JPH0644559A - 磁気ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ディスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0644559A JPH0644559A JP9910492A JP9910492A JPH0644559A JP H0644559 A JPH0644559 A JP H0644559A JP 9910492 A JP9910492 A JP 9910492A JP 9910492 A JP9910492 A JP 9910492A JP H0644559 A JPH0644559 A JP H0644559A
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- JP
- Japan
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- film
- protective film
- carbon
- magnetic
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 アルゴンガスの圧力を10mTorr未満でかつ
基板のバイアス電圧を−200ボルト未満としてカーボ
ンターゲットを用いてスパタリングによって磁性膜の上
に硬いカーボン膜の第一の保護膜を設け、アルゴンガス
の圧力を10mTorr以上でかつ基板のバイアス電圧を−
200ボルト以上としてカーボンターゲットを用いてス
パタリングによって第一の保護膜の上に表面が粗いカー
ボン膜の第二の保護膜を設ける。 【効果】 潤滑膜がなくても充分に低い静摩擦係数でし
かも耐久性がある保護膜を形成することができる。
基板のバイアス電圧を−200ボルト未満としてカーボ
ンターゲットを用いてスパタリングによって磁性膜の上
に硬いカーボン膜の第一の保護膜を設け、アルゴンガス
の圧力を10mTorr以上でかつ基板のバイアス電圧を−
200ボルト以上としてカーボンターゲットを用いてス
パタリングによって第一の保護膜の上に表面が粗いカー
ボン膜の第二の保護膜を設ける。 【効果】 潤滑膜がなくても充分に低い静摩擦係数でし
かも耐久性がある保護膜を形成することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスクおよびその
製造方法に関し、特に磁性膜の上にカーボン保護膜を有
する磁気ディスクおよびその製造方法に関する。
製造方法に関し、特に磁性膜の上にカーボン保護膜を有
する磁気ディスクおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置に用いられて情報を磁
気的に記録する記録媒体(磁気ディスク)のうち、記録
層として金属磁性膜を用いている従来の磁気ディスク
は、金属磁性膜の機械的な耐久性を向上させるため、金
属磁性膜の上に保護膜を被覆している。
気的に記録する記録媒体(磁気ディスク)のうち、記録
層として金属磁性膜を用いている従来の磁気ディスク
は、金属磁性膜の機械的な耐久性を向上させるため、金
属磁性膜の上に保護膜を被覆している。
【0003】しかし、現在の磁気ディスク装置は、回転
の起動および停止のとき磁気ヘッドを磁気ディスクに接
触させるいわゆるコンタクトスタートストップ方式(C
SS方式)の磁気ディスク装置が主流であるため、回転
の起動および停止のときに、磁気ヘッドまたは磁気ディ
スクが高い摩擦力によって破壊される惧れがある。この
ため、従来の磁気ディスクは、表面に潤滑膜を設けてい
る。
の起動および停止のとき磁気ヘッドを磁気ディスクに接
触させるいわゆるコンタクトスタートストップ方式(C
SS方式)の磁気ディスク装置が主流であるため、回転
の起動および停止のときに、磁気ヘッドまたは磁気ディ
スクが高い摩擦力によって破壊される惧れがある。この
ため、従来の磁気ディスクは、表面に潤滑膜を設けてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の磁気ディスクは、回転の起動および停止のときに磁気
ヘッドまたは磁気ディスクが破壊されるのを防止するた
め、表面に潤滑膜を設けなければならないという問題点
を有している。
の磁気ディスクは、回転の起動および停止のときに磁気
ヘッドまたは磁気ディスクが破壊されるのを防止するた
め、表面に潤滑膜を設けなければならないという問題点
を有している。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク
は、磁性膜の上に硬いカーボン膜の第一の保護膜を設
け、前記第一の保護膜の上に表面が粗いカーボン膜の第
二の保護膜を設けたものである。
は、磁性膜の上に硬いカーボン膜の第一の保護膜を設
け、前記第一の保護膜の上に表面が粗いカーボン膜の第
二の保護膜を設けたものである。
【0006】本発明の磁気ディスクの製造方法は、アル
ゴンガスの圧力が10mTorr未満でかつ基板のバイアス
電圧を−200ボルト未満としてカーボンターゲットを
用いてスパタリングによって磁性膜の上に第一の保護膜
を形成し、アルゴンガスの圧力が10mTorr以上でかつ
基板のバイアス電圧を−200ボルト以下としてカーボ
ンターゲットを用いてスパタリングによって前記第一の
保護膜の上に第二の保護膜を形成することを含むもので
ある。
ゴンガスの圧力が10mTorr未満でかつ基板のバイアス
電圧を−200ボルト未満としてカーボンターゲットを
用いてスパタリングによって磁性膜の上に第一の保護膜
を形成し、アルゴンガスの圧力が10mTorr以上でかつ
基板のバイアス電圧を−200ボルト以下としてカーボ
ンターゲットを用いてスパタリングによって前記第一の
保護膜の上に第二の保護膜を形成することを含むもので
ある。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0008】図1は本発明の磁気ディスクの一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【0009】図1の磁気ディスクは、アルミ合金基板1
の上に厚さ1500オングストロムのNiP膜2を無電
解メッキ法によって形成し、その上に厚さ500オング
ストロムの下地Cr膜3をスパッタ法によって形成し、
さらにその上に厚さ500オングストロムのCoCrT
a磁性膜4を形成し、CoCrTa磁性膜4の上に、厚
さ500オングストロムの第一カーボン保護膜5を、導
入アルゴンガスの圧力が1mTorrでかつ基板のバイアス
電圧が0ボルトの条件でカーボンターゲットを用いてス
パタリングによって形成し、更に、第一カーボン保護膜
5の上に、アルゴンガスの圧力が20mTorrでかつ基板
のバイアス電圧が0ボルトとしてカーボンターゲットを
用いてスパタリングによって厚さ100オングストロム
の第二カーボン保護膜6を形成したものである。
の上に厚さ1500オングストロムのNiP膜2を無電
解メッキ法によって形成し、その上に厚さ500オング
ストロムの下地Cr膜3をスパッタ法によって形成し、
さらにその上に厚さ500オングストロムのCoCrT
a磁性膜4を形成し、CoCrTa磁性膜4の上に、厚
さ500オングストロムの第一カーボン保護膜5を、導
入アルゴンガスの圧力が1mTorrでかつ基板のバイアス
電圧が0ボルトの条件でカーボンターゲットを用いてス
パタリングによって形成し、更に、第一カーボン保護膜
5の上に、アルゴンガスの圧力が20mTorrでかつ基板
のバイアス電圧が0ボルトとしてカーボンターゲットを
用いてスパタリングによって厚さ100オングストロム
の第二カーボン保護膜6を形成したものである。
【0010】上述の磁気ディスクと標準的な磁気ヘッド
との静摩擦係数は、当初の状態のとき、および300の
コンタクトスタートストップ動作を行ったとき、および
20000回のコンタクトスタートストップ動作を行っ
たときの各場合について測定すると、表1に示すような
結果が得られた。
との静摩擦係数は、当初の状態のとき、および300の
コンタクトスタートストップ動作を行ったとき、および
20000回のコンタクトスタートストップ動作を行っ
たときの各場合について測定すると、表1に示すような
結果が得られた。
【0011】表1には、比較のために、CoCrTa磁
性膜4までは同じ条件で形成し、保護膜および潤滑膜の
形成条件または有無の条件を変えた三つの場合、すなわ
ち、(1)導入アルゴンガスの圧力が1mTorrでかつ基
板のバイアス電圧が0ボルトでカーボン保護膜を1層の
み形成し、潤滑膜が無い場合、(2)導入アルゴンガス
の圧力が1mTorrでかつ基板のバイアス電圧が0ボルト
でカーボン保護膜を1層のみ形成し((1)の場合と同
じ条件)、潤滑膜がある場合、(3)導入アルゴンガス
の圧力が20mTorrでかつ基板のバイアス電圧が−40
0ボルトでカーボン保護膜を1層のみ形成し、潤滑膜が
ある場合における静摩擦係数の測定結果を示している。
性膜4までは同じ条件で形成し、保護膜および潤滑膜の
形成条件または有無の条件を変えた三つの場合、すなわ
ち、(1)導入アルゴンガスの圧力が1mTorrでかつ基
板のバイアス電圧が0ボルトでカーボン保護膜を1層の
み形成し、潤滑膜が無い場合、(2)導入アルゴンガス
の圧力が1mTorrでかつ基板のバイアス電圧が0ボルト
でカーボン保護膜を1層のみ形成し((1)の場合と同
じ条件)、潤滑膜がある場合、(3)導入アルゴンガス
の圧力が20mTorrでかつ基板のバイアス電圧が−40
0ボルトでカーボン保護膜を1層のみ形成し、潤滑膜が
ある場合における静摩擦係数の測定結果を示している。
【0012】
【表1】
【0013】表1から、本実施例の場合、充分に低い静
摩擦係数が得られ、しかも耐久性があることが実証され
た。
摩擦係数が得られ、しかも耐久性があることが実証され
た。
【0014】保護膜の形成条件としては、第一保護膜5
は、アルゴンガスの圧力を10mTorr未満、基板のバイ
アス電圧を−200ボルト未満とし、第二保護膜は、ア
ルゴンガスの圧力を10mTorr以上、基板のバイアス電
圧を−200ボルト以下とするのがよい。
は、アルゴンガスの圧力を10mTorr未満、基板のバイ
アス電圧を−200ボルト未満とし、第二保護膜は、ア
ルゴンガスの圧力を10mTorr以上、基板のバイアス電
圧を−200ボルト以下とするのがよい。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気ディ
スクおよびその製造方法は、アルゴンガスの圧力を10
mTorr未満でかつ基板のバイアス電圧を−200ボルト
未満としてカーボンターゲットを用いてスパタリングに
よって磁性膜の上に硬いカーボン膜の第一の保護膜を設
け、アルゴンガスの圧力を10mTorr以上でかつ基板の
バイアス電圧を−200ボルト以上としてカーボンター
ゲットを用いてスパタリングによって第一の保護膜の上
に表面が粗いカーボン膜の第二の保護膜を設けることに
より、潤滑膜がなくても充分に低い静摩擦係数でしかも
耐久性がある保護膜を形成することができるという効果
がある。
スクおよびその製造方法は、アルゴンガスの圧力を10
mTorr未満でかつ基板のバイアス電圧を−200ボルト
未満としてカーボンターゲットを用いてスパタリングに
よって磁性膜の上に硬いカーボン膜の第一の保護膜を設
け、アルゴンガスの圧力を10mTorr以上でかつ基板の
バイアス電圧を−200ボルト以上としてカーボンター
ゲットを用いてスパタリングによって第一の保護膜の上
に表面が粗いカーボン膜の第二の保護膜を設けることに
より、潤滑膜がなくても充分に低い静摩擦係数でしかも
耐久性がある保護膜を形成することができるという効果
がある。
【図1】本発明の磁気ディスクの一実施例を示す断面図
である。
である。
1 アルミ合金基板 2 NiP膜 3 下地Cr膜 4 CoCrTa磁性膜 5 第一カーボン保護膜 6 第二カーボン保護膜
Claims (2)
- 【請求項1】 磁性膜の上に硬いカーボン膜の第一の保
護膜を設け、前記第一の保護膜の上に表面が粗いカーボ
ン膜の第二の保護膜を設けたことを特徴とする磁気ディ
スク。 - 【請求項2】 アルゴンガスの圧力が10mTorr未満で
かつ基板のバイアス電圧を−200ボルト未満としてカ
ーボンターゲットを用いてスパタリングによって磁性膜
の上に第一の保護膜を形成し、アルゴンガスの圧力が1
0mTorr以上でかつ基板のバイアス電圧を−200ボル
ト以下としてカーボンターゲットを用いてスパタリング
によって前記第一の保護膜の上に第二の保護膜を形成す
ることを含むことを特徴とする磁気ディスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9910492A JPH0644559A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9910492A JPH0644559A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644559A true JPH0644559A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=14238534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9910492A Withdrawn JPH0644559A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644559A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475020B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-06-13 | 삼성전자주식회사 | 부식방지기능이향상된하드디스크및하드디스크의카본층제조방법 |
| CN100338651C (zh) * | 2004-08-31 | 2007-09-19 | 株式会社东芝 | 磁头、磁头悬架组件、磁性再现设备以及制造磁头的方法 |
| JP2010020832A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2010528400A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | ドルベック,マーク,エイ. | コンピュータの高性能ハードディスクドライブ |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP9910492A patent/JPH0644559A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475020B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-06-13 | 삼성전자주식회사 | 부식방지기능이향상된하드디스크및하드디스크의카본층제조방법 |
| CN100338651C (zh) * | 2004-08-31 | 2007-09-19 | 株式会社东芝 | 磁头、磁头悬架组件、磁性再现设备以及制造磁头的方法 |
| JP2010528400A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | ドルベック,マーク,エイ. | コンピュータの高性能ハードディスクドライブ |
| JP2010020832A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |