JPH0638162B2 - レジスト剥離剤 - Google Patents
レジスト剥離剤Info
- Publication number
- JPH0638162B2 JPH0638162B2 JP63198998A JP19899888A JPH0638162B2 JP H0638162 B2 JPH0638162 B2 JP H0638162B2 JP 63198998 A JP63198998 A JP 63198998A JP 19899888 A JP19899888 A JP 19899888A JP H0638162 B2 JPH0638162 B2 JP H0638162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight concentration
- composition
- resist
- phenol
- resist stripper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は混合有機溶媒の組成物に係り、特に半導体工業
等で用いられるレジスト材料の剥離剤として好適な組成
物に関する。
等で用いられるレジスト材料の剥離剤として好適な組成
物に関する。
従来のレジスト剥離剤に関しては、例えば代表的な例と
しては、米国特許第３，８７１，９２９号に報告されて
いる。これはフェノール（phenol）（或いは酢酸）、フ
ェノール・スルフォン酸（phenol sulfonic acid）およ
び塩素含有炭化水素（chlorinated hydrocarbon）等を
含有するものである。
しては、米国特許第３，８７１，９２９号に報告されて
いる。これはフェノール（phenol）（或いは酢酸）、フ
ェノール・スルフォン酸（phenol sulfonic acid）およ
び塩素含有炭化水素（chlorinated hydrocarbon）等を
含有するものである。
上記した従来のレジスト剥離剤は、１００〜１５０℃に
加熱した状態で試料を浸漬することによりホトレジスト
などの有機物を除去することを目的としていた。ところ
がＮｉ，Ｓｎ，Ａｌ等の金属が溶解する点について配慮
がなされておらず、そのため、例えばＡｕとＮｉの複合
蒸着膜等の形成された試料に使用した場合、Ｎｉを溶解
してしまうという解決すべき課題があった。
加熱した状態で試料を浸漬することによりホトレジスト
などの有機物を除去することを目的としていた。ところ
がＮｉ，Ｓｎ，Ａｌ等の金属が溶解する点について配慮
がなされておらず、そのため、例えばＡｕとＮｉの複合
蒸着膜等の形成された試料に使用した場合、Ｎｉを溶解
してしまうという解決すべき課題があった。
本発明の目的は、上記Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｌ等の金属材料を
溶解しないレジスト剥離剤を提供することにある。
溶解しないレジスト剥離剤を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するため本発明は次の組成の剥離剤を
用いるものである。
用いるものである。
（１）フェノール ：約１０〜４０％ （重量濃度） （２）アルキルベンゼンスルフォン酸： ３０〜７０％ （重量濃度） （３）塩素含有有機化合物： ５〜３０％ （例えば、クロロベンゼン，ヘキサクロロエタン等） （総重量濃度） （４）有機アルカリ ： １〜２０％ （重量濃度） 有機アルカリを添加することが、本発明の主要点で、原
組成中のフェノール，クロルベンゼン，ヘキサクロロエ
タン等と相溶性の良い有機アルカリが好ましい。望むら
くは沸点２００℃程度のものが良い。具体的にはクロロ
アニリン，アニリン，ピリジン等の芳香族アミン；トリ
ｎプロピルアミン，ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族
アミン；テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
等のアンモニウム塩等がある。
組成中のフェノール，クロルベンゼン，ヘキサクロロエ
タン等と相溶性の良い有機アルカリが好ましい。望むら
くは沸点２００℃程度のものが良い。具体的にはクロロ
アニリン，アニリン，ピリジン等の芳香族アミン；トリ
ｎプロピルアミン，ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族
アミン；テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
等のアンモニウム塩等がある。
従来のレジスト剥離剤にはアルキルベンゼンスルフォン
酸，フェノールの他に、クロルベンゼンおよびヘキサク
ロロエタン等の塩素含有有機化合物が含有されている。
ここに工程途中でＨ２Ｏが混入するとＨＣｌが生成さ
れ、これがＮｉ，Ｓｎ，Ａｌ等を溶解する。以上の事は
我々が行った故意にＨ２Ｏを添加してＮｉの溶解速度を
測定する実験から見出されたものである。
酸，フェノールの他に、クロルベンゼンおよびヘキサク
ロロエタン等の塩素含有有機化合物が含有されている。
ここに工程途中でＨ２Ｏが混入するとＨＣｌが生成さ
れ、これがＮｉ，Ｓｎ，Ａｌ等を溶解する。以上の事は
我々が行った故意にＨ２Ｏを添加してＮｉの溶解速度を
測定する実験から見出されたものである。
上記不良をなくするためには、Ｈ２Ｏの混入を避けるこ
とが考えられるが、通常の工程では微量水分の混入は避
け難い。しかし、本発明のレジスト剥離剤にはあらかじ
め有機アルカリが添加してあるので、もし水分が混入し
てＨＣｌが生成しても、それは有機アルカリにより中和
され、溶解の主因たるＨＣｌは除去される。
とが考えられるが、通常の工程では微量水分の混入は避
け難い。しかし、本発明のレジスト剥離剤にはあらかじ
め有機アルカリが添加してあるので、もし水分が混入し
てＨＣｌが生成しても、それは有機アルカリにより中和
され、溶解の主因たるＨＣｌは除去される。
実施例１． 以下本発明の実施例を説明する。混合有機溶媒の重量組
成は、アルキルベンゼンスルフォン酸の一種のドデシル
ベンゼンスルフォン酸５５wt％，フェノール２０wt％，
クロルベンゼン１０wt％，ヘキサクロロエタン１０wt
％、および有機アルカリとしてクロロアニリン５wt％と
した。該組成物を１００℃に加温した状態で１μｍ厚の
市販ポジ形ホトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ８００）
を浸漬したところ５分間で完全に溶解し、レジスト剥離
剤として従来品に劣らず良好な特性を有していることが
わかった。この時、ＡｕとＮｉの重ね膜中のＮｉ蒸着膜
の溶解は認められず、浸漬時間を１時間まで延長しても
２０Å以上の溶解は検出できなかった。
成は、アルキルベンゼンスルフォン酸の一種のドデシル
ベンゼンスルフォン酸５５wt％，フェノール２０wt％，
クロルベンゼン１０wt％，ヘキサクロロエタン１０wt
％、および有機アルカリとしてクロロアニリン５wt％と
した。該組成物を１００℃に加温した状態で１μｍ厚の
市販ポジ形ホトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ８００）
を浸漬したところ５分間で完全に溶解し、レジスト剥離
剤として従来品に劣らず良好な特性を有していることが
わかった。この時、ＡｕとＮｉの重ね膜中のＮｉ蒸着膜
の溶解は認められず、浸漬時間を１時間まで延長しても
２０Å以上の溶解は検出できなかった。
また次の実施例試料No.２〜８のような重量組成の混合
有機溶媒を作製し、先の実施例１と同様、Ｎｉ／Ａｕ重
ね膜上でのレジスト剥離実験を行った結果、従来のレジ
スト剥離剤と同様に良好なレジスト剥離性を示し、かつ
Ｎｉの溶解は認められなかった。
有機溶媒を作製し、先の実施例１と同様、Ｎｉ／Ａｕ重
ね膜上でのレジスト剥離実験を行った結果、従来のレジ
スト剥離剤と同様に良好なレジスト剥離性を示し、かつ
Ｎｉの溶解は認められなかった。
これら剥離剤の例を下表に示す。
なお、塩素含有有機化合物の組成は５〜３０wt％の範囲
で選択可能であり、そのときはフェノール，アルキルベ
ンゼンスルフォン酸の組成を変えて全体の組成調整を行
なう。
で選択可能であり、そのときはフェノール，アルキルベ
ンゼンスルフォン酸の組成を変えて全体の組成調整を行
なう。
以上のような本発明によれば、比較的酸に溶解しやすい
金属蒸着膜を用いた試料にも適用可能なレジスト剥離剤
が得られる。
金属蒸着膜を用いた試料にも適用可能なレジスト剥離剤
が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】重量濃度約１０〜４０％のフェノール、重
量濃度３０〜７０％のアルキルベンゼンスルフォン酸お
よび総重量濃度５〜３０％の塩素含有有機化合物を含有
するレジスト剥離剤において重量濃度１〜２０％の有機
アルカリを含有させたことを特徴とするレジスト剥離
剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198998A JPH0638162B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | レジスト剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198998A JPH0638162B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | レジスト剥離剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248668A JPH0248668A (ja) | 1990-02-19 |
| JPH0638162B2 true JPH0638162B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=16400400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198998A Expired - Lifetime JPH0638162B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | レジスト剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638162B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2814986B2 (ja) * | 1996-04-30 | 1998-10-27 | 日本電気株式会社 | 配線パターンの形成方法 |
| US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
| US6030932A (en) | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6413923B2 (en) | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| JP4720627B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2011-07-13 | トヨタ自動車株式会社 | リバースギヤ鳴り防止変速機 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63198998A patent/JPH0638162B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0248668A (ja) | 1990-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |