JPH0645244A - Ｉｃ製造における現像方法 - Google Patents
Ｉｃ製造における現像方法Info
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- JPH0645244A JPH0645244A JP3214515A JP21451591A JPH0645244A JP H0645244 A JPH0645244 A JP H0645244A JP 3214515 A JP3214515 A JP 3214515A JP 21451591 A JP21451591 A JP 21451591A JP H0645244 A JPH0645244 A JP H0645244A
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- JP
- Japan
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- wafer
- development
- photoresist film
- rotated
- developing
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パドル方式現像において、ウエハ上にフォトレ
ジスト膜のスカムが残存するのを防止することができ
る、ＩＣ製造における現像方法を提供する。 【構成】ウエハ１１を低回転で回転させながら、或いは
静止させたまま、このウエハ１１上に現像液１３を盛
り、この状態で現像を進行させ、爾後、これを高回転で
回転させながら、このウエハ１１上に現像液１６とガス
とをスプレー化して吹き付け、現像終了後、このウエハ
１１を高回転で回転させながら、これにリンス液１９を
注ぐようにしたものである。
ジスト膜のスカムが残存するのを防止することができ
る、ＩＣ製造における現像方法を提供する。 【構成】ウエハ１１を低回転で回転させながら、或いは
静止させたまま、このウエハ１１上に現像液１３を盛
り、この状態で現像を進行させ、爾後、これを高回転で
回転させながら、このウエハ１１上に現像液１６とガス
とをスプレー化して吹き付け、現像終了後、このウエハ
１１を高回転で回転させながら、これにリンス液１９を
注ぐようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ製造における現像方
法に係り、特にフォトリソグラフィによるＩＣ製造工程
のパドル方式現像及びアスピレート方式現像を改良した
ＩＣ製造における現像方法に関するものである。
法に係り、特にフォトリソグラフィによるＩＣ製造工程
のパドル方式現像及びアスピレート方式現像を改良した
ＩＣ製造における現像方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のフォトリソグラフィによ
るＩＣ製造工程におけるパドル方式現像は、図８に示さ
れているように成されている。
るＩＣ製造工程におけるパドル方式現像は、図８に示さ
れているように成されている。
【０００３】先ず、図中（ａ）に示されているように、
スピナー（図示せず）でＳｉ等のウエハ１を低回転で回
転させながら、或いはウエハ１を静止させたまま、その
上方から現像液吐出ノズル２より現像液３を吐出させて
該ウエハ１上に盛る。
スピナー（図示せず）でＳｉ等のウエハ１を低回転で回
転させながら、或いはウエハ１を静止させたまま、その
上方から現像液吐出ノズル２より現像液３を吐出させて
該ウエハ１上に盛る。
【０００４】次に、図中（ｂ）に示されているように、
現像液３を盛ったウエハ１を静止させたまま現像進行時
間中放置する。
現像液３を盛ったウエハ１を静止させたまま現像進行時
間中放置する。
【０００５】そして、図中（ｃ）に示されているよう
に、現像終了後、スピナーで上記ウエハ１を高回転で回
転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル４より
リンス液５を吐出している。
に、現像終了後、スピナーで上記ウエハ１を高回転で回
転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル４より
リンス液５を吐出している。
【０００６】また、アスピレート方式現像は、図９に示
されているように成されている。
されているように成されている。
【０００７】先ず、図中（ａ）に示されているように、
スピナーでＳｉ等のウエハ１を高回転で回転させなが
ら、その上方から吹付ノズル６より現像液３と窒素ガス
（Ｎ2）とを約１：１の割合でスプレー化して該ウエハ
１上に吹き付ける。
スピナーでＳｉ等のウエハ１を高回転で回転させなが
ら、その上方から吹付ノズル６より現像液３と窒素ガス
（Ｎ2）とを約１：１の割合でスプレー化して該ウエハ
１上に吹き付ける。
【０００８】その後、図中（ｂ）に示されているよう
に、前記パドル方式現像と同様にリンス処理されている
に、前記パドル方式現像と同様にリンス処理されている
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
なパドル方式現像にあっては、現像により剥離したが未
だ溶けきれていないフォトレジスト膜のスカムが上記ウ
エハ１上に残存してしまうという問題があった。
なパドル方式現像にあっては、現像により剥離したが未
だ溶けきれていないフォトレジスト膜のスカムが上記ウ
エハ１上に残存してしまうという問題があった。
【００１０】一方、アスピレート方式現像にあっては、
このような問題はなかった。
このような問題はなかった。
【００１１】本発明の目的は、上記課題に鑑み、パドル
方式現像において、ウエハ上にフォトレジスト膜のスカ
ムが残存するのを防止することができる、ＩＣ製造にお
ける現像方法を提供する。
方式現像において、ウエハ上にフォトレジスト膜のスカ
ムが残存するのを防止することができる、ＩＣ製造にお
ける現像方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
るＩＣ製造における現像方法によれば、ウエハを低回転
で回転させながら、或いは静止させたまま、このウエハ
上に現像液を盛り、この状態で現像を進行させ、爾後、
これを高回転で回転させながら、このウエハ上に現像液
とガスとをスプレー化して吹き付け、現像終了後、この
ウエハを高回転で回転させながら、これにリンス液を注
ぐようにしたことにより、達成される。
るＩＣ製造における現像方法によれば、ウエハを低回転
で回転させながら、或いは静止させたまま、このウエハ
上に現像液を盛り、この状態で現像を進行させ、爾後、
これを高回転で回転させながら、このウエハ上に現像液
とガスとをスプレー化して吹き付け、現像終了後、この
ウエハを高回転で回転させながら、これにリンス液を注
ぐようにしたことにより、達成される。
【００１３】
【作用】上記構成によれば、パドル方式現像によって現
像液を盛ったウエハの現像完了直前に、これを高回転で
回転させながら、このウエハ上に現像液とガスとをスプ
レー化して吹き付けている。
像液を盛ったウエハの現像完了直前に、これを高回転で
回転させながら、このウエハ上に現像液とガスとをスプ
レー化して吹き付けている。
【００１４】これは、パドル方式現像のみでは、現像に
より剥離したが未だ溶けきれていないフォトレジスト膜
のスカムが上記ウエハ上に残存してしまうからである。
より剥離したが未だ溶けきれていないフォトレジスト膜
のスカムが上記ウエハ上に残存してしまうからである。
【００１５】しかし、パドル方式現像により現像完了直
前まで現像を進行させ、その後にアスピレート方式現像
を続けて行うことにより、上記パドル方式現像におい
て、ウエハ上にフォトレジスト膜のスカムが残存するの
を防止することができるものである。
前まで現像を進行させ、その後にアスピレート方式現像
を続けて行うことにより、上記パドル方式現像におい
て、ウエハ上にフォトレジスト膜のスカムが残存するの
を防止することができるものである。
【００１６】
【実施例】以下、本発明に係るＩＣ製造における現像方
法の好適一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明す
る。尚、本実施例の現像方法は、ＩＣ製造工程における
現像処理工程において成されるものであり、工程順序に
従って説明する。
法の好適一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明す
る。尚、本実施例の現像方法は、ＩＣ製造工程における
現像処理工程において成されるものであり、工程順序に
従って説明する。
【００１７】先ず、図２に示されているように、 Ｓｉ
等のウエハ１１上にＳｉＯ2 等の酸化膜１２を均一に形
成する。
等のウエハ１１上にＳｉＯ2 等の酸化膜１２を均一に形
成する。
【００１８】次に、図３に示されているように、ウエハ
１１の酸化膜１２上にフォトレジスト膜１３を所定の厚
さ塗布する。
１１の酸化膜１２上にフォトレジスト膜１３を所定の厚
さ塗布する。
【００１９】そして、図４に示されているように、上記
ウエハ１１上に酸化膜１２のパターンを形成する部分に
相当する部分のフォトレジスト膜１３のマスキングを行
い、該マスク１４の上方から光Ｌを照射する。すると、
上記マスク１４の開口部１４ａに位置するフォトレジス
ト膜１３が露光される。
ウエハ１１上に酸化膜１２のパターンを形成する部分に
相当する部分のフォトレジスト膜１３のマスキングを行
い、該マスク１４の上方から光Ｌを照射する。すると、
上記マスク１４の開口部１４ａに位置するフォトレジス
ト膜１３が露光される。
【００２０】その後、図１に示されているように、現像
処理工程に移行し、本実施例の現像方法を行う。
処理工程に移行し、本実施例の現像方法を行う。
【００２１】本実施例の現像方法は、先ず、図中（ａ）
に示されているように、スピナー（図示せず）で上記ウ
エハ１１を低回転で回転させながら、或いはウエハ１１
を静止させたまま、その上方から現像液吐出ノズル１５
より現像液１６を吐出させて該ウエハ１１上に盛る。
に示されているように、スピナー（図示せず）で上記ウ
エハ１１を低回転で回転させながら、或いはウエハ１１
を静止させたまま、その上方から現像液吐出ノズル１５
より現像液１６を吐出させて該ウエハ１１上に盛る。
【００２２】次に、図中（ｂ）に示されているように、
このウエハ１１上に現像液１６を盛った状態で、現像完
了直前まで現像を進行させる。
このウエハ１１上に現像液１６を盛った状態で、現像完
了直前まで現像を進行させる。
【００２３】その後、図中（ｃ）に示されているよう
に、スピナーで現像完了直前のウエハ１１を高回転で回
転させながら、その上方から吹付ノズル１７より現像液
１６と窒素ガス（Ｎ2 ）とを約１：１の割合でスプレー
化して該ウエハ１１上に吹き付ける。
に、スピナーで現像完了直前のウエハ１１を高回転で回
転させながら、その上方から吹付ノズル１７より現像液
１６と窒素ガス（Ｎ2 ）とを約１：１の割合でスプレー
化して該ウエハ１１上に吹き付ける。
【００２４】そして、図中（ｄ）に示されているよう
に、現像終了後、スピナーで上記ウエハ１１を高回転で
回転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル１８
よりリンス液１９を吐出する。
に、現像終了後、スピナーで上記ウエハ１１を高回転で
回転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル１８
よりリンス液１９を吐出する。
【００２５】以上のような現像処理工程の終了後、図５
に示されているように、現像されたフォトレジスト膜１
３が上記酸化膜１２上に残存することになる。
に示されているように、現像されたフォトレジスト膜１
３が上記酸化膜１２上に残存することになる。
【００２６】このように、ウエハの酸化膜１２上に現像
されたフォトレジスト膜１３を残存させた後に、図６に
示されているように、上記酸化膜１２のエッチング処理
２０を行う。このエッチング処理２０により上記フォト
レジスト膜１３の被覆されていない酸化膜１２がウエハ
１１上から除去され、該フォトレジスト膜１３下の酸化
膜１２のみがウエハ１１上に残存する。
されたフォトレジスト膜１３を残存させた後に、図６に
示されているように、上記酸化膜１２のエッチング処理
２０を行う。このエッチング処理２０により上記フォト
レジスト膜１３の被覆されていない酸化膜１２がウエハ
１１上から除去され、該フォトレジスト膜１３下の酸化
膜１２のみがウエハ１１上に残存する。
【００２７】最後に、上記フォトレジスト膜１３を除去
すると、図７に示されているように、ウエハ１１上に残
存した酸化膜１２がパターンとして形成されることにな
る。
すると、図７に示されているように、ウエハ１１上に残
存した酸化膜１２がパターンとして形成されることにな
る。
【００２８】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述したように、ＩＣ製造工程における現像処理工程に
おいて、本実施例の現像方法は、パドル方式現像によっ
て現像液１６を盛ったウエハ１１の現像完了直前に、こ
れを高回転で回転させながら、該ウエハ１１上に現像液
１６と窒素ガス（Ｎ2 ）とを吹付ノズル１７でスプレー
化して吹き付けている。
上述したように、ＩＣ製造工程における現像処理工程に
おいて、本実施例の現像方法は、パドル方式現像によっ
て現像液１６を盛ったウエハ１１の現像完了直前に、こ
れを高回転で回転させながら、該ウエハ１１上に現像液
１６と窒素ガス（Ｎ2 ）とを吹付ノズル１７でスプレー
化して吹き付けている。
【００２９】何故なら、パドル方式現像のみでは、現像
により剥離したが未だ溶けきれていないフォトレジスト
膜１３のスカムが上記ウエハ１１上に残存してしまうか
らである。
により剥離したが未だ溶けきれていないフォトレジスト
膜１３のスカムが上記ウエハ１１上に残存してしまうか
らである。
【００３０】そこで、本実施例の現像方法にあっては、
パドル方式現像により現像完了直前まで現像を進行さ
せ、その後にアスピレート方式現像を続けて行うことに
より、上記パドル方式現像において、ウエハ１１上にフ
ォトレジスト膜１３のスカムが残存するのを防止するこ
とができるものである。
パドル方式現像により現像完了直前まで現像を進行さ
せ、その後にアスピレート方式現像を続けて行うことに
より、上記パドル方式現像において、ウエハ１１上にフ
ォトレジスト膜１３のスカムが残存するのを防止するこ
とができるものである。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係るＩＣ製造
における現像方法によれば、パドル方式現像において、
ウエハ上にフォトレジスト膜のスカムが残存するのを防
止することができる、という優れた効果を発揮する。
における現像方法によれば、パドル方式現像において、
ウエハ上にフォトレジスト膜のスカムが残存するのを防
止することができる、という優れた効果を発揮する。
【図１】本発明に係るＩＣ製造における現像方法を示す
概略図である。
概略図である。
【図２】ＩＣ製造工程において、ウエハ上に酸化膜を形
成した状態を示す概略図である。
成した状態を示す概略図である。
【図３】ＩＣ製造工程において、ウエハの酸化膜上にフ
ォトレジスト膜を塗布した状態を示す概略図である。
ォトレジスト膜を塗布した状態を示す概略図である。
【図４】ＩＣ製造工程において、 マスキング及びフォ
トレジスト膜の露光状態を示す概略図である。
トレジスト膜の露光状態を示す概略図である。
【図５】ＩＣ製造工程において、酸化膜上に現像したフ
ォトレジスト膜を残存させた状態を示す概略図である。
ォトレジスト膜を残存させた状態を示す概略図である。
【図６】ＩＣ製造工程において、酸化膜にエッチング処
理を施した状態を示す概略図である。
理を施した状態を示す概略図である。
【図７】ＩＣ製造工程において、現像したフォトレジス
ト膜を除去して酸化膜パターンを形成した状態を示す概
略図である。
ト膜を除去して酸化膜パターンを形成した状態を示す概
略図である。
【図８】従来のパドル方式現像を示す概略図である。
【図９】従来のアスピレート方式現像を示す概略図であ
る。
る。
１１ ウエハ １２ 酸化膜 １３ フォトレジスト膜 １４ マスク １４ａ 開口部 １５ 現像液吐出ノズル １６ 現像液 １７ 吹付ノズル １８ リンス液吐出ノズル １９ リンス液 ２０ エッチング処理 Ｌ 光
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハを低回転で回転させながら、或い
は静止させたまま、このウエハ上に現像液を盛り、この
状態で現像を進行させ、爾後、これを高回転で回転させ
ながら、該ウエハ上に現像液とガスとをスプレー化して
吹き付け、現像終了後、該ウエハを高回転で回転させな
がら、これにリンス液を注ぐようにしたことを特徴とす
る、ＩＣ製造における現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214515A JPH0645244A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | Ｉｃ製造における現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214515A JPH0645244A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | Ｉｃ製造における現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645244A true JPH0645244A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16657003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3214515A Pending JPH0645244A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | Ｉｃ製造における現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645244A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0794463A3 (en) * | 1996-03-05 | 1997-10-29 | Toshiba Kk | Method for developing a reserve comprising an additional application of the developing liquid |
| WO2000016163A3 (en) * | 1998-09-17 | 2000-09-08 | Silicon Valley Group | Method and apparatus for developing photoresist patterns |
| US6416150B1 (en) | 1998-09-08 | 2002-07-09 | Nec Corporation | Ink jet printer and method for printing in the ink jet printer |
| US6689215B2 (en) | 1998-09-17 | 2004-02-10 | Asml Holdings, N.V. | Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface |
| US6746826B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-06-08 | Asml Holding N.V. | Method for an improved developing process in wafer photolithography |
| JP2004274028A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| JPWO2013084574A1 (ja) * | 2011-12-06 | 2015-04-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | スピン現像方法および装置 |
| CN118189552A (zh) * | 2024-03-22 | 2024-06-14 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 光刻胶显影方法 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3214515A patent/JPH0645244A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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