JPH0638490B2 - ハイブリツド光集積回路 - Google Patents
ハイブリツド光集積回路Info
- Publication number
- JPH0638490B2 JPH0638490B2 JP19338685A JP19338685A JPH0638490B2 JP H0638490 B2 JPH0638490 B2 JP H0638490B2 JP 19338685 A JP19338685 A JP 19338685A JP 19338685 A JP19338685 A JP 19338685A JP H0638490 B2 JPH0638490 B2 JP H0638490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical
- guide
- optical waveguide
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、光通信及び光情報処理において必要な、フア
イバ、光半導体素子等と光導波路との接続が容易であ
り、かつ、単一モード系への応用に適したハイブリツド
光集積回路に関するものである。
イバ、光半導体素子等と光導波路との接続が容易であ
り、かつ、単一モード系への応用に適したハイブリツド
光集積回路に関するものである。
「従来の技術」 光導波路と、光フアイバ、フイルタ、受発光素子等を同
一基板上で複合一体化したハイプリツド光集積回路は、
光合分波器、光スイツチ等の光通信、光情報処理用光回
路の実現手段として期待されている。しかしながら、こ
の分野は未だ基礎研究段階にあり、実用に供されるに到
つた光回路はこれまでほとんど見受けられなかつた。
一基板上で複合一体化したハイプリツド光集積回路は、
光合分波器、光スイツチ等の光通信、光情報処理用光回
路の実現手段として期待されている。しかしながら、こ
の分野は未だ基礎研究段階にあり、実用に供されるに到
つた光回路はこれまでほとんど見受けられなかつた。
ところで、この種のハイブリッド光集積回路として、石
英系光導波路を用いた技術が最近提案され、基礎検討が
なされている〔例えば、特願昭５９−１６７６７７、お
よびＭ．Kawaclin et al,Electron Lett.21,314,(198
4)〕。これらの基礎検討がなされているハイブリツド光
集積回路の一例を第１図に示す。１は基板、２はチヤネ
ル光導波路、３はフアイバガイド、４は光フアイバ、５
はフイルタガイド、６は微小反射鏡ガイド、７は半導体
レーザガイド、８は半導体レーザ、９は微小反射鏡、１
０はアバランシユフオトダイオード、１１は干渉膜フイ
ルタであり、同一基板１の上で、光導波路と光フアイバ
受発光素子を複合一体化するためにチヤネル光導波路２
と各種ガイド３，５，６，７を一体化している。この回
路においては、各種素子をガイド３，５，６，７中に挿
入するだけで、光導波路２との位置合せが完了するよう
になつており、このために導波路２及びガイド３，５，
６，７の高さは７０〜１００μｍ程度必要である。従
来、この種の光回路においては、多モード用部品に応用
していたので、導波路幅は４０〜５０μｍ程度である。
したがつて、導波路のアスペクト比（高さ／幅）は１．
５〜２程度であり、強度的に問題はない構成になつてい
る。
英系光導波路を用いた技術が最近提案され、基礎検討が
なされている〔例えば、特願昭５９−１６７６７７、お
よびＭ．Kawaclin et al,Electron Lett.21,314,(198
4)〕。これらの基礎検討がなされているハイブリツド光
集積回路の一例を第１図に示す。１は基板、２はチヤネ
ル光導波路、３はフアイバガイド、４は光フアイバ、５
はフイルタガイド、６は微小反射鏡ガイド、７は半導体
レーザガイド、８は半導体レーザ、９は微小反射鏡、１
０はアバランシユフオトダイオード、１１は干渉膜フイ
ルタであり、同一基板１の上で、光導波路と光フアイバ
受発光素子を複合一体化するためにチヤネル光導波路２
と各種ガイド３，５，６，７を一体化している。この回
路においては、各種素子をガイド３，５，６，７中に挿
入するだけで、光導波路２との位置合せが完了するよう
になつており、このために導波路２及びガイド３，５，
６，７の高さは７０〜１００μｍ程度必要である。従
来、この種の光回路においては、多モード用部品に応用
していたので、導波路幅は４０〜５０μｍ程度である。
したがつて、導波路のアスペクト比（高さ／幅）は１．
５〜２程度であり、強度的に問題はない構成になつてい
る。
「発明が解決しようとする問題点」 しかし、この回路を単一モード系部品に応用する場合、
導波路幅は５〜１０μｍ程度であるので、導波路のアス
ペクト比は１０程度となる。このような細くかつ高いパ
ターンは強度的に不安定であり、このため、フアイバ、
半導体レーザ等の装着時に導波路に欠けを発生する虞が
ある。また、単一モード系光導波路には、多モード系よ
り一桁高い加工精度が要求されるため、この観点からも
導波路部分を７０〜１００μｍの高さにすることは好ま
しくない。
導波路幅は５〜１０μｍ程度であるので、導波路のアス
ペクト比は１０程度となる。このような細くかつ高いパ
ターンは強度的に不安定であり、このため、フアイバ、
半導体レーザ等の装着時に導波路に欠けを発生する虞が
ある。また、単一モード系光導波路には、多モード系よ
り一桁高い加工精度が要求されるため、この観点からも
導波路部分を７０〜１００μｍの高さにすることは好ま
しくない。
逆に、ガイド高さを低くして、単一モード系導波路の高
さとして問題がないと考えられる１０〜２０μｍとした
場合は、ガイドの機能が十分に発揮されない。即ち、こ
のような背の低いガイドを用いて、例えば、光フアイバ
を接続する場合、光フアイバ外径を３０μｍ程度にしな
ければならないが、このような細いフアイバは取り扱い
に不便なのである。
さとして問題がないと考えられる１０〜２０μｍとした
場合は、ガイドの機能が十分に発揮されない。即ち、こ
のような背の低いガイドを用いて、例えば、光フアイバ
を接続する場合、光フアイバ外径を３０μｍ程度にしな
ければならないが、このような細いフアイバは取り扱い
に不便なのである。
このように、従来の構造では、単一モード系光導波路と
ガイドとを両立して製作することは困難な問題があつ
た。
ガイドとを両立して製作することは困難な問題があつ
た。
本発明の目的は、従来のガイド付光導波回路を単一モー
ド系に適用すると、導波路の高さと、ガイドの高さを両
立させて設定することが難しいという問題点を解決し、
単一モード系に適したハイプリツド光集積回路を提供す
ることにある。
ド系に適用すると、導波路の高さと、ガイドの高さを両
立させて設定することが難しいという問題点を解決し、
単一モード系に適したハイプリツド光集積回路を提供す
ることにある。
「問題点を解決するための手段」 本発明の１つは、フアイバガイドまたは光素子ガイド
と、光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の基
板上面に光導波路を下段の基板上面にフアイバガイドま
たは光素子ガイドを設けたものである。
と、光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の基
板上面に光導波路を下段の基板上面にフアイバガイドま
たは光素子ガイドを設けたものである。
本発明の他の１つは、基板上に設けられるファイバガイ
ドおよび光素子ガイドの少なくとも一方と、前記基板上
に凸状に形成される光導波路とを具備したハイブリッド
光集積回路において、前記基板に段差を形成し、上段の
基板上面に光導波路を形成し、下段の基板上面にファイ
バガイドおよび光素子ガイドの少なくとも一方と光半導
体素子を設け、前記上段と下段の基板の内、少なくとも
一方に電気配線支持台を形成し、前記下段の基板上面に
第１導電膜を、また、前記電気配線支持台の上面に第２
導電膜をそれぞれ相互に絶縁状態で形成し、前記光半導
体素子に前記第１導電膜と第２導電膜を接続して給電可
能としたものである。
ドおよび光素子ガイドの少なくとも一方と、前記基板上
に凸状に形成される光導波路とを具備したハイブリッド
光集積回路において、前記基板に段差を形成し、上段の
基板上面に光導波路を形成し、下段の基板上面にファイ
バガイドおよび光素子ガイドの少なくとも一方と光半導
体素子を設け、前記上段と下段の基板の内、少なくとも
一方に電気配線支持台を形成し、前記下段の基板上面に
第１導電膜を、また、前記電気配線支持台の上面に第２
導電膜をそれぞれ相互に絶縁状態で形成し、前記光半導
体素子に前記第１導電膜と第２導電膜を接続して給電可
能としたものである。
また、本発明において、下段の基板をＳｉ基板としても
良く、下段の基板と上段の基板をＳｉ基板としても良
い。更にまた、光導波路と各ガイドと電気配線支持台を
石英系光導波膜で形成しても良い。
