JPH0644528A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0644528A JPH0644528A JP31931591A JP31931591A JPH0644528A JP H0644528 A JPH0644528 A JP H0644528A JP 31931591 A JP31931591 A JP 31931591A JP 31931591 A JP31931591 A JP 31931591A JP H0644528 A JPH0644528 A JP H0644528A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドの磁極加工速度を速くし、か
つスループットを改善した薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 磁性体層１３、１８より成る磁気回路、前記
磁気回路中に形成された非磁性材料より成る磁気間隙層
１９、及び前記磁気回路に叉交するように形成されたコ
イル１６とから成る誘導型薄膜磁気ヘッドであって、前
記磁気間隙層がカーボン膜から成る。
つスループットを改善した薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 磁性体層１３、１８より成る磁気回路、前記
磁気回路中に形成された非磁性材料より成る磁気間隙層
１９、及び前記磁気回路に叉交するように形成されたコ
イル１６とから成る誘導型薄膜磁気ヘッドであって、前
記磁気間隙層がカーボン膜から成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、磁気
テープ装置等に使用される誘導型薄膜磁気ヘッドに関わ
り、特に通常磁気ギャップと呼ばれる磁気間隙を成す材
料に関するものである。
テープ装置等に使用される誘導型薄膜磁気ヘッドに関わ
り、特に通常磁気ギャップと呼ばれる磁気間隙を成す材
料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の磁気記録分野においては、高記録
密度化が益々進み記録媒体と共に磁気記録技術を支える
磁気ヘッドにおいても、従来のフェライトヘッドに替わ
り、集積化薄膜技術を用いた薄膜磁気ヘッドが実用化さ
れてきている。この薄膜磁気ヘッドは周波数特性が優れ
ており、しかも半導体テクノロジーに基づく製造プロセ
スが適用されるので高精度の高記録密度用磁気ヘッドを
低価格に製造することが可能となり、今や磁気ヘッドの
主流と成りつつある。
密度化が益々進み記録媒体と共に磁気記録技術を支える
磁気ヘッドにおいても、従来のフェライトヘッドに替わ
り、集積化薄膜技術を用いた薄膜磁気ヘッドが実用化さ
れてきている。この薄膜磁気ヘッドは周波数特性が優れ
ており、しかも半導体テクノロジーに基づく製造プロセ
スが適用されるので高精度の高記録密度用磁気ヘッドを
低価格に製造することが可能となり、今や磁気ヘッドの
主流と成りつつある。
【０００３】図３は上述した薄膜磁気ヘッドの構造を示
す概略断面図である。図３において、アルミナー炭化チ
タニウム等からなる基板１０上に絶縁層１２が公知の薄
膜成膜法（例えばスパッタリング法）を用いて成膜され
ている。ついで、軟磁性材料からなる下部磁性体層１３
が集積化薄膜技術を用いて形成される。その後、所定の
ギャップ長に等しい膜厚を持つ磁気間隙層１４が形成さ
れる。ついで、前記下部磁性体層１３の段差解消層１５
が形成され、導電性材料よりなるコイル１６が形成され
る。その後、コイル１６の段差解消層１７が形成され
る。次に、上部磁性体層１８が下部磁性体層１３と同様
にして形成され、保護層（図示せず）が成膜されて薄膜
磁気ヘッドのトランスデューサーが完成される。
す概略断面図である。図３において、アルミナー炭化チ
タニウム等からなる基板１０上に絶縁層１２が公知の薄
膜成膜法（例えばスパッタリング法）を用いて成膜され
ている。ついで、軟磁性材料からなる下部磁性体層１３
が集積化薄膜技術を用いて形成される。その後、所定の
ギャップ長に等しい膜厚を持つ磁気間隙層１４が形成さ
れる。ついで、前記下部磁性体層１３の段差解消層１５
が形成され、導電性材料よりなるコイル１６が形成され
る。その後、コイル１６の段差解消層１７が形成され
る。次に、上部磁性体層１８が下部磁性体層１３と同様
にして形成され、保護層（図示せず）が成膜されて薄膜
磁気ヘッドのトランスデューサーが完成される。
【０００４】ところで、上部あるいは下部磁性体層それ
ぞれ１８、１３の加工方法、特に鉄系高飽和磁化材料を
用いた上部あるいは下部磁性体層１８、１３の加工法と
して、第１４回日本応用磁気学会学術講演概要集１６５
頁（以下、文献１と呼ぶ）に塩素系ガスを用いた反応性
イオンエッチング法が開示されている。この方法は上部
磁性体層１８あるいは下部磁性体層１３の加工法として
従来より一般的に用いられている不活性ガス（例えばＡ
ｒガス）を用いたイオンミーリング法に比較して、矩形
断面パターンを高いエッチング速度で実現できる加工法
であり、今後鉄系高飽和磁化材料が上部あるいは下部磁
性体層１８、１３を成す材料として用いられるにつれ
て、上部あるいは下部磁性体層の新たな加工法として採
用されていくものと期待される。
ぞれ１８、１３の加工方法、特に鉄系高飽和磁化材料を
用いた上部あるいは下部磁性体層１８、１３の加工法と
して、第１４回日本応用磁気学会学術講演概要集１６５
頁（以下、文献１と呼ぶ）に塩素系ガスを用いた反応性
イオンエッチング法が開示されている。この方法は上部
磁性体層１８あるいは下部磁性体層１３の加工法として
従来より一般的に用いられている不活性ガス（例えばＡ
ｒガス）を用いたイオンミーリング法に比較して、矩形
断面パターンを高いエッチング速度で実現できる加工法
であり、今後鉄系高飽和磁化材料が上部あるいは下部磁
性体層１８、１３を成す材料として用いられるにつれ
て、上部あるいは下部磁性体層の新たな加工法として採
用されていくものと期待される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述した
塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング法を薄膜磁
気ヘッドの磁極加工工程に採用し、下部磁性体層１３と
上部磁性体層１８を一括して加工して所定のトラック幅
を持つ薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、以下に述べ
る如き問題点があった。
塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング法を薄膜磁
気ヘッドの磁極加工工程に採用し、下部磁性体層１３と
上部磁性体層１８を一括して加工して所定のトラック幅
を持つ薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、以下に述べ
る如き問題点があった。
【０００６】すなわち、下部磁性体層１３と上部磁性体
層１８の間には、磁気ギャップとなる磁気間隙層１４が
挿入されている。通常磁気間隙層１４の材料としては、
膜厚０．２〜０．３μｍ程度のアルミナ膜が用いられる
が、文献１で開示された磁性体層の加工法を用いて、磁
性体層の加工と連続して磁気間隙層の加工を行った場
合、磁気間隙層１４を成すアルミナ膜のエッチング速度
がきわめて遅く、磁極加工時間が異常にかかり、ヘッド
作製時のスループットが悪いという問題点があった。例
えば、磁性体層を成す材料をＦｅＳｉＡｌ合金とした場
合、既に文献１に指摘されているように、ＦｅＳｉＡｌ
膜に対するアルミナ膜の選択比は約２０と大きな値であ
る。従って、磁気間隙層１４の膜厚を０．３μｍとした
場合、僅か０．３μｍのアルミナ膜を加工するのに要す
る時間は、上下両磁性体層１３、１８の膜厚の和にほぼ
等しい約６μｍのＦｅＳｉＡｌ膜を加工する時間と等価
と見積ることが出来、薄膜磁気ヘッドの磁極加工時間の
半分を磁気間隙層１４の加工に費やす計算となる。
層１８の間には、磁気ギャップとなる磁気間隙層１４が
挿入されている。通常磁気間隙層１４の材料としては、
膜厚０．２〜０．３μｍ程度のアルミナ膜が用いられる
が、文献１で開示された磁性体層の加工法を用いて、磁
性体層の加工と連続して磁気間隙層の加工を行った場
合、磁気間隙層１４を成すアルミナ膜のエッチング速度
がきわめて遅く、磁極加工時間が異常にかかり、ヘッド
作製時のスループットが悪いという問題点があった。例
えば、磁性体層を成す材料をＦｅＳｉＡｌ合金とした場
合、既に文献１に指摘されているように、ＦｅＳｉＡｌ
膜に対するアルミナ膜の選択比は約２０と大きな値であ
る。従って、磁気間隙層１４の膜厚を０．３μｍとした
場合、僅か０．３μｍのアルミナ膜を加工するのに要す
る時間は、上下両磁性体層１３、１８の膜厚の和にほぼ
等しい約６μｍのＦｅＳｉＡｌ膜を加工する時間と等価
と見積ることが出来、薄膜磁気ヘッドの磁極加工時間の
半分を磁気間隙層１４の加工に費やす計算となる。
【０００７】本発明の目的は、以上述べてきた薄膜磁気
ヘッドの磁極加工工程での問題点を解決した新規な薄膜
磁気ヘッド、並びにその製造方法を提供することであ
る。
ヘッドの磁極加工工程での問題点を解決した新規な薄膜
磁気ヘッド、並びにその製造方法を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁性体
層より成る磁気回路と、前記磁気回路中に形成された非
磁性材料より成る磁気間隙層（磁気ギャップ）と、及び
前記磁気回路に叉交するように形成された導体薄膜より
成るコイルと、を有する誘導型薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気間隙層がカーボンから成ることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドが得られる。
層より成る磁気回路と、前記磁気回路中に形成された非
磁性材料より成る磁気間隙層（磁気ギャップ）と、及び
前記磁気回路に叉交するように形成された導体薄膜より
成るコイルと、を有する誘導型薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気間隙層がカーボンから成ることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドが得られる。
【０００９】ここで、磁性体層の加工は塩素系ガス中で
の反応性イオンエッチング法を用いて行われ、磁気間隙
層となるカーボン膜は酸素を主成分としたガス中での反
応性イオンエッチング法を用いて加工される。
の反応性イオンエッチング法を用いて行われ、磁気間隙
層となるカーボン膜は酸素を主成分としたガス中での反
応性イオンエッチング法を用いて加工される。
【００１０】
【作用】磁気間隙材料として一般的なアルミナは、既に
文献１でも指摘されているように、塩素系ガスというき
わめて活性な物質に対しても、極めて僅かしかエッチン
グされず非常に安定である。種々検討したが、本発明者
の検討した範囲では、アルミナを高速に加工することは
きわめて困難であり、磁気間隙を成す材料をアルミナと
する限り、スループットのこれ以上の改善は望めないと
判断された。そこで、本発明者は高速加工可能な磁気間
隙層の材料、及び加工法について再度検討した。その結
果、磁気間隙層をなす材料をカーボン膜とし、しかもこ
のカーボン膜の加工を酸素ガスを主成分とするガス中で
の反応性イオンエッチング法を用いて行うことで、磁極
加工工程に要する時間を大幅に短縮でき、スループット
の良い薄膜磁気ヘッドの製造方法が実現できることを見
いだした。以下、幾つかの加工法でエッチングした時の
カーボン膜の加工速度について説明を加える。
文献１でも指摘されているように、塩素系ガスというき
わめて活性な物質に対しても、極めて僅かしかエッチン
グされず非常に安定である。種々検討したが、本発明者
の検討した範囲では、アルミナを高速に加工することは
きわめて困難であり、磁気間隙を成す材料をアルミナと
する限り、スループットのこれ以上の改善は望めないと
判断された。そこで、本発明者は高速加工可能な磁気間
隙層の材料、及び加工法について再度検討した。その結
果、磁気間隙層をなす材料をカーボン膜とし、しかもこ
のカーボン膜の加工を酸素ガスを主成分とするガス中で
の反応性イオンエッチング法を用いて行うことで、磁極
加工工程に要する時間を大幅に短縮でき、スループット
の良い薄膜磁気ヘッドの製造方法が実現できることを見
いだした。以下、幾つかの加工法でエッチングした時の
カーボン膜の加工速度について説明を加える。
【００１１】加工方法の検討には、市販の平行平板型の
イオンエッチング装置を用い、次の３つの方法を検討し
た。 方法１：文献１で開示された塩素系ガス中での反応性イ
オンエッチング法。
イオンエッチング装置を用い、次の３つの方法を検討し
た。 方法１：文献１で開示された塩素系ガス中での反応性イ
オンエッチング法。
【００１２】ガス種類：四塩化炭素、ガス圧：３．５Ｐ
ａ、投入電力：１５０Ｗ 方法２：Ａｒガス中でのイオンエッチング法。
ａ、投入電力：１５０Ｗ 方法２：Ａｒガス中でのイオンエッチング法。
【００１３】ガス種類：Ａｒ、ガス圧：３．５Ｐａ、投
入電力：１５０Ｗ 方法３：酸素ガス中での反応性イオンエッチング法。
入電力：１５０Ｗ 方法３：酸素ガス中での反応性イオンエッチング法。
【００１４】ガス種類：酸素、ガス圧：３．５Ｐａ、投
入電力：１５０Ｗ 尚、加工速度の測定は膜厚１μｍのカーボン膜をエッチ
グ除去するのに要した時間を計測し、膜厚をこのエッチ
ング時間で割り、単位時間当りの加工速度を求めた。
入電力：１５０Ｗ 尚、加工速度の測定は膜厚１μｍのカーボン膜をエッチ
グ除去するのに要した時間を計測し、膜厚をこのエッチ
ング時間で割り、単位時間当りの加工速度を求めた。
【００１５】上記３種類の方法で得られたカーボン膜の
加工速度は、方法１では１５ｎｍ／分、方法２では１４
ｎｍ／分、方法３では１５０ｎｍ／分であった。従っ
て、磁気間隙層の厚みを例えば０．３μｍとした場合、
磁気間隙層を加工するのに要する時間は、方法１、２で
は約２０分間も要するのに対して、方法３を用いれば、
僅か２分間で磁気間隙層を加工できることが明かとなっ
た。従って、磁気間隙層をカーボン膜とし、その加工法
として方法３を用いることで、従来のアルミナを磁気間
隙層として用いた場合に較べ、磁極加工工程のスループ
ットをはるかに向上させることができる。
加工速度は、方法１では１５ｎｍ／分、方法２では１４
ｎｍ／分、方法３では１５０ｎｍ／分であった。従っ
て、磁気間隙層の厚みを例えば０．３μｍとした場合、
磁気間隙層を加工するのに要する時間は、方法１、２で
は約２０分間も要するのに対して、方法３を用いれば、
僅か２分間で磁気間隙層を加工できることが明かとなっ
た。従って、磁気間隙層をカーボン膜とし、その加工法
として方法３を用いることで、従来のアルミナを磁気間
隙層として用いた場合に較べ、磁極加工工程のスループ
ットをはるかに向上させることができる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明
する。
する。
【００１７】図１は本発明による薄膜磁気ヘッドの概略
断面図である。図１において、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の
基板１０上にアルミナ等からなる絶縁層１２を成膜し
た。ついで下部磁性体層１３を公知の集積化薄膜技術を
用いて形成した。下部磁性体層１３の材料はＦｅＳｉＡ
ｌ（Ｓｉ：９．６ｗｔ％、Ａｌ：５．４ｗｔ％）であ
り、膜厚は３μｍである。尚、下部磁性体層１３の形成
に当たっては、そのトラック幅が所定のトラック幅より
片側約５μｍづつ大きくなる様に形成した。
断面図である。図１において、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の
基板１０上にアルミナ等からなる絶縁層１２を成膜し
た。ついで下部磁性体層１３を公知の集積化薄膜技術を
用いて形成した。下部磁性体層１３の材料はＦｅＳｉＡ
ｌ（Ｓｉ：９．６ｗｔ％、Ａｌ：５．４ｗｔ％）であ
り、膜厚は３μｍである。尚、下部磁性体層１３の形成
に当たっては、そのトラック幅が所定のトラック幅より
片側約５μｍづつ大きくなる様に形成した。
【００１８】ついで、磁気ギャップ（磁気間隙層）とな
るカーボン膜１９（膜厚：０．３μｍ）をスパッタ法で
成膜した。成膜条件は、Ａｒガス圧：５ｍＴｏｒｒ、投
入電力：４００Ｗである。その後段差解消層１５および
１７、コイル１６を形成した。コイルには導体薄膜とし
て銅めっき膜を用い、めっき厚は３μｍとした。又、段
差解消層１５、１７には酸化硅素膜を用いた。成膜には
バイアススパッタ法を用い、コイル１６を完全に埋め込
み平坦化した。尚、段差解消層１５と１７は各々成膜
後、図１中矢印で示したように、フロントギャップ部と
リアギャップ部がテーパー状になるように、弗酸を含む
溶液中で化学エッチングした。
るカーボン膜１９（膜厚：０．３μｍ）をスパッタ法で
成膜した。成膜条件は、Ａｒガス圧：５ｍＴｏｒｒ、投
入電力：４００Ｗである。その後段差解消層１５および
１７、コイル１６を形成した。コイルには導体薄膜とし
て銅めっき膜を用い、めっき厚は３μｍとした。又、段
差解消層１５、１７には酸化硅素膜を用いた。成膜には
バイアススパッタ法を用い、コイル１６を完全に埋め込
み平坦化した。尚、段差解消層１５と１７は各々成膜
後、図１中矢印で示したように、フロントギャップ部と
リアギャップ部がテーパー状になるように、弗酸を含む
溶液中で化学エッチングした。
【００１９】ついで、下部磁性体層１３と同様にして、
上部磁性体層１８となるＦｅＳｉＡｌ膜を成膜した。そ
の後、所定のトラック幅Ｗを得るため、磁極加工工程を
実施した。この工程を図２を用いて説明する。尚、図２
は図１のＡ−Ａ断面に相当している。
上部磁性体層１８となるＦｅＳｉＡｌ膜を成膜した。そ
の後、所定のトラック幅Ｗを得るため、磁極加工工程を
実施した。この工程を図２を用いて説明する。尚、図２
は図１のＡ−Ａ断面に相当している。
【００２０】図２（ａ）に示した如く、上部磁性体層１
８上に、所定トラック幅Ｗに略等しい幅を持つマスクパ
ターンを形成した。マスクパターンの材料は酸化硅素
で、膜厚は１．５μｍとした。
８上に、所定トラック幅Ｗに略等しい幅を持つマスクパ
ターンを形成した。マスクパターンの材料は酸化硅素
で、膜厚は１．５μｍとした。
【００２１】ついで、図２（ｂ）の様に、塩素系ガス中
の反応性イオンエッチング法を用いて上部磁性体層１８
をパターン化した。エッチング条件は、ガス種：四塩化
炭素、ガス圧：３．５Ｐａ、投入電力：１５０Ｗであ
る。
の反応性イオンエッチング法を用いて上部磁性体層１８
をパターン化した。エッチング条件は、ガス種：四塩化
炭素、ガス圧：３．５Ｐａ、投入電力：１５０Ｗであ
る。
【００２２】引続き、図２（ｃ）に示すようにガス種を
酸素に替えてカーボン膜１９をエッチングした。エッチ
ング条件は、ガス圧：３．５Ｐａ、投入電力：１５０Ｗ
である。
酸素に替えてカーボン膜１９をエッチングした。エッチ
ング条件は、ガス圧：３．５Ｐａ、投入電力：１５０Ｗ
である。
【００２３】その後、図２（ｄ）の如く、再びエッチン
グガスを四塩化炭素に替え、上部磁性体層１８の加工の
場合と全く同様にして下部磁性体層１５を加工した。次
にマスクパターンを除去して（図示せず）、所定のトラ
ック幅Ｗを有する薄膜磁気ヘッドを完成した。
グガスを四塩化炭素に替え、上部磁性体層１８の加工の
場合と全く同様にして下部磁性体層１５を加工した。次
にマスクパターンを除去して（図示せず）、所定のトラ
ック幅Ｗを有する薄膜磁気ヘッドを完成した。
【００２４】以上述べてきた薄膜磁気ヘッドでは、磁極
加工工程において磁気間隙となるカーボン膜の加工に僅
か２分しか必要とせず、これは従来のアルミナ膜を用い
た薄膜磁気ヘッドに比較して約１／１０の加工時間であ
った。
加工工程において磁気間隙となるカーボン膜の加工に僅
か２分しか必要とせず、これは従来のアルミナ膜を用い
た薄膜磁気ヘッドに比較して約１／１０の加工時間であ
った。
【００２５】尚、以上の実施例では純粋な酸素ガスを用
いた場合のみを示したが、カーボン膜の加工速度を著し
く小さくしない範囲で、他のガスを添加しても本発明の
持つ意図が損なわれないことは勿論である。
いた場合のみを示したが、カーボン膜の加工速度を著し
く小さくしない範囲で、他のガスを添加しても本発明の
持つ意図が損なわれないことは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】以上述べてきた様に、本発明による薄膜
磁気ヘッドでは、カーボン膜を磁気間隙層の材料とし、
しかもカーボン膜の加工を酸素を主成分とするガス中の
反応性イオンエッチング法で行うことにより、磁極加工
工程でのスループットを飛躍的に高めることが出来、工
業的に大きな意義を持っているといえる。又、カーボン
膜は潤滑作用があり、トライボロジーの観点からヘッド
媒体間の信頼性に寄与するという利点もあり、ヘッドの
信頼性の向上が図れるという効果もある。
磁気ヘッドでは、カーボン膜を磁気間隙層の材料とし、
しかもカーボン膜の加工を酸素を主成分とするガス中の
反応性イオンエッチング法で行うことにより、磁極加工
工程でのスループットを飛躍的に高めることが出来、工
業的に大きな意義を持っているといえる。又、カーボン
膜は潤滑作用があり、トライボロジーの観点からヘッド
媒体間の信頼性に寄与するという利点もあり、ヘッドの
信頼性の向上が図れるという効果もある。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドを説明するための図で
ある。
ある。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドを説明するための図であ
る。
る。
１０ 基板 １２ 絶縁層 １３ 下部磁性体層 １４ 磁気間隙層 １５、１７ 段差解消層 １６ コイル １８ 上部磁性体層 １９ カーボン膜（磁気間隙層）
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性層より成る磁気回路と、前記磁気回
路中に形成された非磁性材料より成る磁気間隙層と、及
び前記磁気回路に叉交するように形成された導体薄膜よ
り成るコイルと、を有する誘導型薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記磁気間隙層がカーボン膜から成ることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁
極加工工程が、塩素系ガス中での反応性イオンエッチン
グ法を用いて磁性体層を加工する工程と、酸素を主成分
とするガス中での反応性イオンエッチング法で磁気間隙
層を加工する工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3319315A JP2751696B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3319315A JP2751696B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644528A true JPH0644528A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2751696B2 JP2751696B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=18108829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3319315A Expired - Lifetime JP2751696B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751696B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6233813B1 (en) | 1997-11-11 | 2001-05-22 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin film head |
| US6669855B2 (en) | 2000-01-25 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin film magnetic head |
| US6673633B2 (en) | 2000-06-06 | 2004-01-06 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of manufacturing thin-film magnetic head |
| US6884730B2 (en) | 2002-07-02 | 2005-04-26 | Headway Technologies, Inc. | Method of etching a film of magnetic material and method of manufacturing a thin-film magnetic head |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209608A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP3319315A patent/JP2751696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209608A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6233813B1 (en) | 1997-11-11 | 2001-05-22 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin film head |
| US6490130B2 (en) | 1997-11-11 | 2002-12-03 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head with recess for positional reference |
| US6669855B2 (en) | 2000-01-25 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin film magnetic head |
| US7067066B2 (en) | 2000-01-25 | 2006-06-27 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin film magnetic head |
| US6673633B2 (en) | 2000-06-06 | 2004-01-06 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of manufacturing thin-film magnetic head |
| US6884730B2 (en) | 2002-07-02 | 2005-04-26 | Headway Technologies, Inc. | Method of etching a film of magnetic material and method of manufacturing a thin-film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751696B2 (ja) | 1998-05-18 |
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