JPH0637151A - Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 - Google Patents
Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法Info
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- JPH0637151A JPH0637151A JP18782392A JP18782392A JPH0637151A JP H0637151 A JPH0637151 A JP H0637151A JP 18782392 A JP18782392 A JP 18782392A JP 18782392 A JP18782392 A JP 18782392A JP H0637151 A JPH0637151 A JP H0637151A
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- Japan
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- tape carrier
- inner lead
- support ring
- insulating material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イナーリードの変形の生じにくいＴＡＢ用テ
ープキャリアを提供する。 【構成】 テープ基材１のデバイスホール５の銅箔導体
１３面に、樹脂等の絶縁材１９を塗布した後にイナーリ
ードを形成し、イナーリードの先端部のみ絶縁材を残し
イナーリードを相互に接続させる。この絶縁材によって
いわゆるサポートリングが形成される。サポートリング
はバンプの高さより薄く形成される。この作用により、
テープキャリア製造過程または製造後ならびにフェイス
アップまたはフェイスダウンボンディング工程時に生じ
易い、イナーリドの変形の発生を防止することができ
る。
ープキャリアを提供する。 【構成】 テープ基材１のデバイスホール５の銅箔導体
１３面に、樹脂等の絶縁材１９を塗布した後にイナーリ
ードを形成し、イナーリードの先端部のみ絶縁材を残し
イナーリードを相互に接続させる。この絶縁材によって
いわゆるサポートリングが形成される。サポートリング
はバンプの高さより薄く形成される。この作用により、
テープキャリア製造過程または製造後ならびにフェイス
アップまたはフェイスダウンボンディング工程時に生じ
易い、イナーリドの変形の発生を防止することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本特許は、ＴＡＢ(Tape Automate
d Bonding)用テープキャリアに関するものである。
d Bonding)用テープキャリアに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術に基づくテープキャリアの外形
が図１４に、同イナーリード部の断面が図１５に、又製
造工程が図１３に示されている。
が図１４に、同イナーリード部の断面が図１５に、又製
造工程が図１３に示されている。
【０００３】テープキャリアは主に２層構造（ポリイミ
ド基材と導体）テープキャリアと３層構造（ポリイミド
基材と接着剤と導体）テープがあり、半導体チップとテ
ープキャリアの接続法の１つとして、半導体チップ側に
Ａｕの突起であるＡｕバンプが設けられる。
ド基材と導体）テープキャリアと３層構造（ポリイミド
基材と接着剤と導体）テープがあり、半導体チップとテ
ープキャリアの接続法の１つとして、半導体チップ側に
Ａｕの突起であるＡｕバンプが設けられる。
【０００４】また、テープキャリア側にはＡｕバンプと
の接合をはかるためのＳｎメッキされたイナーリードと
なる銅箔導体の引出しパターンを設け、Ａｕバンプとイ
ナーリードの位置合わせをおこない両者を加熱圧着して
ＡｕとＳｎの共晶合金を作り、電気的な接合を行ってい
た。
の接合をはかるためのＳｎメッキされたイナーリードと
なる銅箔導体の引出しパターンを設け、Ａｕバンプとイ
ナーリードの位置合わせをおこない両者を加熱圧着して
ＡｕとＳｎの共晶合金を作り、電気的な接合を行ってい
た。
【０００５】しかし、従来のテープキャリアの構造では
イナーリードは一端が外部に飛び出し他方の片側しか支
持されておらず、テープキャリアの製造工程から半導体
チップをテープキャリアに搭載するまでの工程内におい
て外部からの衝撃や接触によりねじれ、折曲がり等の変
形が生じ易かった。
イナーリードは一端が外部に飛び出し他方の片側しか支
持されておらず、テープキャリアの製造工程から半導体
チップをテープキャリアに搭載するまでの工程内におい
て外部からの衝撃や接触によりねじれ、折曲がり等の変
形が生じ易かった。
【０００６】従来技術として、(1) 特開平２−９７０５
１号、(2) 特開平２−１０２５５３号、(3) 特開平２−
１２２５３３号、(4) 特開平２−１５６６４７号の資料
を参考掲示する。
１号、(2) 特開平２−１０２５５３号、(3) 特開平２−
１２２５３３号、(4) 特開平２−１５６６４７号の資料
を参考掲示する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のテープキャリア
製造プロセスを図１３に示している。これは、３層構造
のテープキャリアであり、２層構造のテープキャリアの
場合は銅箔導体とポリイミド基材を接着している接着剤
が無いものである。
製造プロセスを図１３に示している。これは、３層構造
のテープキャリアであり、２層構造のテープキャリアの
場合は銅箔導体とポリイミド基材を接着している接着剤
が無いものである。
【０００８】従来の製造プロセスでは図１３(f) の裏面
コーティング剤は図１３(g) の銅エッチングの後、図１
３(h) のレジスト剥離により同時に除去されるため、図
１３(g) の銅エッチングにより形成されるイナーリード
は外部に飛び出し片側しか支持されない。そのため、図
１３(h) のレジスト剥離（ホトレジスト及びコーティン
グ樹脂）以後からチップをテープキャリアに搭載するま
での工程内において変形が生じ易かった。変形の代表的
な形態が図１６および図１７に示されている。図１７は
図１６のイナーリード部を拡大して表しており、図１７
の(a) がねじれ、同(b) および(c) が折れ曲りの状態を
示している。これらの不都合はイナーリードが外部に飛
び出し片側しか支持されていないため機械的に弱く、テ
ープキャリアの製造工程から半導体チップをテープキャ
リアに搭載するまでの工程内で、搬送時における外部か
らの衝撃や接触により生じる。この問題点はイナーリー
ド形成直後にサポートリングを形成することにより削減
される。
コーティング剤は図１３(g) の銅エッチングの後、図１
３(h) のレジスト剥離により同時に除去されるため、図
１３(g) の銅エッチングにより形成されるイナーリード
は外部に飛び出し片側しか支持されない。そのため、図
１３(h) のレジスト剥離（ホトレジスト及びコーティン
グ樹脂）以後からチップをテープキャリアに搭載するま
での工程内において変形が生じ易かった。変形の代表的
な形態が図１６および図１７に示されている。図１７は
図１６のイナーリード部を拡大して表しており、図１７
の(a) がねじれ、同(b) および(c) が折れ曲りの状態を
示している。これらの不都合はイナーリードが外部に飛
び出し片側しか支持されていないため機械的に弱く、テ
ープキャリアの製造工程から半導体チップをテープキャ
リアに搭載するまでの工程内で、搬送時における外部か
らの衝撃や接触により生じる。この問題点はイナーリー
ド形成直後にサポートリングを形成することにより削減
される。
【０００９】図１８および図１９は従来品のプロセスに
て作成したサポートリング付きテープキャリアを使用し
た場合のフェイスダウンおよびフェイスアップボンディ
ングプロセスである。この場合、フェイスダウンボンデ
ィングにおいてはサポートリングの厚みの影響がないた
め正常な接続が可能である。しかし、図１９で示される
フェイスアップボンディングの場合はサポートリングの
厚みがバンプの高さよりも厚く (50〜125 μm ）なり、
イナーリードとバンプをボンディングツールによって接
合する際にサポートリングがチップに接触し、厚みの大
きい分イナーリードが圧し曲げられてしまう。このた
め、接続後イナーリードは断線３１を生じ易くフェイス
アップボンディングを行うのは困難であった。
て作成したサポートリング付きテープキャリアを使用し
た場合のフェイスダウンおよびフェイスアップボンディ
ングプロセスである。この場合、フェイスダウンボンデ
ィングにおいてはサポートリングの厚みの影響がないた
め正常な接続が可能である。しかし、図１９で示される
フェイスアップボンディングの場合はサポートリングの
厚みがバンプの高さよりも厚く (50〜125 μm ）なり、
イナーリードとバンプをボンディングツールによって接
合する際にサポートリングがチップに接触し、厚みの大
きい分イナーリードが圧し曲げられてしまう。このた
め、接続後イナーリードは断線３１を生じ易くフェイス
アップボンディングを行うのは困難であった。
【００１０】また、イナーリードが１本でも変形する
と、半導体チップ上のバンプとイナーリードの位置がズ
レてしまい接合が不可能となる為イナーリード曲がりの
あるテープキャリアは不良となっていた。
と、半導体チップ上のバンプとイナーリードの位置がズ
レてしまい接合が不可能となる為イナーリード曲がりの
あるテープキャリアは不良となっていた。
【００１１】本発明はこれらの問題点を解消し、テープ
キャリアの製造工程から半導体チップをテープキャリア
に搭載するまでの工程内で、搬送時における外部からの
衝撃や接触により生じるねじれ、折曲がり等のイナーリ
ード変形を防止する。形成するサポートリングの厚みは
半導体チップに形成されるバンプ高さよりも薄く作製す
ることが可能であり、半導体チップ上のバンプとテープ
キャリア導体パターン面側を接続するいわゆるフェイス
ダウンボンディングおよび、半導体チップ上のバンプと
テープキャリアの基材面側を接続するフェイスアップボ
ンディングを可能とするＴＡＢ用テープキャリアを提供
することにある。
キャリアの製造工程から半導体チップをテープキャリア
に搭載するまでの工程内で、搬送時における外部からの
衝撃や接触により生じるねじれ、折曲がり等のイナーリ
ード変形を防止する。形成するサポートリングの厚みは
半導体チップに形成されるバンプ高さよりも薄く作製す
ることが可能であり、半導体チップ上のバンプとテープ
キャリア導体パターン面側を接続するいわゆるフェイス
ダウンボンディングおよび、半導体チップ上のバンプと
テープキャリアの基材面側を接続するフェイスアップボ
ンディングを可能とするＴＡＢ用テープキャリアを提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】第１の発明の貫通穴を有
するフレキシブル基材の表面に導体箔を接着させこの導
体箔をエッチングすることによりイナーリードを形成し
てなるＴＡＢ用テープキャリアの製造方法は、導体箔の
貫通穴を覆う面に絶縁材を塗布後導体箔をエッチングし
てイナーリードを形成する工程と、絶縁材の不要部分を
除去することによりイナーリードの各先端部を絶縁材に
より相互に連結するサポート部材を形成する工程とを有
することを特徴とする。
するフレキシブル基材の表面に導体箔を接着させこの導
体箔をエッチングすることによりイナーリードを形成し
てなるＴＡＢ用テープキャリアの製造方法は、導体箔の
貫通穴を覆う面に絶縁材を塗布後導体箔をエッチングし
てイナーリードを形成する工程と、絶縁材の不要部分を
除去することによりイナーリードの各先端部を絶縁材に
より相互に連結するサポート部材を形成する工程とを有
することを特徴とする。
【００１３】第２の発明の貫通穴を有するフレキシブル
基材の表面に導体箔を接着させこの導体箔をエッチング
することによりイナーリードを形成してなるＴＡＢ用テ
ープキャリアの製造方法は、導体箔の貫通穴を覆う面に
樹脂をコーティング後導体箔をエッチングしてイナーリ
ードを形成する工程と、このイナーリードの各先端部に
絶縁材を塗布することにより各先端部を相互に連結する
サポート部材を形成する工程と、コーティングした樹脂
を除去する工程とを有することを特徴とする。
基材の表面に導体箔を接着させこの導体箔をエッチング
することによりイナーリードを形成してなるＴＡＢ用テ
ープキャリアの製造方法は、導体箔の貫通穴を覆う面に
樹脂をコーティング後導体箔をエッチングしてイナーリ
ードを形成する工程と、このイナーリードの各先端部に
絶縁材を塗布することにより各先端部を相互に連結する
サポート部材を形成する工程と、コーティングした樹脂
を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
【作用】イナーリードの先端部が絶縁材で相互に連結さ
れる。また、絶縁材は薄く形成することが容易である。
よってボンディングされるチップのバンプの高さより薄
く形成される。この作用によってイナーリードは折曲
げ、ねじれ等の圧力に対して強固となる。
れる。また、絶縁材は薄く形成することが容易である。
よってボンディングされるチップのバンプの高さより薄
く形成される。この作用によってイナーリードは折曲
げ、ねじれ等の圧力に対して強固となる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明についての説明を行なう。図
３は第１の発明の実施例によるサポートリング付きのテ
ープキャリアの外形図を示す。同図は裏面コーティング
樹脂にて作製したテープキャリアの上面図であり、イナ
ーリード部の部分拡大図である。また、イナーリード部
の４角にスリット６を設けた場合を図４に示している。
３は第１の発明の実施例によるサポートリング付きのテ
ープキャリアの外形図を示す。同図は裏面コーティング
樹脂にて作製したテープキャリアの上面図であり、イナ
ーリード部の部分拡大図である。また、イナーリード部
の４角にスリット６を設けた場合を図４に示している。
【００１６】図５は第１の実施例によるテープキャリア
においてイナーリード部の断面を表しており、イナーリ
ード２、テープ基材１とサポートリング３との構成の関
係を示している。サポートリング３はイナーリード２の
先端部に形成され、複数のイナーリードが相互に連結さ
れる。またイナーリードは樹脂等の絶縁物が用いられ
る。
においてイナーリード部の断面を表しており、イナーリ
ード２、テープ基材１とサポートリング３との構成の関
係を示している。サポートリング３はイナーリード２の
先端部に形成され、複数のイナーリードが相互に連結さ
れる。またイナーリードは樹脂等の絶縁物が用いられ
る。
【００１７】上記の構成を有するテープキャリアは以下
の工程によって得ることができる。図１および図２は３
層構造テープキャリアの製造プロセスにてサポートリン
グを作製する工程を示している。図１の(a) 〜(g) およ
び図２の(a) 〜(f) は裏面コーティング樹脂によるサポ
ートリング形成プロセスの各工程を表しており、両図は
第１の実施例の連続した製造工程を表している。
の工程によって得ることができる。図１および図２は３
層構造テープキャリアの製造プロセスにてサポートリン
グを作製する工程を示している。図１の(a) 〜(g) およ
び図２の(a) 〜(f) は裏面コーティング樹脂によるサポ
ートリング形成プロセスの各工程を表しており、両図は
第１の実施例の連続した製造工程を表している。
【００１８】図１の(a) は第１の工程図であり、ポリイ
ミドテープ基材１の平面図である。スプロケットホール
１１を有する同基材には、デバイスホール５が明けられ
ている。
ミドテープ基材１の平面図である。スプロケットホール
１１を有する同基材には、デバイスホール５が明けられ
ている。
【００１９】図１の(b) は第２の工程図であり、テープ
基材１に接着材４で導体である銅箔１３が取付けられ
る。本図はポリイミドテープ基材１に対して断面図を表
している。本工程以下は断面図である。
基材１に接着材４で導体である銅箔１３が取付けられ
る。本図はポリイミドテープ基材１に対して断面図を表
している。本工程以下は断面図である。
【００２０】図１の(c) は第３の工程図であり、銅箔の
表面でテープ基材１の反対面側にホトレジスト材１４が
塗布される。
表面でテープ基材１の反対面側にホトレジスト材１４が
塗布される。
【００２１】図１の(d) は第４の工程図であり、ホトレ
ジスト面にマスク１５がかけられ、露光がされる。
ジスト面にマスク１５がかけられ、露光がされる。
【００２２】図１の(e) は第５の工程図であり、ホトレ
ジスト面が現像され、第４の工程で露光されたホトレジ
スト材が除去される。
ジスト面が現像され、第４の工程で露光されたホトレジ
スト材が除去される。
【００２３】図１の(f) は第６の工程図であり、銅箔の
表面でありホトレジスト処理された反対面のテープ基材
１のデバイスホール部に、コーティング樹脂１９が塗布
処理がされる。
表面でありホトレジスト処理された反対面のテープ基材
１のデバイスホール部に、コーティング樹脂１９が塗布
処理がされる。
【００２４】図１の(g) は第７の工程図であり、エッチ
ング工程により第５の工程でホトレジスト材の取除かれ
た部分の銅箔が除去される。
ング工程により第５の工程でホトレジスト材の取除かれ
た部分の銅箔が除去される。
【００２５】図２の(a) は第８の工程図であり、ホトレ
ジスト剥離工程により第３の工程で塗布された銅箔面の
ホトレジスト材１４が除去されイナーリード１７が表面
に出る。
ジスト剥離工程により第３の工程で塗布された銅箔面の
ホトレジスト材１４が除去されイナーリード１７が表面
に出る。
【００２６】図２の(b) は第９の工程図であり、第６の
工程で塗布された樹脂のデバイスホール側面にホトレジ
スト材１４が塗布される。
工程で塗布された樹脂のデバイスホール側面にホトレジ
スト材１４が塗布される。
【００２７】図２の(c) は第１０の工程図であり、第９
の工程で塗布されたホトレジスト面にマスクがかけられ
露光がされる。
の工程で塗布されたホトレジスト面にマスクがかけられ
露光がされる。
【００２８】図２の(d) は第１１の工程図であり、現像
処理により第１０の工程で露光されたホトレジスト部が
除去される。
処理により第１０の工程で露光されたホトレジスト部が
除去される。
【００２９】図２の(e) は第１２の工程図であり、エッ
チング工程により第１１の工程でホトレジスト材が取除
かれた部分のコーティング樹脂１９が除去される。次に
ホトレジスト剥離工程により第９の工程で塗布されたコ
ーティング樹脂１９上およびポリイミド基材１上のホト
レジスト材１４が除去され、コーティング樹脂１９が表
面に出る。
チング工程により第１１の工程でホトレジスト材が取除
かれた部分のコーティング樹脂１９が除去される。次に
ホトレジスト剥離工程により第９の工程で塗布されたコ
ーティング樹脂１９上およびポリイミド基材１上のホト
レジスト材１４が除去され、コーティング樹脂１９が表
面に出る。
【００３０】図２の(f) は第１３の工程図であり、導体
パターンへの錫メッキ工程であり、サポートリング３を
有するイナーリード２が完成する。
パターンへの錫メッキ工程であり、サポートリング３を
有するイナーリード２が完成する。
【００３１】以上の１３の工程でＴＡＢ用テープキャリ
アが完成する。
アが完成する。
【００３２】よって、イナーリードは図１(g) の形成後
はテープキャリアにチップを搭載するまでの間において
常に裏面コーティング樹脂１９にて保護される為、従来
の問題点であるイナーリードの変形を防止することが可
能となる。
はテープキャリアにチップを搭載するまでの間において
常に裏面コーティング樹脂１９にて保護される為、従来
の問題点であるイナーリードの変形を防止することが可
能となる。
【００３３】図６は図３、図４に示したサポートリング
付きテープキャリアのフェイスアップボンディングプロ
セスのフロー図でありイナーリード２の先端のサポート
リング３の厚みはチップ上のバンプ７の高さよりも薄く
しており、イナーリード２とバンプ７をボンディングツ
ール９によって接合する際にサポートリング３がチップ
に接触しない厚みとしている。
付きテープキャリアのフェイスアップボンディングプロ
セスのフロー図でありイナーリード２の先端のサポート
リング３の厚みはチップ上のバンプ７の高さよりも薄く
しており、イナーリード２とバンプ７をボンディングツ
ール９によって接合する際にサポートリング３がチップ
に接触しない厚みとしている。
【００３４】図７は図３、図４に示したサポートリング
付きテープキャリアのフェイスダウンボンディングプロ
セスのフロー図である。イナーリード２とバンプ７を接
合する際、ボンディングツール９に溝を設け、サポート
リング３がボンディングツール９に直接接触しない形状
にしている。
付きテープキャリアのフェイスダウンボンディングプロ
セスのフロー図である。イナーリード２とバンプ７を接
合する際、ボンディングツール９に溝を設け、サポート
リング３がボンディングツール９に直接接触しない形状
にしている。
【００３５】図９は第２の発明の実施例であり、銅エッ
チング後に樹脂の塗布にて作製したサポートリング付き
のテープキャリア２のイナーリード部の上面図である。
図１０は図９の実施例の４角にスリット６を設けたテー
プキャリアが示されている。
チング後に樹脂の塗布にて作製したサポートリング付き
のテープキャリア２のイナーリード部の上面図である。
図１０は図９の実施例の４角にスリット６を設けたテー
プキャリアが示されている。
【００３６】図１１は本発明の銅エッチング後に樹脂の
塗布にて作製したサポートリング付きのテープキャリア
のイナーリード部の断面図である。
塗布にて作製したサポートリング付きのテープキャリア
のイナーリード部の断面図である。
【００３７】図８は図１１に示した銅エッチング後にサ
ポートリングの樹脂を塗布したサポートリング形成のプ
ロセスである。図８の工程図では図８(g) の銅エッチン
グ後に形成されたイナーリードの先端にサポートリング
を形成させるに都合の良い電気絶縁性の高い液状の硬化
樹脂１６をデスペンサーにて定形に描画塗布させるか、
またはスクリーン印刷にて定形印刷塗布し、樹脂を硬化
させてイナーリードの側面部のみを樹脂により相互に固
定したサポートリングを作製する。次に、サポートリン
グ１９を作製後、図８(i) のホトレジスト及び裏面コー
ティング樹脂を剥離し図８(j) の錫メッキを行いテープ
キャリアを作製する。
ポートリングの樹脂を塗布したサポートリング形成のプ
ロセスである。図８の工程図では図８(g) の銅エッチン
グ後に形成されたイナーリードの先端にサポートリング
を形成させるに都合の良い電気絶縁性の高い液状の硬化
樹脂１６をデスペンサーにて定形に描画塗布させるか、
またはスクリーン印刷にて定形印刷塗布し、樹脂を硬化
させてイナーリードの側面部のみを樹脂により相互に固
定したサポートリングを作製する。次に、サポートリン
グ１９を作製後、図８(i) のホトレジスト及び裏面コー
ティング樹脂を剥離し図８(j) の錫メッキを行いテープ
キャリアを作製する。
【００３８】図１２は図９、図１０に示したサポートリ
ング付きのテープキャリアのフェイスアップボディング
プロセスのフロー図である。イナーリード２の先端部を
樹脂にて側面部を固定するのでリードから露出するサポ
ートリング２３の樹脂の厚みは半導体チップ上のバンプ
７の高さよりも薄くすることができる。これにより、サ
ポートリング付きにてフェイスアップ及びフェイスダウ
ンボンディングが可能である。なお、図４、図１０に示
したサポートリングの四辺のコーナーに設けたスリット
６はイナーリード２とバンプ７の接合時に生じる位置ズ
レを緩和する働きがありサポートリング形成において
は、スリット６を設ける場合がある。
ング付きのテープキャリアのフェイスアップボディング
プロセスのフロー図である。イナーリード２の先端部を
樹脂にて側面部を固定するのでリードから露出するサポ
ートリング２３の樹脂の厚みは半導体チップ上のバンプ
７の高さよりも薄くすることができる。これにより、サ
ポートリング付きにてフェイスアップ及びフェイスダウ
ンボンディングが可能である。なお、図４、図１０に示
したサポートリングの四辺のコーナーに設けたスリット
６はイナーリード２とバンプ７の接合時に生じる位置ズ
レを緩和する働きがありサポートリング形成において
は、スリット６を設ける場合がある。
【００３９】
【発明の効果】本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、イ
ナーリードが製作およびボンディングの工程において変
形が生じにくく、製品の歩留まりおよび信頼性が向上す
る。
ナーリードが製作およびボンディングの工程において変
形が生じにくく、製品の歩留まりおよび信頼性が向上す
る。
【図１】第１の発明の実施例のテープキャリアの製造工
程を示している。
程を示している。
【図２】図１の継続工程である。
【図３】第１の発明の実施例によるサポートリング付き
のテープキャリアの外形図を示す。
のテープキャリアの外形図を示す。
【図４】第１の発明の実施例においてサポートリングに
スリットの入ったテープキャリアの外形図である。
スリットの入ったテープキャリアの外形図である。
【図５】第１の発明の実施例によるイナーリード部の拡
大断面図である。
大断面図である。
【図６】第１の発明の実施例によるサポートリング付き
テープキャリアのフェイスアップボンディングプロセス
のフロー図である。
テープキャリアのフェイスアップボンディングプロセス
のフロー図である。
【図７】第１の発明の実施例によるサポートリング付き
テープキャリアのフェイスダウンボンディングプロセス
のフロー図である。
テープキャリアのフェイスダウンボンディングプロセス
のフロー図である。
【図８】第２の発明の実施例のテープキャリアの製造工
程を示している。
程を示している。
【図９】第２の発明の実施例によるサポートリング付き
のテープキャリアの外形図を示す。
のテープキャリアの外形図を示す。
【図１０】第２の発明の実施例においてサポートリング
にスリットの入ったテープキャリアの外形図である。
にスリットの入ったテープキャリアの外形図である。
【図１１】第２の発明の実施例によるイナーリード部の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図１２】第２の発明の実施例によるサポートリング付
きテープキャリアのフェイスアップボンディングプロセ
スのフロー図である。
きテープキャリアのフェイスアップボンディングプロセ
スのフロー図である。
【図１３】従来技術に基づくテープキャリアの製造工程
を示している。
を示している。
【図１４】従来技術に基づくテープキャリアの外形図を
示す。
示す。
【図１５】従来技術に基づくイナーリード部の拡大断面
図である。
図である。
【図１６】従来技術に基づくテープキャリアのイナーリ
ードの代表的な変形の形態を示している。
ードの代表的な変形の形態を示している。
【図１７】イナーリードの変形の詳細を示している。
【図１８】従来技術に基づくサポートリング付きテープ
キャリアのフェイスダウンボンディングプロセスのフロ
ー図である。
キャリアのフェイスダウンボンディングプロセスのフロ
ー図である。
【図１９】従来技術に基づくサポートリング付きテープ
キャリアのフェイスアップボンディングプロセスのフロ
ー図である。
キャリアのフェイスアップボンディングプロセスのフロ
ー図である。
１ テープ基材（ポリイミドテープ） ２ イナーリード（導体パターンにＳｎメッキ品） ３ サポートリング ４ 接着剤 ５ デバイスホール ６ スリット ７ バンプ（Ａｕ突起） ８ 半導体チップ ９ ボンディングツール １０ 共晶合金（Ａｕ−Ｓｎ） １１ スプロケットホール １３ 銅箔導体 １４ ホトレジスト １５ マスク １６ 裏面コーティング樹脂（従来タイプ） １７ イナーリード（導体パターン） １８ 導体パターン １９ 裏面コーティング樹脂（サポートリング）
Claims (2)
- 【請求項１】 貫通穴を有するフレキシブル基材の表面
に導体箔を接着させ該導体箔をエッチングすることによ
りイナーリードを形成してなるＴＡＢ用テープキャリア
の製造方法であって、前記導体箔の前記貫通穴を覆う面
に絶縁材を塗布後前記導体箔をエッチングしてイナーリ
ードを形成する工程と、前記絶縁材の不要部分を除去す
ることにより前記イナーリードの各先端部を前記絶縁材
により相互に連結するサポート部材を形成する工程とを
有することを特徴とするＴＡＢ用テープキャリアの製造
方法。 - 【請求項２】 貫通穴を有するフレキシブル基材の表面
に導体箔を接着させ該導体箔をエッチングすることによ
りイナーリードを形成してなるＴＡＢ用テープキャリア
の製造方法であって、前記導体箔の前記貫通穴を覆う面
に樹脂をコーティング後前記導体箔をエッチングしてイ
ナーリードを形成する工程と、該イナーリードの各先端
部に絶縁材を塗布することにより前記各先端部を相互に
連結するサポート部材を形成する工程と前記コーティン
グした樹脂を除去する工程とを有することを特徴とする
ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18782392A JP2752852B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18782392A JP2752852B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637151A true JPH0637151A (ja) | 1994-02-10 |
| JP2752852B2 JP2752852B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16212865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18782392A Expired - Fee Related JP2752852B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752852B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6782610B1 (en) * | 1999-05-21 | 2004-08-31 | North Corporation | Method for fabricating a wiring substrate by electroplating a wiring film on a metal base |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP18782392A patent/JP2752852B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6782610B1 (en) * | 1999-05-21 | 2004-08-31 | North Corporation | Method for fabricating a wiring substrate by electroplating a wiring film on a metal base |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752852B2 (ja) | 1998-05-18 |
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