JPH0637556A - 差動型フォトダイオード出力装置 - Google Patents
差動型フォトダイオード出力装置Info
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- JPH0637556A JPH0637556A JP4208618A JP20861892A JPH0637556A JP H0637556 A JPH0637556 A JP H0637556A JP 4208618 A JP4208618 A JP 4208618A JP 20861892 A JP20861892 A JP 20861892A JP H0637556 A JPH0637556 A JP H0637556A
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- cathode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 改善されたＳ／Ｎ比を有するフォトダイオー
ド出力装置を得る。 【構成】 逆バイアスしたフォトダイオードのカソード
およびアノードの両方から互いに極性の異なった信号電
流を得るようにして差動型フォトダイオード出力装置を
構成する。具体的には、カソードおよびアノードにそれ
ぞれ接続された負荷抵抗４ー１、４ー２を介して、逆バ
イアス電圧が印加されたフォトダイオード１と、そのフ
ォトダイオードのカソードおよびアノードと負荷抵抗の
接続点にそれぞれ接続された２個の電流増幅器５ー１、
５ー２とにより構成され、それら２個の電流増幅器には
互いに逆方向の入力電流−ｉＰ、＋ｉＰが供給され、両
増幅器の出力端間から検出出力が得られる。そして、こ
の差動型フォトダイオード出力装置は、広く微弱な光信
号検出のための光ー電気変換装置に用いることができ
る。
ド出力装置を得る。 【構成】 逆バイアスしたフォトダイオードのカソード
およびアノードの両方から互いに極性の異なった信号電
流を得るようにして差動型フォトダイオード出力装置を
構成する。具体的には、カソードおよびアノードにそれ
ぞれ接続された負荷抵抗４ー１、４ー２を介して、逆バ
イアス電圧が印加されたフォトダイオード１と、そのフ
ォトダイオードのカソードおよびアノードと負荷抵抗の
接続点にそれぞれ接続された２個の電流増幅器５ー１、
５ー２とにより構成され、それら２個の電流増幅器には
互いに逆方向の入力電流−ｉＰ、＋ｉＰが供給され、両
増幅器の出力端間から検出出力が得られる。そして、こ
の差動型フォトダイオード出力装置は、広く微弱な光信
号検出のための光ー電気変換装置に用いることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、差動型フォトダイオー
ド出力装置、特に微弱なエネルギーの光信号検出のため
の光学的情報記録再生機器における光ピックアップや光
信号を伝送する光ケーブル伝送装置における受光器等の
光ー電気変換装置に好適なフォトダイオード出力装置に
関する。
ド出力装置、特に微弱なエネルギーの光信号検出のため
の光学的情報記録再生機器における光ピックアップや光
信号を伝送する光ケーブル伝送装置における受光器等の
光ー電気変換装置に好適なフォトダイオード出力装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスク（ＣＤ）やレーザデ
ィスク（ＬＤ）等の光ディスクの再生機器においては、
例えば半導体レーザからの微小レーザ光スポットを光デ
ィスクメモリに照射し、反射光（あるいは透過光）をフ
ォトダイオードを含む光検出器（光ピックアップ）によ
り受光して、ディスクに記録された情報を検出したり、
あるいは、レーザスポットのフォーカシング制御やトラ
ッキング制御のための信号を検出したりする。
ィスク（ＬＤ）等の光ディスクの再生機器においては、
例えば半導体レーザからの微小レーザ光スポットを光デ
ィスクメモリに照射し、反射光（あるいは透過光）をフ
ォトダイオードを含む光検出器（光ピックアップ）によ
り受光して、ディスクに記録された情報を検出したり、
あるいは、レーザスポットのフォーカシング制御やトラ
ッキング制御のための信号を検出したりする。
【０００３】この場合、例えば、従来の書き込みのでき
ないＣＤのようなＲＯＭディスクにおいては、ディスク
面にアルミ蒸着膜等による金属反射面が設けられてお
り、照射するレーザ光に対して高い反射率を示し、か
つ、高エネルギーの照射にも耐えられることから、高Ｓ
／Ｎ比の検出出力を得ることが可能であるが、最近注目
されている書き込み可能な追記型光ディスク（ライトワ
ンスあるいはＷＯディスク）、更には光磁気記録材料
（ＭＯ）や相変化型記録材料等を用いた記録再生可能な
可逆型光ディスク（ＲＷディスク）においては、反射率
が小さく、また、再生のための照射エネルギーも大きく
はできず、特に今後の開発が期待されているいわゆる相
変化型記録材料についてみればその反射率の変化割合も
小さいことから、得られる信号レベルはＣＤの場合の１
／２０にも低下することとなる。このような事情から、
改善策の一つとして、高Ｓ／Ｎ比かつ高出力のフォトダ
イオード出力装置が望まれている。
ないＣＤのようなＲＯＭディスクにおいては、ディスク
面にアルミ蒸着膜等による金属反射面が設けられてお
り、照射するレーザ光に対して高い反射率を示し、か
つ、高エネルギーの照射にも耐えられることから、高Ｓ
／Ｎ比の検出出力を得ることが可能であるが、最近注目
されている書き込み可能な追記型光ディスク（ライトワ
ンスあるいはＷＯディスク）、更には光磁気記録材料
（ＭＯ）や相変化型記録材料等を用いた記録再生可能な
可逆型光ディスク（ＲＷディスク）においては、反射率
が小さく、また、再生のための照射エネルギーも大きく
はできず、特に今後の開発が期待されているいわゆる相
変化型記録材料についてみればその反射率の変化割合も
小さいことから、得られる信号レベルはＣＤの場合の１
／２０にも低下することとなる。このような事情から、
改善策の一つとして、高Ｓ／Ｎ比かつ高出力のフォトダ
イオード出力装置が望まれている。
【０００４】図１は、フォトダイオードからなる光検出
素子の等価回路であり、理想ダイオード１の両端に、例
えば半導体レーザＬＤから照射されるレーザ光の入射光
量に比例して電流ｉＰが流れるとすれば、電流ｉＰを発
生する電流源２と極間容量３が接続された回路構成とな
る。この光検出素子からの検出出力を導出するに当って
は、従来より、図２に示すように、フォトダイオード
（ＰＤ）１の応答速度や直線性の範囲を高めるために逆
バイアスＶｃｃを加えて極間容量を小さくし、負荷抵抗
４としてＲＬー１（４ー１）あるいはＲＬー２（４ー
２）をアノードあるいはカソードに接続する。そうする
と、入射光量に比例して電子・正孔対の移動が惹起され
て電流ｉＰが流れ、それにより負荷抵抗４の両端からい
ずれかの極性の検出出力電圧が導出されることとなる
（同図ａあるいはｂ）。そして、このようなフォトダイ
オードにおいては、その物理的構造から生ずる真性雑音
（熱雑音およびショット雑音）を含んでおり、フォトダ
イオードへの入射光量はその雑音等価電力を十分超える
ものでなければならない。
素子の等価回路であり、理想ダイオード１の両端に、例
えば半導体レーザＬＤから照射されるレーザ光の入射光
量に比例して電流ｉＰが流れるとすれば、電流ｉＰを発
生する電流源２と極間容量３が接続された回路構成とな
る。この光検出素子からの検出出力を導出するに当って
は、従来より、図２に示すように、フォトダイオード
（ＰＤ）１の応答速度や直線性の範囲を高めるために逆
バイアスＶｃｃを加えて極間容量を小さくし、負荷抵抗
４としてＲＬー１（４ー１）あるいはＲＬー２（４ー
２）をアノードあるいはカソードに接続する。そうする
と、入射光量に比例して電子・正孔対の移動が惹起され
て電流ｉＰが流れ、それにより負荷抵抗４の両端からい
ずれかの極性の検出出力電圧が導出されることとなる
（同図ａあるいはｂ）。そして、このようなフォトダイ
オードにおいては、その物理的構造から生ずる真性雑音
（熱雑音およびショット雑音）を含んでおり、フォトダ
イオードへの入射光量はその雑音等価電力を十分超える
ものでなければならない。
【０００５】また、通常の光検出器においては、図３に
示すように、このような光検出素子にプリアンプ５が接
続されて一体的に構成されている。同図ａは高入力イン
ピーダンスの電圧増幅器により電圧増幅し、同図ｂは負
帰還型の電流増幅器により電流増幅する例である。フォ
トダイオードの電流源としての性格から検出される信号
は電流源と考えることができ、同図ａのように高抵抗で
受ければ大きい電圧が得られるが、極間容量やアンプの
入力容量、配線の分布容量等のために周波数帯域が減少
することから、電圧増幅は実際的でない。一般的には、
同図ｂのように、負帰還アンプで受ければ各種容量の影
響を軽減でき、広帯域化することができることから、電
流増幅が用いられている。
示すように、このような光検出素子にプリアンプ５が接
続されて一体的に構成されている。同図ａは高入力イン
ピーダンスの電圧増幅器により電圧増幅し、同図ｂは負
帰還型の電流増幅器により電流増幅する例である。フォ
トダイオードの電流源としての性格から検出される信号
は電流源と考えることができ、同図ａのように高抵抗で
受ければ大きい電圧が得られるが、極間容量やアンプの
入力容量、配線の分布容量等のために周波数帯域が減少
することから、電圧増幅は実際的でない。一般的には、
同図ｂのように、負帰還アンプで受ければ各種容量の影
響を軽減でき、広帯域化することができることから、電
流増幅が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、上述したよう
にＷＯやＭＯ等の高密度記録再生機器における光検出器
としてのフォトダイオードを考えると、十分な入射光量
を与えることができないことから、プリアンプのアンプ
ノイズが問題となってきている。すなわち、入射光量を
十分大きくすることができないにも拘らず、フォトダイ
オードによる真性雑音は物理的に決まっているのである
から、高出力かつ高Ｓ／Ｎ比の検出出力を得るために
は、フォトダイオードを最適な動作条件において動作さ
せると同時に、プリアンプにおいて信号利得を上げ、し
かも、雑音は増加させないことが必要となってきてい
る。
にＷＯやＭＯ等の高密度記録再生機器における光検出器
としてのフォトダイオードを考えると、十分な入射光量
を与えることができないことから、プリアンプのアンプ
ノイズが問題となってきている。すなわち、入射光量を
十分大きくすることができないにも拘らず、フォトダイ
オードによる真性雑音は物理的に決まっているのである
から、高出力かつ高Ｓ／Ｎ比の検出出力を得るために
は、フォトダイオードを最適な動作条件において動作さ
せると同時に、プリアンプにおいて信号利得を上げ、し
かも、雑音は増加させないことが必要となってきてい
る。
【０００７】例えば、現在、ＷＯディスクの再生におい
ては、Ｓ／Ｎの点から、盤面パワーを１．５ｍＷと設定
しているが、アンプノイズとディスクの構造や記録構造
に起因するディスクノイズとの差は１０ｄＢ程度あり、
ＣＮ比（Carrier to Noise ratio) を０．４ｄＢ程低下
させている。しかも、盤面パワー１．５ｍＷではディス
クを消去してしまう可能性がありライフ上問題があるの
で、更に入射光量を小さくする必要もあることから、よ
りアンプＳ／Ｎの改善が望まれている。
ては、Ｓ／Ｎの点から、盤面パワーを１．５ｍＷと設定
しているが、アンプノイズとディスクの構造や記録構造
に起因するディスクノイズとの差は１０ｄＢ程度あり、
ＣＮ比（Carrier to Noise ratio) を０．４ｄＢ程低下
させている。しかも、盤面パワー１．５ｍＷではディス
クを消去してしまう可能性がありライフ上問題があるの
で、更に入射光量を小さくする必要もあることから、よ
りアンプＳ／Ｎの改善が望まれている。
【０００８】しかしながら、上述した図３ｂの電流増幅
器において単に信号利得の増加を考えても、利得を上げ
るために帰還抵抗Ｒを大にすると却ってＳ／Ｎ比が低下
することとなり良好な改善策とはならないので、Ｓ／Ｎ
を低下させることなく信号利得を上げることのできるプ
リアンプの構成が必要である。アンプＳ／Ｎの改善のた
めには、アンプを２個並列に設ける方法、ディスクリー
トな構成により最適化設計を行う方法等があるが、可動
設計される光ピックアップ用のＩＣ基板の基板面積から
見て、これらの方法はいずれも実現性に乏しいという問
題がある。そこで、本発明は、上述したＷＯディスクを
含む光ディスク記録再生用の光ピックアップや光信号を
伝送する光ケーブル伝送装置における受光器等の微弱な
光信号を検出するための光ー電気変換装置に用いること
のできる、改善されたＳ／Ｎ比を有するフォトダイオー
ド出力装置を得ることを目的とする。
器において単に信号利得の増加を考えても、利得を上げ
るために帰還抵抗Ｒを大にすると却ってＳ／Ｎ比が低下
することとなり良好な改善策とはならないので、Ｓ／Ｎ
を低下させることなく信号利得を上げることのできるプ
リアンプの構成が必要である。アンプＳ／Ｎの改善のた
めには、アンプを２個並列に設ける方法、ディスクリー
トな構成により最適化設計を行う方法等があるが、可動
設計される光ピックアップ用のＩＣ基板の基板面積から
見て、これらの方法はいずれも実現性に乏しいという問
題がある。そこで、本発明は、上述したＷＯディスクを
含む光ディスク記録再生用の光ピックアップや光信号を
伝送する光ケーブル伝送装置における受光器等の微弱な
光信号を検出するための光ー電気変換装置に用いること
のできる、改善されたＳ／Ｎ比を有するフォトダイオー
ド出力装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、逆バイ
アスしたフォトダイオードのカソードおよびアノードの
両方から互いに極性の異なった信号電流を得るようにし
て差動型フォトダイオード出力装置が構成される。具体
的には、カソードおよびアノードにそれぞれ接続された
負荷抵抗を介して逆バイアス電圧が印加されたフォトダ
イオードと、そのフォトダイオードのカソードおよびア
ノードと負荷抵抗の接続点にそれぞれ接続された２個の
電流増幅器とにより構成され、それら２個の電流増幅器
には互いに逆方向の入力電流が供給され、両増幅器の出
力端間から検出出力が得られる。そして、この差動型フ
ォトダイオード出力装置は、広く微弱な光信号を検出す
るための光ー電気変換装置に用いることができる。
アスしたフォトダイオードのカソードおよびアノードの
両方から互いに極性の異なった信号電流を得るようにし
て差動型フォトダイオード出力装置が構成される。具体
的には、カソードおよびアノードにそれぞれ接続された
負荷抵抗を介して逆バイアス電圧が印加されたフォトダ
イオードと、そのフォトダイオードのカソードおよびア
ノードと負荷抵抗の接続点にそれぞれ接続された２個の
電流増幅器とにより構成され、それら２個の電流増幅器
には互いに逆方向の入力電流が供給され、両増幅器の出
力端間から検出出力が得られる。そして、この差動型フ
ォトダイオード出力装置は、広く微弱な光信号を検出す
るための光ー電気変換装置に用いることができる。
【００１０】
【作用】このような構成によれば、電流源であるフォト
ダイオードから差動出力の電流を取り出し、差動電流増
幅器が構成されることとなり、アンプノイズを増加させ
ることなく信号出力を倍増することができる。
ダイオードから差動出力の電流を取り出し、差動電流増
幅器が構成されることとなり、アンプノイズを増加させ
ることなく信号出力を倍増することができる。
【００１１】
【実施例】図４は、本発明による差動型フォトダイオー
ド出力装置の原理を説明するための回路図であり、フォ
トダイオード１のカソード側およびアノード側にともに
負荷抵抗４ー１（抵抗値ＲＬー１）および４ー２（抵抗
値ＲＬー２）が接続されており、それらのフォトダイオ
ードとの接続点から２つの出力端子が取り出されてい
る。ここで、ＲＬー１＝ＲＬー２＝ＲＬとする。この回
路は、図２ａおよびｂに示した従来回路を重ねた構成で
あり、２つの出力端子にはそれぞれ信号電圧−ｉＰＲＬ
およびｉＰＲＬが発生しており、互いに逆相となってい
る。そこで、これらの信号電圧をそれぞれ電流アンプで
受ければ、信号電流を２倍にすることができる。
ド出力装置の原理を説明するための回路図であり、フォ
トダイオード１のカソード側およびアノード側にともに
負荷抵抗４ー１（抵抗値ＲＬー１）および４ー２（抵抗
値ＲＬー２）が接続されており、それらのフォトダイオ
ードとの接続点から２つの出力端子が取り出されてい
る。ここで、ＲＬー１＝ＲＬー２＝ＲＬとする。この回
路は、図２ａおよびｂに示した従来回路を重ねた構成で
あり、２つの出力端子にはそれぞれ信号電圧−ｉＰＲＬ
およびｉＰＲＬが発生しており、互いに逆相となってい
る。そこで、これらの信号電圧をそれぞれ電流アンプで
受ければ、信号電流を２倍にすることができる。
【００１２】図５は、そのための回路構成を示すもの
で、本発明による差動型フォトダイオード出力装置の基
本構成を示す回路図である。フォトダイオード１を電流
源として利用し、互いに逆方向の信号電流−ｉＰおよび
ｉＰを入力電流とするように各出力端子に電流アンプ５
ー１および５ー２を接続して差動入力電流アンプを構成
する。こうすれば、図示したように、電流源であるフォ
トダイオード１を介して電流アンプ５ー１から電流アン
プ５ー２に輪環電流ｉＰが流れたこととなり、両アンプ
出力端間Ｖout ーＶout に２倍のレベルの信号出力を得
ることができる。すなわち、従来の電流アンプ（図３
ｂ）においてはフォトダイオードの誘起電流ｉＰのみを
Ｒｆにより電流電圧変換しているが、本発明の回路では
ｉＰが輪環電流となって差動アンプを駆動するので、−
ｉＰＲｆ＋ｉＰＲｆが電流電圧変換されることとなり、
信号電流が２倍となって２倍のレベルの信号出力を得る
ことができる。これによって、アンプＳ／Ｎ比を６ｄＢ
アップすることができるのである。
で、本発明による差動型フォトダイオード出力装置の基
本構成を示す回路図である。フォトダイオード１を電流
源として利用し、互いに逆方向の信号電流−ｉＰおよび
ｉＰを入力電流とするように各出力端子に電流アンプ５
ー１および５ー２を接続して差動入力電流アンプを構成
する。こうすれば、図示したように、電流源であるフォ
トダイオード１を介して電流アンプ５ー１から電流アン
プ５ー２に輪環電流ｉＰが流れたこととなり、両アンプ
出力端間Ｖout ーＶout に２倍のレベルの信号出力を得
ることができる。すなわち、従来の電流アンプ（図３
ｂ）においてはフォトダイオードの誘起電流ｉＰのみを
Ｒｆにより電流電圧変換しているが、本発明の回路では
ｉＰが輪環電流となって差動アンプを駆動するので、−
ｉＰＲｆ＋ｉＰＲｆが電流電圧変換されることとなり、
信号電流が２倍となって２倍のレベルの信号出力を得る
ことができる。これによって、アンプＳ／Ｎ比を６ｄＢ
アップすることができるのである。
【００１３】図６は、本発明による差動型フォトダイオ
ード出力装置を上述したＷＯ等の光ディスク記録再生装
置の光ピックアップに適用した例を示しており、図６ａ
およびｂは、それぞれ、プリアンプとして常用されてい
る差動構成のアンプＩＣ（ＣＸＡー１０７７）を用い
て、従来のフォトダイオード出力回路（シングル入力ア
ンプ）および本発明による差動型フォトダイオード出力
回路（差動入力アンプ）を構成した実際回路である。こ
れらの回路を０〜５０ＭＨｚのテスト信号により変調さ
れた半導体レーザの発光を入射し、得られる出力レベル
を測定することにより比較テストした結果、ほぼ全域に
亙って本発明による差動型フォトダイオード出力回路の
Ｓ／Ｎ比が６ｄＢアップしていることを確認した。
ード出力装置を上述したＷＯ等の光ディスク記録再生装
置の光ピックアップに適用した例を示しており、図６ａ
およびｂは、それぞれ、プリアンプとして常用されてい
る差動構成のアンプＩＣ（ＣＸＡー１０７７）を用い
て、従来のフォトダイオード出力回路（シングル入力ア
ンプ）および本発明による差動型フォトダイオード出力
回路（差動入力アンプ）を構成した実際回路である。こ
れらの回路を０〜５０ＭＨｚのテスト信号により変調さ
れた半導体レーザの発光を入射し、得られる出力レベル
を測定することにより比較テストした結果、ほぼ全域に
亙って本発明による差動型フォトダイオード出力回路の
Ｓ／Ｎ比が６ｄＢアップしていることを確認した。
【００１４】なお、上述した光ディスク記録再生装置に
おける実際の光ピックアップ用のフォトダイオードとし
ては、基板上に２あるいは４分割されたフォトダイオー
ドが集積化して形成されたものが用いられており、本発
明を適用するに当っては各フォトダイオードのカソード
を分離して形成する必要があることはいうまでもない。
おける実際の光ピックアップ用のフォトダイオードとし
ては、基板上に２あるいは４分割されたフォトダイオー
ドが集積化して形成されたものが用いられており、本発
明を適用するに当っては各フォトダイオードのカソード
を分離して形成する必要があることはいうまでもない。
【００１５】また、本発明による差動型フォトダイオー
ド出力装置は、上述した光ディスク記録再生装置の光ピ
ックアップのほか、光信号を伝送する光ケーブル伝送装
置における受光器等の広く微弱な光信号を検出するため
の光ー電気変換装置に適用することができるものであ
る。
ド出力装置は、上述した光ディスク記録再生装置の光ピ
ックアップのほか、光信号を伝送する光ケーブル伝送装
置における受光器等の広く微弱な光信号を検出するため
の光ー電気変換装置に適用することができるものであ
る。
【００１６】
【発明の効果】上述した本発明による差動型フォトダイ
オード出力装置によれば、ノイズのレベルを上げること
なく、信号レベルを倍増することができるので、例えば
ＷＯディスクの再生に利用すれば光検出のＳ／Ｎを改善
することができるし、また、ＣＤあるいはＬＤ再生、あ
るいは、光ケーブル伝送装置における受光器等のレーザ
光信号検出が必要な機器やシステムに利用すれば、必要
とするレーザパワーを節減しつつ高Ｓ／Ｎを維持するこ
とができる。
オード出力装置によれば、ノイズのレベルを上げること
なく、信号レベルを倍増することができるので、例えば
ＷＯディスクの再生に利用すれば光検出のＳ／Ｎを改善
することができるし、また、ＣＤあるいはＬＤ再生、あ
るいは、光ケーブル伝送装置における受光器等のレーザ
光信号検出が必要な機器やシステムに利用すれば、必要
とするレーザパワーを節減しつつ高Ｓ／Ｎを維持するこ
とができる。
【図１】フォトダイオードからなる光検出素子の等価回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図２】従来のフォトダイオード出力装置の原理を説明
するための回路図である。
するための回路図である。
【図３】従来のフォトダイオード出力装置の基本構成を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図４】本発明による差動型フォトダイオード出力装置
の原理を説明するための回路図である。
の原理を説明するための回路図である。
【図５】本発明による差動型フォトダイオード出力装置
の基本構成を示す回路図である。
の基本構成を示す回路図である。
【図６】従来および本発明による光ピックアップの実際
回路の例を示す回路図である。
回路の例を示す回路図である。
１ フォトダイオード ２ 電流源 ３ 極間容量 ４ 負荷抵抗 ５ プリアンプ ６ アンプＩＣ
Claims (3)
- 【請求項１】 逆バイアスしたフォトダイオードのカソ
ードおよびアノードの両方から互いに極性の異なった信
号電流を得ることを特徴とする差動型フォトダイオード
出力装置。 - 【請求項２】 カソードおよびアノードにそれぞれ接続
された負荷抵抗を介して逆バイアス電圧が印加されたフ
ォトダイオードと、 上記フォトダイオードのカソードおよびアノードと負荷
抵抗の接続点にそれぞれ接続された２個の電流増幅器と
を備え、 上記２個の電流増幅器に互いに逆方向の入力電流が供給
され、両増幅器の出力端間から検出出力が得られること
を特徴とする差動型フォトダイオード出力装置。 - 【請求項３】 制御情報を含む情報信号により変調され
たレーザ光を受光して情報信号を検出する光ー電気変換
装置において、 カソードおよびアノードにそれぞれ接続された負荷抵抗
を介して逆バイアス電圧が印加されたフォトダイオード
と、 上記フォトダイオードのカソードおよびアノードと負荷
抵抗の接続点にそれぞれ接続された２個の電流増幅器と
を備え、 上記２個の電流増幅器に互いに逆方向の入力電流が供給
され、両増幅器の出力端間から検出出力が得られること
を特徴とする光ー電気変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208618A JPH0637556A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 差動型フォトダイオード出力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4208618A JPH0637556A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 差動型フォトダイオード出力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637556A true JPH0637556A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16559212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4208618A Pending JPH0637556A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 差動型フォトダイオード出力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637556A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072609A (en) * | 1996-03-28 | 2000-06-06 | Anritsu Corporation | Optical signal processing apparatus |
| KR100519562B1 (ko) * | 2000-02-29 | 2005-10-10 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 물리 난수 발생 장치용 증폭 회로 및 그것을 이용한 물리난수 발생 장치 |
| JP2008510383A (ja) * | 2004-08-12 | 2008-04-03 | トリアクセス テクノロジーズ インコーポレイテッド | 信号パワーレベル検出方法及び回路 |
| US7603043B2 (en) | 2005-07-12 | 2009-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light receiving element circuit and optical disk drive |
| CN108134581A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-08 | 中国船舶重工集团公司第七0三研究所 | 一种光电二极管精密信号调理模块 |
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1992
- 1992-07-14 JP JP4208618A patent/JPH0637556A/ja active Pending
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