When the inner lead and the bump are joined by the bonding tool, the support ring comes into contact with the chip, and the thicker the inner lead is pressed and bent. For this reason, it is difficult to perform face-up bonding on the inner lead after connection, because the disconnection 31 is likely to occur.

【0010】また、イナーリードが1本でも変形する
と、半導体チップ上のバンプとイナーリードの位置がズ
レてしまい接合が不可能となる為イナーリード曲がりの
あるテープキャリアは不良となっていた。
Further, if even one inner lead is deformed, the bumps on the semiconductor chip and the inner lead are displaced from each other, making it impossible to join them. Therefore, the tape carrier having the bent inner lead is defective.

【0011】本発明はこれらの問題点を解消し、テープ
キャリアの製造工程から半導体チップをテープキャリア
に搭載するまでの工程内で、搬送時における外部からの
衝撃や接触により生じるねじれ、折曲がり等のイナーリ
ード変形を防止する。形成するサポートリングの厚みは
半導体チップに形成されるバンプ高さよりも薄く作製す
ることが可能であり、半導体チップ上のバンプとテープ
キャリア導体パターン面側を接続するいわゆるフェイス
ダウンボンディングおよび、半導体チップ上のバンプと
テープキャリアの基材面側を接続するフェイスアップボ
ンディングを可能とするTAB用テープキャリアを提供
することにある。
The present invention solves these problems, and twists, bends, etc. caused by external impact or contact during transportation in the process from the tape carrier manufacturing process to the mounting of semiconductor chips on the tape carrier. Prevents deformation of inner leads. The thickness of the support ring to be formed can be made thinner than the height of the bumps formed on the semiconductor chip. The so-called face-down bonding for connecting the bumps on the semiconductor chip to the tape carrier conductor pattern surface side and the semiconductor chip Another object of the present invention is to provide a TAB tape carrier that enables face-up bonding to connect the bump and the base material side of the tape carrier.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】第1の発明の貫通穴を有
するフレキシブル基材の表面に導体箔を接着させこの導
体箔をエッチングすることによりイナーリードを形成し
てなるTAB用テープキャリアの製造方法は、導体箔の
貫通穴を覆う面に絶縁材を塗布後導体箔をエッチングし
てイナーリードを形成する工程と、絶縁材の不要部分を
除去することによりイナーリードの各先端部を絶縁材に
より相互に連結するサポート部材を形成する工程とを有
することを特徴とする。
Means for Solving the Problem Production of a tape carrier for TAB in which a conductor foil is adhered to the surface of a flexible substrate having a through hole and an inner lead is formed by etching the conductor foil. The method consists of applying an insulating material to the surface of the conductor foil that covers the through holes and then etching the conductor foil to form the inner leads, and removing the unnecessary portions of the insulating material so that each tip of the inner lead is insulated. And a step of forming support members connected to each other.

【0013】第2の発明の貫通穴を有するフレキシブル
基材の表面に導体箔を接着させこの導体箔をエッチング
することによりイナーリードを形成してなるTAB用テ
ープキャリアの製造方法は、導体箔の貫通穴を覆う面に
樹脂をコーティング後導体箔をエッチングしてイナーリ
ードを形成する工程と、このイナーリードの各先端部に
絶縁材を塗布することにより各先端部を相互に連結する
サポート部材を形成する工程と、コーティングした樹脂
を除去する工程とを有することを特徴とする。
A method of manufacturing a tape carrier for TAB, in which an inner lead is formed by adhering a conductor foil to the surface of a flexible base material having a through hole and etching the conductor foil of the second invention, After the resin is coated on the surface that covers the through-holes, the conductor foil is etched to form the inner leads, and a support member that connects the respective tip portions to each other by applying an insulating material to the tip portions of the inner leads is provided. The method is characterized by including a step of forming and a step of removing the coated resin.

【0014】[0014]

【作用】イナーリードの先端部が絶縁材で相互に連結さ
れる。また、絶縁材は薄く形成することが容易である。
よってボンディングされるチップのバンプの高さより薄
く形成される。この作用によってイナーリードは折曲
げ、ねじれ等の圧力に対して強固となる。
[Function] The tips of the inner leads are interconnected by the insulating material. Further, the insulating material can be easily formed thin.
Therefore, it is formed thinner than the height of the bump of the chip to be bonded. This action strengthens the inner lead against pressure such as bending and twisting.

【0015】[0015]

【実施例】以下に、本発明についての説明を行なう。図
3は第1の発明の実施例によるサポートリング付きのテ
ープキャリアの外形図を示す。同図は裏面コーティング
樹脂にて作製したテープキャリアの上面図であり、イナ
ーリード部の部分拡大図である。また、イナーリード部
の4角にスリット6を設けた場合を図4に示している。
The present invention will be described below. FIG. 3 shows an outline view of a tape carrier with a support ring according to an embodiment of the first invention. This figure is a top view of a tape carrier made of a backside coating resin, and is a partially enlarged view of the inner lead portion. Further, FIG. 4 shows a case where slits 6 are provided at four corners of the inner lead portion.

【0016】図5は第1の実施例によるテープキャリア
においてイナーリード部の断面を表しており、イナーリ
ード2、テープ基材1とサポートリング3との構成の関
係を示している。サポートリング3はイナーリード2の
先端部に形成され、複数のイナーリードが相互に連結さ
れる。またイナーリードは樹脂等の絶縁物が用いられ
る。
FIG. 5 shows a cross section of the inner lead portion in the tape carrier according to the first embodiment, and shows the relationship of the constitution of the inner lead 2, the tape base material 1 and the support ring 3. The support ring 3 is formed at the tip of the inner lead 2, and the plurality of inner leads are connected to each other. An insulator such as resin is used for the inner lead.

【0017】上記の構成を有するテープキャリアは以下
の工程によって得ることができる。図1および図2は3
層構造テープキャリアの製造プロセスにてサポートリン
グを作製する工程を示している。図1の(a) 〜(g) およ
び図2の(a) 〜(f) は裏面コーティング樹脂によるサポ
ートリング形成プロセスの各工程を表しており、両図は
第1の実施例の連続した製造工程を表している。
The tape carrier having the above structure can be obtained by the following steps. 1 and 2 are 3
The process of manufacturing a support ring is shown in the manufacturing process of a layered structure tape carrier. 1 (a) to 1 (g) and 2 (a) to 2 (f) show respective steps of the support ring forming process using the backside coating resin, both figures showing the continuous production of the first embodiment. Represents a process.

【0018】図1の(a) は第1の工程図であり、ポリイ
ミドテープ基材1の平面図である。スプロケットホール
11を有する同基材には、デバイスホール5が明けられ
ている。
FIG. 1A is a first process diagram and is a plan view of the polyimide tape substrate 1. The device hole 5 is opened in the same base material having the sprocket hole 11.

【0019】図1の(b) は第2の工程図であり、テープ
基材1に接着材4で導体である銅箔13が取付けられ
る。本図はポリイミドテープ基材1に対して断面図を表
している。本工程以下は断面図である。
FIG. 1B is a second process diagram in which the copper foil 13 as a conductor is attached to the tape substrate 1 with the adhesive 4. This figure shows a cross-sectional view of the polyimide tape substrate 1. This step and the subsequent steps are sectional views.

【0020】図1の(c) は第3の工程図であり、銅箔の
表面でテープ基材1の反対面側にホトレジスト材14が
塗布される。
FIG. 1C is a third process diagram in which a photoresist material 14 is applied on the surface of the copper foil opposite to the tape substrate 1.

【0021】図1の(d) は第4の工程図であり、ホトレ
ジスト面にマスク15がかけられ、露光がされる。
FIG. 1D is a fourth process diagram in which a mask 15 is applied to the photoresist surface and exposure is performed.

【0022】図1の(e) は第5の工程図であり、ホトレ
ジスト面が現像され、第4の工程で露光されたホトレジ
スト材が除去される。
FIG. 1 (e) is a fifth process diagram in which the photoresist surface is developed and the photoresist material exposed in the fourth process is removed.

【0023】図1の(f) は第6の工程図であり、銅箔の
表面でありホトレジスト処理された反対面のテープ基材
1のデバイスホール部に、コーティング樹脂19が塗布
処理がされる。
FIG. 1 (f) is a sixth process diagram, in which the coating resin 19 is applied to the device hole portion of the tape base material 1 on the opposite surface which is the surface of the copper foil and which has been photoresist-treated. .

【0024】図1の(g) は第7の工程図であり、エッチ
ング工程により第5の工程でホトレジスト材の取除かれ
た部分の銅箔が除去される。
FIG. 1G is a seventh process diagram, and the copper foil in the portion where the photoresist material is removed in the fifth process is removed by the etching process.

【0025】図2の(a) は第8の工程図であり、ホトレ
ジスト剥離工程により第3の工程で塗布された銅箔面の
ホトレジスト材14が除去されイナーリード17が表面
に出る。
FIG. 2 (a) is an eighth step diagram, in which the photoresist material 14 on the copper foil surface applied in the third step is removed by the photoresist stripping step and the inner leads 17 are exposed.

【0026】図2の(b) は第9の工程図であり、第6の
工程で塗布された樹脂のデバイスホール側面にホトレジ
スト材14が塗布される。
FIG. 2B is a ninth step diagram, in which the photoresist material 14 is applied to the device hole side surface of the resin applied in the sixth step.

【0027】図2の(c) は第10の工程図であり、第9
の工程で塗布されたホトレジスト面にマスクがかけられ
露光がされる。
FIG. 2 (c) is a tenth process chart, showing the ninth process.
A mask is applied to the photoresist surface applied in the step of (1) to perform exposure.

【0028】図2の(d) は第11の工程図であり、現像
処理により第10の工程で露光されたホトレジスト部が
除去される。
FIG. 2D is an eleventh process diagram, in which the photoresist portion exposed in the tenth process is removed by the developing process.

【0029】図2の(e) は第12の工程図であり、エッ
チング工程により第11の工程でホトレジスト材が取除
かれた部分のコーティング樹脂19が除去される。次に
ホトレジスト剥離工程により第9の工程で塗布されたコ
ーティング樹脂19上およびポリイミド基材1上のホト
レジスト材14が除去され、コーティング樹脂19が表
面に出る。
FIG. 2 (e) is a twelfth step diagram, in which the coating resin 19 in the portion where the photoresist material has been removed in the eleventh step is removed by the etching step. Next, the photoresist stripping step removes the photoresist material 14 on the coating resin 19 and the polyimide substrate 1 applied in the ninth step, and the coating resin 19 appears on the surface.

【0030】図2の(f) は第13の工程図であり、導体
パターンへの錫メッキ工程であり、サポートリング3を
有するイナーリード2が完成する。
FIG. 2 (f) is a thirteenth process drawing, which is a tin plating process for the conductor pattern, and the inner lead 2 having the support ring 3 is completed.

【0031】以上の13の工程でTAB用テープキャリ
アが完成する。
The TAB tape carrier is completed through the above 13 steps.

【0032】よって、イナーリードは図1(g) の形成後
はテープキャリアにチップを搭載するまでの間において
常に裏面コーティング樹脂19にて保護される為、従来
の問題点であるイナーリードの変形を防止することが可
能となる。
Therefore, since the inner lead is always protected by the back surface coating resin 19 after the formation of FIG. 1 (g) and before the chip is mounted on the tape carrier, the deformation of the inner lead, which is a conventional problem, is caused. Can be prevented.

【0033】図6は図3、図4に示したサポートリング
付きテープキャリアのフェイスアップボンディングプロ
セスのフロー図でありイナーリード2の先端のサポート
リング3の厚みはチップ上のバンプ7の高さよりも薄く
しており、イナーリード2とバンプ7をボンディングツ
ール9によって接合する際にサポートリング3がチップ
に接触しない厚みとしている。
FIG. 6 is a flow chart of the face-up bonding process of the tape carrier with the support ring shown in FIGS. 3 and 4. The thickness of the support ring 3 at the tip of the inner lead 2 is larger than the height of the bump 7 on the chip. The thickness is made thin so that the support ring 3 does not contact the chip when the inner lead 2 and the bump 7 are bonded by the bonding tool 9.

【0034】図7は図3、図4に示したサポートリング
付きテープキャリアのフェイスダウンボンディングプロ
セスのフロー図である。イナーリード2とバンプ7を接
合する際、ボンディングツール9に溝を設け、サポート
リング3がボンディングツール9に直接接触しない形状
にしている。
FIG. 7 is a flow chart of the face-down bonding process of the tape carrier with the support ring shown in FIGS. 3 and 4. When the inner lead 2 and the bump 7 are joined, a groove is formed in the bonding tool 9 so that the support ring 3 does not come into direct contact with the bonding tool 9.

【0035】図9は第2の発明の実施例であり、銅エッ
チング後に樹脂の塗布にて作製したサポートリング付き
のテープキャリア2のイナーリード部の上面図である。
図10は図9の実施例の4角にスリット6を設けたテー
プキャリアが示されている。
FIG. 9 is an embodiment of the second invention, and is a top view of the inner lead portion of the tape carrier 2 with a support ring, which is produced by applying a resin after copper etching.
FIG. 10 shows a tape carrier in which the slits 6 are provided at the four corners of the embodiment of FIG.

【0036】図11は本発明の銅エッチング後に樹脂の
塗布にて作製したサポートリング付きのテープキャリア
のイナーリード部の断面図である。
FIG. 11 is a sectional view of an inner lead portion of a tape carrier with a support ring, which is produced by applying a resin after copper etching according to the present invention.

【0037】図8は図11に示した銅エッチング後にサ
ポートリングの樹脂を塗布したサポートリング形成のプ
ロセスである。図8の工程図では図8(g) の銅エッチン
グ後に形成されたイナーリードの先端にサポートリング
を形成させるに都合の良い電気絶縁性の高い液状の硬化
樹脂16をデスペンサーにて定形に描画塗布させるか、
またはスクリーン印刷にて定形印刷塗布し、樹脂を硬化
させてイナーリードの側面部のみを樹脂により相互に固
定したサポートリングを作製する。次に、サポートリン
グ19を作製後、図8(i) のホトレジスト及び裏面コー
ティング樹脂を剥離し図8(j) の錫メッキを行いテープ
キャリアを作製する。
FIG. 8 shows a process of forming a support ring in which a resin for the support ring is applied after the copper etching shown in FIG. In the process chart of FIG. 8, a liquid cured resin 16 having a high electrical insulation property, which is convenient for forming a support ring at the tip of the inner lead formed after the copper etching shown in FIG. 8G, is drawn in a fixed shape by a dispenser. Or apply it
Alternatively, a fixed ring is applied by screen printing, the resin is cured, and a support ring in which only the side surfaces of the inner leads are fixed to each other by the resin is produced. Next, after the support ring 19 is manufactured, the photoresist and the backside coating resin of FIG. 8 (i) are peeled off and the tin plating of FIG. 8 (j) is performed to manufacture a tape carrier.

【0038】図12は図9、図10に示したサポートリ
ング付きのテープキャリアのフェイスアップボディング
プロセスのフロー図である。イナーリード2の先端部を
樹脂にて側面部を固定するのでリードから露出するサポ
ートリング23の樹脂の厚みは半導体チップ上のバンプ
7の高さよりも薄くすることができる。これにより、サ
ポートリング付きにてフェイスアップ及びフェイスダウ
ンボンディングが可能である。なお、図4、図10に示
したサポートリングの四辺のコーナーに設けたスリット
6はイナーリード2とバンプ7の接合時に生じる位置ズ
レを緩和する働きがありサポートリング形成において
は、スリット6を設ける場合がある。
FIG. 12 is a flow chart of the face-up boding process of the tape carrier with the support ring shown in FIGS. 9 and 10. Since the side surfaces of the inner leads 2 are fixed by resin, the thickness of the resin of the support ring 23 exposed from the leads can be made thinner than the height of the bumps 7 on the semiconductor chip. This enables face-up and face-down bonding with the support ring. The slits 6 provided at the corners of the four sides of the support ring shown in FIGS. 4 and 10 have a function of alleviating a positional deviation that occurs when the inner lead 2 and the bump 7 are joined, and the slit 6 is provided in forming the support ring. There are cases.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明のTAB用テープキャリアは、イ
ナーリードが製作およびボンディングの工程において変
形が生じにくく、製品の歩留まりおよび信頼性が向上す
る。
According to the TAB tape carrier of the present invention, the inner leads are less likely to be deformed in the steps of manufacturing and bonding, and the yield and reliability of products are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の発明の実施例のテープキャリアの製造工
程を示している。
FIG. 1 shows a manufacturing process of a tape carrier according to an embodiment of the first invention.

【図2】図1の継続工程である。FIG. 2 is a continuation process of FIG.

【図3】第1の発明の実施例によるサポートリング付き
のテープキャリアの外形図を示す。
FIG. 3 shows an outline view of a tape carrier with a support ring according to an embodiment of the first invention.

【図4】第1の発明の実施例においてサポートリングに
スリットの入ったテープキャリアの外形図である。
FIG. 4 is an outline view of a tape carrier in which a support ring has a slit in the embodiment of the first invention.

【図5】第1の発明の実施例によるイナーリード部の拡
大断面図である。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the inner lead portion according to the embodiment of the first invention.

【図6】第1の発明の実施例によるサポートリング付き
テープキャリアのフェイスアップボンディングプロセス
のフロー図である。
FIG. 6 is a flow chart of a face-up bonding process of the tape carrier with the support ring according to the embodiment of the first invention.

【図7】第1の発明の実施例によるサポートリング付き
テープキャリアのフェイスダウンボンディングプロセス
のフロー図である。
FIG. 7 is a flow chart of a face-down bonding process of the tape carrier with the support ring according to the embodiment of the first invention.

【図8】第2の発明の実施例のテープキャリアの製造工
程を示している。
FIG. 8 shows a manufacturing process of a tape carrier according to an embodiment of the second invention.

【図9】第2の発明の実施例によるサポートリング付き
のテープキャリアの外形図を示す。
FIG. 9 shows an outline drawing of a tape carrier with a support ring according to an embodiment of the second invention.

【図10】第2の発明の実施例においてサポートリング
にスリットの入ったテープキャリアの外形図である。
FIG. 10 is an outline view of a tape carrier having slits in the support ring in the embodiment of the second invention.

【図11】第2の発明の実施例によるイナーリード部の
拡大断面図である。
FIG. 11 is an enlarged sectional view of an inner lead portion according to an embodiment of the second invention.

【図12】第2の発明の実施例によるサポートリング付
きテープキャリアのフェイスアップボンディングプロセ
スのフロー図である。
FIG. 12 is a flow chart of a face-up bonding process of a tape carrier with a support ring according to an embodiment of the second invention.

【図13】従来技術に基づくテープキャリアの製造工程
を示している。
FIG. 13 shows a manufacturing process of a tape carrier according to the prior art.

【図14】従来技術に基づくテープキャリアの外形図を
示す。
FIG. 14 shows an outline drawing of a tape carrier according to the prior art.

【図15】従来技術に基づくイナーリード部の拡大断面
図である。
FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of an inner lead portion based on a conventional technique.

【図16】従来技術に基づくテープキャリアのイナーリ
ードの代表的な変形の形態を示している。
FIG. 16 shows a typical variation of inner leads of a tape carrier according to the prior art.

【図17】イナーリードの変形の詳細を示している。FIG. 17 shows details of deformation of inner leads.

【図18】従来技術に基づくサポートリング付きテープ
キャリアのフェイスダウンボンディングプロセスのフロ
ー図である。
FIG. 18 is a flow diagram of a face-down bonding process for a tape carrier with a support ring according to the prior art.

【図19】従来技術に基づくサポートリング付きテープ
キャリアのフェイスアップボンディングプロセスのフロ
ー図である。
FIG. 19 is a flow diagram of a face-up bonding process for a tape carrier with a support ring according to the prior art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 テープ基材(ポリイミドテープ) 2 イナーリード(導体パターンにSnメッキ品) 3 サポートリング 4 接着剤 5 デバイスホール 6 スリット 7 バンプ(Au突起) 8 半導体チップ 9 ボンディングツール 10 共晶合金(Au−Sn) 11 スプロケットホール 13 銅箔導体 14 ホトレジスト 15 マスク 16 裏面コーティング樹脂(従来タイプ) 17 イナーリード(導体パターン) 18 導体パターン 19 裏面コーティング樹脂(サポートリング) 1 Tape Base Material (Polyimide Tape) 2 Inner Lead (Sn-Plated Product on Conductor Pattern) 3 Support Ring 4 Adhesive 5 Device Hole 6 Slit 7 Bump (Au Protrusion) 8 Semiconductor Chip 9 Bonding Tool 10 Eutectic Alloy (Au-Sn) ) 11 sprocket hole 13 copper foil conductor 14 photoresist 15 mask 16 backside coating resin (conventional type) 17 inner lead (conductor pattern) 18 conductor pattern 19 backside coating resin (support ring)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 貫通穴を有するフレキシブル基材の表面
に導体箔を接着させ該導体箔をエッチングすることによ
りイナーリードを形成してなるTAB用テープキャリア
の製造方法であって、前記導体箔の前記貫通穴を覆う面
に絶縁材を塗布後前記導体箔をエッチングしてイナーリ
ードを形成する工程と、前記絶縁材の不要部分を除去す
ることにより前記イナーリードの各先端部を前記絶縁材
により相互に連結するサポート部材を形成する工程とを
有することを特徴とするTAB用テープキャリアの製造
方法。
1. A method for producing a tape carrier for TAB, comprising forming an inner lead by adhering a conductor foil to a surface of a flexible substrate having a through hole and etching the conductor foil, the method comprising: A step of forming an inner lead by etching the conductor foil after applying an insulating material to the surface covering the through hole; and removing each unnecessary portion of the insulating material by the insulating material. And a step of forming support members connected to each other.
【請求項2】 貫通穴を有するフレキシブル基材の表面
に導体箔を接着させ該導体箔をエッチングすることによ
りイナーリードを形成してなるTAB用テープキャリア
の製造方法であって、前記導体箔の前記貫通穴を覆う面
に樹脂をコーティング後前記導体箔をエッチングしてイ
ナーリードを形成する工程と、該イナーリードの各先端
部に絶縁材を塗布することにより前記各先端部を相互に
連結するサポート部材を形成する工程と前記コーティン
グした樹脂を除去する工程とを有することを特徴とする
TAB用テープキャリアの製造方法。
2. A method of manufacturing a tape carrier for TAB, comprising forming an inner lead by adhering a conductor foil to a surface of a flexible substrate having a through hole and etching the conductor foil, the method comprising: A step of coating the resin covering the surface of the through hole to form the inner leads by etching the conductor foil, and connecting the respective tip portions to each other by applying an insulating material to the respective tip portions of the inner leads. A method of manufacturing a tape carrier for TAB, comprising a step of forming a support member and a step of removing the coated resin.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6782610B1 (en) * 1999-05-21 2004-08-31 North Corporation Method for fabricating a wiring substrate by electroplating a wiring film on a metal base

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