JPH0645215A - ステップ式露光装置 - Google Patents
ステップ式露光装置Info
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- JPH0645215A JPH0645215A JP3089582A JP8958291A JPH0645215A JP H0645215 A JPH0645215 A JP H0645215A JP 3089582 A JP3089582 A JP 3089582A JP 8958291 A JP8958291 A JP 8958291A JP H0645215 A JPH0645215 A JP H0645215A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高精度な位置決めを達成できるステップ式露光
装置の提供。 【構成】ステージ上に被露光基体を載置し、この被露光
基体の複数個所を順次ステップ移動して露光するステッ
プ式露光装置において、ステップ移動を、Ｘ方向のス
テップ移動による複数の露光と、Ｙ方向のステップ移動
による複数の露光とを順次くり返してらせん状のステッ
プ移動Ａで行うようにする。位置決め用の光を反射す
るためのミラーを設け、このミラーは断熱材を介して設
置する構成とする。
装置の提供。 【構成】ステージ上に被露光基体を載置し、この被露光
基体の複数個所を順次ステップ移動して露光するステッ
プ式露光装置において、ステップ移動を、Ｘ方向のス
テップ移動による複数の露光と、Ｙ方向のステップ移動
による複数の露光とを順次くり返してらせん状のステッ
プ移動Ａで行うようにする。位置決め用の光を反射す
るためのミラーを設け、このミラーは断熱材を介して設
置する構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はステップ式露光装置に関
し、特に、ステージ上に被露光基体を載置し、この被露
光基体の複数個所を順次相対的にステップ移動して露光
するステップ式露光装置に関するものである。本発明の
ステップ式露光装置は、各種分野において種々の被露光
基体の露光用に用いることができ、例えば、電子材料
（半導体装置等）製造の際のパターン形成のための露光
に好適に使用することができる。
し、特に、ステージ上に被露光基体を載置し、この被露
光基体の複数個所を順次相対的にステップ移動して露光
するステップ式露光装置に関するものである。本発明の
ステップ式露光装置は、各種分野において種々の被露光
基体の露光用に用いることができ、例えば、電子材料
（半導体装置等）製造の際のパターン形成のための露光
に好適に使用することができる。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】従来より、被露光基体を
露光光の照射位置に対して相対的に移動し、これにより
被露光基体の複数の被露光個所を順次露光する技術が行
われている。例えば、半導体装置について言えば、一つ
の被露光基体（１枚のウェハー）上に複数の被露光個所
がＸ方向及びＹ方向に行列状に存在するので、１つの被
露光個所を露光した後、相対的な移動を行い、次の被露
光個所を露光光照射位置に合わせて、順次露光を行うよ
うにしている。本明細書中、このような順次の相対移動
を、ステップ移動と称することにする。この種の従来技
術については、例えば特開昭６２−１０２５２３号に記
載がある。形成すべき実際のパターンよりも大きい拡大
したマスクを用いて露光するときは、縮小投影露光が行
われ、かかる縮小投影露光装置を一般にステッパーと称
しているが、本明細書で言うステップ露光装置は１対１
投影のものでもよく、投影露光の拡大縮小は問わない。
なお縮小投影露光装置の一般的構成を図５に示す。３１
はＸ−ステージ、３２はＹ−ステージで、５１，５２は
各々のステージの動き、４１，４２を各々を動かすボー
ルネジを示す。６は露光光を示す。
露光光の照射位置に対して相対的に移動し、これにより
被露光基体の複数の被露光個所を順次露光する技術が行
われている。例えば、半導体装置について言えば、一つ
の被露光基体（１枚のウェハー）上に複数の被露光個所
がＸ方向及びＹ方向に行列状に存在するので、１つの被
露光個所を露光した後、相対的な移動を行い、次の被露
光個所を露光光照射位置に合わせて、順次露光を行うよ
うにしている。本明細書中、このような順次の相対移動
を、ステップ移動と称することにする。この種の従来技
術については、例えば特開昭６２−１０２５２３号に記
載がある。形成すべき実際のパターンよりも大きい拡大
したマスクを用いて露光するときは、縮小投影露光が行
われ、かかる縮小投影露光装置を一般にステッパーと称
しているが、本明細書で言うステップ露光装置は１対１
投影のものでもよく、投影露光の拡大縮小は問わない。
なお縮小投影露光装置の一般的構成を図５に示す。３１
はＸ−ステージ、３２はＹ−ステージで、５１，５２は
各々のステージの動き、４１，４２を各々を動かすボー
ルネジを示す。６は露光光を示す。
【０００３】ところで、このような露光装置を用いる被
露光基体は、年々形成すべきパターンが微細化集積化す
る傾向にある。例えば、半導体集積回路について言え
ば、形成すべきパターンがハーフミクロン、あるいはそ
れ以下の０．３５μｍになるに至っている。このような
ハーフミクロン以下のデバイス（６４ＭＤＲＡＭなど）
では、露光時の位置合わせ精度も高精密であることが要
せられ、その重ね合わせ精度が０．１μｍ程度と非常に
厳しくなっている。
露光基体は、年々形成すべきパターンが微細化集積化す
る傾向にある。例えば、半導体集積回路について言え
ば、形成すべきパターンがハーフミクロン、あるいはそ
れ以下の０．３５μｍになるに至っている。このような
ハーフミクロン以下のデバイス（６４ＭＤＲＡＭなど）
では、露光時の位置合わせ精度も高精密であることが要
せられ、その重ね合わせ精度が０．１μｍ程度と非常に
厳しくなっている。
【０００４】このように非常に精密な位置合わせを要す
る露光技術においては、些細な原因によってもその精度
が狂う場合がある。例えば、上記のような微細加工を行
う装置の１つとして、ＫｒＦエキシマレーザー露光装置
が有力である。しかし、このエキシマレーザー露光装置
のように微細加工可能な精密な装置にあっては、被露光
基体（ウェハー）毎にＸ方向、Ｙ方向における位置精度
のばらつきが見られ、かつ、Ｘ方向、Ｙ方向でそのばら
つきの分布の傾向が異なるという問題がある。
る露光技術においては、些細な原因によってもその精度
が狂う場合がある。例えば、上記のような微細加工を行
う装置の１つとして、ＫｒＦエキシマレーザー露光装置
が有力である。しかし、このエキシマレーザー露光装置
のように微細加工可能な精密な装置にあっては、被露光
基体（ウェハー）毎にＸ方向、Ｙ方向における位置精度
のばらつきが見られ、かつ、Ｘ方向、Ｙ方向でそのばら
つきの分布の傾向が異なるという問題がある。
【０００５】図８は、被露光基体（ウェハー）と位置精
度との関係を示す図である。これは横軸にウェハーナン
バー、縦軸に精度（位置）を相対的にとったグラフであ
り、ウェハーが異なることにより精度（位置）が異なる
程ばらつきは大きく、精度が低いことを示す。図８
（Ａ）はＸ方向でのデータであり、図８（Ｂ）はＹ方向
でのデータである。（Ａ）（Ｂ）両図の対比から理解で
きるように、Ｘ方向でのばらつき（図８（Ａ）の）
は、Ｙ方向でのばらつき（図８（Ｂ）の）よりも大き
い。かつ、Ｘ方向については、図８（Ａ）から明らかな
如く、ウェハーナンバーが大になる程、即ち後に測定す
る試料ウェハーほど、位置は同図のゼロに近くなってい
る。よってＸ方向については規則的な傾向があることが
わかる（なお、このグラフのゼロは相対的な位置を示す
便宜的な基準であり、ゼロに近いのが精度が高いという
わけではない）。図８（Ｂ）に示すＹ方向では、ランダ
ムな変化がなされるのみで、かかる規則性は見られな
い。
度との関係を示す図である。これは横軸にウェハーナン
バー、縦軸に精度（位置）を相対的にとったグラフであ
り、ウェハーが異なることにより精度（位置）が異なる
程ばらつきは大きく、精度が低いことを示す。図８
（Ａ）はＸ方向でのデータであり、図８（Ｂ）はＹ方向
でのデータである。（Ａ）（Ｂ）両図の対比から理解で
きるように、Ｘ方向でのばらつき（図８（Ａ）の）
は、Ｙ方向でのばらつき（図８（Ｂ）の）よりも大き
い。かつ、Ｘ方向については、図８（Ａ）から明らかな
如く、ウェハーナンバーが大になる程、即ち後に測定す
る試料ウェハーほど、位置は同図のゼロに近くなってい
る。よってＸ方向については規則的な傾向があることが
わかる（なお、このグラフのゼロは相対的な位置を示す
便宜的な基準であり、ゼロに近いのが精度が高いという
わけではない）。図８（Ｂ）に示すＹ方向では、ランダ
ムな変化がなされるのみで、かかる規則性は見られな
い。
【０００６】従来のステップ露光装置にあっては、一般
に、Ｘ，Ｙ方向についてのステッピング（ステップ移
動）は、図３のＢで示すように、Ｘ方向に順次移動して
各被露光個所を逐次露光し、その行の各被露光個所の露
光が終了すると、１行ずれて次の行の各被露光個所の露
光を行う方式が採られている。これはスループットを向
上させるためである。図８のデータも、このようなステ
ップ露光を行った場合のものである。ステッピングは一
般に、図４に示すように、ボールネジ４１，４２によ
り、被露光基体１０を載置したステージ３を駆動するこ
とにより行われる。このような従来のステップ移動であ
ると、Ｙ方向に比べ、Ｘ方向の動きが大きくなる。
に、Ｘ，Ｙ方向についてのステッピング（ステップ移
動）は、図３のＢで示すように、Ｘ方向に順次移動して
各被露光個所を逐次露光し、その行の各被露光個所の露
光が終了すると、１行ずれて次の行の各被露光個所の露
光を行う方式が採られている。これはスループットを向
上させるためである。図８のデータも、このようなステ
ップ露光を行った場合のものである。ステッピングは一
般に、図４に示すように、ボールネジ４１，４２によ
り、被露光基体１０を載置したステージ３を駆動するこ
とにより行われる。このような従来のステップ移動であ
ると、Ｙ方向に比べ、Ｘ方向の動きが大きくなる。
【０００７】本発明者の考えでは、図８（Ａ）（Ｂ）に
示したＸ方向、Ｙ方向における各ばらつきの分布の傾向
の差は、このステップ移動の方式に起因すると推定され
る。Ｘ方向での移動量が大きいので、ばらつきも大きく
なると考えられるわけであるが、それだけでなく、Ｘ方
向での移動量が大きいことにより、この方向での発熱が
大きくなることも、原因ではないかと考えられる。可動
部では、多かれ少なかれ機械的要因により発熱が起こ
り、これは高精度な位置決めについてはばらつきを生じ
させる原因となる。
示したＸ方向、Ｙ方向における各ばらつきの分布の傾向
の差は、このステップ移動の方式に起因すると推定され
る。Ｘ方向での移動量が大きいので、ばらつきも大きく
なると考えられるわけであるが、それだけでなく、Ｘ方
向での移動量が大きいことにより、この方向での発熱が
大きくなることも、原因ではないかと考えられる。可動
部では、多かれ少なかれ機械的要因により発熱が起こ
り、これは高精度な位置決めについてはばらつきを生じ
させる原因となる。
【０００８】発熱に関して言えば、上記の如きステージ
のＸ，Ｙ方向の移動によるのみならず、露光による熱の
発生も問題になる。熱の発生は、例えば、ＴＴＬ（ｔｈ
ｒｏｕｇｈ ｔｈｅ ｌｅｎｓ）方式のアライメントを
とれないエキシマレーザー露光機などにおける位置決め
用ベースラインの変動をももたらすものであり、この問
題を解決することが望まれる。
のＸ，Ｙ方向の移動によるのみならず、露光による熱の
発生も問題になる。熱の発生は、例えば、ＴＴＬ（ｔｈ
ｒｏｕｇｈ ｔｈｅ ｌｅｎｓ）方式のアライメントを
とれないエキシマレーザー露光機などにおける位置決め
用ベースラインの変動をももたらすものであり、この問
題を解決することが望まれる。
【０００９】更に、上記したような微細な最小加工寸法
に見合った高精度な位置合わせを行うには、露光装置に
搭載されるＸ−Ｙ−θ−Ｚステージも、その位置合わせ
精度に見合った高精度なものが要求され、現在、Ｘ−Ｙ
−θ−Ｚステージの位置合わせは、レーザー干渉計を使
用しているが、このような位置合わせ用の手段も、熱に
よる影響を受け、これが精度低下を招く一因ともなって
いる。即ち、図６に示すように、ステージの位置決め
は、干渉計８１，８２からのレーザー光がステージ上の
バーミラー１ａ，１ｂに反射して再入射することにより
その位置決めがなされる。レーザー干渉計を用いる場
合、レーザー光路中の空気の温度のゆらぎや、バーミラ
ー１ａ，１ｂの平面度等によって精度は決まるが、一
方、露光装置においては、１枚の被露光基体（ウェハ
ー）にパターンを焼付けるためには、ショット数に応じ
た回数だけステージを移動しなければならない。この移
動の際には、必ず可動部分から熱が発生し、これは本発
明者の検討によれば、最大１℃程度である。この発生し
た熱がステージの材質を通してバーミラー１ａ，１ｂに
伝わると、ミラーが熱により変形してしまう。その結
果、ステージの位置ズレが発生し（盛大０．１μｍ程
度）、合わせズレにつながってしまう。これが位置精度
が熱により低下することの一因となる。
に見合った高精度な位置合わせを行うには、露光装置に
搭載されるＸ−Ｙ−θ−Ｚステージも、その位置合わせ
精度に見合った高精度なものが要求され、現在、Ｘ−Ｙ
−θ−Ｚステージの位置合わせは、レーザー干渉計を使
用しているが、このような位置合わせ用の手段も、熱に
よる影響を受け、これが精度低下を招く一因ともなって
いる。即ち、図６に示すように、ステージの位置決め
は、干渉計８１，８２からのレーザー光がステージ上の
バーミラー１ａ，１ｂに反射して再入射することにより
その位置決めがなされる。レーザー干渉計を用いる場
合、レーザー光路中の空気の温度のゆらぎや、バーミラ
ー１ａ，１ｂの平面度等によって精度は決まるが、一
方、露光装置においては、１枚の被露光基体（ウェハ
ー）にパターンを焼付けるためには、ショット数に応じ
た回数だけステージを移動しなければならない。この移
動の際には、必ず可動部分から熱が発生し、これは本発
明者の検討によれば、最大１℃程度である。この発生し
た熱がステージの材質を通してバーミラー１ａ，１ｂに
伝わると、ミラーが熱により変形してしまう。その結
果、ステージの位置ズレが発生し（盛大０．１μｍ程
度）、合わせズレにつながってしまう。これが位置精度
が熱により低下することの一因となる。
【００１０】なお図６中、ステージはトップテーブルで
あるＸ−ステージ３１と、Ｙ−ステージ３２と、θ−Ｚ
ステージ３２とから成り、Ｘ−ステージは図の５１の方
向、Ｙ−ステージは図の５２の方向での相対的な動きを
行い、この動きは、各々についてのモータ７１，７２と
ボールネジ４１，４２とによってなされる。
あるＸ−ステージ３１と、Ｙ−ステージ３２と、θ−Ｚ
ステージ３２とから成り、Ｘ−ステージは図の５１の方
向、Ｙ−ステージは図の５２の方向での相対的な動きを
行い、この動きは、各々についてのモータ７１，７２と
ボールネジ４１，４２とによってなされる。
【００１１】
【発明の目的】本発明は上記した問題点を解決して、よ
り高精度な位置決めを達成できるステップ式露光装置を
提供せんとするものである。
り高精度な位置決めを達成できるステップ式露光装置を
提供せんとするものである。
【００１２】
【問題点を解決するための手段及び作用】本出願の請求
項１の発明は、ステージ上に被露光基体を載置し、この
被露光基体の複数個所を順次相対的にステップ移動して
露光するステップ式露光装置において、前記ステップ移
動を、Ｘ方向のステップ移動による複数の露光と、Ｙ方
向のステップ移動による複数の露光とを順次くり返して
らせん状のステップ移動で行うことを特徴とするステッ
プ式露光装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。本出願の請求項２の発明は、ステージ上に
被露光基体を載置し、この被露光基体の複数個所を順次
相対的にステップ移動して露光するステップ式露光装置
において、位置決め用の光を反射するためのミラーを設
け、このミラーは断熱材を介して設置する構成としたこ
とを特徴とするステップ式露光装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
項１の発明は、ステージ上に被露光基体を載置し、この
被露光基体の複数個所を順次相対的にステップ移動して
露光するステップ式露光装置において、前記ステップ移
動を、Ｘ方向のステップ移動による複数の露光と、Ｙ方
向のステップ移動による複数の露光とを順次くり返して
らせん状のステップ移動で行うことを特徴とするステッ
プ式露光装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。本出願の請求項２の発明は、ステージ上に
被露光基体を載置し、この被露光基体の複数個所を順次
相対的にステップ移動して露光するステップ式露光装置
において、位置決め用の光を反射するためのミラーを設
け、このミラーは断熱材を介して設置する構成としたこ
とを特徴とするステップ式露光装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
【００１３】請求項１の発明について、後記する実施例
−１を示す図１を例示を用いて説明すると、次のとおり
である。図示例示では、まずＸ方向に順次ステッピング
して露光を行い、次いで、Ｙ方向にステッピングして露
光を行う。１行ずれてＸ方向でのみステッピングする手
段は採らない。図１は、被露光部が縦横に行列状になっ
ているので、このようにきっちりと直交したＸ，Ｙ方向
でステッピングを行うようにしたが、このらせん状の動
きは、主としてＸ方向の動きと、主としてＹ方向の動き
とが交互になっていればよく、あるいは中心の回りを全
体として旋回する方向になっていればよく、被露光部の
配置によって定めてよいものであって、被露光部の構成
によっては、曲線状（円形状）の渦型をなす通常のらせ
ん形の動きであってもよい。
−１を示す図１を例示を用いて説明すると、次のとおり
である。図示例示では、まずＸ方向に順次ステッピング
して露光を行い、次いで、Ｙ方向にステッピングして露
光を行う。１行ずれてＸ方向でのみステッピングする手
段は採らない。図１は、被露光部が縦横に行列状になっ
ているので、このようにきっちりと直交したＸ，Ｙ方向
でステッピングを行うようにしたが、このらせん状の動
きは、主としてＸ方向の動きと、主としてＹ方向の動き
とが交互になっていればよく、あるいは中心の回りを全
体として旋回する方向になっていればよく、被露光部の
配置によって定めてよいものであって、被露光部の構成
によっては、曲線状（円形状）の渦型をなす通常のらせ
ん形の動きであってもよい。
【００１４】この結果、この発明ではＸ方向とＹ方向と
の動きがほぼ等しくなり、一方の方向でのみ動きが大き
くなったり、熱が発生することが防がれ、このため、精
度の良好な位置合わせが達成される。
の動きがほぼ等しくなり、一方の方向でのみ動きが大き
くなったり、熱が発生することが防がれ、このため、精
度の良好な位置合わせが達成される。
【００１５】次に、後記する実施例−２を示す図２の例
示を用いて請求項２の発明について説明すると、次のと
おりである。即ち、この発明においては、位置決め用の
光を反射するミラー１は、断熱材２を介して設置されて
いる。
示を用いて請求項２の発明について説明すると、次のと
おりである。即ち、この発明においては、位置決め用の
光を反射するミラー１は、断熱材２を介して設置されて
いる。
【００１６】この結果、この発明では、ミラー１が設置
される例えばステージ３に発熱があっても、これは断熱
材２によりミラー１への伝達が防がれる。このため、ミ
ラー１への熱の波及がなく、熱によるミラー１の変形等
による精度低下が防がれ、精度の良好な位置合わせが達
成される。
される例えばステージ３に発熱があっても、これは断熱
材２によりミラー１への伝達が防がれる。このため、ミ
ラー１への熱の波及がなく、熱によるミラー１の変形等
による精度低下が防がれ、精度の良好な位置合わせが達
成される。
【００１７】
【実施例】以下本出願に係る発明の実施例について説明
する。但し、各発明は以下に記載する実施例に限定され
るものではない。
する。但し、各発明は以下に記載する実施例に限定され
るものではない。
【００１８】実施例−１ 本実施例は請求項１の発明を具体化したものであり、特
に、微細化集積化した半導体集積回路装置の製造に用い
る投影露光装置にこの発明を適用したものである。
に、微細化集積化した半導体集積回路装置の製造に用い
る投影露光装置にこの発明を適用したものである。
【００１９】本実施例では、従来のステップ露光装置が
図３に示すステップ移動Ｂを行っていたのに対し、図１
に示すステップの動きＡで、ステップ露光を行う。この
ステッピングにすることにより、Ｘ軸、Ｙ軸方向とも、
同程度のステップ長となる。これにより、ステージのス
テップによる発生するネジからの発熱が均一となり、チ
ャンバー内での温度勾配が緩和できる。更に、ステッピ
ング精度も従来のようにＸ軸方向に極端に負担がかから
ず、アライメント精度が向上する。即ち、Ｘ，Ｙ方向に
同じ負担がかかり、ドリフト変動も同じになること、及
び、温度勾配がなく、これもＸ，Ｙ方向で同じであるの
で、このためばらつきが小さくなり、精度向上が期待で
きるのである。
図３に示すステップ移動Ｂを行っていたのに対し、図１
に示すステップの動きＡで、ステップ露光を行う。この
ステッピングにすることにより、Ｘ軸、Ｙ軸方向とも、
同程度のステップ長となる。これにより、ステージのス
テップによる発生するネジからの発熱が均一となり、チ
ャンバー内での温度勾配が緩和できる。更に、ステッピ
ング精度も従来のようにＸ軸方向に極端に負担がかから
ず、アライメント精度が向上する。即ち、Ｘ，Ｙ方向に
同じ負担がかかり、ドリフト変動も同じになること、及
び、温度勾配がなく、これもＸ，Ｙ方向で同じであるの
で、このためばらつきが小さくなり、精度向上が期待で
きるのである。
【００２０】実施例−２ 本実施例では、請求項２の発明を具体化した。即ち、本
実施例では、図２に示すように、バーミラー１とステー
ジ３の接触部分に断熱材２をはさみこむ構成にする。こ
れによって、ステージ３からの熱の伝導が阻止され、バ
ーミラー１が熱により変形することが防がれる。この結
果、本実施例によれば、Ｘ−Ｙ−θ−Ｚステージのより
高鮮度な位置決めが達成される。
実施例では、図２に示すように、バーミラー１とステー
ジ３の接触部分に断熱材２をはさみこむ構成にする。こ
れによって、ステージ３からの熱の伝導が阻止され、バ
ーミラー１が熱により変形することが防がれる。この結
果、本実施例によれば、Ｘ−Ｙ−θ−Ｚステージのより
高鮮度な位置決めが達成される。
【００２１】実施例−３ 本実施例では請求項１，２の発明をともに適用して、ス
テップ露光装置を構成した。即ち、図１のステップ移動
Ａを行う構成とするとともに、図２の如く、ミラー１を
断熱材２を介して設置する構成とした。これにより、更
に一層の高精度化が実現できた。
テップ露光装置を構成した。即ち、図１のステップ移動
Ａを行う構成とするとともに、図２の如く、ミラー１を
断熱材２を介して設置する構成とした。これにより、更
に一層の高精度化が実現できた。
【００２２】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、高精度な位
置決めを達成できるステップ式露光装置を提供できる。
置決めを達成できるステップ式露光装置を提供できる。
【図１】実施例−１の説明図である。
【図２】実施例−２の構成の略示図である。
【図３】従来のステッピングの動きを示す図である。
【図４】ステッピングのための駆動の説明図である。
【図５】縮小投影露光装置の一般的構成図である。
【図６】ステージの位置決め（位置合わせ）の説明図で
ある。
ある。
【図７】従来のミラーの構成を示す図である。
【図８】作用説明図である。
Ａ ステップ移動（ステッピングの動き） １ ミラー ２ 断熱材
Claims (2)
- 【請求項１】ステージ上に被露光基体を載置し、この被
露光基体の複数個所を順次相対的にステップ移動して露
光するステップ式露光装置において、 前記ステップ移動を、Ｘ方向のステップ移動による複数
の露光と、Ｙ方向のステップ移動による複数の露光とを
順次くり返してらせん状のステップ移動で行うことを特
徴とするステップ式露光装置。 - 【請求項２】ステージ上に被露光基体を載置し、この被
露光基体の複数個所を順次相対的にステップ移動して露
光するステップ式露光装置において、 位置決め用の光を反射するためのミラーを設け、このミ
ラーは断熱材を介して設置する構成としたことを特徴と
するステップ式露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03089582A JP3079623B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | ステップ式露光方法及びステップ式露光装置 |
| US07/853,834 US5311282A (en) | 1991-03-28 | 1992-03-19 | High precision stepping aligner having a spiral stepping pattern |
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