良く、下段の基板と上段の基板をＳｉ基板としても良
い。更にまた、光導波路と各ガイドと電気配線支持台を
石英系光導波膜で形成しても良い。
「作 用」 基板に段差を形成し、下段に各ガイドを設け上段に光導
波路を形成することによつて、各ガイドの背を高く形成
しつつ光導波路の背を低く形成できるようになる。
波路を形成することによつて、各ガイドの背を高く形成
しつつ光導波路の背を低く形成できるようになる。
「実施例」 第１図は、本発明の一実施例を示す光合分波モジユール
であつて、図中１ａは下部基板（Ｓｉ基板）を示し、こ
の下部基板１ａの上面中央部には石英系光導波膜からな
る上部基板１ｂが形成され、下部基板１ａと上部基板１
ｂとによつて段差を有する基板１が構成されている。前
記上部基板１ｂの上面には、該上面の一側から他側にか
けて石英系チヤネル光導波路２が、更に、上部基板１ｂ
の上面中央には、光導波路２の長さ方向中央部を挾むよ
うにフイルタガイド５，５が各々形成されている。な
お、チヤネル光導波路２はクラツド層２ａとコア層２ｂ
とからなつている。また、上部基板１ｂの一側（第１図
の左側）端部側方であつて、下部基板１ａの上面には、
フアイバガイド３，３が立設され、上部基板１ｂの他側
（第２図の右側）端部側方であつて、下部基板１ａの上
面には、光導波路２の一端を挾んだ反射鏡ガイド６，６
が立設され、反射鏡ガイド６，６の間であつて下部基板
１ａの上面には微小反射鏡９が立設されている。なお、
光導波路２は、その中央部で側方に分岐され、その分岐
部分の先端前方であて下部基板１ａの上面には発光素子
ガイド７と半導体レーザ８が立設されている。一方、前
記ガイド３，３の間に挿入されているのはフアイバクラ
ツド層４ａとフアイバコア部４ｂとからなる光フアイバ
である。なお、前記各ガイド３，５，６，７においては
その外面に石英系光導波膜がエツチングされている。
であつて、図中１ａは下部基板（Ｓｉ基板）を示し、こ
の下部基板１ａの上面中央部には石英系光導波膜からな
る上部基板１ｂが形成され、下部基板１ａと上部基板１
ｂとによつて段差を有する基板１が構成されている。前
記上部基板１ｂの上面には、該上面の一側から他側にか
けて石英系チヤネル光導波路２が、更に、上部基板１ｂ
の上面中央には、光導波路２の長さ方向中央部を挾むよ
うにフイルタガイド５，５が各々形成されている。な
お、チヤネル光導波路２はクラツド層２ａとコア層２ｂ
とからなつている。また、上部基板１ｂの一側（第１図
の左側）端部側方であつて、下部基板１ａの上面には、
フアイバガイド３，３が立設され、上部基板１ｂの他側
（第２図の右側）端部側方であつて、下部基板１ａの上
面には、光導波路２の一端を挾んだ反射鏡ガイド６，６
が立設され、反射鏡ガイド６，６の間であつて下部基板
１ａの上面には微小反射鏡９が立設されている。なお、
光導波路２は、その中央部で側方に分岐され、その分岐
部分の先端前方であて下部基板１ａの上面には発光素子
ガイド７と半導体レーザ８が立設されている。一方、前
記ガイド３，３の間に挿入されているのはフアイバクラ
ツド層４ａとフアイバコア部４ｂとからなる光フアイバ
である。なお、前記各ガイド３，５，６，７においては
その外面に石英系光導波膜がエツチングされている。
以上の如く構成された光合分波モジユールにあつては、
チヤネル光導波路２を上部基板１ｂ上に形成したため
に、その背を上部基板１ｂの厚さ分、従来構造よりも低
くすることができ、たとえチヤネル光導波路２が単モー
ド系であつてもそのアスベクト比を小さくすることがで
きる。なお、各ガイド３，５，６，７は、下部基板１ａ
上面に立設されていて、上部基板１ｂの厚さにチヤネル
光導波路２の高さを加えた高さを有するために、各ガイ
ド３，５，６，７を必要十分な高さに形成することがで
きる。これにより、例えば、単一モード系光導波路を用
いて、この光合分波モジユールを製作した場合、チヤネ
ル光導波路２のアスペクト比を１〜３程度と小さくする
ことが可能になり、機械的信頼性が高くなる。一方、ガ
イド３の部分では十分な深さ（高さ）が確保できるの
で、フアイバ位置決め、半導体レーザ位置決め等の機能
を発揮することができる。
チヤネル光導波路２を上部基板１ｂ上に形成したため
に、その背を上部基板１ｂの厚さ分、従来構造よりも低
くすることができ、たとえチヤネル光導波路２が単モー
ド系であつてもそのアスベクト比を小さくすることがで
きる。なお、各ガイド３，５，６，７は、下部基板１ａ
上面に立設されていて、上部基板１ｂの厚さにチヤネル
光導波路２の高さを加えた高さを有するために、各ガイ
ド３，５，６，７を必要十分な高さに形成することがで
きる。これにより、例えば、単一モード系光導波路を用
いて、この光合分波モジユールを製作した場合、チヤネ
ル光導波路２のアスペクト比を１〜３程度と小さくする
ことが可能になり、機械的信頼性が高くなる。一方、ガ
イド３の部分では十分な深さ（高さ）が確保できるの
で、フアイバ位置決め、半導体レーザ位置決め等の機能
を発揮することができる。
次に、上述したようなガイド付光導波回路の設計条件を
具体的な数値例を挙げて説明する。第２図は、第１図の
フアイバガイド３付近を、ガイド３の外方より導波路２
側を見た図である。図中ｌ１は下部基板１ａの上面か
ら、導波路のコア層２ｂの中心までの高さを示し、ｌ２
は下部基板１ａの上面から、導波路２のクラツド層上部
までの高さで、これはガイド３の高さと等しい。ｌ３は
上部基板上面１ｂから導波路２のクラツド層２ａの上部
までの高さであり、これは、導波路２の高さと等しい。
ここで導波路幅はｗとするとともにフアイバガイド３，
３の間隔は、２ｌ１に設定しておく。したがつてフアイ
バ４の外径を２ｌ１に設定しておけば、フアイバ４をフ
アイバガイド３に挿入するだけで、フアイバコア部４ｂ
と導波路２のコア層２ｂとの位置合せが達成できる。例
えば、フアイバ４として外径１２５μｍ、コア径８μｍ
のフアイバを考える。このとき、ガイド間隔２ｌ１は１
２５μｍに設定する必要があり、したがつてｌ１＝６
２．５μｍとする。一方、導波路２のコア寸法を、フア
イバにあわせて、コア層幅(w)＝コア層高さ＝８μｍと
する。これに合わせてクラツド層２ａまで含めた導波路
２の高さｌ３は、例えばｌ３＝１５μｍにするとともに
フアイバガイド高さｌ２を例えばｌ２＝７４μｍとす
る。この数値例のように設定すれば、導波路２のアスペ
クト比は２程度と小さくできる。一方、フアイバガイド
３としては、高さ６０μｍ程度と十分な高さを採用でき
る。これに合わせて、半導体レーザ８も第３図に示すよ
うにレーザの基板の厚さを研磨等によつて調節してお
き、活性層８ａの高さが下部基板１の上面からｌ１の高
さになるようにすればよい。また、受光素子の搭載にあ
たつては、微小反射鏡９の高さを、微小反射鏡ガイド６
の高さと同等のｌ２に設定し、この上にアバランシユフ
オトダイオード等の受光素子１０を第１図の矢印の如く
設置すればよい。また、干渉膜フイルタチツプ１１をフ
イルタガイド５に第１図の矢印の如く挿入すれば、光合
分波モジユールを組み立てることができる。このよう
に、本構成によれば、単一モード系光導波路のアスペク
ト比を２程度に抑えて、深さ６０μｍ以上のガイドが形
成できるために、単一モード系ハイブリツド光集積回路
に適用できる。
具体的な数値例を挙げて説明する。第２図は、第１図の
フアイバガイド３付近を、ガイド３の外方より導波路２
側を見た図である。図中ｌ１は下部基板１ａの上面か
ら、導波路のコア層２ｂの中心までの高さを示し、ｌ２
は下部基板１ａの上面から、導波路２のクラツド層上部
までの高さで、これはガイド３の高さと等しい。ｌ３は
上部基板上面１ｂから導波路２のクラツド層２ａの上部
までの高さであり、これは、導波路２の高さと等しい。
ここで導波路幅はｗとするとともにフアイバガイド３，
３の間隔は、２ｌ１に設定しておく。したがつてフアイ
バ４の外径を２ｌ１に設定しておけば、フアイバ４をフ
アイバガイド３に挿入するだけで、フアイバコア部４ｂ
と導波路２のコア層２ｂとの位置合せが達成できる。例
えば、フアイバ４として外径１２５μｍ、コア径８μｍ
のフアイバを考える。このとき、ガイド間隔２ｌ１は１
２５μｍに設定する必要があり、したがつてｌ１＝６
２．５μｍとする。一方、導波路２のコア寸法を、フア
イバにあわせて、コア層幅(w)＝コア層高さ＝８μｍと
する。これに合わせてクラツド層２ａまで含めた導波路
２の高さｌ３は、例えばｌ３＝１５μｍにするとともに
フアイバガイド高さｌ２を例えばｌ２＝７４μｍとす
る。この数値例のように設定すれば、導波路２のアスペ
クト比は２程度と小さくできる。一方、フアイバガイド
３としては、高さ６０μｍ程度と十分な高さを採用でき
る。これに合わせて、半導体レーザ８も第３図に示すよ
うにレーザの基板の厚さを研磨等によつて調節してお
き、活性層８ａの高さが下部基板１の上面からｌ１の高
さになるようにすればよい。また、受光素子の搭載にあ
たつては、微小反射鏡９の高さを、微小反射鏡ガイド６
