JPH0641731A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPH0641731A JPH0641731A JP19801192A JP19801192A JPH0641731A JP H0641731 A JPH0641731 A JP H0641731A JP 19801192 A JP19801192 A JP 19801192A JP 19801192 A JP19801192 A JP 19801192A JP H0641731 A JPH0641731 A JP H0641731A
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 39
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着材料の蒸発条件や種類、蒸着材料の一部
のイオン化に左右されることなく、半導体基板の表面が
プラス又はマイナスのいずれにもチャージアップしない
ようにする。 【構成】 真空チャンバ（11）内の蒸着源（13）に電子
ビームを入射させて蒸着源（13）を加熱溶融させ、その
蒸着源（13）から蒸発した蒸着材料を、これと対向配置
した被蒸着物（14）の表面に被着させるものにおいて、
蒸着源（13）と被蒸着物（14）との間に、蒸着源（13）
から発生して被蒸着物（14）に向かう二次電子の進路を
曲げる電磁石（18）を配置し、電磁石（18）への通電の
大小によりその磁界（b）の強さを可変とする。尚、被
蒸着物（14）と同一状態のチャージアップ量測定用電極
板（19）と、そのチャージアップ量を監視するモニタ
（20）と、モニタ（20）の検知出力に基づいて、電磁石
（18）の磁界（b）の強さを制御する磁力制御器（21）
とを具備する。
のイオン化に左右されることなく、半導体基板の表面が
プラス又はマイナスのいずれにもチャージアップしない
ようにする。 【構成】 真空チャンバ（11）内の蒸着源（13）に電子
ビームを入射させて蒸着源（13）を加熱溶融させ、その
蒸着源（13）から蒸発した蒸着材料を、これと対向配置
した被蒸着物（14）の表面に被着させるものにおいて、
蒸着源（13）と被蒸着物（14）との間に、蒸着源（13）
から発生して被蒸着物（14）に向かう二次電子の進路を
曲げる電磁石（18）を配置し、電磁石（18）への通電の
大小によりその磁界（b）の強さを可変とする。尚、被
蒸着物（14）と同一状態のチャージアップ量測定用電極
板（19）と、そのチャージアップ量を監視するモニタ
（20）と、モニタ（20）の検知出力に基づいて、電磁石
（18）の磁界（b）の強さを制御する磁力制御器（21）
とを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空蒸着装置に関し、詳
しくは、半導体装置の製造などに使用され、真空チャン
バ内で、半導体基板の表面に蒸着材料を被着させて電極
や絶縁膜などを形成する真空蒸着装置に関する。
しくは、半導体装置の製造などに使用され、真空チャン
バ内で、半導体基板の表面に蒸着材料を被着させて電極
や絶縁膜などを形成する真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＦＥＴ等の半導体装置の製造で
は、ゲート電極の形成に真空蒸着装置なる生産設備が使
用される。以下、真空蒸着装置の一種である電子ビーム
蒸着装置を図３に示して説明する。
は、ゲート電極の形成に真空蒸着装置なる生産設備が使
用される。以下、真空蒸着装置の一種である電子ビーム
蒸着装置を図３に示して説明する。
【０００３】この電子ビーム蒸着装置は、同図に示すよ
うに真空チャンバ（1）の底部に熱電子放出用のフィラ
メント（2）を配置し、そのフィラメント（2）を加熱さ
せて熱電子を放出させるためのフィラメント回路（3）
がチャンバ外部で接続されている。また、上記フィラメ
ント（2）の近傍に、Ａｌ等の蒸着材料を坩堝等に収納
した蒸着源（4）を配置し、この蒸着源（4）に対して真
空チャンバ（1）の上部に半導体基板（5）〔半導体ウェ
ーハ〕を、ホルダ等の適当な支持手段（6）によりその
処理面を下に向けた状態で対向配置する。
うに真空チャンバ（1）の底部に熱電子放出用のフィラ
メント（2）を配置し、そのフィラメント（2）を加熱さ
せて熱電子を放出させるためのフィラメント回路（3）
がチャンバ外部で接続されている。また、上記フィラメ
ント（2）の近傍に、Ａｌ等の蒸着材料を坩堝等に収納
した蒸着源（4）を配置し、この蒸着源（4）に対して真
空チャンバ（1）の上部に半導体基板（5）〔半導体ウェ
ーハ〕を、ホルダ等の適当な支持手段（6）によりその
処理面を下に向けた状態で対向配置する。
【０００４】また、上記フィラメント（2）と蒸着源
（4）との間に、フィラメント（2）から放出された熱電
子を蒸着源（4）に向けて曲げるための第１の磁界（a）
を発生させる永久磁石（7）を配置する。尚、この永久
磁石は、フィラメント（2）からの熱電子が適正に蒸着
源（4）に到達するように、その磁界の強さを調整する
ため、位置調整可能な構造となっている。
（4）との間に、フィラメント（2）から放出された熱電
子を蒸着源（4）に向けて曲げるための第１の磁界（a）
を発生させる永久磁石（7）を配置する。尚、この永久
磁石は、フィラメント（2）からの熱電子が適正に蒸着
源（4）に到達するように、その磁界の強さを調整する
ため、位置調整可能な構造となっている。
【０００５】更に、上記蒸着源（4）と半導体基板（5）
との間に、後述する理由から蒸着源（4）から発生して
半導体基板（5）に向かう二次電子を半導体基板（5）以
外の方向に向けて曲げるための第２の磁界（b）を発生
させる永久磁石（8）を固定配置する。
との間に、後述する理由から蒸着源（4）から発生して
半導体基板（5）に向かう二次電子を半導体基板（5）以
外の方向に向けて曲げるための第２の磁界（b）を発生
させる永久磁石（8）を固定配置する。
【０００６】上記真空蒸着装置では、フィラメント
（2）の加熱により放出された熱電子を第１の磁界（a）
により蒸着源（4）に入射させる。この熱電子の入射エ
ネルギーにより蒸着源（4）の蒸着材料が加熱溶融し、
蒸着源（4）から蒸発した蒸着材料が半導体基板（5）の
処理面に付着してゲート電極が形成される。この時、熱
電子が蒸着源（4）に所定のエネルギーで入射されるこ
とによって、蒸着材料が蒸発すると共に、その蒸着材料
中から二次電子が放出される。この二次電子が半導体基
板（5）に到達すると、半導体基板（5）の表面がマイナ
スにチャージアップされ、そのチャージアップされた電
子による放電でもって半導体基板（5）の素子が破壊さ
れる虞があるため、上述のように蒸着源（4）から放出
された二次電子を第２の磁界（b）により曲げて、その
二次電子が半導体基板（5）に到達しないようにしてい
る。
（2）の加熱により放出された熱電子を第１の磁界（a）
により蒸着源（4）に入射させる。この熱電子の入射エ
ネルギーにより蒸着源（4）の蒸着材料が加熱溶融し、
蒸着源（4）から蒸発した蒸着材料が半導体基板（5）の
処理面に付着してゲート電極が形成される。この時、熱
電子が蒸着源（4）に所定のエネルギーで入射されるこ
とによって、蒸着材料が蒸発すると共に、その蒸着材料
中から二次電子が放出される。この二次電子が半導体基
板（5）に到達すると、半導体基板（5）の表面がマイナ
スにチャージアップされ、そのチャージアップされた電
子による放電でもって半導体基板（5）の素子が破壊さ
れる虞があるため、上述のように蒸着源（4）から放出
された二次電子を第２の磁界（b）により曲げて、その
二次電子が半導体基板（5）に到達しないようにしてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来装置で
は、蒸着源（4）から発生する二次電子が半導体基板
（5）に到達しないように、蒸着源（4）から半導体基板
（5）に向かう二次電子を第２の磁界（b）で曲げるよう
にしている。
は、蒸着源（4）から発生する二次電子が半導体基板
（5）に到達しないように、蒸着源（4）から半導体基板
（5）に向かう二次電子を第２の磁界（b）で曲げるよう
にしている。
【０００８】ここで、上記第２の磁界（b）を生成する
永久磁石（8）が固定配置され、その第２の磁界（b）の
強さが一定である。一方、二次電子のエネルギー及びそ
の量は、蒸着材料の蒸発条件や種類により大きく変化す
ることが明らかである。そのため、上述のように第２の
磁界（b）が常に一定であると、ある蒸着材料の蒸発条
件や種類については二次電子が適正に曲げられて半導体
基板（5）に到達することなく問題はないが、蒸着材料
の蒸発条件や種類が変わって、二次電子のエネルギー及
びその量が大きくなった場合、二次電子の一部が半導体
基板（5）に到達してしまってその表面がチャージアッ
プされるという問題があった。
永久磁石（8）が固定配置され、その第２の磁界（b）の
強さが一定である。一方、二次電子のエネルギー及びそ
の量は、蒸着材料の蒸発条件や種類により大きく変化す
ることが明らかである。そのため、上述のように第２の
磁界（b）が常に一定であると、ある蒸着材料の蒸発条
件や種類については二次電子が適正に曲げられて半導体
基板（5）に到達することなく問題はないが、蒸着材料
の蒸発条件や種類が変わって、二次電子のエネルギー及
びその量が大きくなった場合、二次電子の一部が半導体
基板（5）に到達してしまってその表面がチャージアッ
プされるという問題があった。
【０００９】また、蒸着源（4）から蒸発する蒸着材料
の一部には、二次電子が蒸着源（4）で入射する時の衝
撃により、プラスにイオン化したものが含まれている。
上記二次電子は、その質量が小さいので第２の磁界
（b）によって適正に曲げられ、半導体基板（5）に到達
することがないとしても、プラスにイオン化した蒸着材
料は、その質量が大きいので第２の磁界（b）で曲がる
ことなく半導体基板（5）に到達し、その表面を二次電
子の場合とは逆にプラスにチャージアップし、このチャ
ージアップによっても半導体基板（5）の素子が破壊さ
れる虞があるという問題があった。
の一部には、二次電子が蒸着源（4）で入射する時の衝
撃により、プラスにイオン化したものが含まれている。
上記二次電子は、その質量が小さいので第２の磁界
（b）によって適正に曲げられ、半導体基板（5）に到達
することがないとしても、プラスにイオン化した蒸着材
料は、その質量が大きいので第２の磁界（b）で曲がる
ことなく半導体基板（5）に到達し、その表面を二次電
子の場合とは逆にプラスにチャージアップし、このチャ
ージアップによっても半導体基板（5）の素子が破壊さ
れる虞があるという問題があった。
【００１０】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、蒸着材料の蒸
発条件や種類、蒸着材料の一部のイオン化に左右される
ことなく、半導体基板の表面がプラス又はマイナスのい
ずれにもチャージアップされないようにし得る真空蒸着
装置を提供することにある。
されたもので、その目的とするところは、蒸着材料の蒸
発条件や種類、蒸着材料の一部のイオン化に左右される
ことなく、半導体基板の表面がプラス又はマイナスのい
ずれにもチャージアップされないようにし得る真空蒸着
装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明は、真空チャンバ内に配置
した蒸着源に電子ビームを入射させ、その入射エネルギ
ーにより蒸着源を加熱溶融させ、その蒸着源から蒸発し
た蒸着材料を、蒸着源と対向配置した被蒸着物の表面に
被着させるものにおいて、上記蒸着源と被蒸着物との間
での蒸着材料の進路途中に、蒸着源から発生して被蒸着
物に向かう二次電子の進路を曲げる磁界発生手段を配置
し、その磁界発生手段の磁界の強さを可変としたことを
特徴とする。
の技術的手段として、本発明は、真空チャンバ内に配置
した蒸着源に電子ビームを入射させ、その入射エネルギ
ーにより蒸着源を加熱溶融させ、その蒸着源から蒸発し
た蒸着材料を、蒸着源と対向配置した被蒸着物の表面に
被着させるものにおいて、上記蒸着源と被蒸着物との間
での蒸着材料の進路途中に、蒸着源から発生して被蒸着
物に向かう二次電子の進路を曲げる磁界発生手段を配置
し、その磁界発生手段の磁界の強さを可変としたことを
特徴とする。
【００１２】また、本発明は、上述した磁界の強さが可
変な磁界発生手段と、被蒸着物と同一状態で配置された
チャージアップ量測定用の電極板と、その電極板でのチ
ャージアップ量を監視するモニタと、そのモニタで検知
されたチャージアップ量に基づいて、磁界発生手段の磁
界の強さを制御する磁力制御器とを具備することが望ま
しい。
変な磁界発生手段と、被蒸着物と同一状態で配置された
チャージアップ量測定用の電極板と、その電極板でのチ
ャージアップ量を監視するモニタと、そのモニタで検知
されたチャージアップ量に基づいて、磁界発生手段の磁
界の強さを制御する磁力制御器とを具備することが望ま
しい。
【００１３】更に、上記磁界発生手段は、具体的に、電
磁石か或いは移動可能な永久磁石であることが好まし
い。
磁石か或いは移動可能な永久磁石であることが好まし
い。
【００１４】
【作用】本発明に係る真空蒸着装置では、蒸着源から被
蒸着物に向かう二次電子を曲げる磁界発生手段の磁界の
強さを可変としたから、蒸着材料の蒸発条件や種類によ
り二次電子のエネルギーやその量が変化したり、また、
蒸着材料の一部がイオン化しても、その蒸着材料の蒸発
条件や種類、イオン化した蒸着材料の量に応じて、被蒸
着物の表面がチャージアップしないような適正な磁界の
強さに設定することが可能となる。
蒸着物に向かう二次電子を曲げる磁界発生手段の磁界の
強さを可変としたから、蒸着材料の蒸発条件や種類によ
り二次電子のエネルギーやその量が変化したり、また、
蒸着材料の一部がイオン化しても、その蒸着材料の蒸発
条件や種類、イオン化した蒸着材料の量に応じて、被蒸
着物の表面がチャージアップしないような適正な磁界の
強さに設定することが可能となる。
【００１５】また、磁界の強さが可変な磁界発生手段に
加えて、電極板、モニタ及び磁力制御器を具備すれば、
モニタによる監視でもって、電極板と同一条件にある被
蒸着物の表面がチャージアップされないように磁力制御
器を作動させ、磁界発生手段での磁界の強さを自動的に
適正値に設定することができる。
加えて、電極板、モニタ及び磁力制御器を具備すれば、
モニタによる監視でもって、電極板と同一条件にある被
蒸着物の表面がチャージアップされないように磁力制御
器を作動させ、磁界発生手段での磁界の強さを自動的に
適正値に設定することができる。
【００１６】更に、上記磁界発生手段が電磁石であれ
ば、磁界の強さを適正値とする調整を、上記電磁石への
通電量の大小で実行することができ、また、移動可能な
永久磁石であれば、その永久磁石の二次電子通過領域に
対する相対位置を変えることにより実行することができ
る。
ば、磁界の強さを適正値とする調整を、上記電磁石への
通電量の大小で実行することができ、また、移動可能な
永久磁石であれば、その永久磁石の二次電子通過領域に
対する相対位置を変えることにより実行することができ
る。
【００１７】
【実施例】本発明に係る真空蒸着装置の実施例を図１及
び図２に示して説明する。
び図２に示して説明する。
【００１８】図１は真空蒸着装置の一種である電子ビー
ム蒸着装置を示し、同図に示すように真空チャンバ（1
1）の底部に熱電子放出用のフィラメント（12）を配置
し、その近傍に、Ａｌ等の蒸着材料を坩堝等に収納した
蒸着源（13）を定配置し、この蒸着源（13）に対して真
空チャンバ（11）の上部に半導体基板（14）〔半導体ウ
ェーハ〕をホルダ等の適当な支持手段（15）によりその
処理面を下に向けた状態で対向配置する。尚、上記フィ
ラメント（12）には、加熱により熱電子を放出させるた
めのフィラメント回路（16）がチャンバ外部で接続され
ている。更に、上記フィラメント（12）と蒸着源（13）
との間に、フィラメント（12）から放出された熱電子を
蒸着源（13）に向けて曲げるための第１の磁界（a）を
発生させる永久磁石（17）を配置する。この永久磁石
（17）は、フィラメント（12）からの熱電子が適正に蒸
着源（13）に到達するように、その磁界の強さを調整す
るため、位置調整可能な構造となっている。
ム蒸着装置を示し、同図に示すように真空チャンバ（1
1）の底部に熱電子放出用のフィラメント（12）を配置
し、その近傍に、Ａｌ等の蒸着材料を坩堝等に収納した
蒸着源（13）を定配置し、この蒸着源（13）に対して真
空チャンバ（11）の上部に半導体基板（14）〔半導体ウ
ェーハ〕をホルダ等の適当な支持手段（15）によりその
処理面を下に向けた状態で対向配置する。尚、上記フィ
ラメント（12）には、加熱により熱電子を放出させるた
めのフィラメント回路（16）がチャンバ外部で接続され
ている。更に、上記フィラメント（12）と蒸着源（13）
との間に、フィラメント（12）から放出された熱電子を
蒸着源（13）に向けて曲げるための第１の磁界（a）を
発生させる永久磁石（17）を配置する。この永久磁石
（17）は、フィラメント（12）からの熱電子が適正に蒸
着源（13）に到達するように、その磁界の強さを調整す
るため、位置調整可能な構造となっている。
【００１９】上記構造は、従来装置と同一構成を有し、
本発明装置は以下の構成を特徴とする。
本発明装置は以下の構成を特徴とする。
【００２０】まず、上記蒸着源（13）と半導体基板（1
4）との間に、蒸着源（13）から発生して半導体基板（1
4）に向かう二次電子を半導体基板（14）以外の方向に
向けて曲げるための第２の磁界（b）を発生させる磁界
発生手段として、例えば、電磁石（18）を配置し、その
電磁石（18）のコイルへの通電の大小により、上記第２
の磁界（b）の強さを可変する。
4）との間に、蒸着源（13）から発生して半導体基板（1
4）に向かう二次電子を半導体基板（14）以外の方向に
向けて曲げるための第２の磁界（b）を発生させる磁界
発生手段として、例えば、電磁石（18）を配置し、その
電磁石（18）のコイルへの通電の大小により、上記第２
の磁界（b）の強さを可変する。
【００２１】一方、真空チャンバ（11）の上部に配置し
た半導体基板（14）と同一条件でもって、チャージアッ
プ量を測定するための電極板（19）を上記半導体基板
（14）の付近にセッティングし、その電極板（19）に、
電極板（19）でのチャージアップ量を監視するモニタ
（20）を真空チャンバ（11）の外部で接続する。更に、
上記モニタ（20）に、モニタ（20）で検知されたチャー
ジアップ量に基づいて、そのチャージアップ量が０とな
るように上記電磁石（18）による第２の磁界（b）の強
さを制御する磁力制御器（21）を接続し、その磁力制御
器（21）の出力に電磁石（18）を接続する。
た半導体基板（14）と同一条件でもって、チャージアッ
プ量を測定するための電極板（19）を上記半導体基板
（14）の付近にセッティングし、その電極板（19）に、
電極板（19）でのチャージアップ量を監視するモニタ
（20）を真空チャンバ（11）の外部で接続する。更に、
上記モニタ（20）に、モニタ（20）で検知されたチャー
ジアップ量に基づいて、そのチャージアップ量が０とな
るように上記電磁石（18）による第２の磁界（b）の強
さを制御する磁力制御器（21）を接続し、その磁力制御
器（21）の出力に電磁石（18）を接続する。
【００２２】上記構成からなる電子ビーム蒸着装置で
は、従来と同様、フィラメント（12）の加熱により放出
された熱電子を第１の磁界（a）により蒸着源（13）に
入射させ、この熱電子の入射エネルギーにより蒸着源
（13）の蒸着材料が加熱溶融し、蒸着源（13）から蒸発
した蒸着材料が半導体基板（14）の処理面に付着してゲ
ート電極が形成される。
は、従来と同様、フィラメント（12）の加熱により放出
された熱電子を第１の磁界（a）により蒸着源（13）に
入射させ、この熱電子の入射エネルギーにより蒸着源
（13）の蒸着材料が加熱溶融し、蒸着源（13）から蒸発
した蒸着材料が半導体基板（14）の処理面に付着してゲ
ート電極が形成される。
【００２３】この時、熱電子が蒸着源（13）に所定のエ
ネルギーで入射されることによって、蒸着材料の蒸発に
伴ってその蒸着材料中から二次電子が放出される。この
二次電子が半導体基板（14）に到達すると、半導体基板
（14）の表面がマイナスにチャージアップされ、そのチ
ャージアップされた電子による放電でもって半導体基板
（14）の素子が破壊される虞がある。一方、蒸着源（1
3）から蒸発する蒸着材料の一部には、二次電子が蒸着
源（13）で入射する時の衝撃により、プラスにイオン化
したものが含まれている。このプラスにイオン化した蒸
着材料が半導体基板（14）に到達すると、その表面を二
次電子の場合とは逆にプラスにチャージアップし、この
チャージアップによっても半導体基板（14）の素子が破
壊される虞がある。
ネルギーで入射されることによって、蒸着材料の蒸発に
伴ってその蒸着材料中から二次電子が放出される。この
二次電子が半導体基板（14）に到達すると、半導体基板
（14）の表面がマイナスにチャージアップされ、そのチ
ャージアップされた電子による放電でもって半導体基板
（14）の素子が破壊される虞がある。一方、蒸着源（1
3）から蒸発する蒸着材料の一部には、二次電子が蒸着
源（13）で入射する時の衝撃により、プラスにイオン化
したものが含まれている。このプラスにイオン化した蒸
着材料が半導体基板（14）に到達すると、その表面を二
次電子の場合とは逆にプラスにチャージアップし、この
チャージアップによっても半導体基板（14）の素子が破
壊される虞がある。
【００２４】ここで、上記二次電子は、その質量が小さ
いので、従来と同様、第２の磁界（b）により飛程を曲
げることが可能で、半導体基板（14）に到達しないよう
にすることができるが、プラスにイオン化した蒸着材料
は、その質量が大きいので、第２の磁界（b）でも曲げ
ることが困難である。
いので、従来と同様、第２の磁界（b）により飛程を曲
げることが可能で、半導体基板（14）に到達しないよう
にすることができるが、プラスにイオン化した蒸着材料
は、その質量が大きいので、第２の磁界（b）でも曲げ
ることが困難である。
【００２５】そこで、本発明では、半導体基板（14）と
同一条件でセッティングされた電極板（19）に到達した
二次電子とプラスにイオン化した蒸着材料とによるチャ
ージアップ量をモニタ（20）で監視し、そのモニタ（2
0）から出力された信号に基づいて、磁力制御器（21）
により電磁石（18）への通電を制御する。
同一条件でセッティングされた電極板（19）に到達した
二次電子とプラスにイオン化した蒸着材料とによるチャ
ージアップ量をモニタ（20）で監視し、そのモニタ（2
0）から出力された信号に基づいて、磁力制御器（21）
により電磁石（18）への通電を制御する。
【００２６】具体的には、仮に、半導体基板（14）、即
ち、電極板（19）に、プラスにイオン化した蒸着材料よ
りも二次電子の方が多く到達して、その表面がマイナス
にチャージアップされていると、モニタ（20）からは、
電磁石（18）による第２の磁界（b）の強さを大きくす
るような出力信号が送出され、その出力信号により磁力
制御器（21）から電磁石（18）への通電量を増加させる
信号が出力され、電磁石（18）への通電量の増加により
電磁石（18）による第２の磁界（b）の強さが大きくな
る。これにより、通過する二次電子がより一層曲げられ
て、半導体基板（14）及び電極板（19）に到達しにくく
なり、マイナスのチャージアップ量が減少し、電極板
（19）の表面全体でのプラスにイオン化した蒸着材料に
よるプラスのチャージアップ量と二次電子によるマイナ
スのチャージアップ量とが相殺される。
ち、電極板（19）に、プラスにイオン化した蒸着材料よ
りも二次電子の方が多く到達して、その表面がマイナス
にチャージアップされていると、モニタ（20）からは、
電磁石（18）による第２の磁界（b）の強さを大きくす
るような出力信号が送出され、その出力信号により磁力
制御器（21）から電磁石（18）への通電量を増加させる
信号が出力され、電磁石（18）への通電量の増加により
電磁石（18）による第２の磁界（b）の強さが大きくな
る。これにより、通過する二次電子がより一層曲げられ
て、半導体基板（14）及び電極板（19）に到達しにくく
なり、マイナスのチャージアップ量が減少し、電極板
（19）の表面全体でのプラスにイオン化した蒸着材料に
よるプラスのチャージアップ量と二次電子によるマイナ
スのチャージアップ量とが相殺される。
【００２７】逆に、二次電子よりもプラスにイオン化し
た蒸着材料の方が電極板（19）に多く到達して、その表
面がプラスにチャージアップされていると、モニタ（2
0）からは、電磁石（18）による磁界の強さを小さくす
るような出力信号が送出され、その出力信号により磁力
制御器（21）から電磁石（18）への通電量を減少させる
信号が出力され、電磁石（18）への通電量の減少により
電磁石（18）による第２の磁界（b）の強さが小さくな
る。これにより、通過する二次電子が曲げられにくくな
って、半導体基板（14）及び電極板（19）に到達しやす
くなり、マイナスにチャージアップ量が増加し、電極板
（19）の表面全体でのマイナスとプラスのチャージアッ
プ量が相殺される。
た蒸着材料の方が電極板（19）に多く到達して、その表
面がプラスにチャージアップされていると、モニタ（2
0）からは、電磁石（18）による磁界の強さを小さくす
るような出力信号が送出され、その出力信号により磁力
制御器（21）から電磁石（18）への通電量を減少させる
信号が出力され、電磁石（18）への通電量の減少により
電磁石（18）による第２の磁界（b）の強さが小さくな
る。これにより、通過する二次電子が曲げられにくくな
って、半導体基板（14）及び電極板（19）に到達しやす
くなり、マイナスにチャージアップ量が増加し、電極板
（19）の表面全体でのマイナスとプラスのチャージアッ
プ量が相殺される。
【００２８】以上のようにして、電極板（19）の表面で
のプラスとマイナスとの相対的なチャージアップ量に応
じて、モニタ（20）及び磁力制御器（21）を介して電磁
石（18）による第２の磁界（b）の強さを上述の如く調
整することにより、電極板（18）の表面でのプラスとマ
イナスのチャージアップ量の相殺でもって、電極板（1
8）、即ち、半導体基板（14）の表面が、プラスにイオ
ン化した蒸着材料及び二次電子により、プラス又はマイ
ナスのいずれにもチャージアップしないようにする。
のプラスとマイナスとの相対的なチャージアップ量に応
じて、モニタ（20）及び磁力制御器（21）を介して電磁
石（18）による第２の磁界（b）の強さを上述の如く調
整することにより、電極板（18）の表面でのプラスとマ
イナスのチャージアップ量の相殺でもって、電極板（1
8）、即ち、半導体基板（14）の表面が、プラスにイオ
ン化した蒸着材料及び二次電子により、プラス又はマイ
ナスのいずれにもチャージアップしないようにする。
【００２９】また、蒸着源（13）での蒸着材料の蒸発条
件や種類が変更されて、二次電子のエネルギー及びその
量が変動したとしても、上述したような調整でもって電
磁石（18）による第２の磁界（b）の強さを可変するこ
とにより、二次電子のエネルギー及びその量に左右され
ることなく、半導体基板（14）の表面を、常に、プラス
又はマイナスのいずれにもチャージアップしないように
することができる。
件や種類が変更されて、二次電子のエネルギー及びその
量が変動したとしても、上述したような調整でもって電
磁石（18）による第２の磁界（b）の強さを可変するこ
とにより、二次電子のエネルギー及びその量に左右され
ることなく、半導体基板（14）の表面を、常に、プラス
又はマイナスのいずれにもチャージアップしないように
することができる。
【００３０】尚、上記実施例では、磁界発生手段とし
て、電磁石（18）について説明したが、本発明はこれに
限定されることなく、図２に示すように移動可能な永久
磁石（22）を使用することも可能で、磁力制御器（21）
からの出力信号に基づいて、駆動機構（23）を作動さ
せ、その駆動機構（23）により上記永久磁石（22）を所
定量移動させることによって、永久磁石（22）による第
２の磁界（b）を強さを可変する。
て、電磁石（18）について説明したが、本発明はこれに
限定されることなく、図２に示すように移動可能な永久
磁石（22）を使用することも可能で、磁力制御器（21）
からの出力信号に基づいて、駆動機構（23）を作動さ
せ、その駆動機構（23）により上記永久磁石（22）を所
定量移動させることによって、永久磁石（22）による第
２の磁界（b）を強さを可変する。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、蒸着源から被蒸着物に
向かう二次電子を曲げる磁界発生手段の磁界の強さを可
変としたから、蒸着材料の蒸発条件や種類により二次電
子のエネルギーやその量が変化したり、また、蒸着材料
の一部がイオン化しても、その蒸着材料の蒸発条件や種
類、イオン化した蒸着材料の量に応じて、被蒸着物の表
面がチャージアップしないような適正な磁界の強さを設
定することが可能となり、製品の歩留まりが大幅に向上
し、条件出し等の調整作業の手間が省けて作業性が飛躍
的に向上する。
向かう二次電子を曲げる磁界発生手段の磁界の強さを可
変としたから、蒸着材料の蒸発条件や種類により二次電
子のエネルギーやその量が変化したり、また、蒸着材料
の一部がイオン化しても、その蒸着材料の蒸発条件や種
類、イオン化した蒸着材料の量に応じて、被蒸着物の表
面がチャージアップしないような適正な磁界の強さを設
定することが可能となり、製品の歩留まりが大幅に向上
し、条件出し等の調整作業の手間が省けて作業性が飛躍
的に向上する。
【図１】本発明に係る真空蒸着装置の一実施例を示す概
略構成図
略構成図
【図２】本発明の他の実施例を示す概略構成図
【図３】真空蒸着装置の従来例を示す概略構成図
11 真空チャンバ 13 蒸着源 14 被蒸着物〔半導体基板〕 18 磁界発生手段〔電磁石〕 19 電極板 20 モニタ 21 磁力制御器 b 磁界
Claims (4)
- 【請求項１】 真空チャンバ内に配置した蒸着源に電子
ビームを入射させ、その入射エネルギーにより蒸着源を
加熱溶融させ、その蒸着源から蒸発した蒸着材料を、蒸
着源と対向配置した被蒸着物の表面に被着させるものに
おいて、 上記蒸着源と被蒸着物との間での蒸着材料の進路途中
に、蒸着源から発生して被蒸着物に向かう二次電子の進
路を曲げる磁界発生手段を配置し、その磁界発生手段の
磁界の強さを可変としたことを特徴とする真空蒸着装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁界の強さが可変な磁界
発生手段と、被蒸着物と同一状態で配置されたチャージ
アップ量測定用の電極板と、その電極板でのチャージア
ップ量を監視するモニタと、そのモニタで検知されたチ
ャージアップ量に基づいて、磁界発生手段の磁界の強さ
を制御する磁力制御器とを具備したことを特徴とする真
空蒸着装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の磁界発生手段が、
電磁石であることを特徴とする真空蒸着装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の磁界発生手段が、
移動可能な永久磁石であることを特徴とする真空蒸着装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19801192A JPH0641731A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19801192A JPH0641731A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0641731A true JPH0641731A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=16384028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19801192A Withdrawn JPH0641731A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0641731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006233305A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜方法及び成膜装置、自発光素子の製造方法及び製造装置 |
| CN113088905A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-07-09 | 深圳力合防伪技术有限公司 | 自旋回波变异波谱镀膜及其制备方法 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP19801192A patent/JPH0641731A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006233305A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜方法及び成膜装置、自発光素子の製造方法及び製造装置 |
| CN113088905A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-07-09 | 深圳力合防伪技术有限公司 | 自旋回波变异波谱镀膜及其制备方法 |
| CN113088905B (zh) * | 2021-03-22 | 2022-06-10 | 深圳力合防伪技术有限公司 | 自旋回波变异波谱镀膜及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |