JPH11273026A - 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11273026A JPH11273026A JP7274598A JP7274598A JPH11273026A JP H11273026 A JPH11273026 A JP H11273026A JP 7274598 A JP7274598 A JP 7274598A JP 7274598 A JP7274598 A JP 7274598A JP H11273026 A JPH11273026 A JP H11273026A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関
し、簡単でスループットの良好な方法で下部磁極の幅を
上部磁極コアの幅に揃えて、記録磁界の拡がりを抑え
る。 【解決手段】 磁気抵抗効果ヘッド２を構成する磁気抵
抗効果素子上に上部シールド層を兼ねる下部磁極６を形
成したのち、上部シールド層を兼ねる下部磁極６上に上
部磁極コア３より幅の広い磁性層５をメッキによって形
成し、次いで、ギャップ層４を成膜したのち、ギャップ
層４上の磁性層５の対応する位置に上部磁極コア３を形
成し、次いで、上部シールド層を兼ねる下部磁極６の主
面と磁性層５の側面とのなす角θが４５°≦θ≦９０°
になるように磁性層５の角部をドライエッチングする。
し、簡単でスループットの良好な方法で下部磁極の幅を
上部磁極コアの幅に揃えて、記録磁界の拡がりを抑え
る。 【解決手段】 磁気抵抗効果ヘッド２を構成する磁気抵
抗効果素子上に上部シールド層を兼ねる下部磁極６を形
成したのち、上部シールド層を兼ねる下部磁極６上に上
部磁極コア３より幅の広い磁性層５をメッキによって形
成し、次いで、ギャップ層４を成膜したのち、ギャップ
層４上の磁性層５の対応する位置に上部磁極コア３を形
成し、次いで、上部シールド層を兼ねる下部磁極６の主
面と磁性層５の側面とのなす角θが４５°≦θ≦９０°
になるように磁性層５の角部をドライエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複合型薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法に関し、特に、ハードディスクドラ
イブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置或いは磁気テープ装置
等に用いられる複合型薄膜磁気ヘッドを構成する誘導型
ヘッドの下部磁極コア構造及びその製造方法に特徴のあ
る複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するもの
である。
ド及びその製造方法に関し、特に、ハードディスクドラ
イブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置或いは磁気テープ装置
等に用いられる複合型薄膜磁気ヘッドを構成する誘導型
ヘッドの下部磁極コア構造及びその製造方法に特徴のあ
る複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年のハードディスク装置等の小型化，
大容量化による需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が
可能なハードディスク装置等の研究開発が急速に進めら
れているが、この様なハードディスク装置の高密度化に
伴い、記録ヘッド、即ち、磁気ヘッドの高性能化が要請
されており、この様な要請に応えるものとして、再生ヘ
ッドとしては記録媒体の速度に依存せず、小型ディスク
に対しても適用でき、且つ、高い出力が得られるＭＲ
（磁気抵抗）ヘッドが注目されている。
大容量化による需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が
可能なハードディスク装置等の研究開発が急速に進めら
れているが、この様なハードディスク装置の高密度化に
伴い、記録ヘッド、即ち、磁気ヘッドの高性能化が要請
されており、この様な要請に応えるものとして、再生ヘ
ッドとしては記録媒体の速度に依存せず、小型ディスク
に対しても適用でき、且つ、高い出力が得られるＭＲ
（磁気抵抗）ヘッドが注目されている。
【０００３】また、高記録密度を実現するためには、線
記録密度とトラック密度を向上させる必要があるが、そ
のためには、記録ヘッドとしては、高い周波数まで記録
でき、且つ、隣接するトラックとのクロストーク等の原
因となる記録にじみの少ないヘッドが要求されることに
なる。
記録密度とトラック密度を向上させる必要があるが、そ
のためには、記録ヘッドとしては、高い周波数まで記録
でき、且つ、隣接するトラックとのクロストーク等の原
因となる記録にじみの少ないヘッドが要求されることに
なる。
【０００４】近年、この様な高性能化の要請に応えるヘ
ッドとして、ＭＲヘッドと誘導型の薄膜磁気ヘッドとを
複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが開発されており、記
録ヘッドの記録ギャップと再生ヘッドの再生ギャップを
それぞれ最適化することによって、記録特性の向上と、
再生分解能の向上を共に実現しようとしている。
ッドとして、ＭＲヘッドと誘導型の薄膜磁気ヘッドとを
複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが開発されており、記
録ヘッドの記録ギャップと再生ヘッドの再生ギャップを
それぞれ最適化することによって、記録特性の向上と、
再生分解能の向上を共に実現しようとしている。
【０００５】ここで、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを図
５を参照して説明する。なお、図５（ａ）は記録媒体に
対する対向面側の断面図であり、また、図５（ｂ）は図
５（ａ）の一点鎖線に沿った断面図である。 図５（ａ）及び（ｂ）参照 まず、基板３１上に、ＮｉＦｅ合金等からなる下部シー
ルド層３２を設け、Ａｌ2 Ｏ3 等のギャップスペーサ層
３３を介してＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造
等からなる磁気抵抗効果素子層３４を設けて所定の形状
にパターニングしたのち、磁気抵抗効果素子層３４の両
端にＡｕ等からなる導電膜を堆積させて素子電極３５を
形成する。
５を参照して説明する。なお、図５（ａ）は記録媒体に
対する対向面側の断面図であり、また、図５（ｂ）は図
５（ａ）の一点鎖線に沿った断面図である。 図５（ａ）及び（ｂ）参照 まず、基板３１上に、ＮｉＦｅ合金等からなる下部シー
ルド層３２を設け、Ａｌ2 Ｏ3 等のギャップスペーサ層
３３を介してＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造
等からなる磁気抵抗効果素子層３４を設けて所定の形状
にパターニングしたのち、磁気抵抗効果素子層３４の両
端にＡｕ等からなる導電膜を堆積させて素子電極３５を
形成する。
【０００６】次いで、再び、Ａｌ2 Ｏ3 等のギャップス
ペーサ層３６を介してＮｉＦｅ合金等からなる上部シー
ルド層兼下部コア層３７を設け、その上にＡｌ2 Ｏ3 等
からなる記録ギャップ層３８を設けたのち、レジスト等
の層間絶縁膜（図示せず）を介して所定パターンのコイ
ル３９を形成し、次いで、レジスト等からなる層間絶縁
膜４０を介して所定パターンの上部コア層４１を設ける
ことによって磁気抵抗効果素子層３４を利用した再生用
ＭＲヘッドと、記録用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複
合化した複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
ペーサ層３６を介してＮｉＦｅ合金等からなる上部シー
ルド層兼下部コア層３７を設け、その上にＡｌ2 Ｏ3 等
からなる記録ギャップ層３８を設けたのち、レジスト等
の層間絶縁膜（図示せず）を介して所定パターンのコイ
ル３９を形成し、次いで、レジスト等からなる層間絶縁
膜４０を介して所定パターンの上部コア層４１を設ける
ことによって磁気抵抗効果素子層３４を利用した再生用
ＭＲヘッドと、記録用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複
合化した複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【０００７】しかし、この様な複合型薄膜磁気ヘッドに
おいては、上部シールド層兼下部コア層３７、即ち下部
磁極がＭＲヘッドの上部シールド層を兼ねているために
記録トラック幅よりも幅広く形成されており、このため
に、記録の際に図５（ａ）において破線で示す記録磁界
４２がトラック幅方向に広く拡がってしまうので、記録
密度向上のためにトラックピッチを狭めることが困難で
あった。
おいては、上部シールド層兼下部コア層３７、即ち下部
磁極がＭＲヘッドの上部シールド層を兼ねているために
記録トラック幅よりも幅広く形成されており、このため
に、記録の際に図５（ａ）において破線で示す記録磁界
４２がトラック幅方向に広く拡がってしまうので、記録
密度向上のためにトラックピッチを狭めることが困難で
あった。
【０００８】そこで、記録磁界４２の拡がりを小さくす
るために、上下の磁極の幅を揃えたヘッドが各種提案
（必要ならば、特開平２−２０８８１２号公報、特開平
５−１４３９３９号公報、特開平７−２２０２４５号公
報、特開平８−１２９７１５号公報、特開平８−１２９
７２０号公報、或いは、特開平９−１６７３１６号公報
参照）されているので、以下において、この様な改良型
の複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。
るために、上下の磁極の幅を揃えたヘッドが各種提案
（必要ならば、特開平２−２０８８１２号公報、特開平
５−１４３９３９号公報、特開平７−２２０２４５号公
報、特開平８−１２９７１５号公報、特開平８−１２９
７２０号公報、或いは、特開平９−１６７３１６号公報
参照）されているので、以下において、この様な改良型
の複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。
【０００９】図６（ａ）参照 例えば、図５と全く同様に、上部コア層４１まで形成し
たのち、上部コア層４１等をマスクとしてエッチングを
行うことによって上部コア層４１と同じ幅の記録ギャッ
プ層３８、及び、ＮｉＦｅ合金膜、即ち、磁性膜からな
る凸部４３を形成する方法（上記の特開平８−１２９７
１５号公報参照）が提案されている。
たのち、上部コア層４１等をマスクとしてエッチングを
行うことによって上部コア層４１と同じ幅の記録ギャッ
プ層３８、及び、ＮｉＦｅ合金膜、即ち、磁性膜からな
る凸部４３を形成する方法（上記の特開平８−１２９７
１５号公報参照）が提案されている。
【００１０】或いは、上部コア層４１を予め幅広く形成
したのち、所定の記録幅を有するレジストマスク（図示
せず）を用いてイオンエッチングを施すことによって、
記録幅とほぼ等しい幅の上部コア層４１、記録ギャップ
層３８、及び、磁性膜からなる凸部４３を形成する方法
（上記の特開平５−１４３９３９号公報参照）も提案さ
れている。
したのち、所定の記録幅を有するレジストマスク（図示
せず）を用いてイオンエッチングを施すことによって、
記録幅とほぼ等しい幅の上部コア層４１、記録ギャップ
層３８、及び、磁性膜からなる凸部４３を形成する方法
（上記の特開平５−１４３９３９号公報参照）も提案さ
れている。
【００１１】或いは、上部シールド層兼下部コア層３７
に所定幅の凸部４３を形成したのち、全面に設けた記録
ギャップ層３８を介して凸部４３の幅に対応した幅を有
する上部コア層４１を形成する方法（上記の特開平２−
２０８８１２号公報参照）も提案されている。
に所定幅の凸部４３を形成したのち、全面に設けた記録
ギャップ層３８を介して凸部４３の幅に対応した幅を有
する上部コア層４１を形成する方法（上記の特開平２−
２０８８１２号公報参照）も提案されている。
【００１２】図６（ｂ）参照 さらには、所定幅の上部コア層４１を形成したのち、集
束イオンビーム（ＦＩＢ）４４を用いて、上部コア層４
１、記録ギャップ層３８、及び、上部シールド層兼下部
コア層３７の上部コア層４１の近傍のみを選択的にエッ
チングして磁性膜からなる凸部４３を形成する方法も提
案されている。
束イオンビーム（ＦＩＢ）４４を用いて、上部コア層４
１、記録ギャップ層３８、及び、上部シールド層兼下部
コア層３７の上部コア層４１の近傍のみを選択的にエッ
チングして磁性膜からなる凸部４３を形成する方法も提
案されている。
【００１３】上記のような各種の方法によって上下磁極
となる上部コア層４１と磁性膜からなる凸部４３の幅を
揃えることによって記録磁界４２のトラック幅方向の拡
がりを最小限に抑えることができ、それによって、記録
密度を向上することができる。
となる上部コア層４１と磁性膜からなる凸部４３の幅を
揃えることによって記録磁界４２のトラック幅方向の拡
がりを最小限に抑えることができ、それによって、記録
密度を向上することができる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の各種の
提案においては、結果として得られる誘導型薄膜磁気ヘ
ッド部の上下磁極の幅はほぼ同じであるために、記録ヘ
ッドとしての特性は向上し、記録密度を上げることがで
きるものの、製造方法に難点があり、したがって、生産
性良く低コストで複合型薄膜磁気ヘッドを製造すること
が困難であった。
提案においては、結果として得られる誘導型薄膜磁気ヘ
ッド部の上下磁極の幅はほぼ同じであるために、記録ヘ
ッドとしての特性は向上し、記録密度を上げることがで
きるものの、製造方法に難点があり、したがって、生産
性良く低コストで複合型薄膜磁気ヘッドを製造すること
が困難であった。
【００１５】例えば、特開平８−１２９７１５号公報の
ように、上部コア層４１をマスクとして、上部シールド
層兼下部コア層３７をエッチングする場合、上部コア層
４１もエッチングされるので、そのために予め上部コア
層４１を厚く形成しておく必要があるが、そのためには
上部コア層４１をメッキで形成する際のレジストパター
ンを厚くしなければならず、その結果、レジストパター
ンの加工精度が低下するので上下磁極のコア幅、即ち、
記録幅を狭くすることが困難である。
ように、上部コア層４１をマスクとして、上部シールド
層兼下部コア層３７をエッチングする場合、上部コア層
４１もエッチングされるので、そのために予め上部コア
層４１を厚く形成しておく必要があるが、そのためには
上部コア層４１をメッキで形成する際のレジストパター
ンを厚くしなければならず、その結果、レジストパター
ンの加工精度が低下するので上下磁極のコア幅、即ち、
記録幅を狭くすることが困難である。
【００１６】また、特開平５−１４３９３９号公報の場
合には、上記の特開平８−１２９７１５号公報の場合と
同様に、上部シールド層兼下部コア層３７のほぼ全面を
エッチングする必要があり、エッチングに時間がかかる
と共に、エッチング量が多くなるので、エッチングされ
たものが再付着して上下の磁極を短絡させることになる
ので、この再付着物を除去するための別のエッチング工
程が必要になり、工程が複雑化するとい問題もある。
合には、上記の特開平８−１２９７１５号公報の場合と
同様に、上部シールド層兼下部コア層３７のほぼ全面を
エッチングする必要があり、エッチングに時間がかかる
と共に、エッチング量が多くなるので、エッチングされ
たものが再付着して上下の磁極を短絡させることになる
ので、この再付着物を除去するための別のエッチング工
程が必要になり、工程が複雑化するとい問題もある。
【００１７】また、特開平２−２０８８１２号公報の場
合には、上部コア層４１と凸部４３が自己整合していな
いので、記録磁界４２の拡がりがやや大きく、且つ、上
部コア層４１を形成する際に、凸部４３との位置合わせ
が必要になるという問題がある。
合には、上部コア層４１と凸部４３が自己整合していな
いので、記録磁界４２の拡がりがやや大きく、且つ、上
部コア層４１を形成する際に、凸部４３との位置合わせ
が必要になるという問題がある。
【００１８】さらに、集束イオンビーム４４を用いる場
合には、１ヘッド当たりの加工時間が１０秒程度かかる
ため、例えば、５インチ（約１２．７ｃｍ）の基板３１
では、１つの基板上に約１万個のヘッドを形成すること
になるので、基板１枚当たりの加工時間は１０万秒（≒
２７．７８時間）、即ち、約１日費やすことになり、ス
ループットが低すぎるという問題がある。スループット
を向上するためには、加工時間を短くするか、或いは、
ＦＩＢ装置を大量に導入する必要があるが、いずれも現
実的ではない。
合には、１ヘッド当たりの加工時間が１０秒程度かかる
ため、例えば、５インチ（約１２．７ｃｍ）の基板３１
では、１つの基板上に約１万個のヘッドを形成すること
になるので、基板１枚当たりの加工時間は１０万秒（≒
２７．７８時間）、即ち、約１日費やすことになり、ス
ループットが低すぎるという問題がある。スループット
を向上するためには、加工時間を短くするか、或いは、
ＦＩＢ装置を大量に導入する必要があるが、いずれも現
実的ではない。
【００１９】したがって、本発明は、簡単でスループッ
トの良好な方法で下部磁極の幅を上部磁極コアの幅に揃
えて、記録磁界の拡がりを抑えることを目的とする。
トの良好な方法で下部磁極の幅を上部磁極コアの幅に揃
えて、記録磁界の拡がりを抑えることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、記録媒体に対する対向面側の要部断面図であ
り、また、図１（ｂ）は図１（ａ）における上下磁極近
傍の拡大図である。 図１参照 （１）本発明は、磁気抵抗効果ヘッド２上に、層間絶縁
膜、ギャップ層４、導体コイルを挟んで磁気回路を構成
する薄膜磁気ヘッド１を設けた複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、磁気抵抗効果ヘッド２を構成する磁
気抵抗効果素子上に上部シールド層を兼ねる下部磁極６
を形成する工程、上部シールド層を兼ねる下部磁極６上
に上部磁極コア３より幅の広い磁性層５をメッキによっ
て形成する工程、ギャップ層４を成膜する工程、ギャッ
プ層４上の磁性層５の対応する位置に上部磁極コア３を
形成する工程、磁性層５の角部をドライエッチングし、
上部シールド層を兼ねる下部磁極６の主面と磁性層５の
側面とのなす角θを４５°≦θ≦９０°とする工程を有
することを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、記録媒体に対する対向面側の要部断面図であ
り、また、図１（ｂ）は図１（ａ）における上下磁極近
傍の拡大図である。 図１参照 （１）本発明は、磁気抵抗効果ヘッド２上に、層間絶縁
膜、ギャップ層４、導体コイルを挟んで磁気回路を構成
する薄膜磁気ヘッド１を設けた複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、磁気抵抗効果ヘッド２を構成する磁
気抵抗効果素子上に上部シールド層を兼ねる下部磁極６
を形成する工程、上部シールド層を兼ねる下部磁極６上
に上部磁極コア３より幅の広い磁性層５をメッキによっ
て形成する工程、ギャップ層４を成膜する工程、ギャッ
プ層４上の磁性層５の対応する位置に上部磁極コア３を
形成する工程、磁性層５の角部をドライエッチングし、
上部シールド層を兼ねる下部磁極６の主面と磁性層５の
側面とのなす角θを４５°≦θ≦９０°とする工程を有
することを特徴とする。
【００２１】この様に、本発明においては、上部シール
ド層を兼ねる下部磁極６をトリミングする際に、予め所
定幅Ｗ2 のパターンにメッキで形成した磁性層５の角部
を、イオンミリング法、スパッタエッチング法、或い
は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等のドライエ
ッチング、例えば、イオン８を用いたイオンミリング法
によって除去するだけであるので、エッチング量が少な
く、したがって、エッチング時間が格段に短くなるので
スループットが向上する。また、エッチング量が少ない
ため、上部磁極コア３を予め厚く形成する必要がなく、
したがって、上部磁極コア３の幅Ｗ1 をより狭くするこ
とが可能になり、それによって記録密度を高めることが
できる。
ド層を兼ねる下部磁極６をトリミングする際に、予め所
定幅Ｗ2 のパターンにメッキで形成した磁性層５の角部
を、イオンミリング法、スパッタエッチング法、或い
は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等のドライエ
ッチング、例えば、イオン８を用いたイオンミリング法
によって除去するだけであるので、エッチング量が少な
く、したがって、エッチング時間が格段に短くなるので
スループットが向上する。また、エッチング量が少ない
ため、上部磁極コア３を予め厚く形成する必要がなく、
したがって、上部磁極コア３の幅Ｗ1 をより狭くするこ
とが可能になり、それによって記録密度を高めることが
できる。
【００２２】（２）また、本発明は、磁気抵抗効果ヘッ
ド２上に、層間絶縁膜、ギャップ層４、導体コイルを挟
んで磁気回路を構成する薄膜磁気ヘッド１を設けた複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果ヘ
ッド２を構成する磁気抵抗効果素子上に上部シールド層
を兼ねる下部磁極６を形成する工程、上部シールド層を
兼ねる下部磁極６上に磁性膜を成膜する工程、磁性膜を
ドライエッチングして上部磁極コア３より幅の広い磁性
層５を形成する工程、ギャップ層４を成膜する工程、ギ
ャップ層４上の磁性層５の対応する位置に上部磁極コア
３を形成する工程、磁性層５の角部をドライエッチング
し、上部シールド層を兼ねる下部磁極６の主面と磁性層
５の側面とのなす角θを４５°≦θ≦９０°とする工程
を有することを特徴とする。
ド２上に、層間絶縁膜、ギャップ層４、導体コイルを挟
んで磁気回路を構成する薄膜磁気ヘッド１を設けた複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果ヘ
ッド２を構成する磁気抵抗効果素子上に上部シールド層
を兼ねる下部磁極６を形成する工程、上部シールド層を
兼ねる下部磁極６上に磁性膜を成膜する工程、磁性膜を
ドライエッチングして上部磁極コア３より幅の広い磁性
層５を形成する工程、ギャップ層４を成膜する工程、ギ
ャップ層４上の磁性層５の対応する位置に上部磁極コア
３を形成する工程、磁性層５の角部をドライエッチング
し、上部シールド層を兼ねる下部磁極６の主面と磁性層
５の側面とのなす角θを４５°≦θ≦９０°とする工程
を有することを特徴とする。
【００２３】この様に、本発明においては、上部シール
ド層を兼ねる下部磁極６をトリミングする際に、予め所
定幅Ｗ2 のパターンにエッチング成形した磁性層５の角
部を、ドライエッチングによって除去するだけであるの
で、エッチング量が少なく、したがって、エッチング時
間が格段に短くなるのでスループットが向上する。ま
た、エッチング量が少ないため、上部磁極コア３を予め
厚く形成する必要がなく、したがって、上部磁極コア３
の幅Ｗ1 をより狭くすることが可能になり、それによっ
て記録密度を高めることができる。なお、メッキ法で磁
性層５を形成する場合と比べてメッキーベース層の形成
工程及び除去工程が不要になる。
ド層を兼ねる下部磁極６をトリミングする際に、予め所
定幅Ｗ2 のパターンにエッチング成形した磁性層５の角
部を、ドライエッチングによって除去するだけであるの
で、エッチング量が少なく、したがって、エッチング時
間が格段に短くなるのでスループットが向上する。ま
た、エッチング量が少ないため、上部磁極コア３を予め
厚く形成する必要がなく、したがって、上部磁極コア３
の幅Ｗ1 をより狭くすることが可能になり、それによっ
て記録密度を高めることができる。なお、メッキ法で磁
性層５を形成する場合と比べてメッキーベース層の形成
工程及び除去工程が不要になる。
【００２４】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、磁性層５の角部をドライエッチングす
る前の幅が、上部磁極コア３の幅と２μｍの和よりも狭
いことを特徴とする。
（２）において、磁性層５の角部をドライエッチングす
る前の幅が、上部磁極コア３の幅と２μｍの和よりも狭
いことを特徴とする。
【００２５】この様に、磁性層５の角部をドライエッチ
ングして、速やかに磁性膜５の上部磁極コア３と対向す
る部分の幅を上部磁極コア３の幅Ｗ1 と等しくするため
には、マージンを見込んで、磁性層５の角部をドライエ
ッチングする前の幅Ｗ2 を上部磁極コア３の幅Ｗ1 に対
して、Ｗ1 ≦Ｗ2 ≦Ｗ1 ＋２μｍにすることが望まし
い。
ングして、速やかに磁性膜５の上部磁極コア３と対向す
る部分の幅を上部磁極コア３の幅Ｗ1 と等しくするため
には、マージンを見込んで、磁性層５の角部をドライエ
ッチングする前の幅Ｗ2 を上部磁極コア３の幅Ｗ1 に対
して、Ｗ1 ≦Ｗ2 ≦Ｗ1 ＋２μｍにすることが望まし
い。
【００２６】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、磁性層５の厚さが、ギャッ
プ長以上であり、且つ、ギャップ長の２倍以下であるこ
とを特徴とする。
（３）のいずれかにおいて、磁性層５の厚さが、ギャッ
プ長以上であり、且つ、ギャップ長の２倍以下であるこ
とを特徴とする。
【００２７】この様に、記録磁界の拡がりを抑制するた
めの凸部の高さは、即ち、磁性層５の厚さｔ2 は、ギャ
ップ長、即ち、ギャップ層４の厚さｔ1 と同程度であれ
ば充分な効果が得られるものであり、マージンを見込ん
で、磁性層５の厚さｔ2 を、ｔ1 ≦ｔ2 ≦２ｔ1 とする
ことが望ましい。
めの凸部の高さは、即ち、磁性層５の厚さｔ2 は、ギャ
ップ長、即ち、ギャップ層４の厚さｔ1 と同程度であれ
ば充分な効果が得られるものであり、マージンを見込ん
で、磁性層５の厚さｔ2 を、ｔ1 ≦ｔ2 ≦２ｔ1 とする
ことが望ましい。
【００２８】（５）また、本発明は、磁気抵抗効果ヘッ
ド２上に、層間絶縁膜、ギャップ層４、導体コイルを挟
んで磁気回路を構成する薄膜磁気ヘッド１を設けた複合
型薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気ヘッド１を上記
（１）乃至（４）のいずれかの方法によって形成したこ
とを特徴とする。
ド２上に、層間絶縁膜、ギャップ層４、導体コイルを挟
んで磁気回路を構成する薄膜磁気ヘッド１を設けた複合
型薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気ヘッド１を上記
（１）乃至（４）のいずれかの方法によって形成したこ
とを特徴とする。
【００２９】この様に、薄膜磁気ヘッド１を上記（１）
乃至（４）のいずれかの方法によって形成することによ
り、安価で高記録密度の複合型薄膜磁気ヘッドを得るこ
とができる。
乃至（４）のいずれかの方法によって形成することによ
り、安価で高記録密度の複合型薄膜磁気ヘッドを得るこ
とができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１の実施の形
態の複合型薄膜磁気ヘッドを図２及び図３を参照して説
明する。なお、図２は複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程
の説明図であり、夫々、記録媒体との対向面側の要部断
面図で示しており、本発明の本質に実質的に関連しない
磁気抵抗効果ヘッド部については説明を簡単にするする
ために図示を省略しており、また、図２は、本発明の第
１の実施の形態による複合型薄膜磁気ヘッドにおけるト
リミング角と記録磁界の拡がり幅の相関を示す図であ
る。
態の複合型薄膜磁気ヘッドを図２及び図３を参照して説
明する。なお、図２は複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程
の説明図であり、夫々、記録媒体との対向面側の要部断
面図で示しており、本発明の本質に実質的に関連しない
磁気抵抗効果ヘッド部については説明を簡単にするする
ために図示を省略しており、また、図２は、本発明の第
１の実施の形態による複合型薄膜磁気ヘッドにおけるト
リミング角と記録磁界の拡がり幅の相関を示す図であ
る。
【００３１】図２（ａ）参照 まず、図５に示した従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造
工程と同様に、Ａｌ2Ｏ3 ・ＴｉＣからなる基板上に、
ＮｉＦｅ合金からなる下部シールド層を設け、Ａｌ2 Ｏ
3 からなるのギャップスペーサ層を介してＮｉＦｅ，Ｔ
ｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造からなる磁気抵抗効果素子
層を設けて所定の形状にパターニングしたのち、磁気抵
抗効果素子層の両端にＡｕからなる導電膜を堆積させて
素子電極を形成し、次いで、再び、Ａｌ2 Ｏ3 からなる
ギャップスペーサ層を介してＮｉＦｅ合金からなる厚さ
が２．０〜４．０μｍ、例えば、３．０μｍの下部磁極
兼上部シールド層１１を形成する。
工程と同様に、Ａｌ2Ｏ3 ・ＴｉＣからなる基板上に、
ＮｉＦｅ合金からなる下部シールド層を設け、Ａｌ2 Ｏ
3 からなるのギャップスペーサ層を介してＮｉＦｅ，Ｔ
ｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造からなる磁気抵抗効果素子
層を設けて所定の形状にパターニングしたのち、磁気抵
抗効果素子層の両端にＡｕからなる導電膜を堆積させて
素子電極を形成し、次いで、再び、Ａｌ2 Ｏ3 からなる
ギャップスペーサ層を介してＮｉＦｅ合金からなる厚さ
が２．０〜４．０μｍ、例えば、３．０μｍの下部磁極
兼上部シールド層１１を形成する。
【００３２】次いで、下部磁極兼上部シールド層１１上
に、厚さ５０〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層、及
び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉＦｅ
合金からなるメッキベース層１２を形成したのち、レジ
スト膜を塗布してパターニングすることによって、厚さ
が１．０〜３．０μｍ、例えば、２．０μｍで、幅が、
例えば、２．０μｍの開口部を有するレジストマスク１
３を形成し、電界メッキ法によって厚さが、１μｍ以
下、例えば、０．５μｍのＮｉＦｅ合金からなる盛り上
げ磁性膜１４を形成する。
に、厚さ５０〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層、及
び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉＦｅ
合金からなるメッキベース層１２を形成したのち、レジ
スト膜を塗布してパターニングすることによって、厚さ
が１．０〜３．０μｍ、例えば、２．０μｍで、幅が、
例えば、２．０μｍの開口部を有するレジストマスク１
３を形成し、電界メッキ法によって厚さが、１μｍ以
下、例えば、０．５μｍのＮｉＦｅ合金からなる盛り上
げ磁性膜１４を形成する。
【００３３】なお、この場合のレジストマスク１３に設
けた開口部の幅、したがって、盛り上げ磁性膜１４の幅
Ｗ2 は、速やかなトリミングを可能にするために、上部
磁極コアの幅Ｗ1 に対して、Ｗ1 ≦Ｗ2 ≦Ｗ1 ＋２μｍ
に設定することが望ましく、また、盛り上げ磁性膜１４
の厚さｔ2 は、ギャップ長と同程度になるように、マー
ジンを見込んで、次に成膜する記録ギャップ層１５の厚
さｔ1 に対して、ｔ1≦ｔ2 ≦２×ｔ1 になるように設
定することが望ましい。
けた開口部の幅、したがって、盛り上げ磁性膜１４の幅
Ｗ2 は、速やかなトリミングを可能にするために、上部
磁極コアの幅Ｗ1 に対して、Ｗ1 ≦Ｗ2 ≦Ｗ1 ＋２μｍ
に設定することが望ましく、また、盛り上げ磁性膜１４
の厚さｔ2 は、ギャップ長と同程度になるように、マー
ジンを見込んで、次に成膜する記録ギャップ層１５の厚
さｔ1 に対して、ｔ1≦ｔ2 ≦２×ｔ1 になるように設
定することが望ましい。
【００３４】図２（ｂ）参照 次いで、レジストマスク１３を除去したのち、Ａｒイオ
ンを用いたイオンミリング法によってメッキベース層１
２の露出部を除去することによって下部磁極コアとなる
盛り上げ磁性膜１４のパターンを形成する。
ンを用いたイオンミリング法によってメッキベース層１
２の露出部を除去することによって下部磁極コアとなる
盛り上げ磁性膜１４のパターンを形成する。
【００３５】図２（ｃ）参照 次いで、スパッタリング法によって厚さ０．３〜０．６
μｍ、例えば、０．４μｍのＡｌ2 Ｏ3 を堆積させて記
録ギャップ層１５としたのち、従来の工程と同様にレジ
スト等の層間絶縁膜（図示せず）を介して導電体膜を設
け、パターニングすることによって上部磁極コア１６と
下部磁極コアとなる盛り上げ磁性膜１４の接続部を複数
回巻くコイル（図示せず）を形成し、次いで、レジスト
等の層間絶縁膜（図示せず）を形成してコイルを被覆し
たのち、上部磁極コア１６と盛り上げ磁性膜１４の接続
部が露出するようにパターニングする。なお、この場合
の記録ギャップ層１５の厚さｔ1 が、磁気ギャップの間
隔、即ち、ギャップ長となる。
μｍ、例えば、０．４μｍのＡｌ2 Ｏ3 を堆積させて記
録ギャップ層１５としたのち、従来の工程と同様にレジ
スト等の層間絶縁膜（図示せず）を介して導電体膜を設
け、パターニングすることによって上部磁極コア１６と
下部磁極コアとなる盛り上げ磁性膜１４の接続部を複数
回巻くコイル（図示せず）を形成し、次いで、レジスト
等の層間絶縁膜（図示せず）を形成してコイルを被覆し
たのち、上部磁極コア１６と盛り上げ磁性膜１４の接続
部が露出するようにパターニングする。なお、この場合
の記録ギャップ層１５の厚さｔ1 が、磁気ギャップの間
隔、即ち、ギャップ長となる。
【００３６】次いで、メッキベース層となる、厚さ５０
〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層（図示せず）、及
び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉＦｅ
をスパッタリング法によって順次成膜し、レジストを露
光・現像することによって上部磁極コア１６を形成する
ための磁極用レジストパターン（図示せず）を形成した
のち、電解メッキを行うことによって、厚さ２．５〜
４．０μｍ、例えば、３．０μｍで、幅Ｗ1 が０．５〜
２．０μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅ合金からな
る上部磁極コア１６を形成する。
〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層（図示せず）、及
び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉＦｅ
をスパッタリング法によって順次成膜し、レジストを露
光・現像することによって上部磁極コア１６を形成する
ための磁極用レジストパターン（図示せず）を形成した
のち、電解メッキを行うことによって、厚さ２．５〜
４．０μｍ、例えば、３．０μｍで、幅Ｗ1 が０．５〜
２．０μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅ合金からな
る上部磁極コア１６を形成する。
【００３７】なお、この様な盛り上げ磁性膜１４及び上
部磁極コア１６としては、高周波特性を向上するために
飽和磁束密度Ｂs の高い材料を用いることが必要とな
り、また、高周波になるに従って渦電流による損失が大
きくなり、表皮効果による記録磁界強度の低下を招くこ
とになるため、渦電流の発生を抑制するために、比抵抗
ρの大きな材料を用いることが必要となり、そのために
高Ｂs 軟磁性材料であるＮｉＦｅ合金を用いているが、
ＦｅＮＺｒ、ＣｏＮｉＦｅ、５０％ＮｉＦｅ等の他の高
Ｂs 軟磁性材料を用いても良いものである。
部磁極コア１６としては、高周波特性を向上するために
飽和磁束密度Ｂs の高い材料を用いることが必要とな
り、また、高周波になるに従って渦電流による損失が大
きくなり、表皮効果による記録磁界強度の低下を招くこ
とになるため、渦電流の発生を抑制するために、比抵抗
ρの大きな材料を用いることが必要となり、そのために
高Ｂs 軟磁性材料であるＮｉＦｅ合金を用いているが、
ＦｅＮＺｒ、ＣｏＮｉＦｅ、５０％ＮｉＦｅ等の他の高
Ｂs 軟磁性材料を用いても良いものである。
【００３８】図２（ｄ）参照 次いで、磁極用レジストパターンを除去し、露出した上
部磁極コア１６以外の領域におけるメッキベース層をＡ
ｒイオンを用いたイオンミリング法によって除去したの
ち、引き続いて、Ａｒイオン１７を用いたイオンミリン
グ法によって、上部磁極コア１６をマスクとして露出し
ている記録ギャップ層１５を選択的に除去する。
部磁極コア１６以外の領域におけるメッキベース層をＡ
ｒイオンを用いたイオンミリング法によって除去したの
ち、引き続いて、Ａｒイオン１７を用いたイオンミリン
グ法によって、上部磁極コア１６をマスクとして露出し
ている記録ギャップ層１５を選択的に除去する。
【００３９】図２（ｅ）参照 次いで、再び、Ａｒイオン１８を用いた０°入射による
イオンミリングを施すことによって、盛り上げ磁性膜１
４の角部を優先的にエッチング除去することによって、
下部磁極兼上部シールド層１１の主面と盛り上げ磁性膜
１４の側面とのなす角、即ち、トリミング角θが、４５
°≦θ≦９０°のテーパ状の盛り上げ磁性膜１４とす
る。
イオンミリングを施すことによって、盛り上げ磁性膜１
４の角部を優先的にエッチング除去することによって、
下部磁極兼上部シールド層１１の主面と盛り上げ磁性膜
１４の側面とのなす角、即ち、トリミング角θが、４５
°≦θ≦９０°のテーパ状の盛り上げ磁性膜１４とす
る。
【００４０】このトリミング工程において、盛り上げ磁
性膜１４の記録ギャップ層１５と接する側は、上部磁極
コア１６をマスクとして自己整合的にエッチングされる
ので、その幅は実質的に同じになる。また、トリミング
角θは、エッチング時間、及び、盛り上げ磁性膜１４の
幅Ｗ 2 及び厚さｔ2 に依存することになる。
性膜１４の記録ギャップ層１５と接する側は、上部磁極
コア１６をマスクとして自己整合的にエッチングされる
ので、その幅は実質的に同じになる。また、トリミング
角θは、エッチング時間、及び、盛り上げ磁性膜１４の
幅Ｗ 2 及び厚さｔ2 に依存することになる。
【００４１】図３参照 図３は、上部磁極コア１６の幅Ｗ1 を４．０μｍとし、
厚さｔ2 が０．５μｍの磁性膜を奥行きが２．０μｍに
なるようにエッチングした場合のトリミング角θと記録
磁界の拡がり量の相関を示す図であり、記録磁界の拡が
り量としては、記録磁界の拡がりΔＣw の１／２、即
ち、片側の記録磁界の拡がり量で表している。図から明
らかなように、θ＝９０°、即ち、盛り上げ磁性膜１４
の側面が垂直な場合に、一番記録磁界の拡がりが少ない
が、θ＝４５°においてもΔＣw ／２＜０．２μｍとな
るので、実用的には、４５°≦θ≦９０°とすれば良
い。
厚さｔ2 が０．５μｍの磁性膜を奥行きが２．０μｍに
なるようにエッチングした場合のトリミング角θと記録
磁界の拡がり量の相関を示す図であり、記録磁界の拡が
り量としては、記録磁界の拡がりΔＣw の１／２、即
ち、片側の記録磁界の拡がり量で表している。図から明
らかなように、θ＝９０°、即ち、盛り上げ磁性膜１４
の側面が垂直な場合に、一番記録磁界の拡がりが少ない
が、θ＝４５°においてもΔＣw ／２＜０．２μｍとな
るので、実用的には、４５°≦θ≦９０°とすれば良
い。
【００４２】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、下部磁極コアとなる磁性膜を予め所定幅Ｗ2 の
盛り上げ磁性膜１４として形成しているので、トリミン
グ工程においては盛り上げ磁性膜１４の角部を優先的に
エッチングすれば良く、エッチング量が少ないので、処
理時間を飛躍的に短縮することができ、スループットが
向上する。
いては、下部磁極コアとなる磁性膜を予め所定幅Ｗ2 の
盛り上げ磁性膜１４として形成しているので、トリミン
グ工程においては盛り上げ磁性膜１４の角部を優先的に
エッチングすれば良く、エッチング量が少ないので、処
理時間を飛躍的に短縮することができ、スループットが
向上する。
【００４３】また、エッチング量が少ないので、トリミ
ングに伴う上部磁極コア１６の薄層化を意識する必要が
なく、上部磁極コア１６を薄く、したがって、磁極用レ
ジストパターンを薄くすることができるので、上部磁極
コア１６の幅Ｗ1 、即ち、記録幅を狭くすることがで
き、それによって、高記録密度化が可能になる。
ングに伴う上部磁極コア１６の薄層化を意識する必要が
なく、上部磁極コア１６を薄く、したがって、磁極用レ
ジストパターンを薄くすることができるので、上部磁極
コア１６の幅Ｗ1 、即ち、記録幅を狭くすることがで
き、それによって、高記録密度化が可能になる。
【００４４】次に、図４を参照して、本発明の第２の実
施の形態の製造工程を説明する。 図４（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、Ａｌ2 Ｏ3 ・
ＴｉＣからなる基板上に、ＮｉＦｅ合金からなる下部シ
ールド層を設け、Ａｌ2 Ｏ3 からなるのギャップスペー
サ層を介してＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造
からなる磁気抵抗効果素子層を設けて所定の形状にパタ
ーニングしたのち、磁気抵抗効果素子層の両端にＡｕか
らなる導電膜を堆積させて素子電極を形成し、次いで、
再び、Ａｌ2 Ｏ3 からなるギャップスペーサ層を介して
ＮｉＦｅ合金からなる厚さが２．０〜４．０μｍ、例え
ば、３．０μｍの下部磁極兼上部シールド層２１を形成
する。
施の形態の製造工程を説明する。 図４（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、Ａｌ2 Ｏ3 ・
ＴｉＣからなる基板上に、ＮｉＦｅ合金からなる下部シ
ールド層を設け、Ａｌ2 Ｏ3 からなるのギャップスペー
サ層を介してＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造
からなる磁気抵抗効果素子層を設けて所定の形状にパタ
ーニングしたのち、磁気抵抗効果素子層の両端にＡｕか
らなる導電膜を堆積させて素子電極を形成し、次いで、
再び、Ａｌ2 Ｏ3 からなるギャップスペーサ層を介して
ＮｉＦｅ合金からなる厚さが２．０〜４．０μｍ、例え
ば、３．０μｍの下部磁極兼上部シールド層２１を形成
する。
【００４５】次いで、下部磁極兼上部シールド層２１上
に、スパッタリング法によって厚さが、１μｍ以下、例
えば、０．５μｍのＮｉＦｅ合金からなる磁性膜２２を
堆積させたのち、レジストを塗布してパターニングする
ことによって幅１．５〜２．５μｍ、例えば、２．０μ
ｍのレジストマスク２３を形成する。
に、スパッタリング法によって厚さが、１μｍ以下、例
えば、０．５μｍのＮｉＦｅ合金からなる磁性膜２２を
堆積させたのち、レジストを塗布してパターニングする
ことによって幅１．５〜２．５μｍ、例えば、２．０μ
ｍのレジストマスク２３を形成する。
【００４６】なお、この場合もレジストマスク２３の
幅、したがって、以下で形成する盛り上げ磁性膜２５の
幅Ｗ2 は、速やかなトリミングを可能にするために、上
部磁極コアの幅Ｗ1 に対して、Ｗ1 ≦Ｗ2 ≦Ｗ1 ＋２μ
ｍに設定することが望ましく、また、盛り上げ磁性膜２
５の厚さｔ2 は、ギャップ長と同程度になるように、マ
ージンを見込んで、次に成膜する記録ギャップ層２６の
厚さｔ1 に対して、ｔ1≦ｔ2 ≦２×ｔ1 になるように
設定することが望ましい。
幅、したがって、以下で形成する盛り上げ磁性膜２５の
幅Ｗ2 は、速やかなトリミングを可能にするために、上
部磁極コアの幅Ｗ1 に対して、Ｗ1 ≦Ｗ2 ≦Ｗ1 ＋２μ
ｍに設定することが望ましく、また、盛り上げ磁性膜２
５の厚さｔ2 は、ギャップ長と同程度になるように、マ
ージンを見込んで、次に成膜する記録ギャップ層２６の
厚さｔ1 に対して、ｔ1≦ｔ2 ≦２×ｔ1 になるように
設定することが望ましい。
【００４７】図４（ｂ）参照 次いで、レジストマスク２３をマスクとしてＡｒイオン
２４によるイオンミリングを施すことによって磁性膜２
２をエッチングして盛り上げ磁性膜２５を形成する。
２４によるイオンミリングを施すことによって磁性膜２
２をエッチングして盛り上げ磁性膜２５を形成する。
【００４８】図４（ｃ）参照 次いで、レジストマスク２３を除去したのち、以降は上
記の第１の実施の形態と同様に、スパッタリング法によ
って厚さ０．３〜０．６μｍ、例えば、０．４μｍのＡ
ｌ2 Ｏ3 を堆積させて記録ギャップ層２６としたのち、
従来の工程と同様にレジスト等の層間絶縁膜（図示せ
ず）を介して導電体膜を設け、パターニングすることに
よって上部磁極コア２７と下部磁極コアとなる盛り上げ
磁性膜２５の接続部を複数回巻くコイル（図示せず）を
形成し、次いで、レジスト等の層間絶縁膜（図示せず）
を形成してコイルを被覆したのち、上部磁極コア２７と
盛り上げ磁性膜２５の接続部が露出するようにパターニ
ングする。
記の第１の実施の形態と同様に、スパッタリング法によ
って厚さ０．３〜０．６μｍ、例えば、０．４μｍのＡ
ｌ2 Ｏ3 を堆積させて記録ギャップ層２６としたのち、
従来の工程と同様にレジスト等の層間絶縁膜（図示せ
ず）を介して導電体膜を設け、パターニングすることに
よって上部磁極コア２７と下部磁極コアとなる盛り上げ
磁性膜２５の接続部を複数回巻くコイル（図示せず）を
形成し、次いで、レジスト等の層間絶縁膜（図示せず）
を形成してコイルを被覆したのち、上部磁極コア２７と
盛り上げ磁性膜２５の接続部が露出するようにパターニ
ングする。
【００４９】次いで、メッキベース層となる、厚さ５０
〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層（図示せず）、及
び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉＦｅ
をスパッタリング法によって順次成膜し、レジストを露
光・現像することによって上部磁極コア２７を形成する
ための磁極用レジストパターン（図示せず）を形成した
のち、電解メッキを行うことによって、厚さ２．５〜
４．０μｍ、例えば、３．０μｍで、幅Ｗ1 が０．５〜
２．０μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅ合金からな
る上部磁極コア２７を形成する。
〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層（図示せず）、及
び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉＦｅ
をスパッタリング法によって順次成膜し、レジストを露
光・現像することによって上部磁極コア２７を形成する
ための磁極用レジストパターン（図示せず）を形成した
のち、電解メッキを行うことによって、厚さ２．５〜
４．０μｍ、例えば、３．０μｍで、幅Ｗ1 が０．５〜
２．０μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅ合金からな
る上部磁極コア２７を形成する。
【００５０】図４（ｄ）参照 次いで、磁極用レジストパターンを除去し、露出した上
部磁極コア２７以外の領域におけるメッキベース層をＡ
ｒイオンを用いたイオンミリング法によって除去したの
ち、引き続いてＡｒイオン２８を用いたイオンミリング
法によって、上部磁極コア２７をマスクとして露出して
いる記録ギャップ層２６を選択的に除去する。
部磁極コア２７以外の領域におけるメッキベース層をＡ
ｒイオンを用いたイオンミリング法によって除去したの
ち、引き続いてＡｒイオン２８を用いたイオンミリング
法によって、上部磁極コア２７をマスクとして露出して
いる記録ギャップ層２６を選択的に除去する。
【００５１】図４（ｅ）参照 次いで、再び、Ａｒイオン２９を用いた０°入射による
イオンミリングを施すことによって、盛り上げ磁性膜２
５の角部を優先的にエッチング除去することによって、
トリミング角θが、４５°≦θ≦９０°のテーパ状の盛
り上げ磁性膜２５とする。
イオンミリングを施すことによって、盛り上げ磁性膜２
５の角部を優先的にエッチング除去することによって、
トリミング角θが、４５°≦θ≦９０°のテーパ状の盛
り上げ磁性膜２５とする。
【００５２】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いては、上記の第１の実施の形態と同様に下部磁極コア
となる磁性膜を予め所定幅Ｗ2 の盛り上げ磁性膜２５と
して形成しているので、トリミング工程においては盛り
上げ磁性膜２５の角部を優先的にエッチングすれば良
く、エッチング量が少ないので、処理時間を飛躍的に短
縮することができ、スループットが向上する。
いては、上記の第１の実施の形態と同様に下部磁極コア
となる磁性膜を予め所定幅Ｗ2 の盛り上げ磁性膜２５と
して形成しているので、トリミング工程においては盛り
上げ磁性膜２５の角部を優先的にエッチングすれば良
く、エッチング量が少ないので、処理時間を飛躍的に短
縮することができ、スループットが向上する。
【００５３】また、エッチング量が少ないので、トリミ
ングに伴う上部磁極コア２７の薄層化を意識する必要が
なく、上部磁極コア２７を薄く、したがって、磁極用レ
ジストパターンを薄くすることができるので、上部磁極
コア２７の幅Ｗ1 、即ち、記録幅を狭くすることがで
き、それによって、高記録密度化が可能になる。
ングに伴う上部磁極コア２７の薄層化を意識する必要が
なく、上部磁極コア２７を薄く、したがって、磁極用レ
ジストパターンを薄くすることができるので、上部磁極
コア２７の幅Ｗ1 、即ち、記録幅を狭くすることがで
き、それによって、高記録密度化が可能になる。
【００５４】また、この第２の実施の形態においては、
盛り上げ磁性膜２５の形成工程においてメッキ法を用い
ていないので、メッキベース層の形成工程及びその除去
工程が不要になる。なお、盛り上げ磁性膜の形成工程に
おいて上記の第１の実施の形態のようにメッキ法を用い
るか、或いは、第２の実施の形態のように全面成膜の後
にドライエッチングを行うかは、盛り上げ磁性膜を構成
する素材と成膜工程との相性によって適宜選択すれば良
い。
盛り上げ磁性膜２５の形成工程においてメッキ法を用い
ていないので、メッキベース層の形成工程及びその除去
工程が不要になる。なお、盛り上げ磁性膜の形成工程に
おいて上記の第１の実施の形態のようにメッキ法を用い
るか、或いは、第２の実施の形態のように全面成膜の後
にドライエッチングを行うかは、盛り上げ磁性膜を構成
する素材と成膜工程との相性によって適宜選択すれば良
い。
【００５５】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるも
のではなく、各種の変更が可能であり、例えば、記録ギ
ャップ層としてＡｌ2 Ｏ3 を用いているが、Ａｌ2 Ｏ3
に限られるものではなく、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2
Ｏ5 等の酸化膜、或いは、Ｔｉ、Ｔａ等のパーマロイの
抵抗値より高抵抗な非磁性金属膜を用いても良いもので
ある。
たが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるも
のではなく、各種の変更が可能であり、例えば、記録ギ
ャップ層としてＡｌ2 Ｏ3 を用いているが、Ａｌ2 Ｏ3
に限られるものではなく、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2
Ｏ5 等の酸化膜、或いは、Ｔｉ、Ｔａ等のパーマロイの
抵抗値より高抵抗な非磁性金属膜を用いても良いもので
ある。
【００５６】また、上記の各実施の形態の説明において
は、盛り上げ磁性膜のパターニング或いはトリミングの
際に、イオンミリング法を用いているが、イオンミリン
グ法に限られるものではなく、例えば、スパッタエッチ
ング法を用いても良いものであり、或いは、反応ガスと
して塩素系ガス或いはＣＨＦ3 等を用いた反応性イオン
エッチング法を用いても良いものである。
は、盛り上げ磁性膜のパターニング或いはトリミングの
際に、イオンミリング法を用いているが、イオンミリン
グ法に限られるものではなく、例えば、スパッタエッチ
ング法を用いても良いものであり、或いは、反応ガスと
して塩素系ガス或いはＣＨＦ3 等を用いた反応性イオン
エッチング法を用いても良いものである。
【００５７】また、上記の各実施の形態の説明において
は、記録ギャップ層のエッチングに際して、イオンミリ
ング法を用いているが、イオンミリング法に限られるも
のではなく、例えば、反応ガスとして塩素系ガス或いは
ＣＨＦ3 等を用いた反応性イオンエッチング法を用いて
も良いものであり、或いは、燐酸（Ｈ3 ＰＯ4 ）を用い
たウェット・エッチングによって除去しても良いもので
ある。
は、記録ギャップ層のエッチングに際して、イオンミリ
ング法を用いているが、イオンミリング法に限られるも
のではなく、例えば、反応ガスとして塩素系ガス或いは
ＣＨＦ3 等を用いた反応性イオンエッチング法を用いて
も良いものであり、或いは、燐酸（Ｈ3 ＰＯ4 ）を用い
たウェット・エッチングによって除去しても良いもので
ある。
【００５８】また、上記の各実施の形態においては実施
していないが、盛り上げ磁性膜のトリミング工程におい
て、エッチングされた磁性材料の再付着量が多い場合に
は、７０°程度のイオン入射により再付着層を除去する
プロセスを加えても良い。
していないが、盛り上げ磁性膜のトリミング工程におい
て、エッチングされた磁性材料の再付着量が多い場合に
は、７０°程度のイオン入射により再付着層を除去する
プロセスを加えても良い。
【００５９】また、上記の第２の実施の形態において、
下部磁極兼上部シールド層２１と磁性膜２２とを同じ素
材で形成する場合には、下部磁極兼上部シールド層２１
を厚く形成しておき、磁性膜２２を形成することなく、
レジストマスク２３を設けて、下部磁極兼上部シールド
層２１を所定深さにエッチングして盛り上げ磁性膜２５
を形成しても良いものである。
下部磁極兼上部シールド層２１と磁性膜２２とを同じ素
材で形成する場合には、下部磁極兼上部シールド層２１
を厚く形成しておき、磁性膜２２を形成することなく、
レジストマスク２３を設けて、下部磁極兼上部シールド
層２１を所定深さにエッチングして盛り上げ磁性膜２５
を形成しても良いものである。
【００６０】また、上記の各実施の形態の説明において
は、上部磁極コアの形成に際しては、電解メッキ法を用
いているが、スパッタリング法或いは蒸着法等の乾式成
膜法を用い、成膜後にパターニングしても良いものであ
る。
は、上部磁極コアの形成に際しては、電解メッキ法を用
いているが、スパッタリング法或いは蒸着法等の乾式成
膜法を用い、成膜後にパターニングしても良いものであ
る。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、下部磁極をトリミング
する際に、予め盛り上げ磁性膜を設けているので、ＦＩ
Ｂ装置等を用いることなく従来のプロセス技術・設備の
みでトリミングすることができるので、簡単なスループ
ットの良好な工程で記録磁界の拡がりを低減することが
でき、それによって、複合型薄膜磁気ヘッドの高記録密
度化、低価格化に寄与し、ひいては、高性能ＨＤＤ装置
の普及に寄与するところが大きい。
する際に、予め盛り上げ磁性膜を設けているので、ＦＩ
Ｂ装置等を用いることなく従来のプロセス技術・設備の
みでトリミングすることができるので、簡単なスループ
ットの良好な工程で記録磁界の拡がりを低減することが
でき、それによって、複合型薄膜磁気ヘッドの高記録密
度化、低価格化に寄与し、ひいては、高性能ＨＤＤ装置
の普及に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の製造工程の説明図
である。
である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による複合型薄膜磁
気ヘッドにおけるトリミング角度と記録磁界の拡がり幅
の相関図である。
気ヘッドにおけるトリミング角度と記録磁界の拡がり幅
の相関図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の製造工程の説明図
である。
である。
【図５】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図６】従来の改良型の複合型薄膜磁気ヘッドの製造工
程の説明図である。
程の説明図である。
１ 薄膜磁気ヘッド ２ 磁気抵抗効果ヘッド ３ 上部磁極コア ４ ギャップ層 ５ 磁性層 ６ 上部シールド層を兼ねる下部磁極 ７ 下部シールド層 ８ イオン １１ 下部磁極兼上部シールド層 １２ メッキベース層 １３ レジストマスク １４ 盛り上げ磁性膜 １５ 記録ギャップ層 １６ 上部磁極コア １７ イオン １８ イオン ２１ 下部磁極兼上部シールド層 ２２ 磁性膜 ２３ レジストマスク ２４ イオン ２５ 盛り上げ磁性膜 ２６ 記録ギャップ層 ２７ 上部磁極コア ２８ イオン ２９ イオン ３１ 基板 ３２ 下部シールド層 ３３ ギャップスペーサ層 ３４ 磁気抵抗効果素子層 ３５ 素子電極 ３６ ギャップスペーサ層 ３７ 上部シールド層兼下部コア層 ３８ 記録ギャップ層 ３９ コイル ４０ 層間絶縁膜 ４１ 上部コア層 ４２ 記録磁界 ４３ 凸部 ４４ 集束イオンビーム
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果ヘッド上に、層間絶縁膜、
ギャップ層、導体コイルを挟んで磁気回路を構成する薄
膜磁気ヘッドを設けた複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記磁気抵抗効果ヘッドを構成する磁気抵抗
効果素子上に上部シールド層を兼ねる下部磁極を形成す
る工程、前記上部シールド層を兼ねる下部磁極上に上部
磁極コアより幅の広い磁性層をメッキによって形成する
工程、前記ギャップ層を成膜する工程、前記ギャップ層
上の前記磁性層の対応する位置に上部磁極コア層を形成
する工程、前記磁性層の角部をドライエッチングし、前
記上部シールド層を兼ねる下部磁極の主面と前記磁性層
の側面とのなす角θを４５°≦θ≦９０°とする工程を
有することを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果ヘッド上に、層間絶縁膜、
ギャップ層、導体コイルを挟んで磁気回路を構成する薄
膜磁気ヘッドを設けた複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記磁気抵抗効果ヘッドを構成する磁気抵抗
効果素子上に上部シールド層を兼ねる下部磁極を形成す
る工程、前記上部シールド層を兼ねる下部磁極上に磁性
膜を成膜する工程、前記磁性膜をドライエッチングして
上部磁極コアより幅の広い磁性層を形成する工程、前記
ギャップ層を成膜する工程、前記ギャップ層上の前記磁
性層の対応する位置に上部磁極コア層を形成する工程、
前記磁性層の角部をドライエッチングし、前記上部シー
ルド層を兼ねる下部磁極の主面と前記磁性層の側面との
なす角θを４５°≦θ≦９０°とする工程を有すること
を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 上記磁性層の角部をドライエッチングす
る前の幅が、上記上部磁極コアの幅と２μｍの和よりも
狭いことを特徴とする請求項１または２に記載の複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 上記磁性層の厚さが、ギャップ長以上で
あり、且つ、ギャップ長の２倍以下であることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 磁気抵抗効果ヘッド上に、層間絶縁膜、
ギャップ層、導体コイルを挟んで磁気回路を構成する薄
膜磁気ヘッドを設けた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記薄膜磁気ヘッドを請求項１乃至請求項４のいずれか
の方法によって形成したことを特徴とする複合型薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7274598A JPH11273026A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7274598A JPH11273026A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273026A true JPH11273026A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13498213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7274598A Pending JPH11273026A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11273026A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7248434B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-07-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Planarized perpendicular pole tip system and method for manufacturing the same |
| US7821737B2 (en) | 2005-07-20 | 2010-10-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thin film magnetic head for high density recording and having a leading side magnetic pole piece of variable width at the media facing surface |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP7274598A patent/JPH11273026A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7248434B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-07-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Planarized perpendicular pole tip system and method for manufacturing the same |
| US7821737B2 (en) | 2005-07-20 | 2010-10-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thin film magnetic head for high density recording and having a leading side magnetic pole piece of variable width at the media facing surface |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030617 |