JPH0645862B2 - セラミツク溶射層の形成方法 - Google Patents
セラミツク溶射層の形成方法Info
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- JPH0645862B2 JPH0645862B2 JP61315657A JP31565786A JPH0645862B2 JP H0645862 B2 JPH0645862 B2 JP H0645862B2 JP 61315657 A JP61315657 A JP 61315657A JP 31565786 A JP31565786 A JP 31565786A JP H0645862 B2 JPH0645862 B2 JP H0645862B2
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- sprayed
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は内燃機関用ピストンやシリンダボア、その他
の各種部材において、表面の耐摩耗性や耐熱性、断熱性
等の特性を向上させるためにセラミック溶射層を形成す
る方法に関し、特に珪素の窒化物や炭化物を主体とする
溶射層を形成する方法に関するものである。
の各種部材において、表面の耐摩耗性や耐熱性、断熱性
等の特性を向上させるためにセラミック溶射層を形成す
る方法に関し、特に珪素の窒化物や炭化物を主体とする
溶射層を形成する方法に関するものである。
従来の技術 各種のセラミック材料のうちでも特に珪素の炭化物例え
ばＳｉＣや珪素の窒化物例えばＳｉ３Ｎ４等は一般に高
融点材料であって耐熱性が優れるとともに高硬度で耐摩
耗性が著しく優れており、またこのほか耐食性や耐酸化
性も優れているものが多く、そこでこれらのＳｉＣやＳ
ｉ３Ｎ４等のセラミック材料は、上述のような性能が要
求される用途において主として焼結材料として広く使用
されるようになっている。
ばＳｉＣや珪素の窒化物例えばＳｉ３Ｎ４等は一般に高
融点材料であって耐熱性が優れるとともに高硬度で耐摩
耗性が著しく優れており、またこのほか耐食性や耐酸化
性も優れているものが多く、そこでこれらのＳｉＣやＳ
ｉ３Ｎ４等のセラミック材料は、上述のような性能が要
求される用途において主として焼結材料として広く使用
されるようになっている。
ところで一般に焼結法により得られたセラミック材料
は、強度、特に靭性に欠ける問題があり、一方前述のよ
うな耐摩耗性や耐熱性は表面層にのみ要求されるのが通
常であり、そこで金属等からなる母材の表面層のみをセ
ラミック材料で局部的に被覆することが望ましい場合が
多く、またその場合の被覆方法としては、溶射法を利用
することが多い。しかるに珪素の炭化物や窒化物として
は、融点が存在せずに固体状態から直接的に分解、昇華
するものや、融点があっても融点に至らないうちに分解
が開始されてしまうものが多く、そのためこれらの材料
を直接溶射によって被覆することは困難であった。例え
ばＳｉ３Ｎ４は融点がなく、1900℃前後で昇華し、また
ＳｉＣは融点が2600℃前後であるが2000℃程度から分解
が開始され、したがってこれらの粉末を溶射しようとし
ても、分解、昇華により母材上に被覆層を形成すること
は困難であった。
は、強度、特に靭性に欠ける問題があり、一方前述のよ
うな耐摩耗性や耐熱性は表面層にのみ要求されるのが通
常であり、そこで金属等からなる母材の表面層のみをセ
ラミック材料で局部的に被覆することが望ましい場合が
多く、またその場合の被覆方法としては、溶射法を利用
することが多い。しかるに珪素の炭化物や窒化物として
は、融点が存在せずに固体状態から直接的に分解、昇華
するものや、融点があっても融点に至らないうちに分解
が開始されてしまうものが多く、そのためこれらの材料
を直接溶射によって被覆することは困難であった。例え
ばＳｉ３Ｎ４は融点がなく、1900℃前後で昇華し、また
ＳｉＣは融点が2600℃前後であるが2000℃程度から分解
が開始され、したがってこれらの粉末を溶射しようとし
ても、分解、昇華により母材上に被覆層を形成すること
は困難であった。
一方、セラミック材料の溶射方法の一つとして、特開昭
59-64766号公報においては、予めセラミック粉末粒子の
表面にＣｏやＮｉ等の金属をコーティングしておき、そ
のコーティングされた粉末粒子を溶射して、金属の結合
力により溶射層を形成する方法が提案されている。Ｓｉ
３Ｎ４やＳｉＣなどの分解・昇華し易いセラミック材料
についても、この方法を利用してセラミック粉末粒子に
ＮｉやＣｏなどの金属をコーティングし、Ｓｉ３Ｎ４や
ＳｉＣなどの昇華・分解しない温度条件で溶射すれば、
Ｓｉ３Ｎ４やＳｉＣの溶射も可能と考えられる。
59-64766号公報においては、予めセラミック粉末粒子の
表面にＣｏやＮｉ等の金属をコーティングしておき、そ
のコーティングされた粉末粒子を溶射して、金属の結合
力により溶射層を形成する方法が提案されている。Ｓｉ
３Ｎ４やＳｉＣなどの分解・昇華し易いセラミック材料
についても、この方法を利用してセラミック粉末粒子に
ＮｉやＣｏなどの金属をコーティングし、Ｓｉ３Ｎ４や
ＳｉＣなどの昇華・分解しない温度条件で溶射すれば、
Ｓｉ３Ｎ４やＳｉＣの溶射も可能と考えられる。
発明が解決すべき問題点 前記提案の方法にしたがってＳｉ３Ｎ４やＳｉＣなどの
セラミック粉末粒子にＣｏ、Ｎｉなどの金属をコーティ
ングして母材１上に溶射した場合、第４図に示すように
溶射層２はＣｏやＮｉ等の金属層３中にＳｉ３Ｎ４やＳ
ｉＣなどのセラミック粒子４が分散した状態となる。そ
のため溶射層２自体の硬さは、セラミック粒子が本来有
する硬さよりも著しく低くなって、むしろＮｉやＣｏな
どの金属層自体の硬さに近いものとなる。例えばセラミ
ック粉末としてＳｉ３Ｎ４もしくはＳｉＣを用い、金属
としてＣｏもしくはＮｉを用いた場合、Ｓｉ３Ｎ４やＳ
ｉＣ自体はHv2000〜3000程度の極めて高い硬さを有する
が、溶射層としてはHv 500〜1000程度の硬さしか得られ
ない。また耐熱性についても、金属層であるＮｉやＣｏ
の耐熱性に制約されて、充分な耐熱性を発揮させること
は困難であった。このように、上記提案の方法により得
られた溶射層では折角Ｓｉ３Ｎ４やＳｉＣを用いても、
その本来有している高硬度（高耐摩耗性）や耐熱性を充
分発揮させることができなかったのである。
セラミック粉末粒子にＣｏ、Ｎｉなどの金属をコーティ
ングして母材１上に溶射した場合、第４図に示すように
溶射層２はＣｏやＮｉ等の金属層３中にＳｉ３Ｎ４やＳ
ｉＣなどのセラミック粒子４が分散した状態となる。そ
のため溶射層２自体の硬さは、セラミック粒子が本来有
する硬さよりも著しく低くなって、むしろＮｉやＣｏな
どの金属層自体の硬さに近いものとなる。例えばセラミ
ック粉末としてＳｉ３Ｎ４もしくはＳｉＣを用い、金属
としてＣｏもしくはＮｉを用いた場合、Ｓｉ３Ｎ４やＳ
ｉＣ自体はHv2000〜3000程度の極めて高い硬さを有する
が、溶射層としてはHv 500〜1000程度の硬さしか得られ
ない。また耐熱性についても、金属層であるＮｉやＣｏ
の耐熱性に制約されて、充分な耐熱性を発揮させること
は困難であった。このように、上記提案の方法により得
られた溶射層では折角Ｓｉ３Ｎ４やＳｉＣを用いても、
その本来有している高硬度（高耐摩耗性）や耐熱性を充
分発揮させることができなかったのである。
この発明は以上の事情を背景になされたもので、直接的
には溶射することが困難なＳｉ３Ｎ４やＳｉＣなどの珪
素の窒化物や炭化物を用いてそれらの本来有する機能を
充分に発揮させ、高硬度で耐摩耗性が優れかつ耐熱性も
優れた溶射層を形成する方法を提供することを目的とす
るものである。
には溶射することが困難なＳｉ３Ｎ４やＳｉＣなどの珪
素の窒化物や炭化物を用いてそれらの本来有する機能を
充分に発揮させ、高硬度で耐摩耗性が優れかつ耐熱性も
優れた溶射層を形成する方法を提供することを目的とす
るものである。
問題点を解決するための手段 この発明のセラミック溶射層形成方法、基本的には、珪
素の炭化物もしくは窒化物からなるセラミック粉末と酸
化物系の低融点セラミック粉末とを混合し、その混合粉
末を酸化物系低融点セラミック粉末粒子が溶融する条件
で母材上に溶射して、前記珪素の炭化物もしくは窒化物
からなるセラミック粉末粒子が溶融・再凝固した酸化物
系低融点セラミックで結合されたセラミック溶射層を形
成することを特徴とするものである。
素の炭化物もしくは窒化物からなるセラミック粉末と酸
化物系の低融点セラミック粉末とを混合し、その混合粉
末を酸化物系低融点セラミック粉末粒子が溶融する条件
で母材上に溶射して、前記珪素の炭化物もしくは窒化物
からなるセラミック粉末粒子が溶融・再凝固した酸化物
系低融点セラミックで結合されたセラミック溶射層を形
成することを特徴とするものである。
ここで、溶射すべき混合粉末としては、予め珪素の炭化
物もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒子の周囲
に、酸化物系セラミック粉末粒子を付着させておいたも
のを用いることが望ましい。
物もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒子の周囲
に、酸化物系セラミック粉末粒子を付着させておいたも
のを用いることが望ましい。
作 用 この発明のセラミック溶射層形成方法においては、Ｓｉ
ＣやＳｉ３Ｎ４等の珪素の炭化物もしくは窒化物からな
るセラミック粉末を、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物系の低融点
セラミック粉末と混合し、その混合粉末を酸化物系低融
点セラミック粉末粒子の溶射条件で母材上に溶射する。
すなわちＳｉ３Ｎ４やＳｉＣなどのセラミック粉末粒子
は分解もしくは昇華せず、酸化物系低融点セラミック粉
末粒子が溶融する条件で溶射を行なう。このようにして
得られた溶射層の状態を第１図に示す。
ＣやＳｉ３Ｎ４等の珪素の炭化物もしくは窒化物からな
るセラミック粉末を、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物系の低融点
セラミック粉末と混合し、その混合粉末を酸化物系低融
点セラミック粉末粒子の溶射条件で母材上に溶射する。
すなわちＳｉ３Ｎ４やＳｉＣなどのセラミック粉末粒子
は分解もしくは昇華せず、酸化物系低融点セラミック粉
末粒子が溶融する条件で溶射を行なう。このようにして
得られた溶射層の状態を第１図に示す。
なお第１図に示す例では、アルミニウム合金などからな
る母材１上に母材とセラミックとの中間の熱膨張係数を
有する下地溶射層５、例えばＮｉ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｙ
合金、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｙ合金などのＮｉ基合
金からなる下地溶射層５を薄く形成しておき、その下地
溶射層５上にセラミック溶射層６を形成した状態を示
す。
る母材１上に母材とセラミックとの中間の熱膨張係数を
有する下地溶射層５、例えばＮｉ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｙ
合金、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｙ合金などのＮｉ基合
金からなる下地溶射層５を薄く形成しておき、その下地
溶射層５上にセラミック溶射層６を形成した状態を示
す。
第１図において、セラミック溶射層６は、ＳｉＣやＳｉ
３Ｎ４などの珪素の炭化物もしくは窒化物からなる未溶
解（未分解・未昇華）のセラミック粉末粒子７と、酸化
物系低融点セラミック粉末が溶射時に溶融して再凝固し
た相８とが共存した組織となっている。そして酸化物系
低融点セラミック粉末粒子の溶融−再凝固した相８が、
珪素の炭化物もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒
子７に対して結合剤として作用して、珪素の炭化物もし
くは窒化物からなるセラミック粉末粒子７の相互間およ
びその粒子７と下地溶射層５との間が、溶融−再凝固相
８により結合された状態となる。
３Ｎ４などの珪素の炭化物もしくは窒化物からなる未溶
解（未分解・未昇華）のセラミック粉末粒子７と、酸化
物系低融点セラミック粉末が溶射時に溶融して再凝固し
た相８とが共存した組織となっている。そして酸化物系
低融点セラミック粉末粒子の溶融−再凝固した相８が、
珪素の炭化物もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒
子７に対して結合剤として作用して、珪素の炭化物もし
くは窒化物からなるセラミック粉末粒子７の相互間およ
びその粒子７と下地溶射層５との間が、溶融−再凝固相
８により結合された状態となる。
上述のようなセラミック溶射層６において結合剤として
機能している酸化物系低融点セラミックは、一般にＣｏ
やＮｉ等の金属よりも格段に硬質であってまた耐熱性も
良好であり、したがって酸化物系低融点セラミック粉末
として適切なものを選択するとにより、金属を結合剤と
して用いた従来の提案の方法（特開昭59-64766号）の場
合とは異なり、著しく硬質で耐摩耗性が良好であってし
かも耐熱性も充分に良好なセラミック溶射層６を得るこ
とができる。
機能している酸化物系低融点セラミックは、一般にＣｏ
やＮｉ等の金属よりも格段に硬質であってまた耐熱性も
良好であり、したがって酸化物系低融点セラミック粉末
として適切なものを選択するとにより、金属を結合剤と
して用いた従来の提案の方法（特開昭59-64766号）の場
合とは異なり、著しく硬質で耐摩耗性が良好であってし
かも耐熱性も充分に良好なセラミック溶射層６を得るこ
とができる。
ここで、結合剤として用いる酸化物系低融点セラミック
粉末としては、要は溶射可能であるように融点を有する
とともに、その融点が、同時に溶射される珪素の窒化物
もしくは炭化物の分解温度もしくは昇華温度よりも低
く、かつ珪素の窒化物や炭化物に近い硬さ、耐熱性を有
するものであれば良い。例えば珪素の炭化物もしくは窒
化物としてＳｉＣを用いる場合、酸化物系セラミック粉
末としてはＡｌ２Ｏ３（融点 2015 ℃）や、そのほかス
ピネル（Ａｌ２Ｏ３・ＭｇＯ）やＺｒＯ２、ＴｉＯ２等
を使用することができる。また珪素の炭化物もしくは窒
化物としてＳｉ３Ｎ４を用いる場合、酸化物系低融点セ
ラミック粉末としはムライト（２Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ
２）やＴｉＯ２、ＳｉＯ２等を用いることができる。
粉末としては、要は溶射可能であるように融点を有する
とともに、その融点が、同時に溶射される珪素の窒化物
もしくは炭化物の分解温度もしくは昇華温度よりも低
く、かつ珪素の窒化物や炭化物に近い硬さ、耐熱性を有
するものであれば良い。例えば珪素の炭化物もしくは窒
化物としてＳｉＣを用いる場合、酸化物系セラミック粉
末としてはＡｌ２Ｏ３（融点 2015 ℃）や、そのほかス
ピネル（Ａｌ２Ｏ３・ＭｇＯ）やＺｒＯ２、ＴｉＯ２等
を使用することができる。また珪素の炭化物もしくは窒
化物としてＳｉ３Ｎ４を用いる場合、酸化物系低融点セ
ラミック粉末としはムライト（２Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ
２）やＴｉＯ２、ＳｉＯ２等を用いることができる。
また珪素の炭化物もしくは窒化物からなるセラミック粉
末と酸化物系低融点セラミック粉末との混合粉末を溶射
するにあたっては、それらの２種の粉末を単純に混合し
ただけの粉末を用いても良いが、第２図に示すように、
珪素の窒化物もしくは炭化物からなるセラミック粉末粒
子７の周囲にそれよりも粒径が小さい酸化物系低融点セ
ラミック粉末粒子８Ａを付着させた複合粉末粒子９を予
め作成しておき、その複合粉末を用いて溶射することが
望ましい。このような複合粉末を作成するにあたって
は、例えば珪素の窒化物もしくは炭化物からなる粒径が
大きい粉末と、酸化物系低融点セラミックからなる粒径
が小さい粉末とを、ポリビニルアルコールなどの造粒用
バインダ物質と併せて混合して造粒し、その後適宜の温
度で加熱してバインダ物質を蒸発除去すれば良い。この
ように造粒した複合粉末を用いれば、溶射時において粉
末の供給が円滑に行なわれるとともに、珪素の窒化物も
しくは炭化物の分解、昇華の発生をより少なくし、しか
も溶射層中における珪素の窒化物もしくは炭化物からな
る未溶解（未分解、未昇華）のセラミック粉末粒子の分
散状態を均一にして、より均一な特性を有するセラミッ
ク溶射層を形成することができる。
末と酸化物系低融点セラミック粉末との混合粉末を溶射
するにあたっては、それらの２種の粉末を単純に混合し
ただけの粉末を用いても良いが、第２図に示すように、
珪素の窒化物もしくは炭化物からなるセラミック粉末粒
子７の周囲にそれよりも粒径が小さい酸化物系低融点セ
ラミック粉末粒子８Ａを付着させた複合粉末粒子９を予
め作成しておき、その複合粉末を用いて溶射することが
望ましい。このような複合粉末を作成するにあたって
は、例えば珪素の窒化物もしくは炭化物からなる粒径が
大きい粉末と、酸化物系低融点セラミックからなる粒径
が小さい粉末とを、ポリビニルアルコールなどの造粒用
バインダ物質と併せて混合して造粒し、その後適宜の温
度で加熱してバインダ物質を蒸発除去すれば良い。この
ように造粒した複合粉末を用いれば、溶射時において粉
末の供給が円滑に行なわれるとともに、珪素の窒化物も
しくは炭化物の分解、昇華の発生をより少なくし、しか
も溶射層中における珪素の窒化物もしくは炭化物からな
る未溶解（未分解、未昇華）のセラミック粉末粒子の分
散状態を均一にして、より均一な特性を有するセラミッ
ク溶射層を形成することができる。
また珪素の窒化物もしくは炭化物からなるセラミック粉
末と酸化物系低融点粉末との混合比は、体積比で２：８
〜８：２程度の範囲内とすることが望ましい。酸化物系
低融点セラミック粉末の割合がこれより少なければ、酸
化物系低融点セラミックによって珪素の炭化物もしくは
窒化物からなる粒子を充分に密着・固定することが困難
となり、一方酸化物系低融点セラミック粉末の割合が過
剰となれば、珪素の炭化物もしくは窒化物からなるセラ
ミック粉末粒子の割合が相対的に少なくなる結果、溶射
層として珪素の炭化物もしくは窒化物の特性を充分に発
揮させることができなくなる。
末と酸化物系低融点粉末との混合比は、体積比で２：８
〜８：２程度の範囲内とすることが望ましい。酸化物系
低融点セラミック粉末の割合がこれより少なければ、酸
化物系低融点セラミックによって珪素の炭化物もしくは
窒化物からなる粒子を充分に密着・固定することが困難
となり、一方酸化物系低融点セラミック粉末の割合が過
剰となれば、珪素の炭化物もしくは窒化物からなるセラ
ミック粉末粒子の割合が相対的に少なくなる結果、溶射
層として珪素の炭化物もしくは窒化物の特性を充分に発
揮させることができなくなる。
なお第１図からも理解できるように、最終的に得られた
セラミック溶射層６中には、珪素の炭化物もしくは窒化
物からなる未溶解（未分解、未昇華）のセラミック粉末
粒子７の周囲のうち、酸化物系低融点セラミック相８に
より結合されていない部分が空隙１０として残ることが
多く、したがってセラミック層全体が溶融・再凝固して
いる従来の一般的なセラミック溶射層よりも空隙率は高
くなるのが通常であり、そのため空隙１０による空気断
熱効果も得られて、従来のセラミック溶射層よりも高い
断熱効果を得ることができる。また上述の空隙１０は、
セラミック溶射層６の最表面まで連続する連続気孔とな
ることが多く、この場合には加熱−冷却サイクルを繰返
して受けた時にセラミック溶射層６と母材１との熱膨張
差に起因して生じる応力を上記の連続気孔の部分で吸収
・緩和することができ、したがって上述のような熱膨張
差に起因してセラミック溶射層６に亀裂が発生し、遂に
はセラミック溶射層の剥離・脱落に至ることを有効に防
止し、加熱−冷却サイクルが繰返し加わるような用途で
の耐久性を従来よりも格段に向上させることができる。
セラミック溶射層６中には、珪素の炭化物もしくは窒化
物からなる未溶解（未分解、未昇華）のセラミック粉末
粒子７の周囲のうち、酸化物系低融点セラミック相８に
より結合されていない部分が空隙１０として残ることが
多く、したがってセラミック層全体が溶融・再凝固して
いる従来の一般的なセラミック溶射層よりも空隙率は高
くなるのが通常であり、そのため空隙１０による空気断
熱効果も得られて、従来のセラミック溶射層よりも高い
断熱効果を得ることができる。また上述の空隙１０は、
セラミック溶射層６の最表面まで連続する連続気孔とな
ることが多く、この場合には加熱−冷却サイクルを繰返
して受けた時にセラミック溶射層６と母材１との熱膨張
差に起因して生じる応力を上記の連続気孔の部分で吸収
・緩和することができ、したがって上述のような熱膨張
差に起因してセラミック溶射層６に亀裂が発生し、遂に
はセラミック溶射層の剥離・脱落に至ることを有効に防
止し、加熱−冷却サイクルが繰返し加わるような用途で
の耐久性を従来よりも格段に向上させることができる。
なおまた、前述のように酸化物系低融点セラミック粉末
が溶融しかつ珪素の炭化物もしくは窒化物が分解・消失
しないような溶射条件としては、各粉末の融点や分解温
度、昇華温度に応じて、例えばプラズマ溶射の場合電流
値（出力）やガス流量を適切に設定すれば良い。
が溶融しかつ珪素の炭化物もしくは窒化物が分解・消失
しないような溶射条件としては、各粉末の融点や分解温
度、昇華温度に応じて、例えばプラズマ溶射の場合電流
値（出力）やガス流量を適切に設定すれば良い。
さらに、前記の第１図の例では下地溶射層を形成してか
らその上にセラミック溶射層を形成しているが、それに
限らないことは勿論である。
らその上にセラミック溶射層を形成しているが、それに
限らないことは勿論である。
実施例 以下にこの発明の方法に従ってセラミック溶射層を形成
した実施例を記す。
した実施例を記す。
基材として幅 6.35 mm、長さ15.7mm、高さ10.0mmのJIS
FC20からなる鋳鉄製テストピースを用意し、その基材の
表面を溶剤としてのアセトンで洗浄した後、ショットブ
ラスト加工を施して表面に凹凸を形成した。その後プラ
ズマ溶射装置によりＮｉ− 4.5％wtＡｌ合金からなる下
地溶射層を 0.1mmの厚さで形成した。次いで珪素の炭化
物からなるセラミック粉末としてＳｉＣ粉末（粒径10μ
ｍ〜44μｍ）を用意するとともに、酸化物系低融点セラ
ミック粉末としてＡｌ２Ｏ３粉末（粒径10μｍ〜44μ
ｍ）を用意し、これらをポリビニルアルコールをバイン
ダとして、体積比で約１：１となるように造粒した（第
２図参照）。その後約 200℃の乾燥炉でポリビニルアル
コールを蒸発させ、造粒複合セラミック粉末を得た。
FC20からなる鋳鉄製テストピースを用意し、その基材の
表面を溶剤としてのアセトンで洗浄した後、ショットブ
ラスト加工を施して表面に凹凸を形成した。その後プラ
ズマ溶射装置によりＮｉ− 4.5％wtＡｌ合金からなる下
地溶射層を 0.1mmの厚さで形成した。次いで珪素の炭化
物からなるセラミック粉末としてＳｉＣ粉末（粒径10μ
ｍ〜44μｍ）を用意するとともに、酸化物系低融点セラ
ミック粉末としてＡｌ２Ｏ３粉末（粒径10μｍ〜44μ
ｍ）を用意し、これらをポリビニルアルコールをバイン
ダとして、体積比で約１：１となるように造粒した（第
２図参照）。その後約 200℃の乾燥炉でポリビニルアル
コールを蒸発させ、造粒複合セラミック粉末を得た。
次いで上記の造粒した粉末を、酸化物系低融点セラミッ
クであるＡｌ２Ｏ３が溶融しかつＳｉＣが実質的に分解
しないような条件でプラズマ溶射装置により溶射した。
具体的には、Ａｒ−Ｈ２ガスを用いてＡｒ流量 160／
min、Ｈ２20／minとし、電流値 400Ａで溶射した。
クであるＡｌ２Ｏ３が溶融しかつＳｉＣが実質的に分解
しないような条件でプラズマ溶射装置により溶射した。
具体的には、Ａｒ−Ｈ２ガスを用いてＡｒ流量 160／
min、Ｈ２20／minとし、電流値 400Ａで溶射した。
その結果、第１図に示したように、溶射によって溶融・
再凝固したＡｌ２Ｏ３相中に未溶解（未分解）のＳｉＣ
粉末粒子が分散した組織の本発明例のセラミック溶射層
を得ることができた。なおセラミック溶射層の厚みは、
研摩加工後の厚みで 0.3mmとし、また研摩加工後の表面
あらさは 2〜 3μｍRzである。
再凝固したＡｌ２Ｏ３相中に未溶解（未分解）のＳｉＣ
粉末粒子が分散した組織の本発明例のセラミック溶射層
を得ることができた。なおセラミック溶射層の厚みは、
研摩加工後の厚みで 0.3mmとし、また研摩加工後の表面
あらさは 2〜 3μｍRzである。
一方比較のため、ＳｉＣ粉末を前記同様の下地溶射層上
にそのまま溶射する実験（比較例Ａ）を、Ａｒ−Ｈ２ガ
スを用いてＡｒ流量 160／min、Ｈ２流量30／min、
電流値 500Ａで行なった。さらに比較のためＮｉをプラ
ズマ溶射装置で単独溶射（溶射条件は比較例Ａと同じ）
したもの（比較例Ｂ）、およびＳｉＣ粉末粒子にＮｉを
コーティングした粉末を用いてプラズマ溶射装置により
溶射（溶射条件は比較例Ａと同じ）したもの（比較例
Ｃ）を準備した。
にそのまま溶射する実験（比較例Ａ）を、Ａｒ−Ｈ２ガ
スを用いてＡｒ流量 160／min、Ｈ２流量30／min、
電流値 500Ａで行なった。さらに比較のためＮｉをプラ
ズマ溶射装置で単独溶射（溶射条件は比較例Ａと同じ）
したもの（比較例Ｂ）、およびＳｉＣ粉末粒子にＮｉを
コーティングした粉末を用いてプラズマ溶射装置により
溶射（溶射条件は比較例Ａと同じ）したもの（比較例
Ｃ）を準備した。
これらの比較例Ａ〜Ｃのうち、比較例Ａでは溶射中にＳ
ｉＣが分解して下地溶射層上に付着しなかった。そこで
残りの比較例Ｂ、Ｃ、および前述の本発明例について、
溶射層の表面硬さを測定したところ、第１表に示す結果
が得られた。
ｉＣが分解して下地溶射層上に付着しなかった。そこで
残りの比較例Ｂ、Ｃ、および前述の本発明例について、
溶射層の表面硬さを測定したところ、第１表に示す結果
が得られた。
第１表から明らかなように、本発明の溶射層では比較例
Ｂ、Ｃの溶射層と比較して硬さが格段に高いことが判明
した。ここで、ＮｉをコーティングしたＳｉＣ粉末を用
いた比較例Ｃでは、その硬さが本発明例よりもむしろＮ
ｉそのものを溶射した比較例Ｂに近いことが判る。
Ｂ、Ｃの溶射層と比較して硬さが格段に高いことが判明
した。ここで、ＮｉをコーティングしたＳｉＣ粉末を用
いた比較例Ｃでは、その硬さが本発明例よりもむしろＮ
ｉそのものを溶射した比較例Ｂに近いことが判る。
次に上記の本発明例および比較例Ｂ、Ｃにより溶射層を
形成した各試験片について、次のような条件でＬＦＷ摩
擦摩耗試験機を用いて摩擦摩耗試験を行ない、溶射層の
耐摩耗性を評価した。すなわち相手材としてはSUS-2 焼
入品のリングを用い、そのリングの外周面を油浴中にて
各溶射層に押付荷重 150Kgで押付けつつ200rpmの回転数
で回転させる試験を60分行ない、摩耗深さを調べた。そ
の結果を第３図に示す。
形成した各試験片について、次のような条件でＬＦＷ摩
擦摩耗試験機を用いて摩擦摩耗試験を行ない、溶射層の
耐摩耗性を評価した。すなわち相手材としてはSUS-2 焼
入品のリングを用い、そのリングの外周面を油浴中にて
各溶射層に押付荷重 150Kgで押付けつつ200rpmの回転数
で回転させる試験を60分行ない、摩耗深さを調べた。そ
の結果を第３図に示す。
第３図から明らかなように、本発明例により形成された
溶射層は、比較例Ｂ、Ｃにより形成された溶射層と比較
して格段に優れた耐摩耗性を示している。ここで、Ｎｉ
をＳｉＣ粒子にコーティングして溶射した比較例Ｃの溶
射層では、前述の硬さ測定結果の場合と同様に、むしろ
比較例Ｂの溶射層に近い摩耗量を示していた。
溶射層は、比較例Ｂ、Ｃにより形成された溶射層と比較
して格段に優れた耐摩耗性を示している。ここで、Ｎｉ
をＳｉＣ粒子にコーティングして溶射した比較例Ｃの溶
射層では、前述の硬さ測定結果の場合と同様に、むしろ
比較例Ｂの溶射層に近い摩耗量を示していた。
なお前述の実施例ではＳｉＣをＡｌ２Ｏ３と組合せて溶
射した例について示したが、既に述べたようにＳｉＣに
組合わされる酸化物系低融点セラミックはＡｌ２Ｏ３に
限らないことは勿論であり、またＳｉ３Ｎ４の場合もム
ライト（２Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）等と組合せて溶射
することにより実施例と同様な効果が得られることは勿
論である。
射した例について示したが、既に述べたようにＳｉＣに
組合わされる酸化物系低融点セラミックはＡｌ２Ｏ３に
限らないことは勿論であり、またＳｉ３Ｎ４の場合もム
ライト（２Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）等と組合せて溶射
することにより実施例と同様な効果が得られることは勿
論である。
発明の効果 この発明の方法は、直接溶射することが困難なＳｉＣや
Ｓｉ３Ｎ４などの珪素の炭化物もしくは窒化物につい
て、結合剤として酸化物系の低融点セラミックを用いる
ことにより溶射可能としたものであり、このように酸化
物系の低融点セラミックを結合剤とするこによりＳｉＣ
やＳｉ３Ｎ４などの特性を充分に生かして、高硬度で耐
摩耗性が著しく高くしかも耐熱性も優れた溶射層を形成
することが可能となった。したがってこの発明の方法
は、高い耐摩耗性や優れた耐熱性が要求される部材、例
えば内燃機関のピストンやシリンダボア等におけるセラ
ミック溶射層の形成に適用して極めて有益である。
Ｓｉ３Ｎ４などの珪素の炭化物もしくは窒化物につい
て、結合剤として酸化物系の低融点セラミックを用いる
ことにより溶射可能としたものであり、このように酸化
物系の低融点セラミックを結合剤とするこによりＳｉＣ
やＳｉ３Ｎ４などの特性を充分に生かして、高硬度で耐
摩耗性が著しく高くしかも耐熱性も優れた溶射層を形成
することが可能となった。したがってこの発明の方法
は、高い耐摩耗性や優れた耐熱性が要求される部材、例
えば内燃機関のピストンやシリンダボア等におけるセラ
ミック溶射層の形成に適用して極めて有益である。
第１図はこの発明の方法により形成されたセラミック溶
射層の一例を模式的に示す縦断面図、第２図はこの発明
の方法に使用するに好適な粉末粒子の形態を示す模式的
な断面図、第３図はこの発明の実施例により得られた溶
射層の摩擦摩耗試験結果を比較例の試験結果とともに示
すグラフ、第４図は従来の提案の方法により得られた溶
射層を模式的に示す縦断面図である。 １……母材、６……セラミック溶射層、７……珪素の炭
化物もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒子、８…
…酸化物系低融点セラミックの溶融−再凝固相、８Ａ…
…酸化物系低融点セラミック粉末粒子。
射層の一例を模式的に示す縦断面図、第２図はこの発明
の方法に使用するに好適な粉末粒子の形態を示す模式的
な断面図、第３図はこの発明の実施例により得られた溶
射層の摩擦摩耗試験結果を比較例の試験結果とともに示
すグラフ、第４図は従来の提案の方法により得られた溶
射層を模式的に示す縦断面図である。 １……母材、６……セラミック溶射層、７……珪素の炭
化物もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒子、８…
…酸化物系低融点セラミックの溶融−再凝固相、８Ａ…
…酸化物系低融点セラミック粉末粒子。
Claims (2)
- 【請求項１】珪素の炭化物もしくは窒化物からなるセラ
ミック粉末と酸化物系の低融点セラミック粉末とを混合
し、その混合粉末を酸化物系低融点セラミック粉末粒子
が溶融する条件で母材上に溶射して、前記珪素の炭化物
もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒子が溶融・再
凝固した酸化物系低融点セラミックで結合されたセラミ
ック溶射層を形成することを特徴とするセラミック溶射
層の形成方法。 - 【請求項２】前記溶射すべき混合粉末として、予め珪素
の炭化物もしくは窒化物からなるセラミック粉末粒子の
周囲に酸化物系低融点セラミック粉末粒子を付着させて
おいたものを用いる特許請求の範囲第１項記載のセラミ
ック溶射層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315657A JPH0645862B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | セラミツク溶射層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315657A JPH0645862B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | セラミツク溶射層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169371A JPS63169371A (ja) | 1988-07-13 |
| JPH0645862B2 true JPH0645862B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=18068011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61315657A Expired - Lifetime JPH0645862B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | セラミツク溶射層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645862B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473373U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-26 | ||
| DE19612926C2 (de) * | 1996-04-01 | 1999-09-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Siliciumnitrid-Kompositpulver für thermische Beschichtungstechnologien und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE10133209C5 (de) * | 2001-07-02 | 2006-11-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Nichtoxidisches keramisches Beschichtungspulver und daraus hergestellte Schichten |
| SE536815C2 (sv) * | 2010-03-01 | 2014-09-16 | Westinghouse Electric Sweden | Reaktorkomponent |
| CN102985581B (zh) * | 2010-07-12 | 2016-08-24 | 株式会社东芝 | 喷镀用高熔点金属粉末及使用了该金属粉末的高熔点金属喷镀膜和喷镀零件 |
| GB201219642D0 (en) | 2012-11-01 | 2012-12-12 | Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu | Thermal spraying of ceramic materials |
| JP6590686B2 (ja) | 2014-12-24 | 2019-10-16 | トーカロ株式会社 | 絶縁軸受、並びに軸受のコーティング方法 |
| JP6491875B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2019-03-27 | トーカロ株式会社 | 電気絶縁膜の形成方法 |
| JP6596214B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-10-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射材料 |
| JP2018012852A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 株式会社東芝 | 凝集体およびその製造方法、ならびにこの凝集体を用いた被膜の形成方法 |
| GB201614008D0 (en) | 2016-08-16 | 2016-09-28 | Seram Coatings As | Thermal spraying of ceramic materials |
| CN111575634A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-25 | 苏州联咏成精密机械有限公司 | 一种适用于复杂精密模具的表面硬化处理工艺 |
| CN118598687B (zh) * | 2024-05-24 | 2025-12-12 | 西北工业大学 | 一种用于热喷涂具有核壳结构的SiC@C-Si复合粉末及其制备方法 |
| WO2026071033A1 (ja) * | 2024-09-30 | 2026-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射膜形成方法及び溶射材料作成方法 |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP61315657A patent/JPH0645862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63169371A (ja) | 1988-07-13 |
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