JPH0645483B2 - 液晶表示装置用基板およびその作製方法 - Google Patents
液晶表示装置用基板およびその作製方法Info
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- JPH0645483B2 JPH0645483B2 JP63001576A JP157688A JPH0645483B2 JP H0645483 B2 JPH0645483 B2 JP H0645483B2 JP 63001576 A JP63001576 A JP 63001576A JP 157688 A JP157688 A JP 157688A JP H0645483 B2 JPH0645483 B2 JP H0645483B2
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明は、安価なソーダガラスを用た太陽電池、液晶デ
ィスプレイ装置等に用いられる薄膜のパターニング加工
に際し、フォトレジストを用いることなく線状の開溝形
成をレーザ光により直接描画（パターン形成）を行う。
そしてこの直接描画のために生ずる薄膜とソーダガラス
との間の第１のブロッキング層の除去に伴うナトリウム
イオン等の不純物の外部への滲み出を防ぐために、第２
のブロッキング層を開溝に設ける薄膜を有する基板に関
する。
ィスプレイ装置等に用いられる薄膜のパターニング加工
に際し、フォトレジストを用いることなく線状の開溝形
成をレーザ光により直接描画（パターン形成）を行う。
そしてこの直接描画のために生ずる薄膜とソーダガラス
との間の第１のブロッキング層の除去に伴うナトリウム
イオン等の不純物の外部への滲み出を防ぐために、第２
のブロッキング層を開溝に設ける薄膜を有する基板に関
する。
『従来技術』 薄膜のパターニング加工の際にフォトレジストを用いる
方法が知られている。この方法はソーダガラス基板上に
設けられたアルカリ金属元素等の外部への侵入を防ぐ酸
化珪素、リンガラス等のブロッキング層をなんら損なう
ことなしにその上の透明導電膜等の導電膜のパターニン
グを行うことができという特徴を有する。しかしこの方
法は所定の形状にフォトレジストをコートし、このレジ
ストをマスクとし、パターニングを行い、さらにこの後
フォトレジストを除去するという複雑な工程を有する。
このため、安価にパターニングをする方法が求められて
いる。
方法が知られている。この方法はソーダガラス基板上に
設けられたアルカリ金属元素等の外部への侵入を防ぐ酸
化珪素、リンガラス等のブロッキング層をなんら損なう
ことなしにその上の透明導電膜等の導電膜のパターニン
グを行うことができという特徴を有する。しかしこの方
法は所定の形状にフォトレジストをコートし、このレジ
ストをマスクとし、パターニングを行い、さらにこの後
フォトレジストを除去するという複雑な工程を有する。
このため、安価にパターニングをする方法が求められて
いる。
この安価な方法として、レーザ加工法より直接描画（パ
ターン形成）する方法が知られている。このレーザ加工
方法としては、YAGレーザ（波長1.06μｍ）を用いる方
法が一般的に有効であるとされている。この赤外線を用
いる方法は、そのレーザ光の光学的エネルギは1.23eV
（1.06μｍ）しかない。他方、ガラス基板上に形成され
ている被加工物、例えば透光性導電膜（以下CTFとい
う）は３〜４eVの光学的エネルギバンド巾を有する。こ
のため、酸化スズ、酸化インジューム（ITOを含む），
酸化亜鉛（ZnO）等のCTFはYAGレーザ光に対して十分な
光吸収性をもっておらず、レーザ光のエネルギを有効に
使用してはいなかった。また、YAGレーザのＱスイッチ
発振を用いるレーザ加工方式においては、パルス光は平
均0.5〜１Ｗ（光径50μｍ、焦点距離40mm、パルス周波
数３KHz、パルス巾60ｎ秒の場合）の強い光エネルギを
走査スピードが30〜60cm／分で加えて加工しなければな
らない。その結果、このレーザ光によりCTFの加工は行
い得るが、同時にその下側に設けられたブロッキング層
を有するソーダガラスに対して、10〜50μｍもの深さに
マイクロクラックを発生させ、損傷させてしまった。
ターン形成）する方法が知られている。このレーザ加工
方法としては、YAGレーザ（波長1.06μｍ）を用いる方
法が一般的に有効であるとされている。この赤外線を用
いる方法は、そのレーザ光の光学的エネルギは1.23eV
（1.06μｍ）しかない。他方、ガラス基板上に形成され
ている被加工物、例えば透光性導電膜（以下CTFとい
う）は３〜４eVの光学的エネルギバンド巾を有する。こ
のため、酸化スズ、酸化インジューム（ITOを含む），
酸化亜鉛（ZnO）等のCTFはYAGレーザ光に対して十分な
光吸収性をもっておらず、レーザ光のエネルギを有効に
使用してはいなかった。また、YAGレーザのＱスイッチ
発振を用いるレーザ加工方式においては、パルス光は平
均0.5〜１Ｗ（光径50μｍ、焦点距離40mm、パルス周波
数３KHz、パルス巾60ｎ秒の場合）の強い光エネルギを
走査スピードが30〜60cm／分で加えて加工しなければな
らない。その結果、このレーザ光によりCTFの加工は行
い得るが、同時にその下側に設けられたブロッキング層
を有するソーダガラスに対して、10〜50μｍもの深さに
マイクロクラックを発生させ、損傷させてしまった。
また、前記YAGレーザ以外の照射光として、400nm以下
（エネルギ的には3.1eV以上）の紫外光の波長のパルス
レーザを照射し、20〜50μφのビームスポットではな
く、２〜200μｍの巾（例えば10μｍ），長さ10〜60cm
例えば30cmの線状のパターンに同一箇所に１つまたは数
回のパルスを照射して、線状の開溝を形成して薄膜をパ
ターン加工する方法が知られている。この400ｎｍ以下
の波長のパルス光（パルス巾５〜30ｎ秒ときわめて短
い）を線状に照射することにより、CTF等透明な物質で
の光エネルギの吸収効率をYAGレーザ（1.06μｍ）を用
いた場合の100倍以上に高め、結果として加工速度を10
倍以上に速くすることができる。
（エネルギ的には3.1eV以上）の紫外光の波長のパルス
レーザを照射し、20〜50μφのビームスポットではな
く、２〜200μｍの巾（例えば10μｍ），長さ10〜60cm
例えば30cmの線状のパターンに同一箇所に１つまたは数
回のパルスを照射して、線状の開溝を形成して薄膜をパ
ターン加工する方法が知られている。この400ｎｍ以下
の波長のパルス光（パルス巾５〜30ｎ秒ときわめて短
い）を線状に照射することにより、CTF等透明な物質で
の光エネルギの吸収効率をYAGレーザ（1.06μｍ）を用
いた場合の100倍以上に高め、結果として加工速度を10
倍以上に速くすることができる。
この場合、初期の光源として、一般的にはエキシマレー
ザ光を用いる。このため、初期の光の照射面は矩形を有
し、またその強さも照射面で概略均一である。このため
の巾を広げるいわゆるビームエキスパンダで長方形に大
面積化する。その後、その一方のＸまはＹ方向にそって
筒状の棒状レンズ即ちシリンドリカルレンズにてスリッ
ト状にレーザ光を集光する。
ザ光を用いる。このため、初期の光の照射面は矩形を有
し、またその強さも照射面で概略均一である。このため
の巾を広げるいわゆるビームエキスパンダで長方形に大
面積化する。その後、その一方のＸまはＹ方向にそって
筒状の棒状レンズ即ちシリンドリカルレンズにてスリッ
ト状にレーザ光を集光する。
かくして２〜200μｍ例えば10μｍの巾の線状の開溝を
作る。
作る。
これらレーザ光を用いる方法は、フォトレジストを全く
用いないため、製造工程が容易であるという特徴を有す
る。しかしこのレーザ光により加工して作られた開溝部
では、ブロッキング層も同時に除去されてしまうという
欠点を有する。このため、安価なソーダガラスを用いた
くても、その中に予め混入しているナトリウム等の不純
物イオンの外部への滲み出しに対し、十分な手段がみつ
からなかった。
用いないため、製造工程が容易であるという特徴を有す
る。しかしこのレーザ光により加工して作られた開溝部
では、ブロッキング層も同時に除去されてしまうという
欠点を有する。このため、安価なソーダガラスを用いた
くても、その中に予め混入しているナトリウム等の不純
物イオンの外部への滲み出しに対し、十分な手段がみつ
からなかった。
このような状態の基板を用いて太陽電池、液晶表示装置
その他の電子部品を作製すると、この凹凸に起因する電
極間のショート、断線、色ムラ等が発生し、電子部品の
製造歩留りの低下をまねいていた。
その他の電子部品を作製すると、この凹凸に起因する電
極間のショート、断線、色ムラ等が発生し、電子部品の
製造歩留りの低下をまねいていた。
『発明の目的』 本発明は400μｍ以下の波長を持つレーザ光にて、ガラ
ス基板特にソーダガラス（アルカリガラスともいう）上
にアルカリイオン等の不純物に対するブロッキング層を
設けた基板上の薄膜、積層体、特に透明導電膜または金
属膜等の導電膜、またはこの下側にカラーフィルタ等の
絶縁膜、またこの上に非単結晶半導体を積層した積層体
を対象材料とし、これらの導電膜または積層体をレーザ
加工し、パターニングする際に、被加工部の開溝付近の
残渣のない良好な被加工面を実現するとともに、基板中
のナトリウム等の不純物が外部に滲み出ることのないよ
うに、第２のブロッキング層、即ちナトリウムに対する
しみだし防止用保護膜を開溝等に設けることを目的とす
る。
ス基板特にソーダガラス（アルカリガラスともいう）上
にアルカリイオン等の不純物に対するブロッキング層を
設けた基板上の薄膜、積層体、特に透明導電膜または金
属膜等の導電膜、またはこの下側にカラーフィルタ等の
絶縁膜、またこの上に非単結晶半導体を積層した積層体
を対象材料とし、これらの導電膜または積層体をレーザ
加工し、パターニングする際に、被加工部の開溝付近の
残渣のない良好な被加工面を実現するとともに、基板中
のナトリウム等の不純物が外部に滲み出ることのないよ
うに、第２のブロッキング層、即ちナトリウムに対する
しみだし防止用保護膜を開溝等に設けることを目的とす
る。
『発明の構成』 上記の目的を達成するため、ソーダガラス等の下地基板
と被加工物である薄膜との間にリン、ナトリウム、ホウ
素が十分少なくしかドーピングされていない酸化珪素等
をブロッキング層（第１のブロッキング層）として設
け、この上に薄膜特にITO，酸化スズ、酸化亜鉛または
これらの積層体、さらにクロム、モリブデン等の金属導
電膜を積層している。また必要に応じ、その下面または
上面に絶縁体または半導体を設けた積層体としてもよ
い。そしてこの導電膜に対し、400μｍ以下の波長を持
つレーザ光を照射することによって、導電膜に加えてブ
ロッキング層をも同時に照射して除去し、開溝を形成す
る。このため、基板材料からのナトリウム等の不純物の
滲み出を促してしまう。
と被加工物である薄膜との間にリン、ナトリウム、ホウ
素が十分少なくしかドーピングされていない酸化珪素等
をブロッキング層（第１のブロッキング層）として設
け、この上に薄膜特にITO，酸化スズ、酸化亜鉛または
これらの積層体、さらにクロム、モリブデン等の金属導
電膜を積層している。また必要に応じ、その下面または
上面に絶縁体または半導体を設けた積層体としてもよ
い。そしてこの導電膜に対し、400μｍ以下の波長を持
つレーザ光を照射することによって、導電膜に加えてブ
ロッキング層をも同時に照射して除去し、開溝を形成す
る。このため、基板材料からのナトリウム等の不純物の
滲み出を促してしまう。
そのため、これら全体に第２のブロッキング層を形成す
る。この第２のブロッキング層は液状の材料を用い、そ
れを塗布、印刷またはコートし、これら全体を加熱処理
し、硬化せしめる。するとレーザ加工部の開溝は凹部を
構成するため、ここの部分は薄膜上に比べて相対的によ
り厚くすることができる。そして好ましくは薄膜上に50
〜300Åの厚さ、例えば200Åである時、100〜600Åの厚
さ（薄膜上が50Åの時は100Åに対応し、300Åの時は60
0Åに対応する）例えば400Åと30％以上も厚めに作るこ
とができる。この厚さのために、基板中のナトリウム等
のアルカリイオンを外部に滲み出す効果を防ぐことが可
能となった。
る。この第２のブロッキング層は液状の材料を用い、そ
れを塗布、印刷またはコートし、これら全体を加熱処理
し、硬化せしめる。するとレーザ加工部の開溝は凹部を
構成するため、ここの部分は薄膜上に比べて相対的によ
り厚くすることができる。そして好ましくは薄膜上に50
〜300Åの厚さ、例えば200Åである時、100〜600Åの厚
さ（薄膜上が50Åの時は100Åに対応し、300Åの時は60
0Åに対応する）例えば400Åと30％以上も厚めに作るこ
とができる。この厚さのために、基板中のナトリウム等
のアルカリイオンを外部に滲み出す効果を防ぐことが可
能となった。
さらにこの導電膜の上または下に予め作られている他の
半導体、絶縁物等と合わせて積層体を形成した後、これ
らすべてをレーザ光でパターニングをし、それによって
できた積層体上面、側面および開溝に対しても第２のブ
ロッキング層を充填して形成することが可能である。こ
の時はこの積層体の厚さがより厚くなるため、開溝には
積層体上の第２のブロッキング層の厚さに比べてより厚
く形成し、ナトリウム等の不純物イオンの遮蔽効果をよ
り著しくすることができる。
半導体、絶縁物等と合わせて積層体を形成した後、これ
らすべてをレーザ光でパターニングをし、それによって
できた積層体上面、側面および開溝に対しても第２のブ
ロッキング層を充填して形成することが可能である。こ
の時はこの積層体の厚さがより厚くなるため、開溝には
積層体上の第２のブロッキング層の厚さに比べてより厚
く形成し、ナトリウム等の不純物イオンの遮蔽効果をよ
り著しくすることができる。
以下に実施例を示す。
『実施例１』 第２図にエキシマレーザを用いた本発明のレーザ加工の
系統図を記す。加工用レーザとしてはエキシマレーザ(1
4)（波長248 nm，Eg＝5.0eV）を用いた。このレーザ
は、第３図(A)のように、初期の光ビーム(21)は16mm×2
0mmを有し、効率３％であるため、350mJ（ミリジュー
ル）を有する。さらにこのビームをビームエキスパンダ
(15)にて長面積化または大面積化した。即ち、16mm×30
0mmに拡大した（第３図(22)）。この際に5.6×10-2mJ／
mm2をエネルギ密度で得た。
系統図を記す。加工用レーザとしてはエキシマレーザ(1
4)（波長248 nm，Eg＝5.0eV）を用いた。このレーザ
は、第３図(A)のように、初期の光ビーム(21)は16mm×2
0mmを有し、効率３％であるため、350mJ（ミリジュー
ル）を有する。さらにこのビームをビームエキスパンダ
(15)にて長面積化または大面積化した。即ち、16mm×30
0mmに拡大した（第３図(22)）。この際に5.6×10-2mJ／
mm2をエネルギ密度で得た。
次に２mm×300mmの間隔を有するスリット(16)にレーザ
ビームを透過させて２mm×300mmのレーザビーム(23)を
得る。（第３図(C)） 更に、合成石英製のシリンドリカルレンズ(17)にて、加
工面での開溝巾が10μｍとなるべく集光(24)した。（第
３図(D)）この時使用するスリットの巾は特に決まって
いないが、シリンドリカルレンズの球面収差が影響しな
い程度にレーザビームをしぼる必要がある。また、被加
工物の開溝巾はシリンドリカルレンズの性能により任意
に選択可能である。
ビームを透過させて２mm×300mmのレーザビーム(23)を
得る。（第３図(C)） 更に、合成石英製のシリンドリカルレンズ(17)にて、加
工面での開溝巾が10μｍとなるべく集光(24)した。（第
３図(D)）この時使用するスリットの巾は特に決まって
いないが、シリンドリカルレンズの球面収差が影響しな
い程度にレーザビームをしぼる必要がある。また、被加
工物の開溝巾はシリンドリカルレンズの性能により任意
に選択可能である。
第１図は、基板上にスリット状のパルス光を照射し、開
溝（6-1，6-2，6-3，・・・ｎ）を複数個形成したもの
である。即ち、第１図(A)に示される如く、ソーダガラ
ス（青板ガラスともいう）上にブロッキング層(2)（100
〜1500Åの厚さ）例えば酸化珪素を200Åの厚さで有す
る基板を用いる。さらにこの上に導電膜(4)例えば酸化
インジウム・スズまたはクロムを1000〜3000Åの厚さに
形成する。これらに第１図(B)に示す如く、レーザ光を
第２図、第３図の光学系を用いて照射した。
溝（6-1，6-2，6-3，・・・ｎ）を複数個形成したもの
である。即ち、第１図(A)に示される如く、ソーダガラ
ス（青板ガラスともいう）上にブロッキング層(2)（100
〜1500Åの厚さ）例えば酸化珪素を200Åの厚さで有す
る基板を用いる。さらにこの上に導電膜(4)例えば酸化
インジウム・スズまたはクロムを1000〜3000Åの厚さに
形成する。これらに第１図(B)に示す如く、レーザ光を
第２図、第３図の光学系を用いて照射した。
パルス光はKrFエキシマレーザによる248ｎｍの光とし
た。なぜなら、その光の光学的エネルギバンド巾が５．
０eVであるため、被加工物が十分光を吸収し、導電膜の
みを選択的に加工し得るからである。
た。なぜなら、その光の光学的エネルギバンド巾が５．
０eVであるため、被加工物が十分光を吸収し、導電膜の
みを選択的に加工し得るからである。
パルス巾20ｎ秒、繰り返し周波数１〜100Hz、例えば10H
zで光照射を行った。
zで光照射を行った。
すると開溝(6-1)，(6-2)，(6-3)・・・を得る。この
時、開溝内部には残渣物(5-1)およびパターニングされ
た導電膜(4)上に凸部(5-2)を有する。これらを希弗酸
（1/10に水で希釈）で溶去し、さらにアセトン、純水で
十な超音波洗浄を施す。
時、開溝内部には残渣物(5-1)およびパターニングされ
た導電膜(4)上に凸部(5-2)を有する。これらを希弗酸
（1/10に水で希釈）で溶去し、さらにアセトン、純水で
十な超音波洗浄を施す。
すると第１図(C)の如く、開溝(6-1)，(6-2)，(6-3)は溝
のみを有し、残渣物をすべて除去することができた。
のみを有し、残渣物をすべて除去することができた。
しかしこの開溝部ではブロッキング層(2)も同時に除去
されてしまい、かつソーダガラス基板の上部も一部（0.
3〜１μｍの深さに）えぐられて露呈してしまってい
る。このため、この第１図(C)の構造のみを用いて液晶
表示装置等を作ると、この基板材料を直接超高純度を要
求する液晶が接することになり、ナトリウムが液晶中に
長期使用に際し滲み出てしまうおそれを有する。
されてしまい、かつソーダガラス基板の上部も一部（0.
3〜１μｍの深さに）えぐられて露呈してしまってい
る。このため、この第１図(C)の構造のみを用いて液晶
表示装置等を作ると、この基板材料を直接超高純度を要
求する液晶が接することになり、ナトリウムが液晶中に
長期使用に際し滲み出てしまうおそれを有する。
またイメージセンサ、太陽電池等にこのまま用いると、
この部分よりナトリウムがアモルファス半導体中に滲み
でてしまい、光劣化効果また半導のＮ型化を促すとにな
ってしまう。
この部分よりナトリウムがアモルファス半導体中に滲み
でてしまい、光劣化効果また半導のＮ型化を促すとにな
ってしまう。
このため、本発明においては、これらの上面に第１図
(D)に示す如く、第２のブロッキング層を形成した。
(D)に示す如く、第２のブロッキング層を形成した。
このブロッキング層ポリイミド等のナトリウムをブロッ
キングする有機樹脂、または酸化珪素等の無機材料が好
ましい。これらは原材料状態では液体状（非重合状態ま
たはシラザン等の有機珪化物液の液体状）を有し、その
原材料をこれら全体に50〜250Åの厚さ、例えば導電膜
上に300Å、開溝部に約500Åの厚さに塗布コートする。
この塗布コートはスピナを用いても、また印刷法、コー
ター法、スプレー法を用いてもよい。
キングする有機樹脂、または酸化珪素等の無機材料が好
ましい。これらは原材料状態では液体状（非重合状態ま
たはシラザン等の有機珪化物液の液体状）を有し、その
原材料をこれら全体に50〜250Åの厚さ、例えば導電膜
上に300Å、開溝部に約500Åの厚さに塗布コートする。
この塗布コートはスピナを用いても、また印刷法、コー
ター法、スプレー法を用いてもよい。
すると、これらは液状を塗布された面を有するため、凹
部を構成する開溝(6-1)，(6-2)・・・により多く塗布さ
れ、より厚く形成することができる。
部を構成する開溝(6-1)，(6-2)・・・により多く塗布さ
れ、より厚く形成することができる。
さらにこれら液体状の原材料を熱硬化せしめた。例えば
ポリイミド溶液においては、230℃、２時間の加熱焼成
を行う。液体状有機珪素化合物を用いる方法において
も、大気または酸素中に加熱酸化をして固体酸化珪素の
ブロッキング層に変成した。
ポリイミド溶液においては、230℃、２時間の加熱焼成
を行う。液体状有機珪素化合物を用いる方法において
も、大気または酸素中に加熱酸化をして固体酸化珪素の
ブロッキング層に変成した。
かくして第１図(D)に示す如く、溶媒が気化し、また加
熱反応に伴い体積が収縮し緻密になり、アルカリイオン
等の外部へのしみ出しを完全に防ぐことができた。そし
て導電膜中への有機物の下側からのしみ出しはブロッキ
ング層(2)（第１のブロッキング層）にて遮断した。そ
して側周辺および上面からの導電膜または積層体(7)へ
の純物のしみこみは、第２のブロッキング層(8)により
その侵入を遮断した。
熱反応に伴い体積が収縮し緻密になり、アルカリイオン
等の外部へのしみ出しを完全に防ぐことができた。そし
て導電膜中への有機物の下側からのしみ出しはブロッキ
ング層(2)（第１のブロッキング層）にて遮断した。そ
して側周辺および上面からの導電膜または積層体(7)へ
の純物のしみこみは、第２のブロッキング層(8)により
その侵入を遮断した。
さらにこの第２のブロッキング層は液晶表示装置におい
ては、その表面を必要に応じてラピング等を施すことに
より、配向膜としても作用させることが有効である。
ては、その表面を必要に応じてラピング等を施すことに
より、配向膜としても作用させることが有効である。
またこの第２のブロッキング層はCVD法、真空蒸着法を
行ってもよい。しかしかかる方法では開溝を構成する凹
部の厚さが導電膜上の厚さに比べてより薄くなってしま
うという欠点を有する。さらに加えて凹部の溝での厚さ
にむらが生じやすい。理想的には、凹部のすべてをうめ
て、その上面を導電膜上の上面と概略一致せしめるこ
と、また導電膜の端部での局部電界集中を防ぐことが求
められる。このため、液体状の原材料を塗布形成し、こ
れを硬化させるのがより好ましい。
行ってもよい。しかしかかる方法では開溝を構成する凹
部の厚さが導電膜上の厚さに比べてより薄くなってしま
うという欠点を有する。さらに加えて凹部の溝での厚さ
にむらが生じやすい。理想的には、凹部のすべてをうめ
て、その上面を導電膜上の上面と概略一致せしめるこ
と、また導電膜の端部での局部電界集中を防ぐことが求
められる。このため、液体状の原材料を塗布形成し、こ
れを硬化させるのがより好ましい。
特にこの開溝の巾が50μより20μｍ、10μｍ、５μｍ、
３μｍとより小さくし得るに加えて、この開溝内部をよ
り厚く形成させるには、表面張力を用いえる液体状の原
材料の塗布およびこの硬化の工程が好ましい。
３μｍとより小さくし得るに加えて、この開溝内部をよ
り厚く形成させるには、表面張力を用いえる液体状の原
材料の塗布およびこの硬化の工程が好ましい。
かくして例えば第１図(D)に示された縦断面図の基板を
互いに２μｍの巾に離間し、マトリックス構成をさせて
配列せしめ、その間に液晶材料を充填することにより、
マトリックス表示がし得る液晶表示装置を作ることがで
きた。
互いに２μｍの巾に離間し、マトリックス構成をさせて
配列せしめ、その間に液晶材料を充填することにより、
マトリックス表示がし得る液晶表示装置を作ることがで
きた。
この場合、一方の基板側は酸化珪素で第２のブロッキン
グ層を構成せしめ、他方の基板はポリイミド有機樹脂で
第２のブロッキング層を構成せしめた。そして有機樹脂
側をラビング処理した。かくすることにより、この配向
膜は50℃で1000時間高温処理しても、表示部のコントラ
ストは20を有し、その値にはなんら劣化がみられなかっ
た。
グ層を構成せしめ、他方の基板はポリイミド有機樹脂で
第２のブロッキング層を構成せしめた。そして有機樹脂
側をラビング処理した。かくすることにより、この配向
膜は50℃で1000時間高温処理しても、表示部のコントラ
ストは20を有し、その値にはなんら劣化がみられなかっ
た。
第１図(D)において、この溝によって分離されたITO(4-
1)，(4-2)間に50Ｖの直流電圧を加えITO間に流れる電流
を100ケ所測定を行ったところ、全て１〜２×10-9Ａ
（長さ30cm、巾10μｍの開溝間のリーク電流）の範囲の
値であり、それらは第２のブロッキング層が表面リーク
をも防いでいるため、得られた値が一定値を示し、実用
上何らの支障もなかった。
1)，(4-2)間に50Ｖの直流電圧を加えITO間に流れる電流
を100ケ所測定を行ったところ、全て１〜２×10-9Ａ
（長さ30cm、巾10μｍの開溝間のリーク電流）の範囲の
値であり、それらは第２のブロッキング層が表面リーク
をも防いでいるため、得られた値が一定値を示し、実用
上何らの支障もなかった。
『効果』 本発明により、レーザ加工において導電膜、積層体の外
周辺のすべてをブロッキング層で覆うため、隣同志の導
体間のリークをより少なくできる。
周辺のすべてをブロッキング層で覆うため、隣同志の導
体間のリークをより少なくできる。
本発明により従来法では存在した加工溝の周辺に残る残
渣等が発生せず良好な被加工面が得られた。
渣等が発生せず良好な被加工面が得られた。
この結果、電極間のショート、断線がなく、またＩＴＯ
間の絶縁を十にとることができた。
間の絶縁を十にとることができた。
本発明において、導電膜はITO，SiO2，ZnOまたはこれら
の多層膜、さらに金属であるクロム、モリブデン等を用
いてもよい。
の多層膜、さらに金属であるクロム、モリブデン等を用
いてもよい。
またこれら導電膜の上側または下側にカラーフィルタの
機能を有する絶縁膜を積層して、これら導電膜上を同一
形状に構成させることは有効である。
機能を有する絶縁膜を積層して、これら導電膜上を同一
形状に構成させることは有効である。
さらにこの導電膜の上側に非単結晶半導体を積層し、さ
らにその上に他の導電膜を構成させてイメージセンサに
用いることは有効である。
らにその上に他の導電膜を構成させてイメージセンサに
用いることは有効である。
本発明はこれらの積層体のすべてを覆って第２のブロッ
キング層を設けて高信頼性化をはかったものであり、安
価なソーダガラス基板を用いても高信頼性を得ることが
できた。
キング層を設けて高信頼性化をはかったものであり、安
価なソーダガラス基板を用いても高信頼性を得ることが
できた。
本発明で開溝と開溝間の巾（加工せずに残す面積）が多
い場合を記した。しかし光照射を隣合わせて連結化する
とより、逆に例えば、残っている面を20μｍ、除去する
部分を400μｍとすることも可能である。
い場合を記した。しかし光照射を隣合わせて連結化する
とより、逆に例えば、残っている面を20μｍ、除去する
部分を400μｍとすることも可能である。
第１図は本発明の導電膜を有する基板の作製方法を示
す。 第２図は本発明で用いたレーザ加工系の概要を示す。 第３図はレーザ光のビーム形状を示す。
す。 第２図は本発明で用いたレーザ加工系の概要を示す。 第３図はレーザ光のビーム形状を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】ナトリュームを含む基板と、 前記ナトリュームが外部にしみ出すことを防ぐための第
１のブロッキング層と、 該第１のブロッキング層上の導電膜と、 を有した多層膜を有し、 前記導電膜をパターニングした際その側周辺の前記導電
膜の除去された開溝に前記ナトリュームが外部にしみ出
すことを防ぐための第２のブロッキング層を有し、 前記第２のブロッキング層は前記導電膜を覆って設けら
れており、 前記第２のブロッキング層の前記開溝部での厚さは前記
導電膜上の厚さに比べてより厚く設けられたことを特徴
とする薄膜を有する液晶表示装置用基板。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、第２のブ
ロッキング層は酸化珪素、窒化珪素またはアルミナ等の
無機材料またはポリイミド等の有機樹脂材料よりなるこ
とを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項において、導電膜は
透光性導電膜よりなり、第２のブロッキング層は液晶配
向膜よりなることを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 【請求項４】ガラス基板上に第１のブロッキング層を形
成し、前記ブロッキング層上に導電膜を形成し、前記導
電膜の上面または下面に半導体または絶縁体を設けるこ
とにより積層体を構成する工程と、 該積層体をレーザー光でパターニングをし、前記積層体
を選択的に除去し開溝を形成する工程と、 前記積層体を覆って液状の材料を塗布、印刷またはコー
トし、さらに加熱処理をして硬化させることにより第２
のブロッキング層を形成する工程と、 を有し、 前記開溝部での前記第２のブロッキング層の厚さを前記
積層体上の厚さに比べてより厚く形成することを特徴と
する液晶表示装置用基板の作製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001576A JPH0645483B2 (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 |
| US07/293,121 US4937129A (en) | 1988-01-06 | 1989-01-03 | Thin film pattern structure formed on a glass substrate |
| CN89100120A CN1025247C (zh) | 1988-01-06 | 1989-01-06 | 在玻璃衬底上形成的薄膜图形结构及该图结构形成方法 |
| DE89300110T DE68909620T2 (de) | 1988-01-06 | 1989-01-06 | Dünnschichtmusterstruktur. |
| EP19890300110 EP0324550B1 (en) | 1988-01-06 | 1989-01-06 | Thin film pattern structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001576A JPH0645483B2 (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179742A JPH01179742A (ja) | 1989-07-17 |
| JPH0645483B2 true JPH0645483B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=11505344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63001576A Expired - Fee Related JPH0645483B2 (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645483B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018088853A1 (ko) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 주식회사 엘지화학 | 대면적 액정 소자의 패턴 형성 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2581373B2 (ja) * | 1992-04-27 | 1997-02-12 | 双葉電子工業株式会社 | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
| FR2820241B1 (fr) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| WO2024012955A1 (de) * | 2022-07-13 | 2024-01-18 | Saint-Gobain Glass France | Verfahren zum strukturieren einer elektrodenschicht eines funktionselements in folienform |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS51104846A (ja) * | 1975-03-12 | 1976-09-17 | Suwa Seikosha Kk | Ekishohyojisochinoseizohoho |
| JPS5495264A (en) * | 1978-01-11 | 1979-07-27 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
| JPS5678451A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-27 | Asahina Shozo | Glass plate having light-shielding function, and its preparation |
| JPS62143847A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-27 | Toshiba Corp | 硝子製品の刻印方法 |
| JPH07115084B2 (ja) * | 1986-07-25 | 1995-12-13 | 株式会社アイジー技術研究所 | 金属薄板材成形ロ−ル装置 |
-
1988
- 1988-01-06 JP JP63001576A patent/JPH0645483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018088853A1 (ko) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 주식회사 엘지화학 | 대면적 액정 소자의 패턴 형성 방법 |
| US10730147B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-08-04 | Lg Chem, Ltd. | Method of forming pattern for a large area liquid crystal device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01179742A (ja) | 1989-07-17 |
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