JPS61276323A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS61276323A JPS61276323A JP60116751A JP11675185A JPS61276323A JP S61276323 A JPS61276323 A JP S61276323A JP 60116751 A JP60116751 A JP 60116751A JP 11675185 A JP11675185 A JP 11675185A JP S61276323 A JPS61276323 A JP S61276323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- film
- pattern
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、レジストパターンの形成方法に関し、特に逆
テーパ状をなすレジストパターンの形成方法の改良に係
わる。
テーパ状をなすレジストパターンの形成方法の改良に係
わる。
半導体装置の製造においてのリフトオフ工程では、逆テ
ーバ状をなすレジストパターンをスペーサとして使用す
ることが行われている。
ーバ状をなすレジストパターンをスペーサとして使用す
ることが行われている。
上述した逆テーバ状のレジストパターンは、従来、■レ
ジスト膜をオーバ露光して光の回り込みを利用する方法
、■露光後のレジスト膜をオーバ現像してパターンの裾
野をオーバ溶解する方法、■ノボラック系レジストの場
合、露光前にクロルベンゼンに浸漬し、しかる後露光し
て表面をオーバーハング形状とする方法、が知られてい
る。
ジスト膜をオーバ露光して光の回り込みを利用する方法
、■露光後のレジスト膜をオーバ現像してパターンの裾
野をオーバ溶解する方法、■ノボラック系レジストの場
合、露光前にクロルベンゼンに浸漬し、しかる後露光し
て表面をオーバーハング形状とする方法、が知られてい
る。
しかしながら、前記■のオーバ露光による方式では逆テ
ーバ状とする際、通常より露光時間を長くする必要があ
るため、パターン寸法に影響し、微細なレジストパター
ンの形成が困難となる。前記■のオーバ現像方式では、
現像時間が通常より長くなるため、ウェハ面内でのバラ
ツキが大きくなるばかりか、未露光部のレジスト残膜が
悪化する。前記■の方式では、クロルベンゼン等の溶液
に５〜１０分間浸漬し、更に１０分間前後のべ−りが必
要であり、操作が繁雑となるばかりか、生産性も低いと
いう問題がある。
ーバ状とする際、通常より露光時間を長くする必要があ
るため、パターン寸法に影響し、微細なレジストパター
ンの形成が困難となる。前記■のオーバ現像方式では、
現像時間が通常より長くなるため、ウェハ面内でのバラ
ツキが大きくなるばかりか、未露光部のレジスト残膜が
悪化する。前記■の方式では、クロルベンゼン等の溶液
に５〜１０分間浸漬し、更に１０分間前後のべ−りが必
要であり、操作が繁雑となるばかりか、生産性も低いと
いう問題がある。
本発明は、膜減りを生じることなく光回り込み部分の現
像（溶解）をコントロールでき、微細かつ逆テーパ状の
レジストパターンを効率よく形成し得る方法を提供しよ
うとするものである。
像（溶解）をコントロールでき、微細かつ逆テーパ状の
レジストパターンを効率よく形成し得る方法を提供しよ
うとするものである。
本発明は、半導体基板上にポジ型遠紫外線感応レジスト
膜を形成する工程と、このレジスト膜を遠紫外線を用い
て露光する工程と、レジスト膜をシャワー現像する工程
とを具備したことを特徴とするものである。かかる本発
明によれば、遠紫外線感応レジストの露光後の現像を従
来汎用されたスプレ一方式に変ってシャワ一方式を採用
することによって、既述の如く光回り込み部分の現像（
溶解）をコントロールでき、ひいては微細かつ逆テーバ
状のレジストパターンを効率よく形成できる。
膜を形成する工程と、このレジスト膜を遠紫外線を用い
て露光する工程と、レジスト膜をシャワー現像する工程
とを具備したことを特徴とするものである。かかる本発
明によれば、遠紫外線感応レジストの露光後の現像を従
来汎用されたスプレ一方式に変ってシャワ一方式を採用
することによって、既述の如く光回り込み部分の現像（
溶解）をコントロールでき、ひいては微細かつ逆テーバ
状のレジストパターンを効率よく形成できる。
上記遠紫外線感応レジスト膜への遠紫外線露光において
、例えば厚さ０．５μｍ、１．０μｍのレジスト膜に対
する閾値は、第１図に示すように５８０〜７８０ｍＪ／
ｃｄ程度であることから、微細かつ逆テーパ状のレジス
トパターンの形成するための露光条件は該閾値の２倍前
後である１２００ｍＪ／ｄ以上、好ましくは１２００〜
１７００ｍＪ／ｄにすることが望ましい。
、例えば厚さ０．５μｍ、１．０μｍのレジスト膜に対
する閾値は、第１図に示すように５８０〜７８０ｍＪ／
ｃｄ程度であることから、微細かつ逆テーパ状のレジス
トパターンの形成するための露光条件は該閾値の２倍前
後である１２００ｍＪ／ｄ以上、好ましくは１２００〜
１７００ｍＪ／ｄにすることが望ましい。
上記シャワー現像時の半導体基板の回転速度は、２００
〜１０００ｒｐ層の範囲にすることが望ましい。この理
由は、その回転速度を２００ ｒａｍ未満にすると、レ
ジスト膜の下地への現像液の回り込みが大きくなって高
精度のレジストパターンの形成が困難となり、かといっ
てその回転速度が１１０００ｒｐを越えると、シャワ一
方式で吹付けられた現像液が飛散って現像速度が低下す
る恐れがある。
〜１０００ｒｐ層の範囲にすることが望ましい。この理
由は、その回転速度を２００ ｒａｍ未満にすると、レ
ジスト膜の下地への現像液の回り込みが大きくなって高
精度のレジストパターンの形成が困難となり、かといっ
てその回転速度が１１０００ｒｐを越えると、シャワ一
方式で吹付けられた現像液が飛散って現像速度が低下す
る恐れがある。
実施例１
まず、ウェハ上にポジ型遠紫外線感応レジスト（東京応
化社製商品名：０ＤＬＪＲ−１０１４）を塗布し、乾燥
して厚さ１μｍのレジスト膜を形成した。つづいて、該
レジスト膜に遠紫外線露光を露光量を変えて行ない０．
５μｍのパターンを転写した。次いで、ウェハを１００
０ｒｌ）−の条件で回転させながら、メチルエチルケト
ン−キシレン系の現像液（東京応化社製商品名： ０Ｄ
ＬＩＲ−１０１０）をシャワ一方式でウェハ上のレジス
ト膜に吹付ける現像を１５秒間行ない、更にキシレンで
リンス処理を１０秒間施してレジストパターンを形成し
た。
化社製商品名：０ＤＬＪＲ−１０１４）を塗布し、乾燥
して厚さ１μｍのレジスト膜を形成した。つづいて、該
レジスト膜に遠紫外線露光を露光量を変えて行ない０．
５μｍのパターンを転写した。次いで、ウェハを１００
０ｒｌ）−の条件で回転させながら、メチルエチルケト
ン−キシレン系の現像液（東京応化社製商品名： ０Ｄ
ＬＩＲ−１０１０）をシャワ一方式でウェハ上のレジス
ト膜に吹付ける現像を１５秒間行ない、更にキシレンで
リンス処理を１０秒間施してレジストパターンを形成し
た。
しかして、本実施例１により形成されたレジストパター
ンについて、露光量に対する表面寸法とウェハ密着部の
寸法を測定したところ、第２図に示す特性図を得た。な
お、第２図中のＡはレジストパターンの表面寸法を示す
曲線、Ｂは同パターンのウェハ密着部の寸法を示す曲線
である。この第２図より、遠紫外線の露光量が１１００
ｍＪ／ｄ付近でレジストパターンの表面寸法とウェハ密
着部の寸法が一致し、それ以上の露光量になると、表面
寸法に比べてウェハ密着部の寸法が小さくなり、パター
ン形状が逆テーバ状となることが分る。
ンについて、露光量に対する表面寸法とウェハ密着部の
寸法を測定したところ、第２図に示す特性図を得た。な
お、第２図中のＡはレジストパターンの表面寸法を示す
曲線、Ｂは同パターンのウェハ密着部の寸法を示す曲線
である。この第２図より、遠紫外線の露光量が１１００
ｍＪ／ｄ付近でレジストパターンの表面寸法とウェハ密
着部の寸法が一致し、それ以上の露光量になると、表面
寸法に比べてウェハ密着部の寸法が小さくなり、パター
ン形状が逆テーバ状となることが分る。
また、かかる露光条件において、現像時間を１５秒間と
いう極めて短い時間でレジストパターンを逆テーパ状に
できるため、膜減り等を招くことな（微細化と高精度を
達成できると共に、年産効率を向上できることが分る。
いう極めて短い時間でレジストパターンを逆テーパ状に
できるため、膜減り等を招くことな（微細化と高精度を
達成できると共に、年産効率を向上できることが分る。
更に、本実施例１で得た逆テーパ状のレジストパターン
をスペーサとして配線材料膜のリフトオフを行なったと
ころ、該配線材料膜の堆積時にウェハ上の材料膜部分と
レジストパターン上の材料膜とを該パターンの逆テーバ
部分で確実に分離することができた。
をスペーサとして配線材料膜のリフトオフを行なったと
ころ、該配線材料膜の堆積時にウェハ上の材料膜部分と
レジストパターン上の材料膜とを該パターンの逆テーバ
部分で確実に分離することができた。
実施例２
まず、ウェハ上にポジ型遠紫外線感応レジスト（東京応
化社製商品名：０ＤＬＩＲ−１０１４）を塗布し、乾燥
して厚さ１μｍのレジスト膜を形成した。つづいて、該
レジスト膜に遠紫外線露光を露光量を変えて行ない０．
５μｍのパターンを転写した。次いで、ウェハを２００
ｒｐｍの条件で回転させながら、実施例１と同様な現
像液をシャワ一方式でウェハ上のレジスト膜に吹付ける
現像を１５秒間行ない、更にキシレンでリンス処理を１
０秒間施してレジストパターンを形成した。
化社製商品名：０ＤＬＩＲ−１０１４）を塗布し、乾燥
して厚さ１μｍのレジスト膜を形成した。つづいて、該
レジスト膜に遠紫外線露光を露光量を変えて行ない０．
５μｍのパターンを転写した。次いで、ウェハを２００
ｒｐｍの条件で回転させながら、実施例１と同様な現
像液をシャワ一方式でウェハ上のレジスト膜に吹付ける
現像を１５秒間行ない、更にキシレンでリンス処理を１
０秒間施してレジストパターンを形成した。
しかして、本実施例２により形成されたレジストパター
ンについて、露光量に対する表面寸法とウェハ密着部の
寸法を測定したところ、第３図に示す特性図を得た。な
お、第３図中のＡはレジストパターンの表面寸法を示す
曲線、Ｂは同パターンのウェハ密着部の寸法を示す曲線
である。この第３図より、遠紫外線の露光量が１０１０
５Ｏ／ｄ付近でレジストパターンの表面寸法とウェハ密
着部の寸法が一致し、それ以上の露光量になると、表面
寸法に比べてウェハ密着部の寸法が小さくなり、パター
ン形状が逆テーパ状となることが分る。
ンについて、露光量に対する表面寸法とウェハ密着部の
寸法を測定したところ、第３図に示す特性図を得た。な
お、第３図中のＡはレジストパターンの表面寸法を示す
曲線、Ｂは同パターンのウェハ密着部の寸法を示す曲線
である。この第３図より、遠紫外線の露光量が１０１０
５Ｏ／ｄ付近でレジストパターンの表面寸法とウェハ密
着部の寸法が一致し、それ以上の露光量になると、表面
寸法に比べてウェハ密着部の寸法が小さくなり、パター
ン形状が逆テーパ状となることが分る。
また、かかる露光条件において、現像時間を１５秒問と
いう極めて短い時間でレジストパターンを逆テーバ状に
できるため、膜減り等を招くことなく微細化と高精度を
達成できると共に、生産効率を向上できることが分る。
いう極めて短い時間でレジストパターンを逆テーバ状に
できるため、膜減り等を招くことなく微細化と高精度を
達成できると共に、生産効率を向上できることが分る。
更に、本実施例２で得た逆テーバ状のレジストパターン
をスペーサとして配線材料膜のリフトオフを行なったと
ころ、実施例１と同様、該配線材料膜の堆積時にウェハ
上の材料膜部分とレジストパターン上の材料膜とを該パ
ターンの逆テーパ部分で確実に分離することができた。
をスペーサとして配線材料膜のリフトオフを行なったと
ころ、実施例１と同様、該配線材料膜の堆積時にウェハ
上の材料膜部分とレジストパターン上の材料膜とを該パ
ターンの逆テーパ部分で確実に分離することができた。
（発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明によれば適切な露光量、短時
間の現像により光回り込み部分の現像（溶解）をコント
ロールでき、躾減りやパターン寸法の悪化を招くことな
く、微細かつ逆テーパ状のレジストパターンを効率よく
形成でき、ひいては半導体装゜−の製造に適用されるリ
フトオフ法のスペーサとして有効に利用できる等顕著な
効果を有する。
間の現像により光回り込み部分の現像（溶解）をコント
ロールでき、躾減りやパターン寸法の悪化を招くことな
く、微細かつ逆テーパ状のレジストパターンを効率よく
形成でき、ひいては半導体装゜−の製造に適用されるリ
フトオフ法のスペーサとして有効に利用できる等顕著な
効果を有する。
第１図は遠紫外線感応レジストに対する遠紫外露光の閾
値を示す特性図、第２図は本実施例１における露光量に
対するレジストパターンの表面寸法とウェハ密着部の寸
法の変化を示す特性図、第３図は本実施例２における露
光量に対するレジストパターンの表面寸法とウェハ密着
部の寸法の変化を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 、（ ε（ 町 ト 第１図 ：：［ ）；［ ）、ＩＬ 第２図 第３図
値を示す特性図、第２図は本実施例１における露光量に
対するレジストパターンの表面寸法とウェハ密着部の寸
法の変化を示す特性図、第３図は本実施例２における露
光量に対するレジストパターンの表面寸法とウェハ密着
部の寸法の変化を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 、（ ε（ 町 ト 第１図 ：：［ ）；［ ）、ＩＬ 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）、半導体基板上にポジ型遠紫外線感応レジスト膜
を形成する工程と、このレジスト膜を遠紫外線を用いて
露光する工程と、レジスト膜をシャワー現像する工程と
を具備したことを特徴とするレジストパターンの形成方
法。 - （２）、レジスト膜への遠紫外線露光を１２００ｍＪ／
ｃｍ＾２以上の露光量で行なうことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116751A JPS61276323A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116751A JPS61276323A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276323A true JPS61276323A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14694857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60116751A Pending JPS61276323A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276323A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS5633834A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Toshiba Corp | Manufacturing device of semiconductor |
| JPS5966122A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60116751A patent/JPS61276323A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS5633834A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Toshiba Corp | Manufacturing device of semiconductor |
| JPS5966122A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
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