JPH0644322B2 - 磁気バイアス発生装置 - Google Patents
磁気バイアス発生装置Info
- Publication number
- JPH0644322B2 JPH0644322B2 JP14498086A JP14498086A JPH0644322B2 JP H0644322 B2 JPH0644322 B2 JP H0644322B2 JP 14498086 A JP14498086 A JP 14498086A JP 14498086 A JP14498086 A JP 14498086A JP H0644322 B2 JPH0644322 B2 JP H0644322B2
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- Japan
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- magnetic
- bias generator
- permanent magnet
- pole pieces
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 9
- 230000004323 axial length Effects 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Reciprocating, Oscillating Or Vibrating Motors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気ディスク記憶装置の書き込み装置に使
用される磁気バイアス発生装置に関するものである。
用される磁気バイアス発生装置に関するものである。
（従来技術） 従来技術における問題点を第３図により説明する。
第３図は従来から実施されている光磁気ディスク記憶装
置の概念図であるが、光磁気ディスク記憶装置もその基
本機能は他の磁気ディスク記憶装置と同じで、回転円板
の表面に磁性体薄膜を形成した磁気ディスクを定速で回
転させ、該磁気ディスクに接近して配設した磁気ヘッド
により前記磁気ディスク上の磁性体薄膜を磁化してデー
タを記憶し、或いは逆に磁気ディスク上の磁化された磁
性体薄膜の磁束の変化により誘導される磁気ヘッドの電
圧を検出してデータを読み出すものである。
置の概念図であるが、光磁気ディスク記憶装置もその基
本機能は他の磁気ディスク記憶装置と同じで、回転円板
の表面に磁性体薄膜を形成した磁気ディスクを定速で回
転させ、該磁気ディスクに接近して配設した磁気ヘッド
により前記磁気ディスク上の磁性体薄膜を磁化してデー
タを記憶し、或いは逆に磁気ディスク上の磁化された磁
性体薄膜の磁束の変化により誘導される磁気ヘッドの電
圧を検出してデータを読み出すものである。
磁気ディスク 101の記憶媒体としてその表面に形成され
る磁性体薄膜 100において、データを記憶するエリアが
磁気ヘッド（図示なし）の厚さに相当する巾で、前記磁
気ディスク 101の回転中心から磁気ヘッドの停止位置ま
での距離を半径とした円環状を成すものであり、該円環
状のエリア：トラックを同心状に多数形成する事で多量
のデータを記憶せしめる事は周知の通りである。
る磁性体薄膜 100において、データを記憶するエリアが
磁気ヘッド（図示なし）の厚さに相当する巾で、前記磁
気ディスク 101の回転中心から磁気ヘッドの停止位置ま
での距離を半径とした円環状を成すものであり、該円環
状のエリア：トラックを同心状に多数形成する事で多量
のデータを記憶せしめる事は周知の通りである。
従来の磁気ディスク記憶装置では、記憶容量を高める為
の手段の一つとして磁気ヘッドの厚さを薄くする事でト
ラックの巾を狭くし、磁性体薄膜 100の面上でのトラッ
クの数を増加する方法が講じられているが、磁気ヘッド
の厚さを薄くする事が感度の低下をもたらすという問題
を抱えていた。
の手段の一つとして磁気ヘッドの厚さを薄くする事でト
ラックの巾を狭くし、磁性体薄膜 100の面上でのトラッ
クの数を増加する方法が講じられているが、磁気ヘッド
の厚さを薄くする事が感度の低下をもたらすという問題
を抱えていた。
この問題点を解決し、トラック密度を高める為に考案さ
れたのが光磁気ディスク記憶装置である。
れたのが光磁気ディスク記憶装置である。
第３図（ｃ）において磁気ディスク 101の表面に形成さ
れた磁性体薄膜 100に対し、磁気バイアス発生装置 105
からの磁束 115がほぼ垂直に作用し、前記磁性体薄膜 1
00の表裏に磁極を示す磁区 111を形成する。
れた磁性体薄膜 100に対し、磁気バイアス発生装置 105
からの磁束 115がほぼ垂直に作用し、前記磁性体薄膜 1
00の表裏に磁極を示す磁区 111を形成する。
該磁区 111の極性は前記磁気バイアス発生装置からのバ
イアス磁束 115に倣うものである。
イアス磁束 115に倣うものである。
又、光ビーム発生装置 104からの光ビーム 114は前記磁
性体薄膜 100上で焦点を結ぶ様に照射されるもので、こ
の光ビーム 114に照射された磁性体薄膜 100の極めて狭
い“面”は照射された光の熱エネルギーで瞬時的に加熱
される。
性体薄膜 100上で焦点を結ぶ様に照射されるもので、こ
の光ビーム 114に照射された磁性体薄膜 100の極めて狭
い“面”は照射された光の熱エネルギーで瞬時的に加熱
される。
この加熱で当該磁気ディスク 101に使用されている磁性
材料がキューリー点を越える事で既存の磁極は消滅し、
新たな磁化即ち新しいデータの記憶に備える状態とな
る。この磁極が消滅した“面”である当該磁区 111は、
磁気バイアス発生装置 105からの磁束 115により新しい
磁極を形成する事で、データを記憶するものである。
該光ビーム 114を利用した構成は、集光された光の照射
巾を従来の磁気ヘッドの厚さに規制される限界寸法に対
し、格段に小さいものとする事が出来るものである為、
加熱され磁気が消滅する“面”即ち磁区 111の巾が小さ
く、従って従来の磁気ディスクよりも大巾に記憶容量を
増加出来る。
材料がキューリー点を越える事で既存の磁極は消滅し、
新たな磁化即ち新しいデータの記憶に備える状態とな
る。この磁極が消滅した“面”である当該磁区 111は、
磁気バイアス発生装置 105からの磁束 115により新しい
磁極を形成する事で、データを記憶するものである。
該光ビーム 114を利用した構成は、集光された光の照射
巾を従来の磁気ヘッドの厚さに規制される限界寸法に対
し、格段に小さいものとする事が出来るものである為、
加熱され磁気が消滅する“面”即ち磁区 111の巾が小さ
く、従って従来の磁気ディスクよりも大巾に記憶容量を
増加出来る。
しかし上述の様な性能向上の反面、実用されている光磁
気ディスク記録装置は、磁気バイアス発生装置 105を所
定のデータ処理を行うトラックの位置に移動する為のリ
ニアモータ 106を必要とする事や、バイアス磁束を発生
する為の磁気バイアス発生装置 105のコイルの大きさが
装置全体の小形化の妨げになっている事等の問題があっ
た。
気ディスク記録装置は、磁気バイアス発生装置 105を所
定のデータ処理を行うトラックの位置に移動する為のリ
ニアモータ 106を必要とする事や、バイアス磁束を発生
する為の磁気バイアス発生装置 105のコイルの大きさが
装置全体の小形化の妨げになっている事等の問題があっ
た。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、記憶容量を損う事がなく、而も構成が簡単な
光磁気ディスク記憶装置を実現する事の出来る磁気バイ
アス発生装置を得るにある。
光磁気ディスク記憶装置を実現する事の出来る磁気バイ
アス発生装置を得るにある。
（２）発明の構成 （問題点を解決する為の手段） 本発明の磁気バイアス発生装置は、回転自在に軸支され
その円周上に多極着磁され，少なくもその長さが当該磁
気ディスクの全トラック巾の寸法に相当する円筒状永久
磁石と、磁気ヨークで連結され、前記永久磁石に対しそ
の転回方向に大きさが変化する如く形成される空隙を介
して軸に対称に配設された一対の磁極片と、前記磁気ヨ
ークに２個の固定子巻線を巻装し、前記２個の固定子巻
線に前記一対の磁極片が同じ極性となるように通電する
構成となっている。
その円周上に多極着磁され，少なくもその長さが当該磁
気ディスクの全トラック巾の寸法に相当する円筒状永久
磁石と、磁気ヨークで連結され、前記永久磁石に対しそ
の転回方向に大きさが変化する如く形成される空隙を介
して軸に対称に配設された一対の磁極片と、前記磁気ヨ
ークに２個の固定子巻線を巻装し、前記２個の固定子巻
線に前記一対の磁極片が同じ極性となるように通電する
構成となっている。
（作 用） 前述の様な構成においては、所定のトラックの位置に移
動する為のリニアモータを必要とせず、固定した磁気バ
イアス発生装置への信号付与のみで、所定のデータ処理
を行う事が出来る他、装置全体の小形化を実現する事が
出来る如き作用効果をもたらす。
動する為のリニアモータを必要とせず、固定した磁気バ
イアス発生装置への信号付与のみで、所定のデータ処理
を行う事が出来る他、装置全体の小形化を実現する事が
出来る如き作用効果をもたらす。
（実施例） 以下図面によって、本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明に成る磁気バイアス発生装置の実施例の
構成と、其の動作ステップを説明する為の平面図であ
る。該実施例は回転子を形成する永久磁石３の外周に４
極着磁した例であるが、同図（ａ）の如く、両磁極片１
−１，１−１′に近接する前記永久磁石３の外周が夫々
Ｓ極である時、磁気ヨーク１−２で連結された前記両磁
極片１−１，１−１′が共にＳ極（表示Ｓ′）となる様
に前記磁気ヨーク１−２に巻装された２個の固定子巻線
２を励磁すると、該磁極片１−１，１−１′のＳ極（表
示：Ｓ′）とこれに対向する前記永久磁石３の外周のＳ
極（表示：Ｓ１とＳ２）とが互いに反発し、前記回転自
在に支承された永久磁石３は同図の実線矢印の如くＣＣ
Ｗか、又は破線矢印の如くＣＷに転回する。該転回動作
は、前記実線矢印のＣＣＷ動作の例では、同図（ａ）の
両磁極片１−１，１−１′の中間に位置する、永久磁石
３の外周のＮ極（表示：Ｎ１）を同図（ｂ）の如くＳ極
（表示：Ｓ２）に変換する結果をもたらし、該箇所に近
接する磁気ヘッド（図示なし，同図上方に位置）への磁
気照射を同図夫々に矢印で逆転表示している様に、バイ
アス磁束：Φの方向を反転する事になる。第１図（ｂ）
の両極磁片１−１，１−１′の中間位置の永久磁石３の
外周のＳ極（表示：Ｓ１：Ｓ２）をＮ極に再転換する為
には、前記固定子巻数２の励磁電流の方向を反転させれ
ばよく、該固定子巻線２の励磁反転が両磁極片１−１，
１−１′をＮ極に転換し、その結果は同図（ｃ）に示す
如く初期の状態である同図（ａ）と一致する事になる。
構成と、其の動作ステップを説明する為の平面図であ
る。該実施例は回転子を形成する永久磁石３の外周に４
極着磁した例であるが、同図（ａ）の如く、両磁極片１
−１，１−１′に近接する前記永久磁石３の外周が夫々
Ｓ極である時、磁気ヨーク１−２で連結された前記両磁
極片１−１，１−１′が共にＳ極（表示Ｓ′）となる様
に前記磁気ヨーク１−２に巻装された２個の固定子巻線
２を励磁すると、該磁極片１−１，１−１′のＳ極（表
示：Ｓ′）とこれに対向する前記永久磁石３の外周のＳ
極（表示：Ｓ１とＳ２）とが互いに反発し、前記回転自
在に支承された永久磁石３は同図の実線矢印の如くＣＣ
Ｗか、又は破線矢印の如くＣＷに転回する。該転回動作
は、前記実線矢印のＣＣＷ動作の例では、同図（ａ）の
両磁極片１−１，１−１′の中間に位置する、永久磁石
３の外周のＮ極（表示：Ｎ１）を同図（ｂ）の如くＳ極
（表示：Ｓ２）に変換する結果をもたらし、該箇所に近
接する磁気ヘッド（図示なし，同図上方に位置）への磁
気照射を同図夫々に矢印で逆転表示している様に、バイ
アス磁束：Φの方向を反転する事になる。第１図（ｂ）
の両極磁片１−１，１−１′の中間位置の永久磁石３の
外周のＳ極（表示：Ｓ１：Ｓ２）をＮ極に再転換する為
には、前記固定子巻数２の励磁電流の方向を反転させれ
ばよく、該固定子巻線２の励磁反転が両磁極片１−１，
１−１′をＮ極に転換し、その結果は同図（ｃ）に示す
如く初期の状態である同図（ａ）と一致する事になる。
即ち、固定子巻線２の励磁電流の方向を変換する丈で、
バイアス磁束：Φの方向を転換出来るものである。
バイアス磁束：Φの方向を転換出来るものである。
また前述の通り上記構成では、固定子巻線２の励磁電流
の方向を転換するだけで永久磁石３を転回させるのでそ
の転回方向は安定的でなく任意である為、この改善を図
り転回方向を安定化する手段として、第２図に例示する
様に両磁極片１−１，１−１′の中心を、回転体である
永久磁石３の中心に対し互いに逆方向にずらせたり
（ａ）、両極磁片１−１，１−１′の先端を永久磁石３
に対し勾配をもって対向する如く形成する（ｂ）等の手
段で、双方の磁極片が形成する転回方向の空隙の大きさ
g11， g12に変化を与える様な構成としてもよい。
の方向を転換するだけで永久磁石３を転回させるのでそ
の転回方向は安定的でなく任意である為、この改善を図
り転回方向を安定化する手段として、第２図に例示する
様に両磁極片１−１，１−１′の中心を、回転体である
永久磁石３の中心に対し互いに逆方向にずらせたり
（ａ）、両極磁片１−１，１−１′の先端を永久磁石３
に対し勾配をもって対向する如く形成する（ｂ）等の手
段で、双方の磁極片が形成する転回方向の空隙の大きさ
g11， g12に変化を与える様な構成としてもよい。
また、前記永久磁石３の長さを当該磁気ディスクの全ト
ラック巾相当以上の寸法とする事により、全てのトラッ
クに対し該磁気バイアス発生装置の位置を移動する事な
しに単に永久磁石３の転回動作だけで任意の磁化処理が
出来る構成としている。
ラック巾相当以上の寸法とする事により、全てのトラッ
クに対し該磁気バイアス発生装置の位置を移動する事な
しに単に永久磁石３の転回動作だけで任意の磁化処理が
出来る構成としている。
（３）発明の効果 本発明の磁気バイアス発生装置は上記の様な構成である
ので、永久磁石回転子に空隙を介して対向する２つの磁
極片を連結する磁気ヨークに巻装した固定子巻線の通電
方向を切り替えるだけで、当該磁気ディスクの全トラッ
ク巾に対する任意の極性のバイアス磁束を得る事が出来
るほか、可動部分が質量の小さい回転子のみである事か
ら、応答が早く構成が簡単となり、小形軽量化を実現で
きるという利点がある。
ので、永久磁石回転子に空隙を介して対向する２つの磁
極片を連結する磁気ヨークに巻装した固定子巻線の通電
方向を切り替えるだけで、当該磁気ディスクの全トラッ
ク巾に対する任意の極性のバイアス磁束を得る事が出来
るほか、可動部分が質量の小さい回転子のみである事か
ら、応答が早く構成が簡単となり、小形軽量化を実現で
きるという利点がある。
第１図は本発明に成る磁気バイアス発生装置の実施例
と、其の動作ステップを説明する為の平面図で、初期状
態（ａ）、両磁極片磁化によるバイアス磁束反転状態
（ｂ）及び磁極片極性反転によるバイアス磁束再反転の
状態（ｃ）、第２図は同本発明で永久磁石の転回方向を
安定化する例の平面図、第３図は従来から実施されてい
る光磁気ディスク記憶装置の概念図で、平面図（ａ），
正面図（ｂ）及び主要部拡大図（ｃ）である。 符号の説明 １……固定子、１−１，１−１′……磁極片、２……固
定子巻線、３……永久磁石、100……磁性体薄膜、 101……磁気ディスク、102……ディスク駆動用電動機、
103……装置全体の基板、104……光ビーム発生装置、10
5……磁気バイアス発生装置、106……磁気バイアス発生
装置の移動用リニアモータ、111……磁区、114……光ビ
ーム、115……バイアス磁束。
と、其の動作ステップを説明する為の平面図で、初期状
態（ａ）、両磁極片磁化によるバイアス磁束反転状態
（ｂ）及び磁極片極性反転によるバイアス磁束再反転の
状態（ｃ）、第２図は同本発明で永久磁石の転回方向を
安定化する例の平面図、第３図は従来から実施されてい
る光磁気ディスク記憶装置の概念図で、平面図（ａ），
正面図（ｂ）及び主要部拡大図（ｃ）である。 符号の説明 １……固定子、１−１，１−１′……磁極片、２……固
定子巻線、３……永久磁石、100……磁性体薄膜、 101……磁気ディスク、102……ディスク駆動用電動機、
103……装置全体の基板、104……光ビーム発生装置、10
5……磁気バイアス発生装置、106……磁気バイアス発生
装置の移動用リニアモータ、111……磁区、114……光ビ
ーム、115……バイアス磁束。
Claims (2)
- 【請求項１】光磁気ディスク記憶装置に使用する磁気バ
イアス発生装置において、回転自在に軸支されその円周
上に多極着磁され軸方向の長さが少なくとも当該記憶装
置の光磁気ディスクの全トラック巾の寸法を有する円筒
状永久磁石と、磁気ヨークで連結され前記永久磁石と空
隙を介し軸に対称に配設された１対の磁極片と、前記磁
気ヨークに巻装された２個の固定子巻線とより成り、前
記２個の固定子巻線に前記一対の磁極片が同じ極性とな
るように通電する事を特徴とする光磁気デスク記憶装置
に使用される磁気バイアス発生装置。 - 【請求項２】前記対を成す磁極片と円筒状永久磁石とが
形成する空隙の長さを、転回方向に対応して変化せしめ
て構成した事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
磁気バイアス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14498086A JPH0644322B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 磁気バイアス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14498086A JPH0644322B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 磁気バイアス発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634401A JPS634401A (ja) | 1988-01-09 |
| JPH0644322B2 true JPH0644322B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15374677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14498086A Expired - Lifetime JPH0644322B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 磁気バイアス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644322B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105085B2 (ja) * | 1986-07-30 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 光磁気デイスク装置 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP14498086A patent/JPH0644322B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634401A (ja) | 1988-01-09 |
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