JPH0637390A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0637390A JPH0637390A JP4189075A JP18907592A JPH0637390A JP H0637390 A JPH0637390 A JP H0637390A JP 4189075 A JP4189075 A JP 4189075A JP 18907592 A JP18907592 A JP 18907592A JP H0637390 A JPH0637390 A JP H0637390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- clad layer
- type
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定な横モード制御型の高出力半導体レーザ
素子を提供する。 【構成】 単一横モード制御型半導体レーザ用結晶構造
において、第二クラッド層６のリッジ部側面に第二クラ
ッド層６と同じ材料で構成された高抵抗領域６ａを有す
るレーザ素子構造とする。
素子を提供する。 【構成】 単一横モード制御型半導体レーザ用結晶構造
において、第二クラッド層６のリッジ部側面に第二クラ
ッド層６と同じ材料で構成された高抵抗領域６ａを有す
るレーザ素子構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体を用いた半
導体レーザの素子構造及びその製造方法に関するもので
あり、特に AlGaInP系半導体レーザの素子構造及び製造
方法に関するものである。
導体レーザの素子構造及びその製造方法に関するもので
あり、特に AlGaInP系半導体レーザの素子構造及び製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、AlGaInP系半導体レーザは、可視
光領域に発振波長（680nm） を持つことから光情報処理
分野の光源として有望視され、各所において開発が行わ
れている。
光領域に発振波長（680nm） を持つことから光情報処理
分野の光源として有望視され、各所において開発が行わ
れている。
【０００３】図３（ａ）〜（ｃ）に従来の横モード型を
制御した AlGaInP系半導体レーザの製作工程図を示す。
本工程により作製されたレーザ素子においては、活性層
４の近傍に、平行に活性層４より禁制帯幅が大きい第二
のＰ型クラッド層１２を活性層４より禁制帯幅が小さな
電流狭窄層１５で挟み込んだ構造を有し、横モードを制
御し単一モードを得るものである。この構造のレーザ素
子は図３の （ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順に作製され
る。図３（ａ）はダブルへテロ構造を結晶成長する工程
であり、GaAs基板１上にｎ型GaAsバッファー層２、Ｎ型
AlGaInP クラッド層３、活性層４、第一のＰ型AlGaInP
クラッド層５、第二のＰ型クラッド層６、Ｐ型GaAs層７
を順次積層する。次に図３（ｂ）に示すように、SiO2膜
８をエッチングマスクとしてＰ型GaAs層７と、第二のＰ
型AlGaInP クラッド層６とを部分的にエッチングしメサ
構造を作製する。次に図３（ｃ）に示すように二回目の
成長によりｎ型GaAs電流狭窄層９を選択成長し、その後
SiO2膜８を除去し全面にＰ型GaAsキャップ層１０を積層
し、半導体レーザ素子を作り上げるものである。
制御した AlGaInP系半導体レーザの製作工程図を示す。
本工程により作製されたレーザ素子においては、活性層
４の近傍に、平行に活性層４より禁制帯幅が大きい第二
のＰ型クラッド層１２を活性層４より禁制帯幅が小さな
電流狭窄層１５で挟み込んだ構造を有し、横モードを制
御し単一モードを得るものである。この構造のレーザ素
子は図３の （ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順に作製され
る。図３（ａ）はダブルへテロ構造を結晶成長する工程
であり、GaAs基板１上にｎ型GaAsバッファー層２、Ｎ型
AlGaInP クラッド層３、活性層４、第一のＰ型AlGaInP
クラッド層５、第二のＰ型クラッド層６、Ｐ型GaAs層７
を順次積層する。次に図３（ｂ）に示すように、SiO2膜
８をエッチングマスクとしてＰ型GaAs層７と、第二のＰ
型AlGaInP クラッド層６とを部分的にエッチングしメサ
構造を作製する。次に図３（ｃ）に示すように二回目の
成長によりｎ型GaAs電流狭窄層９を選択成長し、その後
SiO2膜８を除去し全面にＰ型GaAsキャップ層１０を積層
し、半導体レーザ素子を作り上げるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この工
程において、単一横モードに制御された半導体レーザを
作製する際に、すなわち、狭ストライプの半導体レーザ
素子を作製する際、図３（ｃ）に示すように、ｎ型GaAs
電流狭窄層９とメサストライプ形状に形成された第二の
Ｐ型AlGaInP クラッド層６との界面に再成長による界面
準位が存在する。その濃度は１０12ｃｍ-2ではあるが、
半導体レーザを高出力動作する際に前記界面準位を形成
する格子欠陥が核となり半導体レーザを構成する結晶中
に欠陥を誘発する。その結果、半導体レーザの急激な劣
化が生じ長寿命化が困難であった。前記界面準位は、再
成長時の成長条件を最適化する事により低減可能ではあ
るが１０12ｃｍ-2以下の濃度に作成する事は不可能であ
る。
程において、単一横モードに制御された半導体レーザを
作製する際に、すなわち、狭ストライプの半導体レーザ
素子を作製する際、図３（ｃ）に示すように、ｎ型GaAs
電流狭窄層９とメサストライプ形状に形成された第二の
Ｐ型AlGaInP クラッド層６との界面に再成長による界面
準位が存在する。その濃度は１０12ｃｍ-2ではあるが、
半導体レーザを高出力動作する際に前記界面準位を形成
する格子欠陥が核となり半導体レーザを構成する結晶中
に欠陥を誘発する。その結果、半導体レーザの急激な劣
化が生じ長寿命化が困難であった。前記界面準位は、再
成長時の成長条件を最適化する事により低減可能ではあ
るが１０12ｃｍ-2以下の濃度に作成する事は不可能であ
る。
【０００５】本発明は、上記の課題を解消し、作製が容
易でかつ、低しきい値発振する横モード制御された半導
体レーザの素子構造およびその製造方法を提供するもの
である。
易でかつ、低しきい値発振する横モード制御された半導
体レーザの素子構造およびその製造方法を提供するもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、結晶基板上
に、Ｎ型のクラッド層と活性層と第一のＰ型クラッド層
よりなるダブルへテロ構造を含み、さらに前記第一のＰ
型クラッド層上にメサストライプ形状の第二のクラッド
層を有し、前記メサストライプ状に形成された第二のク
ラッド層の側面が高抵抗である事を特徴とする半導体レ
ーザ素子を提供するものである。
に、Ｎ型のクラッド層と活性層と第一のＰ型クラッド層
よりなるダブルへテロ構造を含み、さらに前記第一のＰ
型クラッド層上にメサストライプ形状の第二のクラッド
層を有し、前記メサストライプ状に形成された第二のク
ラッド層の側面が高抵抗である事を特徴とする半導体レ
ーザ素子を提供するものである。
【０００７】また、上記の半導体レーザの素子構造を作
製するために、結晶基板上に、Ｎ型のクラッド層と、活
性層と、第一のＰ型クラッド層と、第二のクラッド層と
を順次積層する工程と、前記第二のクラッド層上にマス
クを有しメサストライプ状にエッチング除去する工程
と、前記マスクを有するメサストライプ状に加工した半
導体結晶を水素雰囲気中においてプラズマもしくは水素
雰囲気で熱処理を行う工程とを特徴とする半導体レーザ
素子の製造方法を提供するものである。
製するために、結晶基板上に、Ｎ型のクラッド層と、活
性層と、第一のＰ型クラッド層と、第二のクラッド層と
を順次積層する工程と、前記第二のクラッド層上にマス
クを有しメサストライプ状にエッチング除去する工程
と、前記マスクを有するメサストライプ状に加工した半
導体結晶を水素雰囲気中においてプラズマもしくは水素
雰囲気で熱処理を行う工程とを特徴とする半導体レーザ
素子の製造方法を提供するものである。
【０００８】
【作用】本発明の素子構造によれば、再成長時にメサス
トライプ状に形成されたクラッド層と電流狭窄層との界
面に界面準位が形成されても、前記界面準位が形成され
る領域の近傍は高抵抗領域であるので、半導体レーザが
高出力動作時においても界面準位の近傍には電流が注入
されないために界面の欠陥により発生する半導体レーザ
の劣化が回避される。また、本発明の素子構造を用いる
事により、活性層へのキャリアの注入面積が小さくでき
るので、低しきい値で単一横モード制御が容易に可能で
ある。
トライプ状に形成されたクラッド層と電流狭窄層との界
面に界面準位が形成されても、前記界面準位が形成され
る領域の近傍は高抵抗領域であるので、半導体レーザが
高出力動作時においても界面準位の近傍には電流が注入
されないために界面の欠陥により発生する半導体レーザ
の劣化が回避される。また、本発明の素子構造を用いる
事により、活性層へのキャリアの注入面積が小さくでき
るので、低しきい値で単一横モード制御が容易に可能で
ある。
【０００９】また、本発明の製造方法においては、上記
の半導体レーザの素子構造を水素雰囲気中においてプラ
ズマもしくは水素雰囲気で熱処理を行うことにより容易
に作製することが可能である。しかも第ニクラッド層の
メサストライプの側面に形成される高抵抗領域の厚みも
制御可能でありデバイスの設計も容易に行うことができ
る。さらに、本発明の製造方法においては、実際に電流
が流れるｐ型GaAs層の再成長界面においては、前記水素
雰囲気中においてプラズマもしくは水素雰囲気で熱処理
を行う際に、再成長界面にマスクを有するために高抵抗
化されず結晶の初期特性を保存した状態で作製できる。
の半導体レーザの素子構造を水素雰囲気中においてプラ
ズマもしくは水素雰囲気で熱処理を行うことにより容易
に作製することが可能である。しかも第ニクラッド層の
メサストライプの側面に形成される高抵抗領域の厚みも
制御可能でありデバイスの設計も容易に行うことができ
る。さらに、本発明の製造方法においては、実際に電流
が流れるｐ型GaAs層の再成長界面においては、前記水素
雰囲気中においてプラズマもしくは水素雰囲気で熱処理
を行う際に、再成長界面にマスクを有するために高抵抗
化されず結晶の初期特性を保存した状態で作製できる。
【００１０】
【実施例】以上本発明の詳細を図示の実施例によって説
明する。
明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例に関わる半導体レ
ーザの概略構造を示す断面図である。図中１はｎ型GaAs
基板であり、２はｎ型GaAsバッファー層（１×１０18ｃ
ｍ-3，０．５μｍ）、３はＮ型AlGaInPクラッド層（１
×１０18ｃｍ-3，１．０μｍ）、４はGaInP活性層
（０．０６μｍ）、５は第一のＰ型AlGaInPクラッド層
（４×１０17ｃｍ-3，０．２５μｍ）、９はｎ型GaAs電
流狭窄層（２×１０18ｃｍ-3，０．５μｍ）、６は第二
のＰ型AlGaInPクラッド層（７×１０17ｃｍ-3，０．６
μｍ）、７および１０はｐ型GaAsキャップ層（２×１０
18ｃｍ-3，２μｍ）である。ここで、Ｎ型AlGaInPクラ
ッド層３、第一のＰ型AlGaInPクラッド層５、および第
二のＰ型AlGaInPクラッド層６の組成は、Al：Ga：In＝
０．３５：０．１５：０．５である。さらに、５ａは第
一のクラッド層上の再成長を有する領域に形成された高
抵抗領域であり、６ａは第二のクラッド層上の再成長を
有する領域に形成された高抵抗領域である。
ーザの概略構造を示す断面図である。図中１はｎ型GaAs
基板であり、２はｎ型GaAsバッファー層（１×１０18ｃ
ｍ-3，０．５μｍ）、３はＮ型AlGaInPクラッド層（１
×１０18ｃｍ-3，１．０μｍ）、４はGaInP活性層
（０．０６μｍ）、５は第一のＰ型AlGaInPクラッド層
（４×１０17ｃｍ-3，０．２５μｍ）、９はｎ型GaAs電
流狭窄層（２×１０18ｃｍ-3，０．５μｍ）、６は第二
のＰ型AlGaInPクラッド層（７×１０17ｃｍ-3，０．６
μｍ）、７および１０はｐ型GaAsキャップ層（２×１０
18ｃｍ-3，２μｍ）である。ここで、Ｎ型AlGaInPクラ
ッド層３、第一のＰ型AlGaInPクラッド層５、および第
二のＰ型AlGaInPクラッド層６の組成は、Al：Ga：In＝
０．３５：０．１５：０．５である。さらに、５ａは第
一のクラッド層上の再成長を有する領域に形成された高
抵抗領域であり、６ａは第二のクラッド層上の再成長を
有する領域に形成された高抵抗領域である。
【００１２】上記の構造を用いた場合に、第二のAlGaIn
Pクラッド層６のストライプの幅は、３μｍに設定し
た。その際に、Ｐ型GaInP層６近傍での領域では２μｍ
程度となり横モードの閉じ込めが容易となり、しかも電
流の閉じ込めが向上して低しきい値の素子が得られる。
Pクラッド層６のストライプの幅は、３μｍに設定し
た。その際に、Ｐ型GaInP層６近傍での領域では２μｍ
程度となり横モードの閉じ込めが容易となり、しかも電
流の閉じ込めが向上して低しきい値の素子が得られる。
【００１３】本発明の素子構造によれば、再成長時にメ
サストライプ状に形成されたクラッド層６と電流狭窄層
９との界面に界面準位が形成されても、前記界面準位が
形成される領域の近傍は高抵抗領域６ａであるので、半
導体レーザが高出力動作時においても界面準位の近傍に
は電流が注入されないために界面の欠陥により発生する
半導体レーザの劣化が回避される。実際に、再成長界面
である第ニクラッド層６のメサストライプの側面と電流
狭窄層９との界面には１０12ｃｍ-2程度の界面準位が形
成され、１０12ｃｍ-2以下に作製する事は技術上不可能
である。半導体レーザが高出力動作時に結晶中に欠陥を
誘発せず、その結果、半導体レーザの高出力動作時の長
寿命化が実現できる。
サストライプ状に形成されたクラッド層６と電流狭窄層
９との界面に界面準位が形成されても、前記界面準位が
形成される領域の近傍は高抵抗領域６ａであるので、半
導体レーザが高出力動作時においても界面準位の近傍に
は電流が注入されないために界面の欠陥により発生する
半導体レーザの劣化が回避される。実際に、再成長界面
である第ニクラッド層６のメサストライプの側面と電流
狭窄層９との界面には１０12ｃｍ-2程度の界面準位が形
成され、１０12ｃｍ-2以下に作製する事は技術上不可能
である。半導体レーザが高出力動作時に結晶中に欠陥を
誘発せず、その結果、半導体レーザの高出力動作時の長
寿命化が実現できる。
【００１４】図２（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例に関
わる半導体レーザの製造方法および概略構造の断面図で
ある。図２（ａ）に示すように、ＭＯＶＰＥ法により、
ｎ型GaAs基板１上に、ｎ型GaAsバッファー層２、Ｎ型Al
GaInPクラッド層３、活性層４、第一のＰ型AlGaInPクラ
ッド層５、第ニのＰ型AlGaInPクラッド層６、ｐ型GaAs
層７を順次成長を行いダブルへテロ構造を形成する。次
に、前記ｐ型GaAs層７上にストライプ状にSiO2膜１１を
堆積させ、ｐ型GaAs層７、および、第ニのＰ型AlGaInP
クラッド層６を前記ストライプ状に加工したSiO2膜１１
をマスクにしエッチング除去し、メサ形状のＤＨ構造基
板を作製する。次に、図２（ｂ）に示すように前記メサ
形状のＤＨ構造基板を水素雰囲気中においてプラズマも
しくは熱処理を行う。水素雰囲気中においてプラズマも
しくは熱処理を行うことにより、水素原子がメサ形状の
ＤＨ構造基板の再成長表面に注入される。その結果、第
一のＰ型クラッド層５および第二のＰ型クラッド層６の
再成長表面の結晶が水素原子が注入１５されるために不
純物原子の不活性化が生じ高抵抗領域５ａおよび６ａが
形成される。
わる半導体レーザの製造方法および概略構造の断面図で
ある。図２（ａ）に示すように、ＭＯＶＰＥ法により、
ｎ型GaAs基板１上に、ｎ型GaAsバッファー層２、Ｎ型Al
GaInPクラッド層３、活性層４、第一のＰ型AlGaInPクラ
ッド層５、第ニのＰ型AlGaInPクラッド層６、ｐ型GaAs
層７を順次成長を行いダブルへテロ構造を形成する。次
に、前記ｐ型GaAs層７上にストライプ状にSiO2膜１１を
堆積させ、ｐ型GaAs層７、および、第ニのＰ型AlGaInP
クラッド層６を前記ストライプ状に加工したSiO2膜１１
をマスクにしエッチング除去し、メサ形状のＤＨ構造基
板を作製する。次に、図２（ｂ）に示すように前記メサ
形状のＤＨ構造基板を水素雰囲気中においてプラズマも
しくは熱処理を行う。水素雰囲気中においてプラズマも
しくは熱処理を行うことにより、水素原子がメサ形状の
ＤＨ構造基板の再成長表面に注入される。その結果、第
一のＰ型クラッド層５および第二のＰ型クラッド層６の
再成長表面の結晶が水素原子が注入１５されるために不
純物原子の不活性化が生じ高抵抗領域５ａおよび６ａが
形成される。
【００１５】プラズマを行う際には、圧力０．２Torrの
水素雰囲気中において前記メサ形状のＤＨ構造基板を３
００℃に加熱し１００ｅＶの電界下で行った。このと
き、水素原子は５００Ａの侵入深さを持ち５００Ａの範
囲で高抵抗化が起きる。
水素雰囲気中において前記メサ形状のＤＨ構造基板を３
００℃に加熱し１００ｅＶの電界下で行った。このと
き、水素原子は５００Ａの侵入深さを持ち５００Ａの範
囲で高抵抗化が起きる。
【００１６】次に、SiO2膜８をマスクとして、再成長に
よりｎ型GaAs 層９を選択成長を行い、SiO2膜８を除去
後、Ｐ型GaAsキャップ層１０を順次成長し、半導体レー
ザ素子構造を作製する。再成長表面には、昇温時にはPH
3を導入することにより昇温による表面のダメージは防
ぐことができ、かつ電流が流れる領域はSiO2膜８が水素
原子の注入のマスクとなるために低抵抗状態を保つ。
よりｎ型GaAs 層９を選択成長を行い、SiO2膜８を除去
後、Ｐ型GaAsキャップ層１０を順次成長し、半導体レー
ザ素子構造を作製する。再成長表面には、昇温時にはPH
3を導入することにより昇温による表面のダメージは防
ぐことができ、かつ電流が流れる領域はSiO2膜８が水素
原子の注入のマスクとなるために低抵抗状態を保つ。
【００１７】本実施例においては、活性層４にGaInPを
用いたが、AlGaInP層あるいは多重量子井戸構造を用い
ても可能であり、また、第二のＰ型クラッド層にAlInP
層を用いても可能であることは言うまでもない。また、
本実施例においては、水素注入の手法としてプラズマを
用いたが他の手法を用いても可能であることは言うまで
もない。
用いたが、AlGaInP層あるいは多重量子井戸構造を用い
ても可能であり、また、第二のＰ型クラッド層にAlInP
層を用いても可能であることは言うまでもない。また、
本実施例においては、水素注入の手法としてプラズマを
用いたが他の手法を用いても可能であることは言うまで
もない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、活性層近
傍での第二のＰ型AlGaInPクラッド層のストライプ幅を
狭くすることができ、その結果、狭小幅での電流狭窄が
可能となり、低しきい値で横モード制御されたレーザ素
子が容易に作製可能となる。
傍での第二のＰ型AlGaInPクラッド層のストライプ幅を
狭くすることができ、その結果、狭小幅での電流狭窄が
可能となり、低しきい値で横モード制御されたレーザ素
子が容易に作製可能となる。
【００１９】また、横モードの制御された上記の本発明
の半導体レーザの素子構造が容易に作製でき、かつ、再
成長を行う際に、電流通路となる領域は水素注入の影響
が無いために、前記再成長界面に発生する欠陥の密度が
低減され、良好な特性のAlGaInP層が成長可能であり、
素子の長寿命化が実現される。
の半導体レーザの素子構造が容易に作製でき、かつ、再
成長を行う際に、電流通路となる領域は水素注入の影響
が無いために、前記再成長界面に発生する欠陥の密度が
低減され、良好な特性のAlGaInP層が成長可能であり、
素子の長寿命化が実現される。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体レーザの
素子構造を示す断面図
素子構造を示す断面図
【図２】本発明の一実施例に関わる半導体レーザの製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図３】従来の半導体レーザの製造工程を示す断面図
１ ｎ型GaAs基板 ２ ｎ型GaAsバッファー層 ３ ｎ型クラッド層 ４ 活性層 ５ 第一のＰ型クラッド層 ５ａ 高抵抗領域 ６ 第二のＰ型クラッド層 ６ａ 高抵抗領域 ７ ｐ型GaAs層 ８ SiO2膜 ９ ｎ型電流狭窄層 １０ ｐ型GaAs層 １５ 水素注入
Claims (2)
- 【請求項１】結晶基板上に、Ｎ型のクラッド層と活性層
と第一のＰ型クラッド層よりなるダブルへテロ構造を含
み、さらに前記第一のＰ型クラッド層上にメサストライ
プ形状の第二のクラッド層を有し、前記メサストライプ
状に形成された第二のクラッド層の側面が高抵抗である
事を特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】結晶基板上に、Ｎ型のクラッド層と、活性
層と、第一のＰ型クラッド層と、第二のクラッド層とを
順次積層する工程と、前記第二のクラッド層上にマスク
を有しメサストライプ状にエッチング除去する工程と、
前記マスクを有するメサストライプ状に加工した半導体
結晶を水素雰囲気中においてプラズマもしくは水素雰囲
気で熱処理を行う工程とを特徴とする半導体レーザ素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4189075A JPH0637390A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4189075A JPH0637390A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637390A true JPH0637390A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16234891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4189075A Pending JPH0637390A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637390A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133058A (en) * | 1994-07-21 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fabrication of semiconductor light-emitting device |
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP4189075A patent/JPH0637390A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US6133058A (en) * | 1994-07-21 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fabrication of semiconductor light-emitting device |
| EP0772247B1 (en) * | 1994-07-21 | 2004-09-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11274635A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US5757835A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0856045A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2004146527A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH07226566A (ja) | 量子井戸半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2687668B2 (ja) | 高出力半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH0983071A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3763459B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH10261835A (ja) | 半導体レーザ装置、及びその製造方法 | |
| JPH0637390A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH05211372A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0846283A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2006229210A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP4062501B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2865160B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH065986A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH10209562A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH09214058A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2712970B2 (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
| JP3182173B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3722532B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH05243672A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH04252089A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05267168A (ja) | 半導体装置の製造方法 |