の高さと同等のｌ２に設定し、この上にアバランシユフ
オトダイオード等の受光素子１０を第１図の矢印の如く
設置すればよい。また、干渉膜フイルタチツプ１１をフ
イルタガイド５に第１図の矢印の如く挿入すれば、光合
分波モジユールを組み立てることができる。このよう
に、本構成によれば、単一モード系光導波路のアスペク
ト比を２程度に抑えて、深さ６０μｍ以上のガイドが形
成できるために、単一モード系ハイブリツド光集積回路
に適用できる。
また、光素子への電気配線支持台を形成することがあ
る。第４図は、半導体レーザ８に、電気配線支持台１２
を設けて給電可能な構成とした例を示す図である。
る。第４図は、半導体レーザ８に、電気配線支持台１２
を設けて給電可能な構成とした例を示す図である。
第４図に示す構造にあつては、上部基板１ｂの角部に上
部基板１ｂを貫通した電気配線支持台１２を半導体レー
ザ８に隣接させて下部基板１ａの上面に設けたものであ
り、その他の構成は大旨前記実施例と同等である。な
お、本実施例にあつては、電気配線支持台１２の上面
に、金属膜１３を、導電膜として形成してある。なお、
金属膜１３としては、Ａｌ・Ａｕ蒸着膜等を使用すれば
よい。また、下部基板１ａの表面にも、金属膜１３′を
形成してある。下部基板１ａの表面上の金属膜１３′は
半導体レーザ８の電極と接続しており、また、電気配線
支持台１２の上面の金属膜１３と活性層上の上部電極８
ｂとは金線１４によつてボンデイングされている。この
場合、電気配線支持台１２の幅が単一モード系光導波路
幅程度に挾ければ、上部基板１ｂ上に電気配線支持台を
形成することにより、光導波路と同様に、アスペクト比
が小さく、充分な機械的強度を有する電気配線支持台を
製作することができる。
部基板１ｂを貫通した電気配線支持台１２を半導体レー
ザ８に隣接させて下部基板１ａの上面に設けたものであ
り、その他の構成は大旨前記実施例と同等である。な
お、本実施例にあつては、電気配線支持台１２の上面
に、金属膜１３を、導電膜として形成してある。なお、
金属膜１３としては、Ａｌ・Ａｕ蒸着膜等を使用すれば
よい。また、下部基板１ａの表面にも、金属膜１３′を
形成してある。下部基板１ａの表面上の金属膜１３′は
半導体レーザ８の電極と接続しており、また、電気配線
支持台１２の上面の金属膜１３と活性層上の上部電極８
ｂとは金線１４によつてボンデイングされている。この
場合、電気配線支持台１２の幅が単一モード系光導波路
幅程度に挾ければ、上部基板１ｂ上に電気配線支持台を
形成することにより、光導波路と同様に、アスペクト比
が小さく、充分な機械的強度を有する電気配線支持台を
製作することができる。
第５図は、本発明の別の実施例であつて、下部基板１ａ
及び上部基板１ｂともにＳｉ基板からなり、その上に
は、石英系光導波膜よりなるチヤネル光導波路２、フア
イバガイド３、半導体レーザガイド７が形成されてい
る。この例では、半導体レーザガイド７上に導電膜１３
が形成されており、レーザガイド７は電気配線支持台も
兼ねている。また、ガイド７の形成されている下部基板
１ａの表面にも導電膜１３′が形成されている。この光
回路はフアイバガイド３中にフアイバを挿入し、レーザ
ガイド７に半導体レーザを装着し導電膜１３及び１３′
を利用して電気配線を行なうことにより、合流モジユー
ルとして機能する。この実施例においても、導波路３は
上部基板１ｂ上に形成されているので、この背は低く、
したがつて、アスペクト比は小さくできるので、機械的
強度を十分確保できる。
及び上部基板１ｂともにＳｉ基板からなり、その上に
は、石英系光導波膜よりなるチヤネル光導波路２、フア
イバガイド３、半導体レーザガイド７が形成されてい
る。この例では、半導体レーザガイド７上に導電膜１３
が形成されており、レーザガイド７は電気配線支持台も
兼ねている。また、ガイド７の形成されている下部基板
１ａの表面にも導電膜１３′が形成されている。この光
回路はフアイバガイド３中にフアイバを挿入し、レーザ
ガイド７に半導体レーザを装着し導電膜１３及び１３′
を利用して電気配線を行なうことにより、合流モジユー
ルとして機能する。この実施例においても、導波路３は
上部基板１ｂ上に形成されているので、この背は低く、
したがつて、アスペクト比は小さくできるので、機械的
強度を十分確保できる。
以上説明したように、本発明の１つのハイプリツド光集
積回路は、基板表面に段差を付け上部基板、下部基板の
２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路につい
ては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限に抑
え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機能し
ない構成要素については、下部基板上に形成しているの
で、光導波路のように細いパタンであつても、そのアス
ペクト比を１〜２程度に設定することができ、かつ、ガ
イドも十分機能を発揮することができるという利点があ
る。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系の
ハイブリツド光集積回路に有効である。
積回路は、基板表面に段差を付け上部基板、下部基板の
２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路につい
ては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限に抑
え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機能し
ない構成要素については、下部基板上に形成しているの
で、光導波路のように細いパタンであつても、そのアス
ペクト比を１〜２程度に設定することができ、かつ、ガ
イドも十分機能を発揮することができるという利点があ
る。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系の
ハイブリツド光集積回路に有効である。
以上説明したように、本発明の他の１つのハイプリツド
光集積回路は、基板表面に段差を付け上部基板、下部基
板の２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路に
ついては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限
に抑え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機
能しない構成要素については下部基板上に形成している
ので、光導波路のように細いパタンであつても、そのア
スペクト比を１〜２程度に設定することができ、かつ、
ガイドも十分機能を発揮することができるという利点が
ある。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系
のハイブリツド光集積回路に有効である。また、基板上
の電気配線支持台の導電膜と基板の導電膜を利用して基
板上に形成された光半導体素子の回路用の電気配線を施
し、給電することができる。
光集積回路は、基板表面に段差を付け上部基板、下部基
板の２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路に
ついては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限
に抑え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機
能しない構成要素については下部基板上に形成している
ので、光導波路のように細いパタンであつても、そのア
スペクト比を１〜２程度に設定することができ、かつ、
ガイドも十分機能を発揮することができるという利点が
ある。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系
のハイブリツド光集積回路に有効である。また、基板上
の電気配線支持台の導電膜と基板の導電膜を利用して基
板上に形成された光半導体素子の回路用の電気配線を施
し、給電することができる。
第１図は、本発明の一つの一実施例である下部基板Ｓ
ｉ、上部基板、石英系光導波膜からなる光合分波モジユ
ールの斜視図、第２図は第１図に示すモジユールのフア
イバガイド部の側面図、第３は第１図に示すモジユール
の半導体レーザガイドの斜視図、第４図は、本発明の他
の一つである電気配線支持台を備えた光回路の斜視図、
第５図は、本発明の別の実施例であり、下部基板、上部
基板ともＳｉからなる光回路の斜視図、第６図は、従来
のガイド付光導波回路の例（光合分波モジユール）を示
す斜視図である。 １……基板、１ａ……下部基板、１ｂ……上部基板、２
……チヤネル光導波路、３……フアイバガイド、４……
光フアイバ、５……フイルタガイド、６……微小反射鏡
ガイド、７……発光素子ガイド、８……半導体レーザ、
１２……電気配線支持台、１３，１３′……導電膜。
ｉ、上部基板、石英系光導波膜からなる光合分波モジユ
ールの斜視図、第２図は第１図に示すモジユールのフア
イバガイド部の側面図、第３は第１図に示すモジユール
の半導体レーザガイドの斜視図、第４図は、本発明の他
の一つである電気配線支持台を備えた光回路の斜視図、
第５図は、本発明の別の実施例であり、下部基板、上部
基板ともＳｉからなる光回路の斜視図、第６図は、従来
のガイド付光導波回路の例（光合分波モジユール）を示
す斜視図である。 １……基板、１ａ……下部基板、１ｂ……上部基板、２
……チヤネル光導波路、３……フアイバガイド、４……
光フアイバ、５……フイルタガイド、６……微小反射鏡
ガイド、７……発光素子ガイド、８……半導体レーザ、
１２……電気配線支持台、１３，１３′……導電膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河内 正夫 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (72)発明者 小林 盛男 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (72)発明者 照井 博 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (56)参考文献 特公 平５−3748（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に設けられるファイバガイドおよび
光素子ガイドの少なくとも一方と、前記基板上に凸状に
形成される光導波路とを具備したハイブリッド光集積回
路において、前記基板に段差を形成し、上段の基板上面
に光導波路を形成し、下段の基板上面にファイバガイド
および光素子ガイドの少なくとも一方を設けてなるハイ
ブリッド光集積回路。 - 【請求項２】基板上に設けられるファイバガイドおよび
光素子ガイドの少なくとも一方と、前記基板上に凸状に
形成される光導波路とを具備したハイブリッド光集積回
路において、前記基板に段差を形成し、上段の基板上面
に光導波路を形成し、下段の基板上面にファイバガイド
および光素子ガイドの少なくとも一方と光半導体素子を
設け、前記上段と下段の基板の内、少なくとも一方に電
気配線支持台を形成し、前記下段の基板上面に第１導電
膜を、また、前記電気配線支持台の上面に第２導電膜を
それぞれ相互に絶縁状態で形成し、前記光半導体素子に
前記第１導電膜と第２導電膜を接続して給電可能とした
ハイブリッド光集積回路。 - 【請求項３】下段の基板がＳｉ基板であり、上段の基板
および光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系光
導波膜で形成した特許請求の範囲第１項記載のハイブリ
ッド光集積回路。 - 【請求項４】上段および下段の基板がいずれもＳｉ基板
であり、光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系
光導波膜で形成した特許請求の範囲第１項記載のハイブ
リッド光集積回路。 - 【請求項５】下段の基板がＳｉ基板であり、上段の基板
および光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系光
導波膜で形成した特許請求の範囲第２項記載のハイブリ
ッド光集積回路。 - 【請求項６】上段および下段の基板がいずれもＳｉ基板
であり、光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系
光導波膜で形成した特許請求の範囲第２項記載のハイブ
リッド光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19338685A JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19338685A JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252960A JPS6252960A (ja) | 1987-03-07 |
| JPH0638490B2 true JPH0638490B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=16307067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19338685A Expired - Lifetime JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638490B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105637B2 (ja) * | 1990-05-31 | 1995-11-13 | 三洋電機株式会社 | 部品装着装置 |
| US5208879A (en) * | 1991-10-18 | 1993-05-04 | International Business Machines Corporation | Optical signal distribution system |
| JP2891856B2 (ja) * | 1993-10-14 | 1999-05-17 | 日本電気株式会社 | 光路変換回路 |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP19338685A patent/JPH0638490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252960A (ja) | 1987-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7046868B2 (en) | Optical waveguide transmitter-receiver module | |
| JP3750649B2 (ja) | 光通信装置 | |
| KR100441810B1 (ko) | 광전달구조물을정렬하기위한전자장치 | |
| JP3204355B2 (ja) | 光／電子ハイブリッド実装基板およびその製造方法ならびに光／電子ハイブリッド集積回路 | |
| JP3896905B2 (ja) | 光通信装置 | |
| KR19980071602A (ko) | 하이브리드 광학 장치의 조립 방법 | |
| JP2000098192A (ja) | 光受信モジュール | |
| JPH053748B2 (ja) | ||
| JP2024003201A (ja) | 光電気複合伝送モジュール | |
| KR19980045943A (ko) | 하이브리드 광집적회로용 마이크로 거울, 그의 제조방법, 마이크로 거울-광검출기 어셈블리 및 광수신용 하이브리드 광집적회로 어셈블리 | |
| JP2001343560A (ja) | 光モジュール | |
| JPH0638490B2 (ja) | ハイブリツド光集積回路 | |
| US7146080B2 (en) | Method of connecting an optical element to a PLC | |
| US6108477A (en) | Photonic component with electrical conduction paths | |
| JP2002031731A (ja) | ハイブリッド光集積回路 | |
| JP3230506B2 (ja) | 受光モジュール | |
| US6327408B1 (en) | Electrical interconnection of planar lightwave circuits | |
| JP3324936B2 (ja) | 光導波路型モジュール | |
| JP3389226B2 (ja) | 光サブモジュール | |
| JPS63291014A (ja) | 光集積回路基板装置 | |
| JPH06201930A (ja) | ハイブリッド光導波回路およびその製造方法 | |
| JP2608585B2 (ja) | ハイブリッド光集積回路 | |
| US6497517B1 (en) | Light-receiving module for optical fiber transmission with mesh shielding conductor | |
| JP3920201B2 (ja) | サブキャリアおよびそれを用いた光モジュール | |
| JP4475841B2 (ja) | 光モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |