JPH0644578B2 - 電荷転送素子 - Google Patents
電荷転送素子Info
- Publication number
- JPH0644578B2 JPH0644578B2 JP59271546A JP27154684A JPH0644578B2 JP H0644578 B2 JPH0644578 B2 JP H0644578B2 JP 59271546 A JP59271546 A JP 59271546A JP 27154684 A JP27154684 A JP 27154684A JP H0644578 B2 JPH0644578 B2 JP H0644578B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge transfer
- region
- channel region
- type semiconductor
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/462—Buried-channel CCD
- H10D44/468—Four-phase CCD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
- H10D62/213—Channel regions of field-effect devices
- H10D62/335—Channel regions of field-effect devices of charge-coupled devices
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は電荷転送素子に関し、特に低温での転送効率
を改善した電荷転送素子に関するものである。なおこゝ
で低温とは、液体窒素付近あるいはそれ以下の温度のこ
とをいう。
を改善した電荷転送素子に関するものである。なおこゝ
で低温とは、液体窒素付近あるいはそれ以下の温度のこ
とをいう。
［従来の技術］ 近年量子形の赤外検出器とシリコン電荷転送素子を組み
合わせた赤外線イメージセンサの開発が盛んになってき
ているが、これらの赤外線イメージセンサは、検出器の
暗電流を減らし十分なＳ／Ｎ比を得るために、通常液体
窒素温度（７７Ｋ）付近の低温で使用される。このた
め、こうしたイメージセンサを構成する電荷転送素子
（Charge-Coupled Device：以下ＣＣＤと略記する）も
低温で動作させる必要がある。従来からイメージセンサ
に用いるＣＣＤには、高速・高転送効率・低雑音といっ
た優れた特性を持った埋め込みチャンネルＣＣＤ（Buri
ed-Channel ＣＣＤ：以下ＢＣＣＤと略記する）が選ば
れてきた（ＢＣＣＤに関しては、Ｒ．Ｈ．Walden et a
l．Bell Syst．Tech．Ｊ．Vcl．５１（１９７２） pp．１６３５−１６４０参照）。
合わせた赤外線イメージセンサの開発が盛んになってき
ているが、これらの赤外線イメージセンサは、検出器の
暗電流を減らし十分なＳ／Ｎ比を得るために、通常液体
窒素温度（７７Ｋ）付近の低温で使用される。このた
め、こうしたイメージセンサを構成する電荷転送素子
（Charge-Coupled Device：以下ＣＣＤと略記する）も
低温で動作させる必要がある。従来からイメージセンサ
に用いるＣＣＤには、高速・高転送効率・低雑音といっ
た優れた特性を持った埋め込みチャンネルＣＣＤ（Buri
ed-Channel ＣＣＤ：以下ＢＣＣＤと略記する）が選ば
れてきた（ＢＣＣＤに関しては、Ｒ．Ｈ．Walden et a
l．Bell Syst．Tech．Ｊ．Vcl．５１（１９７２） pp．１６３５−１６４０参照）。
第５図（ａ）は、従来用いられてきた４相駆動方式のｎ
チャンネルＢＣＣＤの平面図であり、第５図（ｂ）は第
５図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。初めに、この電荷
転送素子の構成について説明する。第５図（ａ），
（ｂ）において、ｐ形シリコン基板１３０上にｎ形不純
物領域１２０が形成されており、この領域の不純物濃度
は、通常ｐ形シリコン基板１３０の不純物濃度より１桁
程度高い濃度となっている。ｎ形不純物領域１２０上に
ゲート酸化膜１１０が形成されており、ゲート酸化膜１
１０上に互いに隔てて複数のゲート電極２１，３１，４
１，５１，２２，３２，４２，５２が形成されている。
１０は転送チャンネル領域で、通常厚いシリコン酸化膜
または高濃度ｐ形不純物領域を周辺に設けることによっ
てチャンネルを制限する。ゲート電極２１，２２はクロ
ックバスライン７０を通して第１相のクロックに、ゲー
ト電極３１，３２はクロックバスライン８０を通して第
２相のクロックに、ゲート電極４１，４２はクロックバ
スライン９０を通して第３相のクロックに、ゲート電極
５１，５２はクロックバスライン１００を通して第４相
のクロックに接続される。
チャンネルＢＣＣＤの平面図であり、第５図（ｂ）は第
５図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。初めに、この電荷
転送素子の構成について説明する。第５図（ａ），
（ｂ）において、ｐ形シリコン基板１３０上にｎ形不純
物領域１２０が形成されており、この領域の不純物濃度
は、通常ｐ形シリコン基板１３０の不純物濃度より１桁
程度高い濃度となっている。ｎ形不純物領域１２０上に
ゲート酸化膜１１０が形成されており、ゲート酸化膜１
１０上に互いに隔てて複数のゲート電極２１，３１，４
１，５１，２２，３２，４２，５２が形成されている。
１０は転送チャンネル領域で、通常厚いシリコン酸化膜
または高濃度ｐ形不純物領域を周辺に設けることによっ
てチャンネルを制限する。ゲート電極２１，２２はクロ
ックバスライン７０を通して第１相のクロックに、ゲー
ト電極３１，３２はクロックバスライン８０を通して第
２相のクロックに、ゲート電極４１，４２はクロックバ
スライン９０を通して第３相のクロックに、ゲート電極
５１，５２はクロックバスライン１００を通して第４相
のクロックに接続される。
次に、この電荷転送素子の動作について説明する。第５
図のような構造を持ったｎチャンネルＢＣＣでは、各ゲ
ート電極下のｎ形不純物領域１２０の中で電子に対する
ポテンシャルの最小値を生じる。この最小値はゲート電
位に依存して変化し、ゲート電位が高いほどそのポテン
シャルは低くなる。クロックバスライン７０，８０，９
０，１００につながる第１，第２，第３，第４相のクロ
ックがそれぞれπ／４ずつ位相がずれ、常に１相以上が
高電位となるように駆動すると、位相のずれが第１クロ
ック→第２クロック→第３クロック→第４クロックの順
になっている場合、図中の矢印方向へ信号電荷を転送す
ることができる。
図のような構造を持ったｎチャンネルＢＣＣでは、各ゲ
ート電極下のｎ形不純物領域１２０の中で電子に対する
ポテンシャルの最小値を生じる。この最小値はゲート電
位に依存して変化し、ゲート電位が高いほどそのポテン
シャルは低くなる。クロックバスライン７０，８０，９
０，１００につながる第１，第２，第３，第４相のクロ
ックがそれぞれπ／４ずつ位相がずれ、常に１相以上が
高電位となるように駆動すると、位相のずれが第１クロ
ック→第２クロック→第３クロック→第４クロックの順
になっている場合、図中の矢印方向へ信号電荷を転送す
ることができる。
このようなＢＣＣＤにおいて、赤外線イメージセンサが
動作するような液体窒素温度付近の低温では、Japanese
Journal of Applied Physics vol．２２．Ｎｏ．
６（１９８３），pp．９７５−９８０に示されているよ
うに温度の下降とともに転送損失は急激に増大する。こ
の様子を第６図に示す。これは、ＢＣＣＤでｎ形不純物
領域１２０を形成する不純物レベルへのキャリアの凍結
現象に起因するものである。
動作するような液体窒素温度付近の低温では、Japanese
Journal of Applied Physics vol．２２．Ｎｏ．
６（１９８３），pp．９７５−９８０に示されているよ
うに温度の下降とともに転送損失は急激に増大する。こ
の様子を第６図に示す。これは、ＢＣＣＤでｎ形不純物
領域１２０を形成する不純物レベルへのキャリアの凍結
現象に起因するものである。
［発明が解決しようとする問題点］ 以上のように、従来のＢＣＣＤでは、低温において不純
物レベルへのキャリアの凍結現象に起因する転送効率の
劣化が起こり、このことはイメージセンサの多画素化に
対して大きな問題となっていた。
物レベルへのキャリアの凍結現象に起因する転送効率の
劣化が起こり、このことはイメージセンサの多画素化に
対して大きな問題となっていた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、低温においても十分な転送効率が得られる電
荷転送素子を提供することを目的とする。
たもので、低温においても十分な転送効率が得られる電
荷転送素子を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電荷転送素子は、第１導電形半導体基板
上に形成される第２導電形半導体領域のチャンネル領域
の電位を電荷転送方向と垂直な方向に変化させるように
したものである。
上に形成される第２導電形半導体領域のチャンネル領域
の電位を電荷転送方向と垂直な方向に変化させるように
したものである。
［作用］ この発明においては、第２導電形半導体領域のチャンネ
ル領域の電位を電荷転送方向と垂直な方向に変化させる
ことにより、この垂直方向のチャンネル領域内の電界を
強くし、この電界によって不純物レベルの電界方向のバ
リヤを低下させ、キャリアの放出時定数を短くしてキャ
リアの凍結現象をなくす。
ル領域の電位を電荷転送方向と垂直な方向に変化させる
ことにより、この垂直方向のチャンネル領域内の電界を
強くし、この電界によって不純物レベルの電界方向のバ
リヤを低下させ、キャリアの放出時定数を短くしてキャ
リアの凍結現象をなくす。
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図によって説明する。なお、
この実施例の説明において、第５図（ａ），（ｂ）およ
び第６図の説明と重複する部分については適宜その説明
を省略する。
この実施例の説明において、第５図（ａ），（ｂ）およ
び第６図の説明と重複する部分については適宜その説明
を省略する。
第１図は、この発明の一実施例であるＢＣＣＤの平面図
である。また、第２図（ａ）は第１図のＢ−Ｂ線断面図
であり、第２図（ｂ）は第２図（ａ）断面のチャンネル
領域の電子に対するポテンシャルを示す図である。第１
図および第２図（ａ）において、この実施例の構成が第
５図（ａ），（ｂ）の構成と異なる点は以下の点であ
る。チャンネル領域において電荷転送方向（第１図中の
矢印方向）と垂直方向に電子に対するポテンシャルの変
化をつけるために、ｐ形シリコン基板１３０上に、ｎ形
不純物領域１２１とこれより不純物濃度の薄いｎ形不純
物領域１４０とを上記垂直方向に交互に並んで形成し、
第２図（ｂ）に示すように、薄いｎ形不純物領域１４０
のポテンシャルがｎ形不純物領域１２１のポテンシャル
より浅くなっている点である。なお、１５０はチャンネ
ル分離用の厚いシリコン酸化膜である。
である。また、第２図（ａ）は第１図のＢ−Ｂ線断面図
であり、第２図（ｂ）は第２図（ａ）断面のチャンネル
領域の電子に対するポテンシャルを示す図である。第１
図および第２図（ａ）において、この実施例の構成が第
５図（ａ），（ｂ）の構成と異なる点は以下の点であ
る。チャンネル領域において電荷転送方向（第１図中の
矢印方向）と垂直方向に電子に対するポテンシャルの変
化をつけるために、ｐ形シリコン基板１３０上に、ｎ形
不純物領域１２１とこれより不純物濃度の薄いｎ形不純
物領域１４０とを上記垂直方向に交互に並んで形成し、
第２図（ｂ）に示すように、薄いｎ形不純物領域１４０
のポテンシャルがｎ形不純物領域１２１のポテンシャル
より浅くなっている点である。なお、１５０はチャンネ
ル分離用の厚いシリコン酸化膜である。
第３図（ａ）はこの発明の他の実施例であるＢＣＣＤの
断面図であり、第３図（ｂ）は第３図（ａ）断面のチャ
ンネル領域の電子に対するポテンシャルを示す図であ
る。ｎ形不純物領域１２０上に、ゲート酸化膜１１１と
これより膜厚が薄いゲート酸化膜３４０とが電荷転送方
向と垂直な方向に交互に並んで形成されており、第３図
（ｂ）に示すように、ゲート酸化膜３４０下のチャンネ
ル領域のポテンシャルがゲート酸化膜１１１下のチャン
ネル領域のポテンシャルより浅くなっている。
断面図であり、第３図（ｂ）は第３図（ａ）断面のチャ
ンネル領域の電子に対するポテンシャルを示す図であ
る。ｎ形不純物領域１２０上に、ゲート酸化膜１１１と
これより膜厚が薄いゲート酸化膜３４０とが電荷転送方
向と垂直な方向に交互に並んで形成されており、第３図
（ｂ）に示すように、ゲート酸化膜３４０下のチャンネ
ル領域のポテンシャルがゲート酸化膜１１１下のチャン
ネル領域のポテンシャルより浅くなっている。
次に、上記の構造のＢＣＣＤを用いることにより低温に
おける転送効率が改善される理由について説明する。前
述したように、赤外イメージセンサの動作する温度付近
での転送効率の劣化は、ｎ形不純物領域１２０，１２１
を形成している不純物レベルへのキャリアの凍結による
が、この劣化は不純物レベルからのキャリアの放出時定
数を短くすることによって改善することができる。すな
わち、電荷転送過程中に放出され主信号に加わった電荷
は転送効率の損失とならないので、キャリアの放出時間
を短くし、できるだけ多くの電荷が短時間に放出され主
信号に加わるようにすることが転送効率の改善に有効で
ある。こうした電荷トラップからの放出時定数τｅは、
一般に次式で表わされる。
おける転送効率が改善される理由について説明する。前
述したように、赤外イメージセンサの動作する温度付近
での転送効率の劣化は、ｎ形不純物領域１２０，１２１
を形成している不純物レベルへのキャリアの凍結による
が、この劣化は不純物レベルからのキャリアの放出時定
数を短くすることによって改善することができる。すな
わち、電荷転送過程中に放出され主信号に加わった電荷
は転送効率の損失とならないので、キャリアの放出時間
を短くし、できるだけ多くの電荷が短時間に放出され主
信号に加わるようにすることが転送効率の改善に有効で
ある。こうした電荷トラップからの放出時定数τｅは、
一般に次式で表わされる。
τｅ＝［σ・ｖｔｈ・Ｎｃ・ｅｘｐ（−Ｅｔ／ｋＴ）］
−１ここで、σはトラップの捕獲断面積，ｖｔｈは平均
熱速度，Ｎｃは有効状態密度，Ｅｔはトラップのエネル
ギ順位（伝導体から測ったもの），ｋはボルツマン定
数，Ｔは温度である。
−１ここで、σはトラップの捕獲断面積，ｖｔｈは平均
熱速度，Ｎｃは有効状態密度，Ｅｔはトラップのエネル
ギ順位（伝導体から測ったもの），ｋはボルツマン定
数，Ｔは温度である。
上式より明らかなように、τｅはＥｔの強い関数となっ
ている。τｅを短くするにはＥｔを小さくすることが有
効である。第４図は強電界中でのＥｔの実効的な低下を
説明する図である。図において、電界のない場合、不純
物レベル（この場合ドナーレベル）６００に捕獲された
電子が放出されるとき４００のようなポテンシャルを感
じる。この場合のトラップレベルは図中に示したＥｔと
なる。ここで、外部電界εＥＦ７００が存在すると、こ
の部分のポテンシャルは５００に示すようになり、電界
方向のバリヤはΔＥｔだけ小さくなりＥｔ′となる。こ
のときのバリヤの低下ΔＥｔは次式のようになる。
ている。τｅを短くするにはＥｔを小さくすることが有
効である。第４図は強電界中でのＥｔの実効的な低下を
説明する図である。図において、電界のない場合、不純
物レベル（この場合ドナーレベル）６００に捕獲された
電子が放出されるとき４００のようなポテンシャルを感
じる。この場合のトラップレベルは図中に示したＥｔと
なる。ここで、外部電界εＥＦ７００が存在すると、こ
の部分のポテンシャルは５００に示すようになり、電界
方向のバリヤはΔＥｔだけ小さくなりＥｔ′となる。こ
のときのバリヤの低下ΔＥｔは次式のようになる。
ここで、ｑは電子の電荷，εＳＩはシリコンの誘電率で
ある。
ある。
したがって、この発明のＢＣＣＤを用いれば、従来の電
荷転送方向の電界以外に、これと垂直方向にチャンネル
領域のポテンシャルの変化に基づく電界が加わり、上記
説明に従って実効的なトラップレベルが低下し、キャリ
アの放出時定数が短くなってＢＣＣＤの転送効率が改善
される。
荷転送方向の電界以外に、これと垂直方向にチャンネル
領域のポテンシャルの変化に基づく電界が加わり、上記
説明に従って実効的なトラップレベルが低下し、キャリ
アの放出時定数が短くなってＢＣＣＤの転送効率が改善
される。
なお、上記実施例では４相駆動方式のＢＣＣＤについて
説明したが、他の駆動方式のＢＣＣＤについても上記実
施例と同様の効果が得られる。
説明したが、他の駆動方式のＢＣＣＤについても上記実
施例と同様の効果が得られる。
また、上記実施例ではチャンネル領域の電位変化を与え
る薄いｎ形不純物領域１４０はチャンネル方向に平行で
一様な幅となっているが、この領域は任意の形でよく、
連続的である必要もない。要はチャンネル領域の電荷転
送方向と垂直な任意の１断面内でその電位に複数個の極
大・極小が存在すればよく、またこの極大・極小はそれ
ぞれ値が異なっても上記実施例と同様な効果を奏する。
る薄いｎ形不純物領域１４０はチャンネル方向に平行で
一様な幅となっているが、この領域は任意の形でよく、
連続的である必要もない。要はチャンネル領域の電荷転
送方向と垂直な任意の１断面内でその電位に複数個の極
大・極小が存在すればよく、またこの極大・極小はそれ
ぞれ値が異なっても上記実施例と同様な効果を奏する。
また、上記実施例ではｎチャンネルＢＣＣＤの場合につ
いて説明したが、ｐチャンネルＢＣＣＤの場合でも全く
同様な構造が製作可能であり、この場合についても上記
実施例と同様の効果を奏する。
いて説明したが、ｐチャンネルＢＣＣＤの場合でも全く
同様な構造が製作可能であり、この場合についても上記
実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では転送チャンネル領域の不純物濃度
あるいはゲート酸化膜の膜厚が段階的に変わるようにし
ているが、これらを連続的に変化するようにしても上記
実施例と同様の効果が得られるものである。
あるいはゲート酸化膜の膜厚が段階的に変わるようにし
ているが、これらを連続的に変化するようにしても上記
実施例と同様の効果が得られるものである。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、第１導電形半導体基板
上に形成される第２導電形半導体領域のチャンネル領域
の電位を電荷転送方向と垂直な方向に変化させるように
したので、この垂直方向のチャンネル領域内の電界が強
くなり、このためその不純物レベルに捕獲されたキャリ
アの放出時定数が短くなって低温においても十分な転送
効率が得られる。
上に形成される第２導電形半導体領域のチャンネル領域
の電位を電荷転送方向と垂直な方向に変化させるように
したので、この垂直方向のチャンネル領域内の電界が強
くなり、このためその不純物レベルに捕獲されたキャリ
アの放出時定数が短くなって低温においても十分な転送
効率が得られる。
第１図は、この発明の一実施例であるＢＣＣＤの平面図
である。 第２図（ａ）は第１図のＢ−Ｂ線断面図であり、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）断面のチャンネル領域の電子に対
するポテンシャルを示す図である。 第３図（ａ）はこの発明の他の実施例であるＢＣＣＤの
断面図であり、第３図（ｂ）は第３図（ａ）断面のチャ
ンネル領域の電子に対するポテンシャルを示す図であ
る。 第４図は、この発明のＢＣＣＤにおける強電界中でのト
ラップレベルＥｔの実効的な低下を説明する図である。 第５図（ａ）は従来のＢＣＣＤの平面図であり、第５図
（ｂ）は第５図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 第６図は、従来のＢＣＣＤにおける温度と転送損失との
関係を示す図である。 図において、１０は転送チャンネル領域、２１，２２，
３１，３２，４１，４２，５１，５２，２２０はゲート
電極、７０，８０，９０，１００はクロックバスライ
ン、１１０，１１１はゲート酸化膜、３４０は薄いゲー
ト酸化膜、１２０，１２１はｎ形不純物領域、１４０は
薄いｎ形不純物領域、１３０はｐ型シリコン基板、１５
０は分離用酸化膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
である。 第２図（ａ）は第１図のＢ−Ｂ線断面図であり、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）断面のチャンネル領域の電子に対
するポテンシャルを示す図である。 第３図（ａ）はこの発明の他の実施例であるＢＣＣＤの
断面図であり、第３図（ｂ）は第３図（ａ）断面のチャ
ンネル領域の電子に対するポテンシャルを示す図であ
る。 第４図は、この発明のＢＣＣＤにおける強電界中でのト
ラップレベルＥｔの実効的な低下を説明する図である。 第５図（ａ）は従来のＢＣＣＤの平面図であり、第５図
（ｂ）は第５図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 第６図は、従来のＢＣＣＤにおける温度と転送損失との
関係を示す図である。 図において、１０は転送チャンネル領域、２１，２２，
３１，３２，４１，４２，５１，５２，２２０はゲート
電極、７０，８０，９０，１００はクロックバスライ
ン、１１０，１１１はゲート酸化膜、３４０は薄いゲー
ト酸化膜、１２０，１２１はｎ形不純物領域、１４０は
薄いｎ形不純物領域、１３０はｐ型シリコン基板、１５
０は分離用酸化膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】第１導電形半導体基板と、 前記第１導電形半導体基板上に形成され、前記第１導電
形と逆の、不純物が拡散された第２導電形半導体領域
と、 前記第２導電形半導体領域上に形成されるゲート絶縁膜
と、 前記ゲート絶縁膜上に互いに隔てて形成される複数のゲ
ート電極とを備える低温下で動作させる電荷転送素子に
おいて、 前記第２導電形半導体領域のチャンネル領域の電位を信
号電荷転送方向と垂直な方向のチャネル全領域にわたっ
て変化させるとともに、前記垂直な方向のチャネル全領
域内の電界を強くしたことを特徴とする低温下で動作さ
せる電荷転送素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271546A JPH0644578B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 電荷転送素子 |
| DE19853544450 DE3544450A1 (de) | 1984-12-21 | 1985-12-16 | Ladungsgekoppeltes bauelement |
| GB8531024A GB2168844B (en) | 1984-12-21 | 1985-12-17 | Charge-coupled device |
| US07/013,189 US4809048A (en) | 1984-12-21 | 1987-02-09 | Charge-coupled device having channel region with alternately changing potential in a direction perpendicular to charge transfer |
| GB8901024A GB2211993B (en) | 1984-12-21 | 1989-01-18 | Charge-coupled device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271546A JPH0644578B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 電荷転送素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148876A JPS61148876A (ja) | 1986-07-07 |
| JPH0644578B2 true JPH0644578B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=17501570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59271546A Expired - Lifetime JPH0644578B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 電荷転送素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4809048A (ja) |
| JP (1) | JPH0644578B2 (ja) |
| DE (1) | DE3544450A1 (ja) |
| GB (2) | GB2168844B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0185990B1 (en) * | 1984-12-06 | 1991-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charge coupled device |
| JP2565257B2 (ja) * | 1987-06-16 | 1996-12-18 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置 |
| JPH06216163A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-08-05 | Eastman Kodak Co | 電荷結合素子 |
| US5608242A (en) * | 1994-10-11 | 1997-03-04 | Dalsa, Inc. | Variable width CCD register with uniform pitch and charge storage capacity |
| GB2309336B (en) * | 1996-01-22 | 2001-05-23 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| US5793070A (en) * | 1996-04-24 | 1998-08-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Reduction of trapping effects in charge transfer devices |
| US6642558B1 (en) * | 2000-03-20 | 2003-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus of terminating a high voltage solid state device |
| US20050259368A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-11-24 | Ted Letavic | Method and apparatus of terminating a high voltage solid state device |
| CN115238626A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-25 | 本源科仪(成都)科技有限公司 | 亚阈值区斜率仿真方法、tcad仿真系统、存储介质及设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2400208A1 (de) * | 1974-01-03 | 1975-07-17 | Siemens Ag | Ladungsgekoppelte uebertragungsanordnung bei der zur ladungsuebertragung majoritaetstraeger verwendet werden |
| GB2054961B (en) * | 1979-07-26 | 1983-07-20 | Gen Electric Co Ltd | Excess charge removal oin charge transfer devices |
| GB2100511B (en) * | 1981-05-15 | 1985-02-27 | Rockwell International Corp | Detector for responding to light at a predetermined wavelength and method of making the detector |
| US4362575A (en) * | 1981-08-27 | 1982-12-07 | Rca Corporation | Method of making buried channel charge coupled device with means for controlling excess charge |
| JPS58161364A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 電荷転送素子 |
| US4667213A (en) * | 1984-09-24 | 1987-05-19 | Rca Corporation | Charge-coupled device channel structure |
| EP0185990B1 (en) * | 1984-12-06 | 1991-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charge coupled device |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP59271546A patent/JPH0644578B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-12-16 DE DE19853544450 patent/DE3544450A1/de active Granted
- 1985-12-17 GB GB8531024A patent/GB2168844B/en not_active Expired
-
1987
- 1987-02-09 US US07/013,189 patent/US4809048A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-18 GB GB8901024A patent/GB2211993B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8531024D0 (en) | 1986-01-29 |
| DE3544450A1 (de) | 1986-06-26 |
| GB8901024D0 (en) | 1989-03-15 |
| GB2211993A (en) | 1989-07-12 |
| GB2168844B (en) | 1989-08-23 |
| JPS61148876A (ja) | 1986-07-07 |
| GB2168844A (en) | 1986-06-25 |
| GB2211993B (en) | 1989-11-01 |
| US4809048A (en) | 1989-02-28 |
| DE3544450C2 (ja) | 1991-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4229752A (en) | Virtual phase charge transfer device | |
| Walden et al. | BSTJ brief: the buried channel charge coupled device | |
| CA1101549A (en) | Self-aligned ccd element including two levels of electrodes and method of manufacture therefor | |
| JPH07115184A (ja) | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 | |
| WO1992010910A1 (en) | High resolution charge-coupled device (ccd) camera system | |
| US4561005A (en) | Solid-state infrared radiation imaging devices having a radiation-sensitive portion with a superlattice structure | |
| US5289022A (en) | CCD shift register having a plurality of storage regions and transfer regions therein | |
| JP2724702B2 (ja) | 電荷結合型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0644578B2 (ja) | 電荷転送素子 | |
| CA1235219A (en) | Ccd imager | |
| JPS6156630B2 (ja) | ||
| US4994875A (en) | Virtual phase charge transfer device | |
| JPS59144170A (ja) | イメ−ジセンサ装置 | |
| WO1987001241A1 (en) | Blooming control in ccd image sensors | |
| JPS5944790B2 (ja) | 電荷結合装置 | |
| JP3020147B2 (ja) | 電荷結合型半導体装置の製造方法 | |
| JP2909158B2 (ja) | 電荷結合装置 | |
| JPH0661469A (ja) | Ｃｃｄ映像素子 | |
| US5448089A (en) | Charge-coupled device having an improved charge-transfer efficiency over a broad temperature range | |
| JP3176300B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0337316B2 (ja) | ||
| US5406101A (en) | Horizontal charge coupled device | |
| JP2911146B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2522250B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| Gordon | Charge Coupling; An All Electronic Approach to Position Sensitive Particle Detection |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |