JPH0642601B2 - 高周波加熱装置用dcブレ−ク - Google Patents
高周波加熱装置用dcブレ−クInfo
- Publication number
- JPH0642601B2 JPH0642601B2 JP62028165A JP2816587A JPH0642601B2 JP H0642601 B2 JPH0642601 B2 JP H0642601B2 JP 62028165 A JP62028165 A JP 62028165A JP 2816587 A JP2816587 A JP 2816587A JP H0642601 B2 JPH0642601 B2 JP H0642601B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- break
- ferrite plate
- heating device
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Plasma Technology (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は核融合装置のプラズマを追加熱する高周波加熱
装置、特にイオンサイクロトロン周波数帯高周波加熱装
置に用いるDCブレークに関するものである。
装置、特にイオンサイクロトロン周波数帯高周波加熱装
置に用いるDCブレークに関するものである。
(従来の技術) 核融合装置のプラズマ加熱は、プラズマ中に電流を通し
て加熱するジュール加熱の他に、第2段加熱方法として
中性粒子入射加熱法や高周波加熱法等が採用されてい
る。
て加熱するジュール加熱の他に、第2段加熱方法として
中性粒子入射加熱法や高周波加熱法等が採用されてい
る。
高周波加熱法は、高周波電磁エネルギーをプラズマに吸
収させてプラズマの温度を上げる方法で使用する周波数
によって各種の方式があり、その1つにイオンサイクロ
トロン周波数帯(以下「ICRF」と略称する。)高周
波加熱方法がある。
収させてプラズマの温度を上げる方法で使用する周波数
によって各種の方式があり、その1つにイオンサイクロ
トロン周波数帯(以下「ICRF」と略称する。)高周
波加熱方法がある。
ICRF高周波加熱装置は第4図に示すように、高出力
の100MHz帯の高周波を発生し増幅する高周波発振器
1、この高周波発振器1から発生した高周波出力を伝送
する伝送系2、この伝送系2に接続され、高周波出力を
トカマク容器3内のプラズマ4に放出するアンテナに相
当する結合系5から構成されている。
の100MHz帯の高周波を発生し増幅する高周波発振器
1、この高周波発振器1から発生した高周波出力を伝送
する伝送系2、この伝送系2に接続され、高周波出力を
トカマク容器3内のプラズマ4に放出するアンテナに相
当する結合系5から構成されている。
結合系5は、給電部となる同軸管6の外周に設けられた
フランジ7がトカマク容器3に直接接続される。同軸管
6の先端にはアンテナ導体8が取付けられ、さらにアン
テナ導体8のプラズマ4側にファラデーシールド9が装
着されている。
フランジ7がトカマク容器3に直接接続される。同軸管
6の先端にはアンテナ導体8が取付けられ、さらにアン
テナ導体8のプラズマ4側にファラデーシールド9が装
着されている。
このようなプラズマ加熱用の高周波加熱装置では、トカ
マク容器3の電位変動が直接高周波発振器1に加わらな
いようにすると共に、電位変動による雑音が制御設備等
に混入し誤動作させる事を避けるため、トカマク容器3
に取付けられた結合系5への高周波電力を供給する伝送
系2の一部を直流的に切り離す必要がある。この直流的
に切離す装置がDCブレーク10であり、伝送系2の一
部に取付けられる。
マク容器3の電位変動が直接高周波発振器1に加わらな
いようにすると共に、電位変動による雑音が制御設備等
に混入し誤動作させる事を避けるため、トカマク容器3
に取付けられた結合系5への高周波電力を供給する伝送
系2の一部を直流的に切り離す必要がある。この直流的
に切離す装置がDCブレーク10であり、伝送系2の一
部に取付けられる。
このような同軸管6に使用するDCブレーク10は、従
来、第5図に示すように、外管11と内管12とで構成
された同軸管6の一部に、外管11と内管12の各々に
同心円状の隙間13を設け、この隙間13をコンデンサ
ーにしたものである。隙間13には一般的に誘電体14
を挿入してコンデンサーの静電容量を充分大きくとって
いる。
来、第5図に示すように、外管11と内管12とで構成
された同軸管6の一部に、外管11と内管12の各々に
同心円状の隙間13を設け、この隙間13をコンデンサ
ーにしたものである。隙間13には一般的に誘電体14
を挿入してコンデンサーの静電容量を充分大きくとって
いる。
静電容量を大きくとることにより、高周波電力はほとん
ど減衰なく通過させるが、トカマク容器3の電位変動の
ようなパルス電流に対しては通過を阻止することが出来
る。
ど減衰なく通過させるが、トカマク容器3の電位変動の
ようなパルス電流に対しては通過を阻止することが出来
る。
この様なDCブレーク10では、隙間13の端部開口部
13aからわずかではあるが電波が漏洩する。その量は
構造にもよるが一般的に入力電力の1/107以上であ
る。従って、小電力の場合は特に問題にならないが、M
W級の大電力高周波加熱装置では、伝搬電力10MW、
漏洩量71/107と仮定した場合には、漏洩電力は1
Wにもなる。
13aからわずかではあるが電波が漏洩する。その量は
構造にもよるが一般的に入力電力の1/107以上であ
る。従って、小電力の場合は特に問題にならないが、M
W級の大電力高周波加熱装置では、伝搬電力10MW、
漏洩量71/107と仮定した場合には、漏洩電力は1
Wにもなる。
このような大きな漏洩電波は他の計測系を誤動作させる
のみならず人的影響も問題になる等の電波障害の原因に
なる。
のみならず人的影響も問題になる等の電波障害の原因に
なる。
(発明が解決しようとする問題点) このように従来の高周波加熱装置用DCブレークでは、
内管と外管との隙間を利用したコンデンサ方式であるの
で、該隙間の端部開口部から比較的多量の電波漏洩が発
生し、問題であった。
内管と外管との隙間を利用したコンデンサ方式であるの
で、該隙間の端部開口部から比較的多量の電波漏洩が発
生し、問題であった。
そこで、本発明の目的は電波漏洩量の小さい高性能の大
電力高周波加熱装置用DCブレークを提供する事であ
る。
電力高周波加熱装置用DCブレークを提供する事であ
る。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は前記問題点を解決し且つ目的を達成するために
次のように構成したことを特徴としている。すなわち、
本発明による高周波加熱装置用DCブレークは、内管と
外管とで構成された高周波電力の給電路としての同軸管
の一部を直流的に切離す高周波加熱装置用DCブレーク
において、 前記外管の端部開口部に絶縁板を介して対向して設けら
れ且つその内周が前記外管に固着された2枚のフランジ
と、 これらフランジの外周に取付けられた導電性リングと、 この導電性リングと前記外管との環状空間部に固着され
たドーナツ状のフェライト板と、 このフェライト板の背に貼付されたショート板と、 前記導電性リングの内周と前記フェライト板、前記ショ
ート板及び前記一枚のフランジの外周とを絶縁する薄膜
の絶縁環と、 を具備し、 前記フェライト板の外周を、前記ショート板に電気的に
接触するように取付けられた別の導電材と前記ショート
板とで覆ったことを特徴とする。
次のように構成したことを特徴としている。すなわち、
本発明による高周波加熱装置用DCブレークは、内管と
外管とで構成された高周波電力の給電路としての同軸管
の一部を直流的に切離す高周波加熱装置用DCブレーク
において、 前記外管の端部開口部に絶縁板を介して対向して設けら
れ且つその内周が前記外管に固着された2枚のフランジ
と、 これらフランジの外周に取付けられた導電性リングと、 この導電性リングと前記外管との環状空間部に固着され
たドーナツ状のフェライト板と、 このフェライト板の背に貼付されたショート板と、 前記導電性リングの内周と前記フェライト板、前記ショ
ート板及び前記一枚のフランジの外周とを絶縁する薄膜
の絶縁環と、 を具備し、 前記フェライト板の外周を、前記ショート板に電気的に
接触するように取付けられた別の導電材と前記ショート
板とで覆ったことを特徴とする。
(作用) このような手段を講じたことにより、外管の端部開口部
から漏洩した電波及び前記フェライト板と前記導電性リ
ングとの間の隙間から漏洩した電波は、前記フェライト
板で吸収されることになる。
から漏洩した電波及び前記フェライト板と前記導電性リ
ングとの間の隙間から漏洩した電波は、前記フェライト
板で吸収されることになる。
(実施例) 以下第1図ないし第3図を参照して本発明の一実施例に
ついて説明する。なお、第1図ないし第3図において
は、第4図ないし第5図と同一部分には同一符号を付し
てその詳細な説明は省略する。
ついて説明する。なお、第1図ないし第3図において
は、第4図ないし第5図と同一部分には同一符号を付し
てその詳細な説明は省略する。
第1図ないし第3図において、外管11と内管12とで
構成された同軸管6の一部ち、外管11と内管12との
各々に同心円状の隙間13を設け、隙間13には絶縁物
である誘電体14が装填されている。
構成された同軸管6の一部ち、外管11と内管12との
各々に同心円状の隙間13を設け、隙間13には絶縁物
である誘電体14が装填されている。
外管11の端部開口部13aの外周には絶縁板15が装
着され、この絶縁板15は、外管11に固着された2枚
のフランジ16,17で挟持され且つ絶縁ボルト19、
絶縁ワッシャ25で締結されている。また、フランジ1
6,17の外周には導電性リング18を配置する。な
お、導電性リング18の一端は、フランジ17に電気接
触するように取付けられている。
着され、この絶縁板15は、外管11に固着された2枚
のフランジ16,17で挟持され且つ絶縁ボルト19、
絶縁ワッシャ25で締結されている。また、フランジ1
6,17の外周には導電性リング18を配置する。な
お、導電性リング18の一端は、フランジ17に電気接
触するように取付けられている。
導電性リング18と外管11との環状空間部には複数枚
のフェライト板20を装着し、フェライト板20の反開
口部側には導電性のショート板21が貼付けられてい
る。また、フェライト板20の外周は、ショート板21
に電気的に接触するように取付けられた別の導電材22
と、導電性のショート板21とで覆われている。この構
成は、フェライト板20の電波吸収効率を格段に向上さ
せるための手段として機能する。
のフェライト板20を装着し、フェライト板20の反開
口部側には導電性のショート板21が貼付けられてい
る。また、フェライト板20の外周は、ショート板21
に電気的に接触するように取付けられた別の導電材22
と、導電性のショート板21とで覆われている。この構
成は、フェライト板20の電波吸収効率を格段に向上さ
せるための手段として機能する。
また導電性リング18とフランジ16、ショート板2
1、フェライト板20の外周とは薄膜の絶縁環23で電
気的に絶縁されている。
1、フェライト板20の外周とは薄膜の絶縁環23で電
気的に絶縁されている。
導電性リング18は組立上2分割が好ましいのでバンド
24で締められている。
24で締められている。
この様に構成された本実施例のDCブレークにおいて、
開口部13aからの漏洩電波の一部は、(一部は反射す
る)は、フランジ16と導電性リング18との環状隙間
(絶縁環23)から洩れるが、フェライト板20に吸収
されて熱になる。
開口部13aからの漏洩電波の一部は、(一部は反射す
る)は、フランジ16と導電性リング18との環状隙間
(絶縁環23)から洩れるが、フェライト板20に吸収
されて熱になる。
さらに、フェライト板20と導電性リング18との環状
隙間(絶縁環23)から漏れた電波は第2段のフェライ
ト板20で吸収される。しかも、フェライト板20の外
周は、ショート板21に電気的に接触するように取付け
られた別の導電材22と、導電性のショート板21とで
覆われているので、フェライト板20の電波吸収効率は
格段に向上するものとなる。最終的に導電性リング18
の開放端18aから漏洩する電波量は開口部13aから
の漏洩量の約1/1000以下にすることが可能であ
る。
隙間(絶縁環23)から漏れた電波は第2段のフェライ
ト板20で吸収される。しかも、フェライト板20の外
周は、ショート板21に電気的に接触するように取付け
られた別の導電材22と、導電性のショート板21とで
覆われているので、フェライト板20の電波吸収効率は
格段に向上するものとなる。最終的に導電性リング18
の開放端18aから漏洩する電波量は開口部13aから
の漏洩量の約1/1000以下にすることが可能であ
る。
第3図に従来のDCブレークと本実施例DCブレークの
漏洩量の実測例を示す。
漏洩量の実測例を示す。
第3図において横軸は周波数で、縦軸が漏洩量LdBであ
る。
る。
LdB=10logPL/PI ここでPLは漏洩パワー、PIは伝送パワーを示す。発
明品は従来品に比して30dB小さくなっている。すなわ
ち漏洩量が従来品に対して1/103≒1/1000に
なっていることを示している。
明品は従来品に比して30dB小さくなっている。すなわ
ち漏洩量が従来品に対して1/103≒1/1000に
なっていることを示している。
[発明の効果] 以上述べたように本発明による高周波加熱装置用DCブ
レークは、内管と外管とで構成された高周波電力の給電
路としての同軸管の一部を直流的に切離す高周波加熱装
置用DCブレークにおいて、 前記外管の端部開口部に絶縁板を介して対向して設けら
れ且つその内周が前記外管に固着された2枚のフランジ
と、 これらフランジの外周に取付けられた導電性リングと、 この導電性リングと前記外管との環状空間部に固着され
たドーナツ状のフェライト板と、 このフェライト板の背に貼付されたショート板と、 前記導電性リングの内周と前記フェライト板、前記ショ
ート板及び前記一枚のフランジの外周とを絶縁する薄膜
の絶縁環と、 を具備し、 前記フェライト板の外周を、前記シーョト板に電気的に
接触するように取付けられた別の導電材と前記ショート
板とで覆ったことを特徴とする。
レークは、内管と外管とで構成された高周波電力の給電
路としての同軸管の一部を直流的に切離す高周波加熱装
置用DCブレークにおいて、 前記外管の端部開口部に絶縁板を介して対向して設けら
れ且つその内周が前記外管に固着された2枚のフランジ
と、 これらフランジの外周に取付けられた導電性リングと、 この導電性リングと前記外管との環状空間部に固着され
たドーナツ状のフェライト板と、 このフェライト板の背に貼付されたショート板と、 前記導電性リングの内周と前記フェライト板、前記ショ
ート板及び前記一枚のフランジの外周とを絶縁する薄膜
の絶縁環と、 を具備し、 前記フェライト板の外周を、前記シーョト板に電気的に
接触するように取付けられた別の導電材と前記ショート
板とで覆ったことを特徴とする。
このような構成を有する本願発明によれば、前記外管の
端部開口部から漏洩した電波及び前記フェライト板と前
記導電性リングとの間の隙間から漏洩した電波は、前記
フェライト板で吸収されることになる。しかも、前記フ
ェライト板の外周は、前記ショート板に電気的に接触す
るように取付けられた別の導電材と、導電性の前記ショ
ート板とで覆われているので、前記フェライト板の電波
吸収効率は格段に向上するものとなる。
端部開口部から漏洩した電波及び前記フェライト板と前
記導電性リングとの間の隙間から漏洩した電波は、前記
フェライト板で吸収されることになる。しかも、前記フ
ェライト板の外周は、前記ショート板に電気的に接触す
るように取付けられた別の導電材と、導電性の前記ショ
ート板とで覆われているので、前記フェライト板の電波
吸収効率は格段に向上するものとなる。
従って、同軸管の一部を直流的に切離すDCブレークの
機能を損なうことなく電波漏洩量を小さく出来る。した
がって大電力でも漏洩電力の絶対値が小さくなるので他
の計測系を誤動作させたり、人的影響等の電波障害を回
避できる高性能の大電力高周波加熱装置用DCブレーク
を提供できる。
機能を損なうことなく電波漏洩量を小さく出来る。した
がって大電力でも漏洩電力の絶対値が小さくなるので他
の計測系を誤動作させたり、人的影響等の電波障害を回
避できる高性能の大電力高周波加熱装置用DCブレーク
を提供できる。
第1図は本発明の高周波加熱装置用DCブレークの一実
施例を示す半断面図、第2図は第1図のII−II線に沿う
断面図、第3図は同実施例の効果を示す特性図、第4図
は本発明のDCブレークが用いられる高周波加熱装置の
概略構成図、第5図は従来のDCブレークを示す断面図
である。 1……高周波発振器、2……伝送系、5……結合系、6
……同軸管、10……DCブレーク、11……外管、1
2……内管、14……誘電体、15……絶縁板、16…
…フランジ、17……フランジ、18……導電性リン
グ、20……フェライト板、21……ショート板、22
……導電材、23……絶縁環。
施例を示す半断面図、第2図は第1図のII−II線に沿う
断面図、第3図は同実施例の効果を示す特性図、第4図
は本発明のDCブレークが用いられる高周波加熱装置の
概略構成図、第5図は従来のDCブレークを示す断面図
である。 1……高周波発振器、2……伝送系、5……結合系、6
……同軸管、10……DCブレーク、11……外管、1
2……内管、14……誘電体、15……絶縁板、16…
…フランジ、17……フランジ、18……導電性リン
グ、20……フェライト板、21……ショート板、22
……導電材、23……絶縁環。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 則幸 東京都港区芝浦1丁目1番1号 株式会社 東芝本社事務所内 (72)発明者 斉藤 靖 東京都港区芝浦1丁目1番1号 株式会社 東芝本社事務所内 (56)参考文献 特開 昭61−138500(JP,A) 特開 昭49−2466(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】内管と外管とで構成された高周波電力の給
電路としての同軸管の一部を直流的に切離す高周波加熱
装置用DCブレークにおいて、 前記外管の端部開口部に絶縁板を介して対向して設けら
れ且つその内周が前記外管に固着された2枚のフランジ
と、 これらフランジの外周に取付けられた導電性リングと、 この導電性リングと前記外管との環状空間部に固着され
たドーナツ状のフェライト板と、 このフェライト板の背に貼付されたショート板と、 前記導電性リングの内周と前記フェライト板、前記ショ
ート板及び前記一枚のフランジの外周とを絶縁する薄膜
の絶縁環と、 を具備し、 前記フェライト板の外周を、前記ショート板に電気的に
接触するように取付けられた別の導電材と前記ショート
板とで覆ったことを特徴とする高周波加熱装置用DCブ
レーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028165A JPH0642601B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 高周波加熱装置用dcブレ−ク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028165A JPH0642601B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 高周波加熱装置用dcブレ−ク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63197102A JPS63197102A (ja) | 1988-08-16 |
| JPH0642601B2 true JPH0642601B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=12241132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62028165A Expired - Lifetime JPH0642601B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 高周波加熱装置用dcブレ−ク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642601B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2642494B2 (ja) * | 1989-12-05 | 1997-08-20 | 株式会社東芝 | 直流成分阻止伝送路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242346B2 (ja) * | 1972-04-19 | 1977-10-24 | ||
| JPS61138500A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | 株式会社日立製作所 | 核融合装置の高周波加熱用ポ−ト |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP62028165A patent/JPH0642601B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63197102A (ja) | 1988-08-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |