JPH0637353B2 - 炭化珪素単結晶成長方法および装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は炭化珪素単結晶成長方法および装置に関するも
のである。詳しく述べると本発明は、青色発光ダイオー
ド等の応用面に有用な大面積の炭化珪素単結晶を効率よ
く成長させる炭化珪素単結晶成長方法および装置に関す
るものである。

（従来の技術） 従来、炭化珪素単結晶成長方法としては、アチソン法、
液相法、化学気相法、昇華再結晶法などが知られてい
る。このうちアチソン法は珪石とコークスの混合物を電
気炉で熱して結晶を析出させるものであって、不純物が
多く、また成長が自然発生的な核形成によるものである
ため、得られる結晶の形および結晶面の制御が困難であ
る。液相法および化学気相法では、エピタキシャル成長
が可能であるために結晶の形および結晶面の制御が可能
ではあるが、両方法とも結晶成長速度が極めて遅く大型
の炭化珪素単結晶を得ることは困難である。

昇華再結晶による結晶成長法としては、適当な温度分布
をもつ黒鉛るつぼ内で原料炭化珪素を昇華させ、るつぼ
内の低温部に再結晶させるレーリー法と、るつぼ上の低
温部に炭化珪素基板を置き、不活性ガス雰囲気を１００
Ｔｏｒｒ程度から真空まで漸減させるタイロフらの方法
が知られていた。しかしながらレーリー法においては自
然発生的な核形成により結晶が成長するため結晶の形成
および結晶面の制御が困難であった。一方、タイロフら
の方法においては結晶の成長速度が極めて大きく、また
基板上に結晶を成長させるために結晶の形成および結晶
面の制御は可能であるが、結晶が柱状に成長しやすく、
色々の形や方向の結晶面が現われ、結晶性が悪いもので
あった。さらにこの点を改良する方法として特公昭５９
−４８７９２号には不活性ガス雰囲気中で炭化珪素粉末
を加熱昇華させ、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結
晶を成長させるにおいて、炭化珪素粉末と炭化珪素基板
のそれぞれの温度および温度差、さらに不活性気体の圧
力を制御することが提唱されており、良質かつ大型の炭
化珪素単結晶を速い速度で成長させることができるとさ
れている。

特公昭５９−４８７９２号において述べられるような方
法においては、確かに、単結晶基板上には良質の炭化珪
素単結晶を成長させることができるが、前記炭化珪素単
結晶基板を保持する黒鉛製のるつぼ蓋体にも多結晶の炭
化珪素が成長し、従って単結晶が成長する部分が単結晶
基板の存在する部分に限られてしまうものであった。ま
た結晶成長が進むにつれて、蓋体部分に発生した多結晶
も成長を続けるため、多結晶が単結晶部分に食い込んで
成長する場合があり、この場合においては単結晶の面積
がむしろ小さくなっていく。さらに周囲に多結晶が成長
すると単結晶を取り出すときに多結晶部分を切り取る必
要性が生じ工程の煩雑化をまねくものとなっていた。

（発明が解決しようとする課題） 従って本発明は、改良された炭化珪素単結晶の成長方法
および装置を提供することを目的とするものである。本
発明はまた、不活性ガス雰囲気中で炭化珪素粉末を昇華
させ、炭化珪素基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方
法において、炭化珪素単結晶成長時におけるるつぼ蓋体
部分における多結晶の発生を抑制し、単結晶の炭化珪素
のみを成長させ、断面積の大きな良質の炭化珪素単結晶
を得ることのできる炭化珪素単結晶成長方法および装置
を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 上記諸目的は、黒鉛製るつぼ内において炭化珪素粉末を
不活性気体雰囲気中で昇華させ、炭化珪素単結晶基板上
に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、るつぼの
上端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体の内面側中央部に炭
化珪素単結晶基板を取り付け、さらに前記基板よりわず
かに小さい開孔を有しかつるつぼ空間断面と同形状の黒
鉛製仕切り板を前記基板から０．１〜２．０ｍｍの間隔
を開けてるつぼ内に設置して、前記蓋体内面を露出する
ことなく前記基板のみをるつぼ側に露出させ、るつぼ内
に炭化珪素粉末を挿入し、不活性ガス雰囲気中でるつぼ
を２２００〜２４００℃に加熱保持しかつ前記炭化珪素
単結晶基板およびるつぼ蓋体の温度をるつぼおよび黒鉛
製仕切り板の温度より低温に保って、炭化珪素単結晶基
板上に単結晶を成長させるものである炭化珪素単結晶成
長方法により達成される。

上記諸目的はまた、黒鉛製の発熱体を兼ねるるつぼと、
内面側中央部に炭化珪素単結晶基板の取り付け部を有す
る前記るつぼの上端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体と、
前記るつぼ内部に取り付けられた、中央部に所定径の開
孔を有する黒鉛製仕切り板と、るつぼを加熱する加熱手
段と、るつぼを挿入して真空または不活性ガス雰囲気に
制御する真空系とを有することを特徴とする炭化珪素単
結晶成長装置によっても達成される。

本発明はまた、黒鉛製の発熱体を兼ねるるつぼと、内面
側中央部に炭化珪素単結晶基板の取り付け部を有する前
記るつぼの上端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体と、前記
るつぼ蓋体内面側に高さ調整可能な黒鉛製取り付け具に
より取り付けられた、中央部に所定径の開孔を有する黒
鉛製仕切り板と、るつぼを加熱する加熱手段と、るつぼ
を挿入して真空または不活性ガス雰囲気に制御する真空
系とを有することを特徴とする炭化珪素単結晶成長装置
を示すものである。本発明はさらに、黒鉛製の発熱体を
兼ねるるつぼと、該るつぼの上部内周面に一体的に取付
けられた中央部に所定径の開孔を有する黒鉛製仕切り板
と、内面側中央部に炭化珪素単結晶基板の取り付け部を
有する前記るつぼの上端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体
と、るつぼを加熱する加熱手段と、るつぼを挿入して真
空または不活性ガス雰囲気に制御する真空系とを有する
ことを特徴とする炭化珪素単結晶成長装置を示すもので
ある。

（作用） 本発明の炭化珪素単結晶の成長方法は、黒鉛製るつぼ内
において炭化珪素粉末を不活性気体雰囲気中で昇華さ
せ、るつぼの上端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体に配置
され原料粉末よりやや低温に保持されている炭化珪素単
結晶基板上に、昇華した炭化珪素ガスから炭化珪素単結
晶を堆積成長させるものであるが、該炭化珪素単結晶基
板を取り付けたるつぼ蓋体近傍には、前記基板よりわず
かに小さい開孔を有しかつるつぼ空間断面と同形状の黒
鉛製仕切り板が配置されている。このためるつぼ蓋体自
体はるつぼ側に露出することなく、炭化珪素単結晶基板
のみが露出している。該黒鉛製仕切り板の温度を単結晶
基板より高温に設定しておけば昇華した炭化珪素ガス
は、黒鉛製仕切り板上にも堆積することがなく、より低
温となって露出している炭化珪素単結晶基板上に集中的
に堆積する。従って多結晶の発生が抑制され単結晶だけ
が成長し、さらに単結晶は水平方向にも広がることがで
きるために単結晶の大型化が図られるものである。

以下、本発明を実施態様に基づきより詳細に説明する。

第１図は本発明の炭化珪素単結晶の成長方法において好
適に用いられる単結晶成長装置の一例を示すものであ
る。

第１図に示されるように、該単結晶成長装置は、例えば
円形もしくは箱型などの形状を有する黒鉛製の発熱体を
兼ねるるつぼ１と、内面側中央部に炭化珪素単結晶基板
の取り付け部１０を有する前記るつぼ１の上端開口部を
覆う黒鉛製るつぼ蓋体６と、前記るつぼ蓋体６内面側に
高さ調整可能な黒鉛製取り付け具７により取り付けられ
た、中央部に所定径の開孔１１を有する前記るつぼ１の
内部空間断面と同形状の黒鉛製仕切り板５とを有してい
る。黒鉛製仕切り板５の内部中央部に設けられた開孔１
１は、前記炭化珪素単結晶基板取り付け部１０に取り付
けられる炭化珪素単結晶基板３よりわずかに小さいもの
であり、その形状は得ようとする炭化珪素単結晶の形状
に左右されるが、好ましくは応用面において特に有用な
円形の炭化珪素単結晶インゴットを得るために円形のも
のとされる。さらにこの実施態様の単結晶成長装置にお
いては、るつぼ１およびるつぼ蓋体６の外周面は、黒鉛
フェルト製の断熱材８により覆われており、さらに真空
排気装置（図示せず）により真空排気ができかつ内部雰
囲気をＡｒ、Ｘｅガスなどの不活性ガスで大気圧から１
Ｔｏｒｒ程度まで制御できる容器１２に入れられてい
る。またこの容器には、例えば容器外に巻装した高周波
誘導コイルなどのようなるつぼを加熱する加熱手段（図
示せず）が設けられている。しかして、前記高周波誘導
コイルなどの加熱手段および断熱材８は、このような加
熱手段によりるつぼ１を加熱した場合、るつぼ１と黒鉛
製仕切り板５の温度が等しくなるように、またるつぼ蓋
体６と炭化珪素単結晶基板３の温度がるつぼ１の温度よ
り低温に保たれるように、より好ましくは５０〜１００
℃程度低く保たれるようにその配置を調節してある。

第２図は本発明の炭化珪素単結晶成長装置の他の例を示
すものである。

この第２図に示す実施態様は、中央部に所定径の開孔１
１を有する黒鉛製仕切り板５を、第１図に示す実施態様
におけるようにるつぼ蓋体６に取り付けることなく、る
つぼ１内周面に直接的に取付けて、るつぼ１内部に配し
た以外は、前記第１図に示す実施態様におけるものと同
様の構成を有するものである。

すなわち、この実施態様における単結晶成長装置は、黒
鉛製の発熱体を兼ねるるつぼ１と、内面側中央部に炭化
珪素単結晶基板の取り付け部１０を有する前記るつぼ１
の上端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体６と、前記るつぼ
１の上部内周面に一体的に取付けられた中央部に所定径
の開孔１１を有する黒鉛製仕切り板５とを有しており、
そしてこのるつぼ１およびるつぼ蓋体６の外周面は、黒
鉛フェルト製の断熱材８により覆われており、さらに真
空排気装置（図示せず）により真空排気ができかつ内部
雰囲気を不活性ガスで所望の圧力に制御できる容器１２
に入れられている。なお、この容器１２には、るつぼを
加熱する加熱手段（図示せず）が設けられている。

このような単結晶成長装置を用いて、炭化珪素単結晶を
成長させるには、まず、るつぼ１内に炭化珪素粉末２を
収容し、一方、るつぼ蓋体６の炭化珪素単結晶基板取り
付け部１０には、黒鉛製の取り付け具９により炭化珪素
単結晶基板３を取り付ける。

さらに、第１図に示す単結晶成長装置の場合、るつぼ蓋
体６に前記のごとき開口部を有する黒鉛製仕切り板５を
黒鉛製の仕切り板取り付け具７により取り付ける。この
際、黒鉛製仕切り板５と単結晶基板３とが、０．１〜
２．０ｍｍの間隔を有するように仕切り板取り付け具７
により調節して取り付ける。すなわち、黒鉛製仕切り板
５と単結晶基板３との間隔が２．０ｍｍを越えるもので
あると、高温に保持して炭化珪素粉末２を昇華させた
際、炭化珪素ガスがるつぼ蓋体６にまで達し、るつぼ蓋
体６に多結晶の炭化珪素が形成されるために望ましくな
く、一方、間隔が０．１ｍｍ未満であると、前述したよ
うに炭化珪素単結晶基板３およびるつぼ蓋体６と黒鉛製
仕切り板５との間で温度差を設けることが困難となる虞
れがあるためである。第２図に示す単結晶成長装置にお
いては、このような黒鉛製仕切り板５が、予め黒鉛製る
つぼ１と一体成形されているが、この場合も、るつぼ蓋
体６へ取付けられる炭化珪素単結晶基板３と該黒鉛製仕
切り板５との間隔は、るつぼ蓋体６への炭化珪素多結晶
の形成防止と炭化珪素単結晶基板３およびるつぼ蓋体６
と黒鉛製仕切り板５との温度差を確保するために、０．
１〜２ｍｍとする。

このように炭化珪素単結晶基板３および黒鉛製仕切り板
５を取り付けたるつぼ蓋体６を、炭化珪素粉末２を収容
してなるるつぼ１にかぶせた後、あるいは、炭化珪素単
結晶基板３を取付けたるつぼ蓋体６を、炭化珪素粉末２
を収容してなる黒鉛製仕切り板５と一体となったるつぼ
１にかぶせた後、系内を真空排気装置（図示せず）によ
り脱気し、不活性ガスを挿入して不活性ガス雰囲気と
し、その後加熱手段（図示せず）によりるつぼ１を加熱
し、炭化珪素粉末２を昇華させて単結晶の成長を図る。
この際、るつぼ１の温度が２２００〜２４００℃の高温
に達するまでは、炭化珪素粉末が蒸発するのを妨げるた
めに、不活性ガス雰囲気圧力を約７００Ｔｏｒｒ程度と
し、十分高温となってから不活性ガス圧力を徐々に減少
させていき、１〜１００Ｔｏｒｒで数時間保ち、炭化珪
素単結晶を炭化珪素単結晶基板上に成長させる。なお、
加熱温度が２２００℃未満では炭化珪素の昇華が十分な
ものではなく、一方２４００℃を越えるものであると炭
化珪素の成長が阻害されるので好ましくない。ここで、
前記したようにるつぼ蓋体６は、黒鉛製仕切り板５の存
在により昇華する炭化珪素ガスに曝されることなく、ま
たこの黒鉛製仕切り板５は、炭化珪素単結晶基板３より
も高温に保たれているために、結晶の成長は、炭化珪素
単結晶基板３上において主としておこなわれ、多結晶の
成長が抑制されるために、多結晶の付着していない大断
面積の、特に望ましくは、産業上において極めて利用価
値の高い円形大断面積の炭化珪素単結晶の製造が可能と
なるものである。

なお、本発明の炭化珪素単結晶の成長方法において、炭
化珪素粉末としては各種のものが用いられ得るが、好ま
しくは、例えば市販されている炭化珪素研磨材などの炭
化珪素粉末を、弗酸と硝酸の混合物で洗浄し、表面に付
着している酸化物や不純物を除去し、純水にて洗浄後乾
燥させ、さらに真空中で１８００〜２０００℃で熱処理
を行なったものを用いることが望ましい。

また炭化珪素単結晶基板としては、例えば炭化珪素研磨
材を工業的に製造するときに副産物として得られる不定
形の単結晶を整形、研磨し、さらに研磨傷を除去するた
めに溶融水酸化カリウム中でエッチングし、王水および
弗酸による酸洗浄の後乾燥させた単結晶基板が用いられ
得る。また本発明の成長方法から製造した単結晶を切断
して得られた単結晶基板を用いても良いことは言うまで
もない。なお、使用可能な炭化珪素単結晶基板として
は、上記のごときものに限定されるものではない。

（実施例） 以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。

実施例１ 第１図に示すような構成の単結晶成長装置を用いて、炭
化珪素単結晶の成長を試みた。

まず、炭化珪素粉末２として、市販されている炭化珪素
研磨材の５４番と８０番とを１：１で混合したものを用
い、これを弗酸と硝酸の混合物（１：１）で１０分間洗
浄した後、純粋で洗浄し、エチルアルコールで置換し、
真空乾燥機で乾燥させ、あらかじめ２４００℃で熱処理
した黒鉛製るつぼ１に入れ、１０^-6〜１０^-7Ｔｏｒｒの
高真空で１８００〜２０００℃に加熱し、１０分間熱処
理を行なった。

一方、種結晶である炭化珪素単結晶基板３は、炭化珪素
研磨材を工業的に製造する過程で副産物として得られた
単結晶を整形したものを研磨し、５００℃に加熱溶融さ
せた水酸化カリウム中でエッチングして研磨傷を取り去
り、純水にて洗浄し、王水中で１５分間洗浄し、純水に
て洗浄後、さらに弗酸で５分間洗浄して純水洗浄した
後、窒素吹付けにより乾燥したものを用いた。炭化珪素
単結晶基板３の形状は、黒鉛製仕切り板５の直径１０ｍ
ｍの開孔１１より大きな多角形のものを用いた。

上記のごとく前処理を行なった単結晶基板３を黒鉛製取
り付け具９により黒鉛製るつぼ蓋体６に取り付け、さら
に黒鉛製仕切り板５を炭化珪素単結晶基板３との間の距
離が０．５ｍｍとなるように調製して、黒鉛製取り付け
具７により取り付けた。上記のごとく熱処理を行なった
炭化珪素粉末２の入った黒鉛製るつぼ１に、炭化珪素単
結晶基板３を取り付けたるつぼ蓋６を被せ、周囲および
上下に黒鉛製フェルト８を取り付け、石英製の容器１２
に導入し、６×１０^-7Ｔｏｒｒの高真空に排気し、不純
物となる残留ガスを取り除いた。

次に、容器１２内に高純度Ａｒガスを導入し、圧力を７
００Ｔｏｒｒに保ち、高周波誘導加熱によりるつぼ１壁
面温度が２２００〜２４００℃となるように結晶成長炉
系を加熱した。なお、るつぼ壁面温度は、黒鉛製フェル
ト８に開けた穴を通して容器１２の外から二色温度計を
用いて測定した。るつぼ壁面温度が十分高温に達し、一
定となった時点で容器１２内のＡｒガス圧力を１時間で
７００Ｔｏｒｒから１０Ｔｏｒｒまで漸減していき、１
０Ｔｏｒｒで３時間の結晶成長を行なった。なお、結晶
成長を終了する際、るつぼ温度を下げていく過程におい
て低温での結晶成長が起こる可能性があるので、結晶成
長を終了する際には、Ａｒガス圧力を大気圧まで上昇さ
せ、炭化珪素の蒸発を防止した。

この結果、黒鉛製仕切り板５の中央部の円形開孔１１に
は直径が開孔直径１０ｍｍより約２０％大きく、厚さが
約５ｍｍの炭化珪素単結晶インゴット４が成長した。一
方、黒鉛製仕切り板５上には、炭化珪素多結晶が若干成
長していたが、単結晶の成長を阻害する程には成長して
おらず、多結晶の付着していない単結晶だけを成長させ
ることができた。

実施例２ 第２図に示すような構成の単結晶成長装置を用いて、炭
化珪素単結晶の成長を試みた。

使用した炭化珪素粉末２および種結晶である炭化珪素基
板３は、実施例１と同じ処理を施したものを使用した。
炭化珪素単結晶基板３の厚さは１．０ｍｍのものを使用
し、るつぼ１と黒鉛製仕切り板５は、単結晶基板３と仕
切り板５との間隔が１．２ｍｍになるように一体成形し
たものを用い、熱処理を施した炭化珪素粉末２を入れた
該るつぼ１に、炭化珪素単結晶基板３を取り付けた蓋体
６を被せ、周囲および上下に黒鉛製フェルト８を取付
け、石英製の容器１２に導入し、６×１０^-7Ｔｏｒｒの
高真空に排気し、残留ガスを取除いた。

次に、Ａｒガス導入、昇温、減圧を実施例１と同様に行
ない、結晶成長を行なった。この結果、黒鉛製仕切り板
５の中央部の円形開孔１１には直径が開孔直径１３ｍｍ
より約５０％大きな直径２０ｍｍ、厚さが約１８ｍｍの
炭化珪素単結晶インゴット４が成長した。一方、黒鉛製
仕切り板５上には、炭化珪素多結晶が若干成長していた
が、単結晶の成長を阻害する程には成長しておらず、多
結晶の付着していない単結晶だけを成長させることがで
きた。

（発明の効果） 以上述べたように本発明は、るつぼの上端開口部を覆う
黒鉛製るつぼ蓋体の内面側中央部に炭化珪素単結晶基板
を取り付け、さらに前記基板よりわずかに小さい開孔を
有しかつるつぼ空間断面と同形状の黒鉛製仕切り板を前
記基板から０．１〜２．０ｍｍの間隔を開けてるつぼ内
に設置して、前記蓋体内面を露出することなく前記基板
のみをるつぼ側に露出させ、るつぼ内に炭化珪素粉末を
挿入し、不活性ガス雰囲気中でるつぼを２２００〜２４
００℃に加熱保持しかつ前記炭化珪素単結晶基板および
るつぼ蓋体の温度をるつぼおよび黒鉛製仕切り板の温度
より低温に保って、炭化珪素単結晶基板上に単結晶を成
長させるものである炭化珪素単結晶成長方法であるか
ら、比較的簡単な装置を用いて周囲に多結晶の付着して
いない断面積の大きい良質な炭化珪素単結晶インゴット
を成長させることができ、炭化珪素を用いた青色発光ダ
イオードをはじめとした各種応用面に有効な円形大断面
積炭化珪素単結晶ウェハの供給などを可能とするもので
ある。

本発明はまた、黒鉛製の発熱体を兼ねるるつぼと、内面
側中央部に炭化珪素単結晶基板の取り付け部を有する前
記るつぼの上端開口部を覆う黒鉛るつぼ蓋体と、前記る
つぼ内部に取り付けられた、中央部に所定径の開孔を有
する黒鉛製仕切り板と、るつぼを加熱する加熱手段と、
るつぼを挿入して真空または不活性ガス雰囲気に制御す
る真空系とを有することを特徴とする炭化珪素単結晶成
長装置であるので、前記のごとき単結晶の成長方法にお
いて好適に使用され、このような簡単な構成のものであ
るにもかかわらず、断面積の大きな良質の炭化珪素単結
晶インゴットを成長させることができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の炭化珪素単結晶成長装置の一例を使用
段階において模式的に示す断面図であり、また第２図は
本発明の炭化珪素単結晶成長装置の別の例を使用段階に
おいて模式的に示す断面図である。 １……るつぼ、２……炭化珪素粉末、 ３……炭化珪素単結晶基板、 ４……炭化珪素単結晶インゴット、 ５……黒鉛製仕切り板、 ６……るつぼ蓋体、 １０……炭化珪素単結晶基板取り付け部、 １１……開孔。

フロントページの続き (72)発明者 高橋 正悦 神奈川県横浜市港北区新栄町16―１ 株式 会社リコー中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−54697（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−55573（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−43275（ＪＰ，Ｕ)

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】黒鉛製るつぼ内において炭化珪素粉末を不
   活性気体雰囲気中で昇華させ、炭化珪素単結晶基板上に
   炭化珪素単結晶を成長させる方法において、るつぼの上
   端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体の内面側中央部に炭化
   珪素単結晶基板を取り付け、さらに前記基板よりわずか
   に小さい開孔を有しかつるつぼ空間断面と同形状の黒鉛
   製仕切り板を前記基板から０．１〜２．０ｍｍの間隔を
   開けてるつぼ内に設置して、前記蓋体内面を露出するこ
   となく前記基板のみをるつぼ側に露出させ、るつぼ内に
   炭化珪素粉末を挿入し、不活性ガス雰囲気中でるつぼを
   ２２００〜２４００℃に加熱保持しかつ前記炭化珪素単
   結晶基板およびるつぼ蓋体の温度をるつぼおよび黒鉛製
   仕切り板の温度より低温に保って、炭化珪素単結晶基板
   上に単結晶を成長させるものである炭化珪素単結晶成長
   方法。
2. 【請求項２】炭化珪素粉末が、弗酸と硝酸の混合物で処
   理し、洗浄、乾燥後、真空中で１８００〜２０００℃に
   加熱処理した炭化珪素粉末である請求項１に記載の炭化
   珪素単結晶成長方法。
3. 【請求項３】黒鉛製の発熱体を兼ねるるつぼと、内面側
   中央部に炭化珪素単結晶基板の取り付け部を有する前記
   るつぼの上端開口部を覆う黒鉛製るつぼ蓋体と、前記る
   つぼ内部に取り付けられた中央部に所定径の開孔を有す
   る黒鉛製仕切り板と、るつぼを加熱する加熱手段と、る
   つぼを挿入して真空または不活性ガス雰囲気に制御する
   真空系とを有することを特徴とする炭化珪素単結晶成長
   装置。