JPH0643176Y2 - インライン式成膜装置 - Google Patents
インライン式成膜装置Info
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- JPH0643176Y2 JPH0643176Y2 JP10380989U JP10380989U JPH0643176Y2 JP H0643176 Y2 JPH0643176 Y2 JP H0643176Y2 JP 10380989 U JP10380989 U JP 10380989U JP 10380989 U JP10380989 U JP 10380989U JP H0643176 Y2 JPH0643176 Y2 JP H0643176Y2
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- Japan
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- substrate
- film thickness
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、順次搬送される基板に成膜を行なうインライ
ン式成膜装置に関し、詳しくは、イオンプレーティング
法、真空蒸着法、スパッタリング法等のPVD法あるいは
プラズマCVD法等により基板に成膜を行なうインライン
式成膜装置の改良に関する。
ン式成膜装置に関し、詳しくは、イオンプレーティング
法、真空蒸着法、スパッタリング法等のPVD法あるいは
プラズマCVD法等により基板に成膜を行なうインライン
式成膜装置の改良に関する。
［従来の技術］ 従来のインライン式成膜装置のうち、インライン式イオ
ンプレーティング装置を例により説明する。インライン
式イオンプレーティング装置として、第７図に模式断面
図を示すように、基板Ｐが順次搬送される搬送部101と
この搬送部101と開口102により連通する本体103とから
なる真空槽100と、本体103内で開口102に対向して設け
られ薄膜材料Ｍを基板Ｐに向かって放出する蒸発源104
とを具備したものが知られている。真空槽100は図示し
ない真空ポンプによって内部を真空に維持される。開口
102は搬送部101と本体103との間の遮蔽板105により仕切
られている。第７図のＢ−Ｂ矢視断面図を第８図に示す
ように、例えば２個の蒸発源104は、それぞれ図示しな
い電子ビームで薄膜材料Ｍを加熱し、本体103内に薄膜
材料Ｍを蒸発させる。薄膜材料Ｍの蒸発速度は、遮蔽板
105の裏面に設けられた水晶発振式膜厚モニタ106を介し
て一定となるように管理され、薄膜材料Ｍが開口102か
ら供給される搬送部101において基板Ｐが搬送されるた
め、基板Ｐに薄膜が成膜される。このように従来のイン
ライン式イオンプレーティング装置では、搬送部101に
おける基板Ｐの搬送速度と、水晶発振式膜厚モニタ106
により検出される薄膜材料Ｍの蒸発速度とによって、基
板Ｐに成膜される薄膜の膜厚が管理される。
ンプレーティング装置を例により説明する。インライン
式イオンプレーティング装置として、第７図に模式断面
図を示すように、基板Ｐが順次搬送される搬送部101と
この搬送部101と開口102により連通する本体103とから
なる真空槽100と、本体103内で開口102に対向して設け
られ薄膜材料Ｍを基板Ｐに向かって放出する蒸発源104
とを具備したものが知られている。真空槽100は図示し
ない真空ポンプによって内部を真空に維持される。開口
102は搬送部101と本体103との間の遮蔽板105により仕切
られている。第７図のＢ−Ｂ矢視断面図を第８図に示す
ように、例えば２個の蒸発源104は、それぞれ図示しな
い電子ビームで薄膜材料Ｍを加熱し、本体103内に薄膜
材料Ｍを蒸発させる。薄膜材料Ｍの蒸発速度は、遮蔽板
105の裏面に設けられた水晶発振式膜厚モニタ106を介し
て一定となるように管理され、薄膜材料Ｍが開口102か
ら供給される搬送部101において基板Ｐが搬送されるた
め、基板Ｐに薄膜が成膜される。このように従来のイン
ライン式イオンプレーティング装置では、搬送部101に
おける基板Ｐの搬送速度と、水晶発振式膜厚モニタ106
により検出される薄膜材料Ｍの蒸発速度とによって、基
板Ｐに成膜される薄膜の膜厚が管理される。
また、他の従来のインライン式イオンプレーティング装
置として、搬送方向に対して直角方向における基板の薄
膜の膜厚を管理するため、開口を仕切る遮蔽板を所定の
形状にしたものも知られている。
置として、搬送方向に対して直角方向における基板の薄
膜の膜厚を管理するため、開口を仕切る遮蔽板を所定の
形状にしたものも知られている。
［考案が解決しようとする課題］ 上記従来のイオンプレーティング装置で用いられている
水晶発振式膜厚モニタは、薄膜材料の蒸発速度の変動が
大きいため、一般に±５％程度以内の膜厚精度が限度で
ある。基板に光学多層膜を形成するためには、±１％程
度以下の膜厚精度が要求されるため、上記従来のインラ
イン式イオンプレーティング装置では光学多層膜の成膜
が困難であった。このような低い膜厚精度による不具合
は、プラズマCVD法等の他のインライン式成膜装置にお
いても存在するものである。
水晶発振式膜厚モニタは、薄膜材料の蒸発速度の変動が
大きいため、一般に±５％程度以内の膜厚精度が限度で
ある。基板に光学多層膜を形成するためには、±１％程
度以下の膜厚精度が要求されるため、上記従来のインラ
イン式イオンプレーティング装置では光学多層膜の成膜
が困難であった。このような低い膜厚精度による不具合
は、プラズマCVD法等の他のインライン式成膜装置にお
いても存在するものである。
本考案は、上記従来の不具合に鑑みてなされたものであ
り、膜厚精度の高い成膜が可能なインライン式成膜装置
を提供することを目的とする。
り、膜厚精度の高い成膜が可能なインライン式成膜装置
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本考案のインライン式成膜装置は、基板が順次搬送され
る搬送部と、該搬送部と開口により連通する本体とから
なる密閉容器と、 該本体内で該開口に対向して設けられ薄膜材料を該基板
に向かって放出する放出装置とを具備し、該本体より該
開口を介して飛来する該薄膜材料により該基板表面に薄
膜が成膜されるように構成されたインライン式成膜装置
において、 該開口は、該基板の搬送方向の後方に形成された主開口
と、該主開口より搬送方向の前方に形成された副開口と
よりなり、 該密閉容器は、該主開口で成膜された該基板の膜厚に相
当する物理量を検出する膜厚モニタと、該副開口の開口
面積を可変する可動遮蔽板と、該膜厚モニタの検出によ
り該可動遮蔽板を駆動する駆動部とを具備したことを特
徴とするものである。
る搬送部と、該搬送部と開口により連通する本体とから
なる密閉容器と、 該本体内で該開口に対向して設けられ薄膜材料を該基板
に向かって放出する放出装置とを具備し、該本体より該
開口を介して飛来する該薄膜材料により該基板表面に薄
膜が成膜されるように構成されたインライン式成膜装置
において、 該開口は、該基板の搬送方向の後方に形成された主開口
と、該主開口より搬送方向の前方に形成された副開口と
よりなり、 該密閉容器は、該主開口で成膜された該基板の膜厚に相
当する物理量を検出する膜厚モニタと、該副開口の開口
面積を可変する可動遮蔽板と、該膜厚モニタの検出によ
り該可動遮蔽板を駆動する駆動部とを具備したことを特
徴とするものである。
本考案で成膜装置とは、密閉容器と放出装置とを具備し
て、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリ
ング法等のPVD法あるいはプラズマCVD法等により基板に
成膜を行なう装置をいう。密閉容器は、基板が順次搬送
される搬送部と、この搬送部と開口により連通する本体
とからなる。放出装置は、密閉容器の本体内で開口に対
向して設けられ、薄膜材料を基板に向かって放出する。
成膜装置は、その他バイアス電圧印加手段等を具備し、
本体より開口を介して飛来する薄膜材料により基板表面
に薄膜が成膜されるよう構成されている。
て、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリ
ング法等のPVD法あるいはプラズマCVD法等により基板に
成膜を行なう装置をいう。密閉容器は、基板が順次搬送
される搬送部と、この搬送部と開口により連通する本体
とからなる。放出装置は、密閉容器の本体内で開口に対
向して設けられ、薄膜材料を基板に向かって放出する。
成膜装置は、その他バイアス電圧印加手段等を具備し、
本体より開口を介して飛来する薄膜材料により基板表面
に薄膜が成膜されるよう構成されている。
本考案のインライン式成膜装置の特徴とするところは開
口及び密閉容器にある。
口及び密閉容器にある。
密閉容器の搬送部と本体とを連通する開口は、基板の搬
送方向の後方に形成された主開口と、この主開口より搬
送方向の前方に形成された副開口とよりなる。副開口を
複数個形成することもできる。
送方向の後方に形成された主開口と、この主開口より搬
送方向の前方に形成された副開口とよりなる。副開口を
複数個形成することもできる。
密閉容器は、主開口で成膜された基板の膜厚に相当する
物理量を検出する膜厚モニタと、副開口の開口面積を可
変する可動遮蔽板と、膜厚モニタの検出により可動遮蔽
板を駆動する駆動部とを具備する。膜厚モニタとして
は、分光透過率や分光反射率を検出する光学式膜厚モニ
タを採用することができる。可動遮蔽板は、１枚でもよ
く、複数枚でもよい。
物理量を検出する膜厚モニタと、副開口の開口面積を可
変する可動遮蔽板と、膜厚モニタの検出により可動遮蔽
板を駆動する駆動部とを具備する。膜厚モニタとして
は、分光透過率や分光反射率を検出する光学式膜厚モニ
タを採用することができる。可動遮蔽板は、１枚でもよ
く、複数枚でもよい。
［作用］ 本考案のインライン式成膜装置では、基板は搬送部によ
って順次搬送され、本体内に設けられた放出装置は薄膜
材料を主開口及び副開口を介して搬送部の基板に放出す
る。主開口により成膜されるべき膜厚（主設定膜厚）を
設定膜厚よりやや薄い膜厚に設定して、主開口の開口面
積を基板の搬送速度及び薄膜材料の放出速度から決定す
れば、主開口を介して飛来する薄膜材料は基板表面に堆
積され、基板に主設定膜厚近くの薄膜が成膜される。こ
のとき、主設定膜厚と現実の膜厚とは±５％程度の誤差
があると考えられる。膜厚モニタは主開口で成膜された
基板の現実の膜厚に相当する物理量を検出する。この膜
厚モニタの検出により可動遮蔽板が駆動部により駆動さ
れ、設定膜厚と現実の膜厚との差である不足分（副設定
膜厚）を駆動部の駆動によって成膜できるように副開口
の開口面積が変化する。そして、開口面積が変化した副
開口を介して薄膜材料は基板表面に堆積され、副設定膜
厚近くの薄膜が成膜される。このとき、副設定膜厚と現
実の膜厚とは±５％程度の誤差があると考えられる。し
かしながら、本考案のインライン式成膜装置では、副設
定膜厚が主設定膜厚と主開口による現実の膜厚との間に
生じる±５％程度の誤差を補正して設定されるため、設
定膜厚と最終的な膜厚との間の誤差を軽減する。副開口
を複数設けたならば、その度に誤差を補正することが可
能となるため、より成膜精度が向上する。したがって、
本考案のインライン式成膜装置では、設定膜厚に対して
±１％程度以下の成膜精度で基板に薄膜が成膜できる。
って順次搬送され、本体内に設けられた放出装置は薄膜
材料を主開口及び副開口を介して搬送部の基板に放出す
る。主開口により成膜されるべき膜厚（主設定膜厚）を
設定膜厚よりやや薄い膜厚に設定して、主開口の開口面
積を基板の搬送速度及び薄膜材料の放出速度から決定す
れば、主開口を介して飛来する薄膜材料は基板表面に堆
積され、基板に主設定膜厚近くの薄膜が成膜される。こ
のとき、主設定膜厚と現実の膜厚とは±５％程度の誤差
があると考えられる。膜厚モニタは主開口で成膜された
基板の現実の膜厚に相当する物理量を検出する。この膜
厚モニタの検出により可動遮蔽板が駆動部により駆動さ
れ、設定膜厚と現実の膜厚との差である不足分（副設定
膜厚）を駆動部の駆動によって成膜できるように副開口
の開口面積が変化する。そして、開口面積が変化した副
開口を介して薄膜材料は基板表面に堆積され、副設定膜
厚近くの薄膜が成膜される。このとき、副設定膜厚と現
実の膜厚とは±５％程度の誤差があると考えられる。し
かしながら、本考案のインライン式成膜装置では、副設
定膜厚が主設定膜厚と主開口による現実の膜厚との間に
生じる±５％程度の誤差を補正して設定されるため、設
定膜厚と最終的な膜厚との間の誤差を軽減する。副開口
を複数設けたならば、その度に誤差を補正することが可
能となるため、より成膜精度が向上する。したがって、
本考案のインライン式成膜装置では、設定膜厚に対して
±１％程度以下の成膜精度で基板に薄膜が成膜できる。
［実施例］ 以下、本考案をインライン式イオンプレーティング装置
に具体化した実施例を図面を参照しつつ説明する。
に具体化した実施例を図面を参照しつつ説明する。
このイオンプレーティング装置は、第１図に概略を示す
ように、内部を図示しない真空ポンプにより真空に維持
可能な密閉容器としての真空槽１と、薄膜材料Ｍを基板
Ｐに向かって放出する放出装置としての２個の蒸発源２
（第２図参照）とを具備している。
ように、内部を図示しない真空ポンプにより真空に維持
可能な密閉容器としての真空槽１と、薄膜材料Ｍを基板
Ｐに向かって放出する放出装置としての２個の蒸発源２
（第２図参照）とを具備している。
真空槽１は、第１図に示すように、基板Ｐが順次搬送さ
れる搬送部11と、この搬送部11の下方に形成された本体
12とからなる。搬送部11は、第１図及び第２図に示すよ
うに、本体12との間で基板Ｐの搬送方向に沿って後方か
ら順に、手動遮蔽板111、固定遮蔽板112及び６枚の可動
遮蔽板113a〜ｆをもつ。この手動遮蔽板111は手動操作
により本体12上を案内される。また、固定遮蔽板112は
搬送部11の側壁に固定されている。さらに、可動遮蔽板
113a〜ｆは、それぞれがステッピングモータ43（第３図
参照）により駆動されて本体12上を案内される。こうし
て、手動遮蔽板111と固定遮蔽板112との間に主開口13a
が形成され、固定遮蔽板112と可動遮蔽板113a〜ｆとの
間に副開口13bが形成されている。そして、搬送部11と
本体12とが主開口13a及び副開口13bにより連通してい
る。なお、搬送部11は、基板Ｐを搬送する図示しない基
板ホルダを備えている。
れる搬送部11と、この搬送部11の下方に形成された本体
12とからなる。搬送部11は、第１図及び第２図に示すよ
うに、本体12との間で基板Ｐの搬送方向に沿って後方か
ら順に、手動遮蔽板111、固定遮蔽板112及び６枚の可動
遮蔽板113a〜ｆをもつ。この手動遮蔽板111は手動操作
により本体12上を案内される。また、固定遮蔽板112は
搬送部11の側壁に固定されている。さらに、可動遮蔽板
113a〜ｆは、それぞれがステッピングモータ43（第３図
参照）により駆動されて本体12上を案内される。こうし
て、手動遮蔽板111と固定遮蔽板112との間に主開口13a
が形成され、固定遮蔽板112と可動遮蔽板113a〜ｆとの
間に副開口13bが形成されている。そして、搬送部11と
本体12とが主開口13a及び副開口13bにより連通してい
る。なお、搬送部11は、基板Ｐを搬送する図示しない基
板ホルダを備えている。
また、この真空槽１は、第１図に示すように、搬送部11
の上面と固定遮蔽板112との間に、主開口13aで成膜され
た基板Ｐの膜厚に相当する分光透過率を検出する光学式
膜厚モニタ14をもつ。この光学式膜厚モニタ14は、固定
遮蔽板112の上面に固定され上向きに光を出す投光部141
a〜ｆ（141b〜ｆは図示せず）と、搬送部11の上面に固
定され基板Ｐに形成された薄膜及び基板Ｐを透過した光
を受ける受光部142a〜ｆとからなる。
の上面と固定遮蔽板112との間に、主開口13aで成膜され
た基板Ｐの膜厚に相当する分光透過率を検出する光学式
膜厚モニタ14をもつ。この光学式膜厚モニタ14は、固定
遮蔽板112の上面に固定され上向きに光を出す投光部141
a〜ｆ（141b〜ｆは図示せず）と、搬送部11の上面に固
定され基板Ｐに形成された薄膜及び基板Ｐを透過した光
を受ける受光部142a〜ｆとからなる。
さらに、この真空槽１は、光学式膜厚モニタ14の検出に
より可動遮蔽板113a〜ｆを駆動する駆動部４を具備して
いる。この駆動部４は、第３図に示すように、可動遮蔽
板113aに固定されたラック41と、このラック41と噛合す
るピニオン42と、このピニオン42を回転軸にもつロータ
リエンコーダを備えたステッピングモータ43とからな
る。ステッピングモータ43及び光学式膜厚モニタ14の受
光部142aは、CPU、メモリ、出力I/F及び入力I/Fをもつ
制御装置５に接続されている。制御装置５は、受光部14
2aの検出する分光透過率から基板Ｐの不足分の膜厚を算
出し、この不足分に相当する分だけ可動遮蔽板113aを駆
動する。他の可動遮蔽板113b〜ｆも光学式膜厚モニタ14
の受光部142b〜ｆと同様に構成されている。こうして、
可動遮蔽板113a〜ｆが駆動部４により駆動され、副開口
13bの開口面積が変化する。なお、第１図及び第２図に
は駆動部４等を図示していない。
より可動遮蔽板113a〜ｆを駆動する駆動部４を具備して
いる。この駆動部４は、第３図に示すように、可動遮蔽
板113aに固定されたラック41と、このラック41と噛合す
るピニオン42と、このピニオン42を回転軸にもつロータ
リエンコーダを備えたステッピングモータ43とからな
る。ステッピングモータ43及び光学式膜厚モニタ14の受
光部142aは、CPU、メモリ、出力I/F及び入力I/Fをもつ
制御装置５に接続されている。制御装置５は、受光部14
2aの検出する分光透過率から基板Ｐの不足分の膜厚を算
出し、この不足分に相当する分だけ可動遮蔽板113aを駆
動する。他の可動遮蔽板113b〜ｆも光学式膜厚モニタ14
の受光部142b〜ｆと同様に構成されている。こうして、
可動遮蔽板113a〜ｆが駆動部４により駆動され、副開口
13bの開口面積が変化する。なお、第１図及び第２図に
は駆動部４等を図示していない。
蒸発源２は、第１図に示すように、本体12の内部のほほ
中央で主開口13a及び副開口13bに対向して２個設けられ
ている。蒸発源２は、電子銃を備えた従来と同一のもの
であり、薄膜材料Ｍを基板Ｐに向かって蒸発させる。
中央で主開口13a及び副開口13bに対向して２個設けられ
ている。蒸発源２は、電子銃を備えた従来と同一のもの
であり、薄膜材料Ｍを基板Ｐに向かって蒸発させる。
本実施例のイオンプレーティング装置は、上記真空槽１
及び蒸発源２の他、基板Ｐにバイアス電圧を印加する図
示しない直流バイアス電圧印加手段と、蒸発源２から蒸
発した薄膜材料Ｍをイオン化する図示しない高周波励起
コイルと、イオン化した薄膜材料Ｍの蒸発速度を検出す
る水晶発振式膜厚モニタ３とを具備している。水晶発振
式膜厚モニタ３は、第１図に示すように、従来のものと
同様に図示しない膜厚コントローラを介して蒸発源２の
電子銃を制御するものであり、固定遮蔽板112の下面に
固定されている。
及び蒸発源２の他、基板Ｐにバイアス電圧を印加する図
示しない直流バイアス電圧印加手段と、蒸発源２から蒸
発した薄膜材料Ｍをイオン化する図示しない高周波励起
コイルと、イオン化した薄膜材料Ｍの蒸発速度を検出す
る水晶発振式膜厚モニタ３とを具備している。水晶発振
式膜厚モニタ３は、第１図に示すように、従来のものと
同様に図示しない膜厚コントローラを介して蒸発源２の
電子銃を制御するものであり、固定遮蔽板112の下面に
固定されている。
次に、本実施例のイオンプレーティング装置の作動につ
いて説明する。まず、第４図に示すように、作業者は、
基板Ｐに成膜する薄膜の設定膜厚Ｔを定め、この設定膜
厚Ｔの95％として主設定膜厚T1を決定する。このイオン
プレーティング装置は、第５図に示すように、S1で初期
設定を行なった後、S2で設定膜厚Ｔ、主設定膜厚T1及び
搬送部11が基板Ｐを搬送する搬送速度Ｖを図示しないキ
ーボードで入力される。そしてS3で成膜を実行し、S4に
おいて蒸発源２が薄膜材料Ｍを蒸発させる蒸発速度ｖが
水晶発振式膜厚モニタ３により入力される。これらによ
って主開口13aの開口面積が決定され、作業者が第１図
に示す手動遮蔽板111を所定の位置に動かす。こうし
て、このイオンプレーティング装置は、本体12より主開
口13aを介して飛来する薄膜材料Ｍにより基板Ｐ表面に
薄膜を成膜する。S5においては基板Ｐが主開口13aを通
過しつつあるまで待つ。S6ではステッピングモータ41等
のロータリエンコーダから可動遮蔽板113a等の元位置xo
が入力され、S7では光学式膜厚モニタ14から信号が入力
される。S8では、モニタ14からの信号で算出した分光透
過率から主開口13aによる膜厚t1が算出され、設定膜厚
Ｔ−膜厚t1から副開口13bで成膜すべき副設定膜厚T2が
算出される（第４図参照）。また、このS8では副設定膜
厚T2から可動遮蔽板113a等の目標位置ｘが算出される。
S9では|xo−x|に相当する正逆のパルスをステッピング
モータ41等に出力し、S10ではステッピングモータ41等
のロータリエンコーダから可動遮断板113a等の現在位置
x1が入力される。S11では可動遮蔽板113a等が現位置x1
から目標位置ｘに移るまで待つ。こうして、このイオン
プレーティング装置は、本体12より副開口13bを介して
飛来する薄膜材料Ｍにより基板Ｐ表面に不足分の薄膜を
成膜する。そして、S12で所定の枚数の基板Ｐの成膜が
終わったか否か判断し、NOであればS13で現位置x1を元
位置x0とし、S3に戻る。
いて説明する。まず、第４図に示すように、作業者は、
基板Ｐに成膜する薄膜の設定膜厚Ｔを定め、この設定膜
厚Ｔの95％として主設定膜厚T1を決定する。このイオン
プレーティング装置は、第５図に示すように、S1で初期
設定を行なった後、S2で設定膜厚Ｔ、主設定膜厚T1及び
搬送部11が基板Ｐを搬送する搬送速度Ｖを図示しないキ
ーボードで入力される。そしてS3で成膜を実行し、S4に
おいて蒸発源２が薄膜材料Ｍを蒸発させる蒸発速度ｖが
水晶発振式膜厚モニタ３により入力される。これらによ
って主開口13aの開口面積が決定され、作業者が第１図
に示す手動遮蔽板111を所定の位置に動かす。こうし
て、このイオンプレーティング装置は、本体12より主開
口13aを介して飛来する薄膜材料Ｍにより基板Ｐ表面に
薄膜を成膜する。S5においては基板Ｐが主開口13aを通
過しつつあるまで待つ。S6ではステッピングモータ41等
のロータリエンコーダから可動遮蔽板113a等の元位置xo
が入力され、S7では光学式膜厚モニタ14から信号が入力
される。S8では、モニタ14からの信号で算出した分光透
過率から主開口13aによる膜厚t1が算出され、設定膜厚
Ｔ−膜厚t1から副開口13bで成膜すべき副設定膜厚T2が
算出される（第４図参照）。また、このS8では副設定膜
厚T2から可動遮蔽板113a等の目標位置ｘが算出される。
S9では|xo−x|に相当する正逆のパルスをステッピング
モータ41等に出力し、S10ではステッピングモータ41等
のロータリエンコーダから可動遮断板113a等の現在位置
x1が入力される。S11では可動遮蔽板113a等が現位置x1
から目標位置ｘに移るまで待つ。こうして、このイオン
プレーティング装置は、本体12より副開口13bを介して
飛来する薄膜材料Ｍにより基板Ｐ表面に不足分の薄膜を
成膜する。そして、S12で所定の枚数の基板Ｐの成膜が
終わったか否か判断し、NOであればS13で現位置x1を元
位置x0とし、S3に戻る。
このイオンプレーティング装置では、T1＝0.95Tとした
ため、水晶発振式膜厚モニタ３等の誤差から±５％の誤
差があるとして、t1＝0.95T1〜1.05T1となる。また、Ｔ
−t1＝T2であり、光学式膜厚モニタ14の誤差からも±５
％の誤差があるとして、副開口13bで成膜される膜厚をt
2とすると、t2＝0.95T2〜1.05T2となる。これらからt1
＋t2＝ｔの上限及び下限を計算すると、ｔmax＝1.00012
5T、ｔmin＝0.995125Tとなる。したがって、ｔmax−ｔ
min＝0.005Tの膜厚誤差となる。すなわち、このイオン
プレーティング装置は、±0.5％の膜厚精度で膜厚を管
理でき、従来のものと比べて10倍の精度で膜厚を管理す
ることができる。
ため、水晶発振式膜厚モニタ３等の誤差から±５％の誤
差があるとして、t1＝0.95T1〜1.05T1となる。また、Ｔ
−t1＝T2であり、光学式膜厚モニタ14の誤差からも±５
％の誤差があるとして、副開口13bで成膜される膜厚をt
2とすると、t2＝0.95T2〜1.05T2となる。これらからt1
＋t2＝ｔの上限及び下限を計算すると、ｔmax＝1.00012
5T、ｔmin＝0.995125Tとなる。したがって、ｔmax−ｔ
min＝0.005Tの膜厚誤差となる。すなわち、このイオン
プレーティング装置は、±0.5％の膜厚精度で膜厚を管
理でき、従来のものと比べて10倍の精度で膜厚を管理す
ることができる。
なお、上記実施例では、光学式膜厚モニタとして、投光
部141a等と受光部142a等とからなる透過式のものを採用
したが、第６図に示すように、投光部143と受光部144と
からなる反射式のものを採用することもできる。この場
合には、基板Ｐが不透明である場合にも膜厚の測定が可
能である。
部141a等と受光部142a等とからなる透過式のものを採用
したが、第６図に示すように、投光部143と受光部144と
からなる反射式のものを採用することもできる。この場
合には、基板Ｐが不透明である場合にも膜厚の測定が可
能である。
本考案の成膜装置では、設定膜厚の80〜95％、より好ま
しくは90〜95％の範囲で主設定膜厚を定めることが好ま
しい。これにより従来のものと比べて５〜10倍の膜厚精
度が得られるからである。
しくは90〜95％の範囲で主設定膜厚を定めることが好ま
しい。これにより従来のものと比べて５〜10倍の膜厚精
度が得られるからである。
［考案の効果］ 以上詳述したように、本考案のインライン式成膜装置
は、膜厚モニタが主開口における成膜後の膜厚に相当す
る物理量を検出し、この検出によって可動遮蔽板が副開
口の開口面積を変化させ、副開口において設定膜厚との
不足分を成膜するため、膜厚精度の高い成膜が可能であ
る。したがって、本考案のイオンライン式成膜装置を用
いれば、光学多層膜の成膜も容易である。
は、膜厚モニタが主開口における成膜後の膜厚に相当す
る物理量を検出し、この検出によって可動遮蔽板が副開
口の開口面積を変化させ、副開口において設定膜厚との
不足分を成膜するため、膜厚精度の高い成膜が可能であ
る。したがって、本考案のイオンライン式成膜装置を用
いれば、光学多層膜の成膜も容易である。
第１図〜第５図は本考案の一実施例のイオンプレーティ
ング装置に係り、第１図は模式断面図、第２図は第１図
のＡ−Ａ矢視断面図、第３図は部分断面図及びブロック
図、第４図は説明図、第５図はフローチャートである。
第６図は他の実施例の一部を示す断面図である。第７図
及び第８図は従来のイオンプレーティング装置に係り、
第７図は模式断面図、第８図は第７図のＢ−Ｂ矢視断面
図である。 Ｐ……基板、Ｍ……薄膜材料 １……真空槽（密閉容器） 11……搬送部、113……可動遮蔽板 12……本体、13a……主開口 13b……副開口、14……光学式膜厚モニタ ２……蒸発源（放出装置） ４……駆動部
ング装置に係り、第１図は模式断面図、第２図は第１図
のＡ−Ａ矢視断面図、第３図は部分断面図及びブロック
図、第４図は説明図、第５図はフローチャートである。
第６図は他の実施例の一部を示す断面図である。第７図
及び第８図は従来のイオンプレーティング装置に係り、
第７図は模式断面図、第８図は第７図のＢ−Ｂ矢視断面
図である。 Ｐ……基板、Ｍ……薄膜材料 １……真空槽（密閉容器） 11……搬送部、113……可動遮蔽板 12……本体、13a……主開口 13b……副開口、14……光学式膜厚モニタ ２……蒸発源（放出装置） ４……駆動部
Claims (1)
- 【請求項１】基板が順次搬送される搬送部と、該搬送部
と開口により連通する本体とからなる密閉容器と、 該本体内で該開口に対向して設けられ薄膜材料を該基板
に向かって放出する放出装置とを具備し、 該本体より該開口を介して飛来する該薄膜材料により該
基板表面に薄膜が成膜されるように構成されたインライ
ン式成膜装置において、 該開口は、該基板の搬送方向の後方に形成された主開口
と、該主開口より搬送方向の前方に形成された副開口と
よりなり、 該密閉容器は、該主開口で成膜された該基板の膜厚に相
当する物理量を検出する膜厚モニタと、該副開口の開口
面積を可変する可動遮蔽板と、該膜厚モニタの検出によ
り該可動遮蔽板を駆動する駆動部とを具備したことを特
徴とするインライン式成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10380989U JPH0643176Y2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | インライン式成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10380989U JPH0643176Y2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | インライン式成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341845U JPH0341845U (ja) | 1991-04-22 |
| JPH0643176Y2 true JPH0643176Y2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=31652630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10380989U Expired - Lifetime JPH0643176Y2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | インライン式成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0643176Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4792242B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2011-10-12 | オリンパス株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP4900057B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2012-03-21 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| FR3001160B1 (fr) * | 2013-01-18 | 2016-05-27 | Saint Gobain | Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revetement |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP10380989U patent/JPH0643176Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341845U (ja) | 1991-04-22 |
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