JPH063804A - 低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法 - Google Patents
低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法Info
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- JPH063804A JPH063804A JP16275892A JP16275892A JPH063804A JP H063804 A JPH063804 A JP H063804A JP 16275892 A JP16275892 A JP 16275892A JP 16275892 A JP16275892 A JP 16275892A JP H063804 A JPH063804 A JP H063804A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、異物欠陥がゼロになるように改良
された、低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法を得る
ことを最も主要な特徴とする。 【構成】 基板１の上にＭｏＳｉ膜３を形成する。Ｍｏ
Ｓｉ膜３の上にＭｏＳｉ酸化膜４を形成する。ＭｏＳｉ
酸化膜４の上に、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる反応性イオン
エッチングでＭｏＳｉ膜３との選択比が１〜２の、レジ
スト６を塗布する。レジスト６をパターニングする。パ
ターニングされたレジスト６をマスクにして、ＭｏＳｉ
酸化膜４およびＭｏＳｉ膜３をＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用い
てエッチングする。
された、低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法を得る
ことを最も主要な特徴とする。 【構成】 基板１の上にＭｏＳｉ膜３を形成する。Ｍｏ
Ｓｉ膜３の上にＭｏＳｉ酸化膜４を形成する。ＭｏＳｉ
酸化膜４の上に、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる反応性イオン
エッチングでＭｏＳｉ膜３との選択比が１〜２の、レジ
スト６を塗布する。レジスト６をパターニングする。パ
ターニングされたレジスト６をマスクにして、ＭｏＳｉ
酸化膜４およびＭｏＳｉ膜３をＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用い
てエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に、低反射Ｍｏ
Ｓｉフォトマスクの製造方法に関するものであり、より
特定的には、異物欠陥をゼロにすることができるように
改良された、低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法に
関する。
Ｓｉフォトマスクの製造方法に関するものであり、より
特定的には、異物欠陥をゼロにすることができるように
改良された、低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】 フォトマスクには、通常、ＭｏＳｉ単
層膜が使用されている。しかし、ＭｏＳｉ単層膜では、
露光波長（ｉ線：３６５ｎｍ，ｇ線：４８６ｎｍ）に対
し、約５０％程度の反射がある。このＭｏＳｉ単層膜
（約１０００Å膜厚）を遮光パターンに適用したフォト
マスクを、光転写プロセスで用いると、ＭｏＳｉ膜で反
射した光が解像性に悪影響を与える。この問題点を改善
するために、ＭｏＳｉ膜の両面にＭｏＳｉ酸化膜（３０
０Å膜厚）を低反射膜として設けた、低反射三層ＭｏＳ
ｉフォトマスクが提案され、利用されている。この場
合、反射率は露光波長に対し、１０〜１５％程度と低く
なる。
層膜が使用されている。しかし、ＭｏＳｉ単層膜では、
露光波長（ｉ線：３６５ｎｍ，ｇ線：４８６ｎｍ）に対
し、約５０％程度の反射がある。このＭｏＳｉ単層膜
（約１０００Å膜厚）を遮光パターンに適用したフォト
マスクを、光転写プロセスで用いると、ＭｏＳｉ膜で反
射した光が解像性に悪影響を与える。この問題点を改善
するために、ＭｏＳｉ膜の両面にＭｏＳｉ酸化膜（３０
０Å膜厚）を低反射膜として設けた、低反射三層ＭｏＳ
ｉフォトマスクが提案され、利用されている。この場
合、反射率は露光波長に対し、１０〜１５％程度と低く
なる。
【０００３】図３は、従来の低反射三層ＭｏＳｉフォト
マスクの製造工程を断面図で示したものである。
マスクの製造工程を断面図で示したものである。
【０００４】図３（ａ）を参照して、石英基板１の上
に、低反射膜としてのＭｏＳｉの酸化膜２（ＭｏＳｉＯ
膜，以下ＭｏＳｉ酸化膜という）を形成する。ＭｏＳｉ
酸化膜２の上に、遮光膜としてのＭｏＳｉ膜３を形成す
る。ＭｏＳｉ膜３の上に、低反射膜としてのＭｏＳｉ酸
化膜４を形成する。ＭｏＳｉ酸化膜４の上に、ＣＭＳ
（東ソー製）のような耐ドライエッチング性の高い電子
ビームレジスト５の所望のパターンを形成する。ＣＭＳ
は、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （１０％）ガスを用いたＭｏＳｉ膜の
ドライエッチング（反応性イオンエッチング）時に選択
比が４以上となるレジストである。
に、低反射膜としてのＭｏＳｉの酸化膜２（ＭｏＳｉＯ
膜，以下ＭｏＳｉ酸化膜という）を形成する。ＭｏＳｉ
酸化膜２の上に、遮光膜としてのＭｏＳｉ膜３を形成す
る。ＭｏＳｉ膜３の上に、低反射膜としてのＭｏＳｉ酸
化膜４を形成する。ＭｏＳｉ酸化膜４の上に、ＣＭＳ
（東ソー製）のような耐ドライエッチング性の高い電子
ビームレジスト５の所望のパターンを形成する。ＣＭＳ
は、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （１０％）ガスを用いたＭｏＳｉ膜の
ドライエッチング（反応性イオンエッチング）時に選択
比が４以上となるレジストである。
【０００５】図３（ｂ）を参照して、レジスト５のパタ
ーンをマスクにして、ＣＦ4 ＋Ｏ2（１０％）ガスの反
応性イオンエッチングを用いて、三層ＭｏＳｉ膜２０
（ＭｏＳｉ酸化膜２＋ＭｏＳｉ膜３＋ＭｏＳｉ酸化膜
４）をエッチングする。このとき、反応性イオンエッチ
ングを、低いガス圧力（０．１ｔｏｒｒ）で行なうこと
によって、異方性が高められ、パターンの横方向のエッ
チングが小さくされる。
ーンをマスクにして、ＣＦ4 ＋Ｏ2（１０％）ガスの反
応性イオンエッチングを用いて、三層ＭｏＳｉ膜２０
（ＭｏＳｉ酸化膜２＋ＭｏＳｉ膜３＋ＭｏＳｉ酸化膜
４）をエッチングする。このとき、反応性イオンエッチ
ングを、低いガス圧力（０．１ｔｏｒｒ）で行なうこと
によって、異方性が高められ、パターンの横方向のエッ
チングが小さくされる。
【０００６】図３（ｃ）を参照して、レジスト５を除去
する。
する。
【０００７】図３（ｄ）を参照して、プロセス最後のマ
スク洗浄の際にスクラズ洗浄を行なうと、三層構造の低
反射ＭｏＳｉフォトマスク８が得られる。
スク洗浄の際にスクラズ洗浄を行なうと、三層構造の低
反射ＭｏＳｉフォトマスク８が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の低反射三層Ｍｏ
Ｓｉフォトマスクの製造方法では、耐ドライエッチング
性の高いレジストと、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いる異方性
反応性イオンエッチングが用いられていた。それゆえ
に、図３（ｂ）を参照して、中間のＭｏＳｉ層３のエッ
チング速度が早いため、横方向のエッチング速度を完全
にゼロにすることができなかった。したがって、図３
（ｃ）を参照して、三層ＭｏＳｉ膜は、上層のＭｏＳｉ
酸化膜４の端部が突起４ａとして突き出たオーバハング
形状になってしまう。図３（ｃ）および図３（ｄ）を参
照して、このとき突起４ａが、マスクのスクラズ洗浄の
際に、欠けて、異物欠陥７としてフォトマスク８の上に
残るという問題点があった。
Ｓｉフォトマスクの製造方法では、耐ドライエッチング
性の高いレジストと、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いる異方性
反応性イオンエッチングが用いられていた。それゆえ
に、図３（ｂ）を参照して、中間のＭｏＳｉ層３のエッ
チング速度が早いため、横方向のエッチング速度を完全
にゼロにすることができなかった。したがって、図３
（ｃ）を参照して、三層ＭｏＳｉ膜は、上層のＭｏＳｉ
酸化膜４の端部が突起４ａとして突き出たオーバハング
形状になってしまう。図３（ｃ）および図３（ｄ）を参
照して、このとき突起４ａが、マスクのスクラズ洗浄の
際に、欠けて、異物欠陥７としてフォトマスク８の上に
残るという問題点があった。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、異物欠陥をゼロにすることが
できるように改良された、低反射ＭｏＳｉフォトマスク
の製造方法を提供することを目的とする。
るためになされたもので、異物欠陥をゼロにすることが
できるように改良された、低反射ＭｏＳｉフォトマスク
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる低反射
ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法においては、まず、基
板の上にＭｏＳｉ膜を形成する。上記ＭｏＳｉ膜の上に
ＭｏＳｉ酸化膜を形成する。上記ＭｏＳｉ酸化膜の上
に、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる反応性イオンエッチングで
上記ＭｏＳｉ膜との選択比が１〜２のレジストを塗布す
る。上記レジストをパターニングする。パターニングさ
れた上記レジストをマスクにして、上記ＭｏＳｉ酸化膜
および上記ＭｏＳｉ膜を、上記ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用い
てエッチングする。
ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法においては、まず、基
板の上にＭｏＳｉ膜を形成する。上記ＭｏＳｉ膜の上に
ＭｏＳｉ酸化膜を形成する。上記ＭｏＳｉ酸化膜の上
に、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる反応性イオンエッチングで
上記ＭｏＳｉ膜との選択比が１〜２のレジストを塗布す
る。上記レジストをパターニングする。パターニングさ
れた上記レジストをマスクにして、上記ＭｏＳｉ酸化膜
および上記ＭｏＳｉ膜を、上記ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用い
てエッチングする。
【００１１】
【作用】ＭｏＳｉ酸化膜の上に形成されるレジストとし
て、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる反応性イオンエッチングで
ＭｏＳｉ膜との選択比が１〜２のものを使用するので、
エッチング中にレジストのエッジ面が後退し、ＭｏＳｉ
酸化膜の端部が露出し、この端部もエッチングされる。
ひいては、ＭｏＳｉ酸化膜の突起が生じない。
て、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる反応性イオンエッチングで
ＭｏＳｉ膜との選択比が１〜２のものを使用するので、
エッチング中にレジストのエッジ面が後退し、ＭｏＳｉ
酸化膜の端部が露出し、この端部もエッチングされる。
ひいては、ＭｏＳｉ酸化膜の突起が生じない。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。
する。
【００１３】図１は、本発明の一実施例にかかる低反射
三層ＭｏＳｉフォトマスクの製造工程を、断面図で示し
たものである。
三層ＭｏＳｉフォトマスクの製造工程を、断面図で示し
たものである。
【００１４】図１（ａ）を参照して、石英ガラス基板１
の上に、３００Åの膜厚のＭｏＳｉ酸化膜２を形成す
る。ＭｏＳｉ酸化膜２の上に、膜厚１０００ÅのＭｏＳ
ｉ膜３を形成する。ＭｏＳｉ膜３の上に、膜厚３０００
ÅのＭｏＳｉ酸化膜４を形成する。ＭｏＳｉ酸化膜４の
上に、耐ドライエッチング性が小さい（ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガ
スによる反応性イオンエッチングで、ＭｏＳｉ膜３との
選択比が１〜２程度）レジスト６のパターンを形成す
る。レジスト６には、たとえば、ＥＢＲ−９（東レ製）
が好ましく用いられる。レジスト６は、膜厚５０００Å
になるように塗布される。
の上に、３００Åの膜厚のＭｏＳｉ酸化膜２を形成す
る。ＭｏＳｉ酸化膜２の上に、膜厚１０００ÅのＭｏＳ
ｉ膜３を形成する。ＭｏＳｉ膜３の上に、膜厚３０００
ÅのＭｏＳｉ酸化膜４を形成する。ＭｏＳｉ酸化膜４の
上に、耐ドライエッチング性が小さい（ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガ
スによる反応性イオンエッチングで、ＭｏＳｉ膜３との
選択比が１〜２程度）レジスト６のパターンを形成す
る。レジスト６には、たとえば、ＥＢＲ−９（東レ製）
が好ましく用いられる。レジスト６は、膜厚５０００Å
になるように塗布される。
【００１５】図１（ｂ）を参照して、レジスト６をマス
クにして、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （１０％）ガスを用いる反応性
イオンエッチングで、三層ＭｏＳｉ膜１０をエッチング
する。このとき、異方性を低くするために、エッチング
ガスの圧力を０．３ｔｏｒｒにするのが好ましい。この
条件でエッチングすると、図１（ｂ）を参照して、レジ
スト６の耐ドライエッチング性が低いので、レジスト６
がエッチングされ、ひいてはレジスト６のエッジが後退
する。レジスト６のエッジが後退すると、上層のＭｏＳ
ｉ酸化膜４の端部か露出し、この端部がプラズマに触れ
るので、ＭｏＳｉ酸化膜４のエッチングも進む。
クにして、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （１０％）ガスを用いる反応性
イオンエッチングで、三層ＭｏＳｉ膜１０をエッチング
する。このとき、異方性を低くするために、エッチング
ガスの圧力を０．３ｔｏｒｒにするのが好ましい。この
条件でエッチングすると、図１（ｂ）を参照して、レジ
スト６の耐ドライエッチング性が低いので、レジスト６
がエッチングされ、ひいてはレジスト６のエッジが後退
する。レジスト６のエッジが後退すると、上層のＭｏＳ
ｉ酸化膜４の端部か露出し、この端部がプラズマに触れ
るので、ＭｏＳｉ酸化膜４のエッチングも進む。
【００１６】この実施例では、図１（ｃ）を参照して、
上層のＭｏＳｉ酸化膜４の端部が突起として残らない。
得られたフォトマスク８をスクラズ洗浄しても、異物欠
陥は認められなかった。
上層のＭｏＳｉ酸化膜４の端部が突起として残らない。
得られたフォトマスク８をスクラズ洗浄しても、異物欠
陥は認められなかった。
【００１７】なお、本プロセスで、０．２ｔｏｒｒ以下
のＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いる反応性イオンエッチングで
エッチングすると、レジスト６とＭｏＳｉ膜３との選択
比が下がり、レジスト６がエッチング終了までもたない
こともわかった。一方、ＣＦ 4 ＋Ｏ2 ガスの圧力が０．
６ｔｏｒｒ以上であると、等方性が強くなり、レジスト
の後退よりも、ＭｏＳｉ膜３のエッチングが早くなり、
ＭｏＳｉ酸化膜４の突起ができることもわかった。
のＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いる反応性イオンエッチングで
エッチングすると、レジスト６とＭｏＳｉ膜３との選択
比が下がり、レジスト６がエッチング終了までもたない
こともわかった。一方、ＣＦ 4 ＋Ｏ2 ガスの圧力が０．
６ｔｏｒｒ以上であると、等方性が強くなり、レジスト
の後退よりも、ＭｏＳｉ膜３のエッチングが早くなり、
ＭｏＳｉ酸化膜４の突起ができることもわかった。
【００１８】また、上記実施例では、レジストとしてＥ
ＢＲ−９を用いる場合を例示したが、この発明はこれに
限られるものでなく、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （１０％）ガスの反
応性イオンエッチングで、ＭｏＳｉ膜との選択比が１〜
２程度のものであれば、どんなレジストでも使用でき
る。
ＢＲ−９を用いる場合を例示したが、この発明はこれに
限られるものでなく、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （１０％）ガスの反
応性イオンエッチングで、ＭｏＳｉ膜との選択比が１〜
２程度のものであれば、どんなレジストでも使用でき
る。
【００１９】さらに、上記実施例では、三層ＭｏＳｉ膜
を例示したが、この発明はこれに限られるものでなく、
図２に示すように、基板１の上にＭｏＳｉ膜３が形成さ
れ、さらにその上にＭｏＳｉ酸化膜が設けられた二層低
反射ＭｏＳｉマスクの場合に適用しても、同様な効果が
得られる。なお、図２中、図１に示す部材と同一の部材
には同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。
を例示したが、この発明はこれに限られるものでなく、
図２に示すように、基板１の上にＭｏＳｉ膜３が形成さ
れ、さらにその上にＭｏＳｉ酸化膜が設けられた二層低
反射ＭｏＳｉマスクの場合に適用しても、同様な効果が
得られる。なお、図２中、図１に示す部材と同一の部材
には同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、耐ドライエッチング性の小さいレジストを用いてい
るので、エッチング中にレジストのエッジ面が後退し、
ＭｏＳｉ酸化膜の端部が露出し、この端部もエッチング
されるので、上層のＭｏＳｉ酸化膜の端部が突起として
残らない。したがって、得られたマスクをスクラズ洗浄
しても、異物欠陥は生じない。
ば、耐ドライエッチング性の小さいレジストを用いてい
るので、エッチング中にレジストのエッジ面が後退し、
ＭｏＳｉ酸化膜の端部が露出し、この端部もエッチング
されるので、上層のＭｏＳｉ酸化膜の端部が突起として
残らない。したがって、得られたマスクをスクラズ洗浄
しても、異物欠陥は生じない。
【図１】本発明の一実施例にかかる、低反射三層ＭｏＳ
ｉフォトマスクの製造方法の順序の各工程における、フ
ォトマスクの部分断面図である。
ｉフォトマスクの製造方法の順序の各工程における、フ
ォトマスクの部分断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る低反射二層ＭｏＳｉ
フォトマスクの製造方法の順序の各工程における、フォ
トマスクの部分断面図である。
フォトマスクの製造方法の順序の各工程における、フォ
トマスクの部分断面図である。
【図３】従来の低反射三層ＭｏＳｉフォトマスクの製造
方法の各工程における、フォトマスクの部分断面図であ
る。
方法の各工程における、フォトマスクの部分断面図であ
る。
１ 石英ガラス基板 ３ ＭｏＳｉ膜 ４ ＭｏＳｉ酸化膜 ８ 低反射ＭｏＳｉフォトマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の上にＭｏＳｉ膜を形成する工程
と、 前記ＭｏＳｉ膜の上にＭｏＳｉ酸化膜を形成する工程
と、 前記ＭｏＳｉ酸化膜の上に、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる反
応性イオンエッチングで前記ＭｏＳｉ膜との選択比が１
〜２のレジストを、塗布する工程と、 前記レジストをパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジストをマスクにして、前記
ＭｏＳｉ酸化膜および前記ＭｏＳｉ膜を、前記ＣＦ4 ＋
Ｏ2 ガスを用いてエッチングする工程と、 を備えた、低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16275892A JP2814038B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16275892A JP2814038B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063804A true JPH063804A (ja) | 1994-01-14 |
| JP2814038B2 JP2814038B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=15760683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16275892A Expired - Fee Related JP2814038B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 低反射ＭｏＳｉフォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814038B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019215467A (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS62257166A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Toshiba Corp | マスクパタ−ンの形成方法 |
| JPS6385553A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 |
| JPH01166044A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JPH02164019A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | マスクパターンの加工方法 |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16275892A patent/JP2814038B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS62257166A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Toshiba Corp | マスクパタ−ンの形成方法 |
| JPS6385553A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 |
| JPH01166044A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JPH02164019A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | マスクパターンの加工方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019215467A (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2814038B2 (ja) | 1998-10-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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