JPH0248668A - レジスト剥離剤 - Google Patents
レジスト剥離剤Info
- Publication number
- JPH0248668A JPH0248668A JP63198998A JP19899888A JPH0248668A JP H0248668 A JPH0248668 A JP H0248668A JP 63198998 A JP63198998 A JP 63198998A JP 19899888 A JP19899888 A JP 19899888A JP H0248668 A JPH0248668 A JP H0248668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- removing agent
- org
- phenol
- resist removing
- dissolution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混合有機溶媒の組成物に係り、特に半導体工業
等で用いられるレジスト材料の剥離剤として好適な組成
物に関する。
等で用いられるレジスト材料の剥離剤として好適な組成
物に関する。
従来のレジスト剥離剤に関しては、例えば代表的な例と
して、米国特許筒３，８７１，９２９号に報告されてい
る。これはフェノール（ｐｈｅｎｏｌ）（或いは酢酸）
、フェノール・スルフォン酸（ｐｈｅｎｏｌ ５ｕｌｆ
ｏｎｉｃ ａｃｉｄ）および塩素含有炭化水素（ｃｈｌ
ｏｒｉｎａｔｅｄ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ）等を含有
するものである。
して、米国特許筒３，８７１，９２９号に報告されてい
る。これはフェノール（ｐｈｅｎｏｌ）（或いは酢酸）
、フェノール・スルフォン酸（ｐｈｅｎｏｌ ５ｕｌｆ
ｏｎｉｃ ａｃｉｄ）および塩素含有炭化水素（ｃｈｌ
ｏｒｉｎａｔｅｄ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ）等を含有
するものである。
上記した従来のレジスト剥離剤は、１００〜１５０℃に
加熱した状態で試料を浸漬することによりホトレジスト
などの有機物を除去することを目的としていた。ところ
がＮｉ、Ｓｎ、ＡＱ等の金属が溶解する点について配慮
がなされておらず。
加熱した状態で試料を浸漬することによりホトレジスト
などの有機物を除去することを目的としていた。ところ
がＮｉ、Ｓｎ、ＡＱ等の金属が溶解する点について配慮
がなされておらず。
そのため、例えばＡｕとＮｉの複合蒸着膜等の形成され
た試料に使用した場合、Ｎｉを溶解してしまうという解
決すべき課題があった。
た試料に使用した場合、Ｎｉを溶解してしまうという解
決すべき課題があった。
本発明の目的は、上記Ｎｉ、Ｓｎ、ＡＱ等の金属材料を
溶解しないレジスト剥離剤を提供することにある。
溶解しないレジスト剥離剤を提供することにある。
上記の目的を達成するため本発明は次の組成の剥離剤を
用いるものである。
用いるものである。
（１）フェノール ：約１０〜４０％（重量濃度
） （２）アルキルベンゼンスルフォン酸 ＝ ３０〜７０％ （重量濃度） （３）塩素含有有機化合物： ５〜３０％（例えば、
クロロベンゼン、へキサクロロエタン等） （総重量
濃度）（４）有機アルカリ ° １〜２０％（重
量濃度） 有機アルカリを添加することが１本発明の主要点で、原
組成中のフェノール、クロルベンゼン。
） （２）アルキルベンゼンスルフォン酸 ＝ ３０〜７０％ （重量濃度） （３）塩素含有有機化合物： ５〜３０％（例えば、
クロロベンゼン、へキサクロロエタン等） （総重量
濃度）（４）有機アルカリ ° １〜２０％（重
量濃度） 有機アルカリを添加することが１本発明の主要点で、原
組成中のフェノール、クロルベンゼン。
ヘキサクロロエタン等と相溶性の良い有機アルカリが好
ましい。望むらくは沸点２００℃程度のものが良い。具
体的にはクロロアニリン、アニリン。
ましい。望むらくは沸点２００℃程度のものが良い。具
体的にはクロロアニリン、アニリン。
ピリジン等の芳香族アミン；トリｎプロピルアミン、ヘ
キサメチレンジアミン等の脂肪族アミン；テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド等のアンモニウム塩等
がある。
キサメチレンジアミン等の脂肪族アミン；テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド等のアンモニウム塩等
がある。
従来のレジスト剥離剤にはアルキルベンゼンスルフォン
酸、フェノールの他に、クロルベンゼンおよびヘキサク
ロロエタン等の塩素含有有機化合物が含有されている。
酸、フェノールの他に、クロルベンゼンおよびヘキサク
ロロエタン等の塩素含有有機化合物が含有されている。
ここに工程途中でＨ２Ｏが混入するとＨＣＱが生成され
、これがＮｉ、Ｓｎ。
、これがＮｉ、Ｓｎ。
へΩ等を溶解する。以上の事は我々が行った故意にＨ２
Ｏを添加してＮｉの溶解速度を測定する実験から見出さ
れたものである。
Ｏを添加してＮｉの溶解速度を測定する実験から見出さ
れたものである。
上記不良をなくするためには、Ｈ２Ｏの混入を避けるこ
とが考えられるが、通常の工程では微量水分の混入は避
は難い。しかし１本発明のレジスト剥離剤にはあらがじ
め有機アルカリが添加しであるので、もし水分が混入し
てＨＣＩが生成しても、それは有機アルカリにより中和
され、溶解の主因たるＨＣＱは除去される。
とが考えられるが、通常の工程では微量水分の混入は避
は難い。しかし１本発明のレジスト剥離剤にはあらがじ
め有機アルカリが添加しであるので、もし水分が混入し
てＨＣＩが生成しても、それは有機アルカリにより中和
され、溶解の主因たるＨＣＱは除去される。
実施例１゜
以下本発明の詳細な説明する。混合有機溶媒の重量組成
は、アルキルベンゼンスルフォン酸の一種のドデシルベ
ンゼンスルフォン酸５５−ｔ％。
は、アルキルベンゼンスルフォン酸の一種のドデシルベ
ンゼンスルフォン酸５５−ｔ％。
フェノール２０ｗｔ％、クロルベンゼン１０−ｔ％。
ヘキサクロロエタン１０υｔ％、および有機アルカリと
してクロロアニリン５ｗｔ％とした。該組成物を１００
℃に加温した状態で１μｍ厚の市販ポジ形ホトレジスト
（東京応化製０ＦＰＲ８００）を浸漬したところ５分間
で完全に溶解し、レジスト剥離剤として従来品に劣らず
良好な特性を有していることがわかった。この時、Ａυ
とＮｌの重ね膜中のＮｉ蒸着膜の溶解は認められず、浸
漬時間を１時間まで延長しても２０Å以上の７容解は検
出できなかった。
してクロロアニリン５ｗｔ％とした。該組成物を１００
℃に加温した状態で１μｍ厚の市販ポジ形ホトレジスト
（東京応化製０ＦＰＲ８００）を浸漬したところ５分間
で完全に溶解し、レジスト剥離剤として従来品に劣らず
良好な特性を有していることがわかった。この時、Ａυ
とＮｌの重ね膜中のＮｉ蒸着膜の溶解は認められず、浸
漬時間を１時間まで延長しても２０Å以上の７容解は検
出できなかった。
また次の実施例試料Ｎｏ、２〜８のような重量組成の混
合有機溶媒を作製し、先の実施例１と同様。
合有機溶媒を作製し、先の実施例１と同様。
Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ重ね膜上でのレジスト剥離実験を行
った結果、従来のレジスト剥離剤と同様に良好なレジス
ト剥離性を示し、がっＮｉの溶解は認められなかった。
った結果、従来のレジスト剥離剤と同様に良好なレジス
ト剥離性を示し、がっＮｉの溶解は認められなかった。
これら剥離剤の例を下表に示す。
なお、塩素含有有機化合物の組成は５〜３０ｗｔ％の範
囲で選択可能であり、そのときはフェノール、アルキル
ベンゼンスルフォン酸の組成を変えて全体の組成調整を
行なう。
囲で選択可能であり、そのときはフェノール、アルキル
ベンゼンスルフォン酸の組成を変えて全体の組成調整を
行なう。
以上のように本発明によれば、比較的酸に溶解しやすい
金属蒸着膜を用いた試料にも適用可能なレジスト剥離剤
が得られる。
金属蒸着膜を用いた試料にも適用可能なレジスト剥離剤
が得られる。
Claims (1)
- １、重量濃度約１０〜４０％のフェノール、重量濃度３
０〜７０％のアルキルベンゼンスルフォン酸および総重
量濃度５〜３０％の塩素含有有機化合物を含有するレジ
スト剥離剤において重量濃度１〜２０％の有機アルカリ
を含有させたことを特徴とするレジスト剥離剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198998A JPH0638162B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | レジスト剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198998A JPH0638162B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | レジスト剥離剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248668A true JPH0248668A (ja) | 1990-02-19 |
| JPH0638162B2 JPH0638162B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=16400400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198998A Expired - Lifetime JPH0638162B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | レジスト剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638162B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298201A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
| US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
| US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US6413923B2 (en) | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| JP2007327513A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toyota Motor Corp | リバースギヤ鳴り防止変速機 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63198998A patent/JPH0638162B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298201A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
| US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
| US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6020292A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-01 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US6191086B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-02-20 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Cleaning composition and method for removing residues |
| US6413923B2 (en) | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US7001874B2 (en) | 1999-11-15 | 2006-02-21 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US7402552B2 (en) | 1999-11-15 | 2008-07-22 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| JP2007327513A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toyota Motor Corp | リバースギヤ鳴り防止変速機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0638162B2 (ja) | 1994-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |