JPH0647073B2 - プロセス装置用ガス供給配管装置 - Google Patents
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- JPH0647073B2 JPH0647073B2 JP63171383A JP17138388A JPH0647073B2 JP H0647073 B2 JPH0647073 B2 JP H0647073B2 JP 63171383 A JP63171383 A JP 63171383A JP 17138388 A JP17138388 A JP 17138388A JP H0647073 B2 JPH0647073 B2 JP H0647073B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、各種薄膜形成や微細パターンのドライエッチ
ングエ程におけるプロセスガスを供給するための配管装
置に係り、特に、高品質成膜及び高品質エッチングを可
能にするプロセス装置用ガス供給配管装置に関するもの
である。
ングエ程におけるプロセスガスを供給するための配管装
置に係り、特に、高品質成膜及び高品質エッチングを可
能にするプロセス装置用ガス供給配管装置に関するもの
である。
[従来の技術] 従来、この種のプロセス装置用ガス配管装置としては、
例えば第31図(a)に示すような構成のものが知られて
いる。本構成例では、プロセス装置に対して3種類のプ
ロセスガス(特殊材料ガス、例えばAsH3、PH3、S
iH4、等)を供給するようになっている。第31図(a)
において、601はプロセス装置の反応室であり、該反
応室601は真空排気装置に接続されている。また、6
08〜610、614〜619、629〜637、64
3、644、678〜650、652〜654、65
8、659、及び663はストップバルブであり、60
2〜604はプロセスガス供給配管ラインである。該プ
ロセスガス供給配管ライン602〜604は、シリンダ
ーに充填されたプロセスガスやガス配管系パージ用ガス
(一般ガス、例えばAr、N2、等)を供給するもので
ある。
例えば第31図(a)に示すような構成のものが知られて
いる。本構成例では、プロセス装置に対して3種類のプ
ロセスガス(特殊材料ガス、例えばAsH3、PH3、S
iH4、等)を供給するようになっている。第31図(a)
において、601はプロセス装置の反応室であり、該反
応室601は真空排気装置に接続されている。また、6
08〜610、614〜619、629〜637、64
3、644、678〜650、652〜654、65
8、659、及び663はストップバルブであり、60
2〜604はプロセスガス供給配管ラインである。該プ
ロセスガス供給配管ライン602〜604は、シリンダ
ーに充填されたプロセスガスやガス配管系パージ用ガス
(一般ガス、例えばAr、N2、等)を供給するもので
ある。
611〜613は圧力調整器、620〜622はマスフ
ローコントローラー、623〜625はガスフィルター
である。655、660は逆拡散による大気混入防止用
スパイラル管である。656、661は、パージ用ガス
の流量制御用のニードルバルブ、657、662は浮子
式流量計である。なお、以下の説明において、ストップ
バルブ及びニードルバルブを単にバルブと称することが
ある。
ローコントローラー、623〜625はガスフィルター
である。655、660は逆拡散による大気混入防止用
スパイラル管である。656、661は、パージ用ガス
の流量制御用のニードルバルブ、657、662は浮子
式流量計である。なお、以下の説明において、ストップ
バルブ及びニードルバルブを単にバルブと称することが
ある。
638、639、645〜647は、プロセス装置配管
ラインであり、626〜628はバイパスライン、64
0〜642、651はパージ用ガスの排気及びプロセス
ガス配管の真空排気ラインである。605、606はパ
ージ用ガス排気ライン、607は真空排気ラインであ
り、両ライン605、606は夫々排気ダクト、排気装
置に接続されている。
ラインであり、626〜628はバイパスライン、64
0〜642、651はパージ用ガスの排気及びプロセス
ガス配管の真空排気ラインである。605、606はパ
ージ用ガス排気ライン、607は真空排気ラインであ
り、両ライン605、606は夫々排気ダクト、排気装
置に接続されている。
第31図(b)〜(f)は、プロセスガス供給配管ライン60
2から反応室601にプロセスガスを供給する場合を例
として作動を説明するもので、下記〜は該作動を各
操作時別に説明するものである。なお、太線で表わした
部分はガスの流れている部分を表している。
2から反応室601にプロセスガスを供給する場合を例
として作動を説明するもので、下記〜は該作動を各
操作時別に説明するものである。なお、太線で表わした
部分はガスの流れている部分を表している。
装置休止時 この時の操作は、第31図(b)に示すように、反応室6
01がプロセスガスを使用してないときに行うものであ
り、プロセスガス供給配管ライン602〜604からの
パージ用ガス(例えばAr)が全配管系内を流れるよう
にする。
01がプロセスガスを使用してないときに行うものであ
り、プロセスガス供給配管ライン602〜604からの
パージ用ガス(例えばAr)が全配管系内を流れるよう
にする。
パージ用ガスのプロセスガスによる置換時 この時の操作は、反応室601に高純度なプロセスガス
を供給するべく、供給配管系内に残存するパージ用ガス
等をプロセスガスにより置換するように行うものであ
り、第31図(b)の状態からバルブ658、656、及
び654、並びにバルブ663、661、及び659を
閉じ、さらに、バルブ635、636、637、64
9、650を閉じ、プロセスガス供給配管ライン602
からのパージ用ガスの供給を停止する。
を供給するべく、供給配管系内に残存するパージ用ガス
等をプロセスガスにより置換するように行うものであ
り、第31図(b)の状態からバルブ658、656、及
び654、並びにバルブ663、661、及び659を
閉じ、さらに、バルブ635、636、637、64
9、650を閉じ、プロセスガス供給配管ライン602
からのパージ用ガスの供給を停止する。
次に、バルブ635を閉としバルブ653を開けること
により反応室601を介してプロセスガス供給ライン6
38、639、645、646、647の真空排気を行
い、バルブ632、652を開け、真空排気ライン60
7を介して配管ライン626、640及びプロセスガス
供給配管ライン602の真空排気を行う(第31図
(c)。
により反応室601を介してプロセスガス供給ライン6
38、639、645、646、647の真空排気を行
い、バルブ632、652を開け、真空排気ライン60
7を介して配管ライン626、640及びプロセスガス
供給配管ライン602の真空排気を行う(第31図
(c)。
前記真空排気により配管ラインの真空度が、例えば1×
10-2Torr程度まで達したら、バルブ648、65
3を閉じる。かかる状態で、バルブ635を開け、プロ
セスガス供給配管ライン602からプロセスガスを供給
し、配管ライン626、640、645〜647内にプ
ロセスガスを充填する(第31図(d))。その後、プロ
セスガスの供給を止め、バルブ648、652、及びバ
ルブ653を開け、次いで、パージ用ガスの真空排気と
同様に配管内系の真空排気を行う(第31図(c))。
10-2Torr程度まで達したら、バルブ648、65
3を閉じる。かかる状態で、バルブ635を開け、プロ
セスガス供給配管ライン602からプロセスガスを供給
し、配管ライン626、640、645〜647内にプ
ロセスガスを充填する(第31図(d))。その後、プロ
セスガスの供給を止め、バルブ648、652、及びバ
ルブ653を開け、次いで、パージ用ガスの真空排気と
同様に配管内系の真空排気を行う(第31図(c))。
かかるプロセスガス供給ライン602からのプロセスガ
スの供給及び配管ラインの真空排気は、通常5回以上繰
り返す。その後バルブ608、614、617、62
9、632、635、643、644、648、及び6
53が閉じられる。
スの供給及び配管ラインの真空排気は、通常5回以上繰
り返す。その後バルブ608、614、617、62
9、632、635、643、644、648、及び6
53が閉じられる。
プロセスガスの供給時 この時の操作は、上記の操作が終了した後、バルブ60
8、617、635、643、644、及び653を開
けた状態で、圧力調整器611、マスフローコントロー
ラー620を用いることによりプロセスガスの供給圧
力、流量を調整して反応室601にプロセスガスを供給
するものである。
8、617、635、643、644、及び653を開
けた状態で、圧力調整器611、マスフローコントロー
ラー620を用いることによりプロセスガスの供給圧
力、流量を調整して反応室601にプロセスガスを供給
するものである。
この場合、第31図(e)に示すように、バルブ652を
閉じ、バルブ649、650、659、661、663
を開けてプロセスガスを供給していない配管ライン60
3、627、及び641、並びに配管ライン604、6
28、642のパージを再開しておく。
閉じ、バルブ649、650、659、661、663
を開けてプロセスガスを供給していない配管ライン60
3、627、及び641、並びに配管ライン604、6
28、642のパージを再開しておく。
プロセスガスの供給停止時 この時の操作は、プロセスガスの供給の場合と同じ方法
で、パージ用ガスをプロセスガスで置換する代わりに、
プロセスガスをパージ用ガス(例えばArガス)置換し
た後に行うものである。
で、パージ用ガスをプロセスガスで置換する代わりに、
プロセスガスをパージ用ガス(例えばArガス)置換し
た後に行うものである。
すなわち、第31図(e)に示す状態で、パージ用ガスの
供給や、配管ラインの真空排気を繰り返し、その後、バ
ルブ608、614、617、629、632、63
5、643、644、648、652、653を閉じる
と、プロセスガス供給配管ライン602からのパージ用
ガスの供給が停止される。
供給や、配管ラインの真空排気を繰り返し、その後、バ
ルブ608、614、617、629、632、63
5、643、644、648、652、653を閉じる
と、プロセスガス供給配管ライン602からのパージ用
ガスの供給が停止される。
次に、バルブ608、614、617、629、63
5、643、644、648、654、656、65
8、659、661、663が開けられるとパージが再
開される(第31図(f))。
5、643、644、648、654、656、65
8、659、661、663が開けられるとパージが再
開される(第31図(f))。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来技術の構成では、例えば、プロ
セスガス供給配管ライン602からプロセスガスを供
給、又は停止する際にパージ用ガスのプロセスでの置
換、又はプロセスガスのパージ用ガスでの置換を行う
が、この場合、他のプロセスガス供給配管ライン603
及び604に夫々連通する配管ライン627、及び64
1、並びに628、及び642にはパージ用ガスを流す
ことができず、該配管ライン627、及び641、並び
に628、及び642は、完全に閉鎖状態となる(第3
1図(c)、(d))。
セスガス供給配管ライン602からプロセスガスを供
給、又は停止する際にパージ用ガスのプロセスでの置
換、又はプロセスガスのパージ用ガスでの置換を行う
が、この場合、他のプロセスガス供給配管ライン603
及び604に夫々連通する配管ライン627、及び64
1、並びに628、及び642にはパージ用ガスを流す
ことができず、該配管ライン627、及び641、並び
に628、及び642は、完全に閉鎖状態となる(第3
1図(c)、(d))。
一方、プロセスガス供給配管ライン602から反応室6
01にプロセスが供給されている場合、プロセスガス供
給配管ライン603、604に連通する配管ライン62
7、及び641、並びに628、及び642にはパージ
用ガスが流れているが、プロセスガス供給配管ライン6
02のパージ用ガスの排気用、及びプロセスガス配管の
真空排気用の両配管ライン626、640は完全に閉鎖
状態となる(第31図(e))。
01にプロセスが供給されている場合、プロセスガス供
給配管ライン603、604に連通する配管ライン62
7、及び641、並びに628、及び642にはパージ
用ガスが流れているが、プロセスガス供給配管ライン6
02のパージ用ガスの排気用、及びプロセスガス配管の
真空排気用の両配管ライン626、640は完全に閉鎖
状態となる(第31図(e))。
かかる配管系内の完全閉鎖状態が生じると、配管材内壁
からの水分を主とする放出ガスにより配管系内部が汚染
される。また、かかる配管系の閉鎖による配管系内の汚
染は、超高純度ガスを必要とするプロセス装置へのガス
供給系としては極めて大きな問題となる。
からの水分を主とする放出ガスにより配管系内部が汚染
される。また、かかる配管系の閉鎖による配管系内の汚
染は、超高純度ガスを必要とするプロセス装置へのガス
供給系としては極めて大きな問題となる。
第32図は、かかるガス配管系において実際に系を閉鎖
した時の露点の変化を示すものである。同図から理解で
きることは、ベーキング等により配管系内のガスの露点
が−98℃まで下がった時点から9日間ガス供給を停止
した後に再びガスを流し始めた場合、ガスの露点は−4
2℃まで上昇し、元の値に回復するまでに3日間以上も
必要となることである。
した時の露点の変化を示すものである。同図から理解で
きることは、ベーキング等により配管系内のガスの露点
が−98℃まで下がった時点から9日間ガス供給を停止
した後に再びガスを流し始めた場合、ガスの露点は−4
2℃まで上昇し、元の値に回復するまでに3日間以上も
必要となることである。
また、上記従来構成の装置では、例えば第31図(e)に
示すように、プロセスガス供給配管ライン602からの
プロセスガスを供給する際に、プロセスガス供給配管ラ
イン603、604に連通するプロセスガス供給配管ラ
イン638、639はガスの滞留部(デットゾーン)と
なっておりガスの置換が行えず、供給されるプロセスガ
スの純度の低下を招来させる。
示すように、プロセスガス供給配管ライン602からの
プロセスガスを供給する際に、プロセスガス供給配管ラ
イン603、604に連通するプロセスガス供給配管ラ
イン638、639はガスの滞留部(デットゾーン)と
なっておりガスの置換が行えず、供給されるプロセスガ
スの純度の低下を招来させる。
さらに、例えば第31図(g)に示すように、プロセスガ
ス供給配管ライン604から反応室601にプロセスガ
スを供給されている場合、パージ用ガスの排気及びガス
配管の真空排気用の配管ライン628、642のみなら
ず、プロセスガス供給配管ライン638、645、64
6まで完全に閉鎖され、配管内の汚染は一層深刻にな
る。
ス供給配管ライン604から反応室601にプロセスガ
スを供給されている場合、パージ用ガスの排気及びガス
配管の真空排気用の配管ライン628、642のみなら
ず、プロセスガス供給配管ライン638、645、64
6まで完全に閉鎖され、配管内の汚染は一層深刻にな
る。
なお、上記従来技術の構成は、プロセスガス供給配管ラ
インが3つである場合を示したが、実際の装置ではこの
数はさらに多く、それだけ汚染の影響も大きくなる。
インが3つである場合を示したが、実際の装置ではこの
数はさらに多く、それだけ汚染の影響も大きくなる。
本発明は、上記従来技術の課題に鑑みなされたものであ
り、所定のプロセス装置に対して複数のプロセスガスを
供給する場合に、配管システムにおけるガスの滞留が一
切なく、各々のプロセスガス供給配管ラインを独立にパ
ージ、真空排気できる構造としたプロセス装置用ガス供
給配管装置を提供することを目的としている。
り、所定のプロセス装置に対して複数のプロセスガスを
供給する場合に、配管システムにおけるガスの滞留が一
切なく、各々のプロセスガス供給配管ラインを独立にパ
ージ、真空排気できる構造としたプロセス装置用ガス供
給配管装置を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] 本発明の第1の要旨は、上流側にガス供給源が接続され
ている複数本のプロセスガス供給配管ラインと、下流側
に排気手段が接続されている排気配管ラインと、前記プ
ロセスガス供給配管ラインの下流側と排気装置又はプロ
セス装置の接続を選択的に切り換え可能な一対のバルブ
とを備えて成るプロセス装置用ガス供給配管装置におい
て、互いに独立に開弁又は閉弁が可能な第1〜第4のバ
ルブを順次環状に接続して成る少なくとも一つのバルブ
群を含み、該少なくとも一つのバルブ群は、第1のバル
ブと第2のバルブの接続部、及び、第3のバルブと第4
のバルブの接続部の夫々に、2本のプロセスガス供給配
管ラインの夫々が各別に連通するように接続され、前記
第2のバルブと第3のバルブの接続部が前記排気配管ラ
インに連通するように接続され、第4のバルブと第1の
バルブとの接続部が前記一対のバルブの夫々の上流側と
連通するように接続されたことに存する。
ている複数本のプロセスガス供給配管ラインと、下流側
に排気手段が接続されている排気配管ラインと、前記プ
ロセスガス供給配管ラインの下流側と排気装置又はプロ
セス装置の接続を選択的に切り換え可能な一対のバルブ
とを備えて成るプロセス装置用ガス供給配管装置におい
て、互いに独立に開弁又は閉弁が可能な第1〜第4のバ
ルブを順次環状に接続して成る少なくとも一つのバルブ
群を含み、該少なくとも一つのバルブ群は、第1のバル
ブと第2のバルブの接続部、及び、第3のバルブと第4
のバルブの接続部の夫々に、2本のプロセスガス供給配
管ラインの夫々が各別に連通するように接続され、前記
第2のバルブと第3のバルブの接続部が前記排気配管ラ
インに連通するように接続され、第4のバルブと第1の
バルブとの接続部が前記一対のバルブの夫々の上流側と
連通するように接続されたことに存する。
本発明の第2の要旨は、前記第1の要旨において、前記
バルブ群は、ガス滞留部が極小化されるように第1〜第
4のバルブを一体化したものであることに存する。
バルブ群は、ガス滞留部が極小化されるように第1〜第
4のバルブを一体化したものであることに存する。
本発明の第3の要旨は、前記第1又は第2の要旨におい
て、前記バルブ群は3個であると共に、各バルブ群が梯
子状に接続されていることに存する。
て、前記バルブ群は3個であると共に、各バルブ群が梯
子状に接続されていることに存する。
本発明の第4の要旨は、前記第1又は第2の要旨におい
て、前記バルブ群は3個であると共に、各バルブ群がピ
ラミット状に接続されていることに存する。
て、前記バルブ群は3個であると共に、各バルブ群がピ
ラミット状に接続されていることに存する。
本発明の第5の要旨は、前記第1〜第4の要旨のいずれ
かにおいて、前記プロセスガス供給配管ラインは、ガス
流量計及びガス圧調整器を設けていることに存する。
かにおいて、前記プロセスガス供給配管ラインは、ガス
流量計及びガス圧調整器を設けていることに存する。
本発明の第6の要旨は、前記第5の要旨において、前記
プロセスガス供給配管ラインは、ガス流量計及びガス圧
調整器の夫々に対して並列にバイパスラインを有するこ
とに存する。
プロセスガス供給配管ラインは、ガス流量計及びガス圧
調整器の夫々に対して並列にバイパスラインを有するこ
とに存する。
本発明の第7の要旨は、前記第1〜第6の要旨のいずれ
かにおいて、前記プロセスガスは、一般ガス又は特殊材
料ガスであることに存する。
かにおいて、前記プロセスガスは、一般ガス又は特殊材
料ガスであることに存する。
[作用] 本発明の構成によると、例えば3本のプロセスガス供給
配管ラインのうちの第1のプロセスガス供給配管ライン
からの第1のプロセスガスをプロセス装置に供給する場
合、バルブ群は2個必要となる。この場合、2個のバル
ブ群のいずれも第1及び第3のバルブが開弁状態であっ
て、第2及び第4のバルブが閉弁状態であるとし、該第
1のプロセスガス供給配管ラインが2個のバルブ群の一
方の第1のバルブと第2のバルブとの接続部に接続され
ているとすると、前記第1のプロセスガスは夫々のバル
ブ群の開弁された各第1のバルブを介してプロセス装置
に供給される一方、前記一方のバルブ群の第3のバルブ
と第4のバルブとの接続部、及び他方のバルブ群の第3
のバルブと第4のバルブとの接続部には、他の第2及び
第3のプロセスガス供給配管ラインの夫々が接続される
ので、第2及び第3のプロセスガス(パージ用ガス)
は、両バルブ群の第3のバルブを介して排気配管ライン
に流れる。
配管ラインのうちの第1のプロセスガス供給配管ライン
からの第1のプロセスガスをプロセス装置に供給する場
合、バルブ群は2個必要となる。この場合、2個のバル
ブ群のいずれも第1及び第3のバルブが開弁状態であっ
て、第2及び第4のバルブが閉弁状態であるとし、該第
1のプロセスガス供給配管ラインが2個のバルブ群の一
方の第1のバルブと第2のバルブとの接続部に接続され
ているとすると、前記第1のプロセスガスは夫々のバル
ブ群の開弁された各第1のバルブを介してプロセス装置
に供給される一方、前記一方のバルブ群の第3のバルブ
と第4のバルブとの接続部、及び他方のバルブ群の第3
のバルブと第4のバルブとの接続部には、他の第2及び
第3のプロセスガス供給配管ラインの夫々が接続される
ので、第2及び第3のプロセスガス(パージ用ガス)
は、両バルブ群の第3のバルブを介して排気配管ライン
に流れる。
すなわち、各第1〜第3のプロセスガス供給配管ライン
に連通する配管系の夫々にはいずれかのプロセスガスが
常時流れている状態となり、ガス滞留部が形成されるこ
とはない。
に連通する配管系の夫々にはいずれかのプロセスガスが
常時流れている状態となり、ガス滞留部が形成されるこ
とはない。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳しく説明する。
第1図は、本発明の第1実施例に係るプロセス装置用ガ
ス供給配管装置の配管図を示すものである。本実施例で
は簡単のため、3種類のみのプロセスガスが供給される
構成を示している。
ス供給配管装置の配管図を示すものである。本実施例で
は簡単のため、3種類のみのプロセスガスが供給される
構成を示している。
101はプロセス装置の反応室であり、真空排気装置
(図示せず)に接続されている。なお、この反応室10
1を真空排気する真空排気装置としては、反応室のオイ
ルによる汚染を防止する観点から、オイルフリーの磁気
浮上方式のターボ分子ポンプを用いるのが好ましい。
(図示せず)に接続されている。なお、この反応室10
1を真空排気する真空排気装置としては、反応室のオイ
ルによる汚染を防止する観点から、オイルフリーの磁気
浮上方式のターボ分子ポンプを用いるのが好ましい。
102、103及び104はプロセスガス供給配管ライ
ンであり、該各配管ライン102、103、104は、
通常、シリンダーキャビネット配管装置のシリンダーに
充填されたプロセスガスやガス配管系パージ用ガス(例
えばAr)を供給するラインである。
ンであり、該各配管ライン102、103、104は、
通常、シリンダーキャビネット配管装置のシリンダーに
充填されたプロセスガスやガス配管系パージ用ガス(例
えばAr)を供給するラインである。
105、106はパージ用ガス排気ラインであり、排気
手段たる排気ダクト(図示せず)に接続されている。1
07はガス配管の真空排気ラインであり、真空排気装置
(図示せず)に接続されている。
手段たる排気ダクト(図示せず)に接続されている。1
07はガス配管の真空排気ラインであり、真空排気装置
(図示せず)に接続されている。
なお、108〜116、120〜128、132〜14
2、163、164、166、167、171、17
2、及び176は、ストップバルブである。
2、163、164、166、167、171、17
2、及び176は、ストップバルブである。
このうち、第1〜第4のバルブである、環状に接続され
たストップバルブ137、135、136、及び138
は一方のバルブ群たるモノブロックバルブを構成し、ま
た、第1〜第4のバルブである、環状に接続されたスト
ップバルブ141、139、140、及び142は他方
のバルブ群たるモノブロックバルブを構成し、両バルブ
は、いずれも4個のバルブが一体化され、ガス滞留部が
極小化されたものである。
たストップバルブ137、135、136、及び138
は一方のバルブ群たるモノブロックバルブを構成し、ま
た、第1〜第4のバルブである、環状に接続されたスト
ップバルブ141、139、140、及び142は他方
のバルブ群たるモノブロックバルブを構成し、両バルブ
は、いずれも4個のバルブが一体化され、ガス滞留部が
極小化されたものである。
本実施例の場合、3本のプロセスガス供給配管ライン1
02、103、104を有するので、2つのモノブロッ
クバルブを含む構成となっている。
02、103、104を有するので、2つのモノブロッ
クバルブを含む構成となっている。
一方、前記配管ライン102は、バルブ108を介して
バルブ111とバルブ114の接続部に接続されてお
り、該両バルブ111、114はバルブ120と共にモ
ノブロックバルブを構成し、バルブ111とバルブ12
0の間には圧力調整器117が設けられている。また、
前記バルブ114とバルブ120との接続部は、バルブ
123とバルブ126との接続部に接続されており、該
両バルブ123、126はバルブ132と共にモノブロ
ックバルブを構成し、バルブ123とバルブ132の間
にはマスフローコントローラー129が設けられてい
る。
バルブ111とバルブ114の接続部に接続されてお
り、該両バルブ111、114はバルブ120と共にモ
ノブロックバルブを構成し、バルブ111とバルブ12
0の間には圧力調整器117が設けられている。また、
前記バルブ114とバルブ120との接続部は、バルブ
123とバルブ126との接続部に接続されており、該
両バルブ123、126はバルブ132と共にモノブロ
ックバルブを構成し、バルブ123とバルブ132の間
にはマスフローコントローラー129が設けられてい
る。
さらに、前記配管ライン103は、バルブ109を介し
てバルブ112とバルブ115の接続部に接続されてお
り、該両バルブ112、115はバルブ121と共にモ
ノブロックバルブを構成しており、バルブ112とバル
ブ121の間には圧力調整器118が設けられている。
また、前記バルブ115とバルブ121との接続部は、
バルブ124とバルブ127との接続部に接続されてお
り、該両バルブ124、127はバルブ133と共にモ
ノブロックバルブを構成し、バルブ124とバルブ13
3の間にはマスフローコントローラー130が設けられ
ている。
てバルブ112とバルブ115の接続部に接続されてお
り、該両バルブ112、115はバルブ121と共にモ
ノブロックバルブを構成しており、バルブ112とバル
ブ121の間には圧力調整器118が設けられている。
また、前記バルブ115とバルブ121との接続部は、
バルブ124とバルブ127との接続部に接続されてお
り、該両バルブ124、127はバルブ133と共にモ
ノブロックバルブを構成し、バルブ124とバルブ13
3の間にはマスフローコントローラー130が設けられ
ている。
そして、前記配管ライン104は、バルブ110を介し
てバルブ113とバルブ116の接続部に接続されてお
り、該両バルブ113、116はバルブ122と共にモ
ノブロックバルブを構成しており、バルブ113とバル
ブ122の間には圧力調整器119が設けられている。
また、前記バルブ116とバルブ122との接続部は、
バルブ125とバルブ128との接続部に接続されてお
り、該両バルブ125、128はババルブ134と共に
モノブロックバルブを構成し、バルブ125とバルブ1
34の間にはマスフローコントローラー131が設けら
れている。
てバルブ113とバルブ116の接続部に接続されてお
り、該両バルブ113、116はバルブ122と共にモ
ノブロックバルブを構成しており、バルブ113とバル
ブ122の間には圧力調整器119が設けられている。
また、前記バルブ116とバルブ122との接続部は、
バルブ125とバルブ128との接続部に接続されてお
り、該両バルブ125、128はババルブ134と共に
モノブロックバルブを構成し、バルブ125とバルブ1
34の間にはマスフローコントローラー131が設けら
れている。
前記プロセスガス供給配管ライン102に連通するバル
ブ126とバルブ132の接続部は前記一方のモノブロ
ックバルブの第1バルブ137と第2のバルブ135の
接続部に接続され、前記プロセスガス供給配管ライン1
03に連通するバルブ127とバルブ133の接続部は
前記一方のモノブロツクバルブの第3のバルブ136と
第4のバルブ138の接続部に接続され、前記プロセス
ガス供給配管ライン104に連通するバルブ128とバ
ルブ134の接続部は前記他方のモノブロックバルブの
第3のバルブ140と第4のバルブ142の接続部に接
続されている。
ブ126とバルブ132の接続部は前記一方のモノブロ
ックバルブの第1バルブ137と第2のバルブ135の
接続部に接続され、前記プロセスガス供給配管ライン1
03に連通するバルブ127とバルブ133の接続部は
前記一方のモノブロツクバルブの第3のバルブ136と
第4のバルブ138の接続部に接続され、前記プロセス
ガス供給配管ライン104に連通するバルブ128とバ
ルブ134の接続部は前記他方のモノブロックバルブの
第3のバルブ140と第4のバルブ142の接続部に接
続されている。
また、前記一方のモノブロックバルブの第1のバルブ1
37と第4のバルブ138の接続部は前記他方のモノブ
ロックバルブの第1のバルブ141と第2のバルブ13
9の接続部に接続され、該他方のモノブロックバルブの
第1のバルブ141と第4のバルブ142の接続部は一
体化された一対のバルブ163、164の接続部に接続
されており、該バルブ163、164は2連3方バルブ
を構成している。
37と第4のバルブ138の接続部は前記他方のモノブ
ロックバルブの第1のバルブ141と第2のバルブ13
9の接続部に接続され、該他方のモノブロックバルブの
第1のバルブ141と第4のバルブ142の接続部は一
体化された一対のバルブ163、164の接続部に接続
されており、該バルブ163、164は2連3方バルブ
を構成している。
ここで、前記バルブ163は前記反応室101に接続さ
れており、前記バルブ164は2連3方バルブを構成す
る一体化されたバルブ166とバルブ167の接続部に
接続されている。該バルブ166は前記真空排気ライン
107に接続されている一方、前記バルブ167は、大
気の逆拡散による混入防止用のスパイラル状パイプ16
8、ニードルバルブ169、及び浮子式流量計170を
介してバルブ171に接続されている。
れており、前記バルブ164は2連3方バルブを構成す
る一体化されたバルブ166とバルブ167の接続部に
接続されている。該バルブ166は前記真空排気ライン
107に接続されている一方、前記バルブ167は、大
気の逆拡散による混入防止用のスパイラル状パイプ16
8、ニードルバルブ169、及び浮子式流量計170を
介してバルブ171に接続されている。
さらに、両モノブロックバルブにおける第2及び第3の
バルブ135とバルブ136の接続部及びバルブ139
及びバルブ140の接続部は夫々バルブ172に接続さ
れており、該バルブ172を介して大気の逆拡散による
混入防止用のスパイラル状パイプ168、ニードバルブ
174、及び浮子式流量計175を介してバルブ176
に接続されている。
バルブ135とバルブ136の接続部及びバルブ139
及びバルブ140の接続部は夫々バルブ172に接続さ
れており、該バルブ172を介して大気の逆拡散による
混入防止用のスパイラル状パイプ168、ニードバルブ
174、及び浮子式流量計175を介してバルブ176
に接続されている。
なお、前記バルブ114、115、116、126、1
27、及び128はバルブ自体がバイパスラインの機能
を有するものであり、前記圧力調整器117、118及
び119、マスフローコントローラー129、130及
び131はニードルバルブ付き浮子式流量計あってもよ
い。また、プロセスガス供給配管ライン102、10
3、104に連通するマスフローコントローラー12
9、130、131はプロセス装置ガス制御ラインを構
成しているが、該プロセス装置ガス制御ラインは簡略化
された記号で示されている。
27、及び128はバルブ自体がバイパスラインの機能
を有するものであり、前記圧力調整器117、118及
び119、マスフローコントローラー129、130及
び131はニードルバルブ付き浮子式流量計あってもよ
い。また、プロセスガス供給配管ライン102、10
3、104に連通するマスフローコントローラー12
9、130、131はプロセス装置ガス制御ラインを構
成しているが、該プロセス装置ガス制御ラインは簡略化
された記号で示されている。
また、第1図には示されていないが、必要に応じて、3
個のバルブを一体化したモノブロックバルブを用い、圧
力調整器やマスフローコントローラーと同様の取付け方
法で、ガスフィルター等を取り付けてもよい。
個のバルブを一体化したモノブロックバルブを用い、圧
力調整器やマスフローコントローラーと同様の取付け方
法で、ガスフィルター等を取り付けてもよい。
ニードルバルブ169、及び浮子式流量計170、ニー
ドルバルブ174、及び浮子式流量計175であるが、
これらは夫々が一体化されたニードルバルブ付き流量計
でもよいし、マスフローコントローラーを用いてもよ
い。
ドルバルブ174、及び浮子式流量計175であるが、
これらは夫々が一体化されたニードルバルブ付き流量計
でもよいし、マスフローコントローラーを用いてもよ
い。
本実施例に係る部品材料は、いずれも外部リークが無
く、かつ、パーティクル発生も無く、さらに放出ガスも
極小であるように、内面が電解研磨されたものであるこ
とが望ましく、また、前記パイプ168、173は、1/
4″の内面研磨SUS316L管で4m程度以上の長さ
のものを設置することが好ましい。
く、かつ、パーティクル発生も無く、さらに放出ガスも
極小であるように、内面が電解研磨されたものであるこ
とが望ましく、また、前記パイプ168、173は、1/
4″の内面研磨SUS316L管で4m程度以上の長さ
のものを設置することが好ましい。
本実施例においては、前記一方のモノブロックバルブを
構成する配管ライン143、144、147〜150
と、前記他方のモノブロックバルブを構成する配管ライ
ン153、154、157〜160と、バルブ137と
138の接続部とバルブ141とバルブ139の接続部
を接続する配管ライン152と、バルブ141及びバル
ブ142の接続部とバルブ163を接続する配管ライン
162は、反応室101にプロセスガスを導入するため
のものである。
構成する配管ライン143、144、147〜150
と、前記他方のモノブロックバルブを構成する配管ライ
ン153、154、157〜160と、バルブ137と
138の接続部とバルブ141とバルブ139の接続部
を接続する配管ライン152と、バルブ141及びバル
ブ142の接続部とバルブ163を接続する配管ライン
162は、反応室101にプロセスガスを導入するため
のものである。
また、前記一方のモノブロックバルブを構成する配管ラ
イン145、146と、前記他方のモノブロックバルブ
を構成する配管ライン155、156と、前記バルブ1
35とバルブ136の接続部と前記バルブ172を接続
する配管ライン151と、前記バルブ139とバルブ1
40の接続部と前記バルブ172を接続する配管ライン
161は、パージ用ガスが流れるものである。なお、配
管ライン165はガス配管の真空排気、及びパージ用と
して設けられる。
イン145、146と、前記他方のモノブロックバルブ
を構成する配管ライン155、156と、前記バルブ1
35とバルブ136の接続部と前記バルブ172を接続
する配管ライン151と、前記バルブ139とバルブ1
40の接続部と前記バルブ172を接続する配管ライン
161は、パージ用ガスが流れるものである。なお、配
管ライン165はガス配管の真空排気、及びパージ用と
して設けられる。
前記の配管ラインの夫々は、ガスの使用量に応じて、例
えば1/4″あるいは3/8″の内面電解研磨SUS316L
管にて形成される。この場合、流れるガスが塩素系ある
いはフッ素系のガスで腐食性が強い場合には、Ni材料
の配管で形成するとよい。また、パージ用ガスの配管ラ
イン151及び161は、構成を簡単にするために2つ
のラインを合流させ、その合流点の下流側にのみ排気手
段を設ける構成としているが、夫々のラインの下流側に
別個の排気手段を設ける構成としてもよい。
えば1/4″あるいは3/8″の内面電解研磨SUS316L
管にて形成される。この場合、流れるガスが塩素系ある
いはフッ素系のガスで腐食性が強い場合には、Ni材料
の配管で形成するとよい。また、パージ用ガスの配管ラ
イン151及び161は、構成を簡単にするために2つ
のラインを合流させ、その合流点の下流側にのみ排気手
段を設ける構成としているが、夫々のラインの下流側に
別個の排気手段を設ける構成としてもよい。
第2図に示すモノブロックバルブ230は、例えばバル
ブ111、114、及び120やバルブ123、12
6、及び132等のように3個のバルブを一体化して成
るものを代表的に示すものであり、一体化された3個の
バルブ223、226、232のうち、バルブ223と
バルブ232との間にはマスフローコントローラ229
が設けられている。このモノブロックバルブ230はガ
スの滞留部を形成することなく、かつ、バイパスライン
を構成し得るようにした高機能バルブである。
ブ111、114、及び120やバルブ123、12
6、及び132等のように3個のバルブを一体化して成
るものを代表的に示すものであり、一体化された3個の
バルブ223、226、232のうち、バルブ223と
バルブ232との間にはマスフローコントローラ229
が設けられている。このモノブロックバルブ230はガ
スの滞留部を形成することなく、かつ、バイパスライン
を構成し得るようにした高機能バルブである。
第3図に示すモノブロックバルブ180は、一体化され
た第1〜第4のバルブ、すなわちバルブ137、13
5、136、及び138、又はバルブ141、139、
140、及び142から成るものを代表的に示すもので
あり、プロセスガスの合流部の配管ライン143及び1
44(又は153及び154)、配管ライン145及び
146(又は155及び156)、配管ライン147及
び148(又は157及び158)、並びに配管ライン
149及び150(又は159及び160)はモノブロ
ック化することにより極小化されており、バルブ内のガ
ス滞留部によるプロセスガスの純度低下を極小とするよ
うに構成されている。すなわち、このモノブロックバル
ブ180は、2種類の高純度のプロセスガスを夫々の純
度を落すことなく2つの配管ラインに各別に供給できる
ようにした高機能バルブである。
た第1〜第4のバルブ、すなわちバルブ137、13
5、136、及び138、又はバルブ141、139、
140、及び142から成るものを代表的に示すもので
あり、プロセスガスの合流部の配管ライン143及び1
44(又は153及び154)、配管ライン145及び
146(又は155及び156)、配管ライン147及
び148(又は157及び158)、並びに配管ライン
149及び150(又は159及び160)はモノブロ
ック化することにより極小化されており、バルブ内のガ
ス滞留部によるプロセスガスの純度低下を極小とするよ
うに構成されている。すなわち、このモノブロックバル
ブ180は、2種類の高純度のプロセスガスを夫々の純
度を落すことなく2つの配管ラインに各別に供給できる
ようにした高機能バルブである。
次に、上記のように構成された第1実施例に係るプロセ
ス装置用ガス供給配管装置の作動につき各操作時毎に第
10図乃至第28図を参照しながら説明する。なお、図
においてガスの流れているラインは太く描かれている。
ス装置用ガス供給配管装置の作動につき各操作時毎に第
10図乃至第28図を参照しながら説明する。なお、図
においてガスの流れているラインは太く描かれている。
(装置休止時) この時の操作は、第10図及び第11図に示すように、
反応室101にてプロセスガスを使用していないときに
行うものであり、全配管ラインにパージ用ガス(例えば
Ar等)を流すようにするものである。装置の立ち上げ
時等、全配管ラインの露点が高く、配管内壁の水分を早
く減らしたい時は、第10図に示すように、バルブ10
8〜116、120〜128、132〜134、13
5、138、139、142、164、167、17
1、172及び176のいずれも開弁とし(すなわちバ
ルブ114、126等のバイパスラインを用いて)、バ
ルブ136、137、140、141、163及び16
6のいずれもが閉弁とした状態で3本のプロセスガス供
給配管ライン102〜104から供給されるパージ用ガ
ス(例えばAr等)を流す。
反応室101にてプロセスガスを使用していないときに
行うものであり、全配管ラインにパージ用ガス(例えば
Ar等)を流すようにするものである。装置の立ち上げ
時等、全配管ラインの露点が高く、配管内壁の水分を早
く減らしたい時は、第10図に示すように、バルブ10
8〜116、120〜128、132〜134、13
5、138、139、142、164、167、17
1、172及び176のいずれも開弁とし(すなわちバ
ルブ114、126等のバイパスラインを用いて)、バ
ルブ136、137、140、141、163及び16
6のいずれもが閉弁とした状態で3本のプロセスガス供
給配管ライン102〜104から供給されるパージ用ガ
ス(例えばAr等)を流す。
この場合、ニードルバルブ169、174により一つの
プロセスガス当たり、例えば2/min程度となるよ
うに流量調整する。
プロセスガス当たり、例えば2/min程度となるよ
うに流量調整する。
これにより、全配管ラインの露点が、例えば−80℃程
度にまで達したら、第11図に示すように、3本のプロ
セスガス供給配管ライン102〜104からパージ用ガ
ス(例えばAr等)を全配管ラインに流す。この場合、
バルブ108〜113、120〜125、132〜13
5、138、139、142、164、167、17
1、172及び176のいずれもが開弁、バルブ114
〜116、126〜128、136、137、140、
141、163及び166のいずれもが閉弁の状態と
し、ニードルバルブ169、174により流量調整す
る。圧力調整器117、マスフローコントローラー12
9、フィルター等は配管と比較して内壁の水分等の不純
物が脱落し難いので、十分にパージを行い、全配管ライ
ンの露点が−100℃程度になれば、プロセスガスの使
用を開始できる状態となる。
度にまで達したら、第11図に示すように、3本のプロ
セスガス供給配管ライン102〜104からパージ用ガ
ス(例えばAr等)を全配管ラインに流す。この場合、
バルブ108〜113、120〜125、132〜13
5、138、139、142、164、167、17
1、172及び176のいずれもが開弁、バルブ114
〜116、126〜128、136、137、140、
141、163及び166のいずれもが閉弁の状態と
し、ニードルバルブ169、174により流量調整す
る。圧力調整器117、マスフローコントローラー12
9、フィルター等は配管と比較して内壁の水分等の不純
物が脱落し難いので、十分にパージを行い、全配管ライ
ンの露点が−100℃程度になれば、プロセスガスの使
用を開始できる状態となる。
なお、パージの際に配管、バルブ、マスフローコントロ
ーラー及びフィルター等をヒーター等を用いて加熱し、
100℃程度の温度にてパージを行うと、配管ライン内
部部の不純物の脱離や露点の低下に有効である。
ーラー及びフィルター等をヒーター等を用いて加熱し、
100℃程度の温度にてパージを行うと、配管ライン内
部部の不純物の脱離や露点の低下に有効である。
なお、プロセスガスの使用開始後においては、バルブ1
08〜113、120〜125、132〜135、13
8、139、142、164、167、171、172
及び176を開弁し、バルブ114〜116、126〜
128、136、137、140、141、163及び
166を閉弁の状態で、ニードルバルブ169、174
で例えば1/min程度に流量調整し、プロセスガス
供給配管ライン102〜104からのパージ用ガス(例
えばAr等)を、プロセス装置反応室直前まで供給し、
ガス配管系全体をパージし続けることによってガス系の
純度を維持する。
08〜113、120〜125、132〜135、13
8、139、142、164、167、171、172
及び176を開弁し、バルブ114〜116、126〜
128、136、137、140、141、163及び
166を閉弁の状態で、ニードルバルブ169、174
で例えば1/min程度に流量調整し、プロセスガス
供給配管ライン102〜104からのパージ用ガス(例
えばAr等)を、プロセス装置反応室直前まで供給し、
ガス配管系全体をパージし続けることによってガス系の
純度を維持する。
上記のように、第10図及び第11図に示すパージの例
では、前記2つのモノブロックバルブについては、夫々
を構成するバルブ135及び138と、バルブ139及
び142とを開弁とし、バルブ136及び137と、バ
ルブ140及び141とを閉弁とした状態でパージする
ようにしているが、かかる開閉弁状態の他に、バルブ1
36及び137と、バルブ140及び141とを開弁と
し、バルブ135及び138と、バルブ139及び14
2とを閉弁としたり、バルブ135及び138と、バル
ブ140及び141とを開弁、バルブ136及び137
と、バルブ139及び142とを閉弁としたり、さら
に、バルブ136及び137と、バルブ139及び14
2とを開弁とし、バルブ135及び138と、バルブ1
40及び141とを閉弁とする状態パージを行ってもよ
い。
では、前記2つのモノブロックバルブについては、夫々
を構成するバルブ135及び138と、バルブ139及
び142とを開弁とし、バルブ136及び137と、バ
ルブ140及び141とを閉弁とした状態でパージする
ようにしているが、かかる開閉弁状態の他に、バルブ1
36及び137と、バルブ140及び141とを開弁と
し、バルブ135及び138と、バルブ139及び14
2とを閉弁としたり、バルブ135及び138と、バル
ブ140及び141とを開弁、バルブ136及び137
と、バルブ139及び142とを閉弁としたり、さら
に、バルブ136及び137と、バルブ139及び14
2とを開弁とし、バルブ135及び138と、バルブ1
40及び141とを閉弁とする状態パージを行ってもよ
い。
(1種類のプロセスガス供給前における置換時:その
1) この時の操作は、例えばプロセスガス供給配管ライン1
02からプロセスを供給する場合に対応する。従来技術
の項でも述べたように、プロセス装置に高純度なプロセ
スを供給するためには、供給配管内に残存するパージ用
ガス(例えばAr等)等をプロセスガスで置換する必要
があるので、例えば第11図に示す状態で全配管ライン
がパージされているときは以下の手順で行う。
1) この時の操作は、例えばプロセスガス供給配管ライン1
02からプロセスを供給する場合に対応する。従来技術
の項でも述べたように、プロセス装置に高純度なプロセ
スを供給するためには、供給配管内に残存するパージ用
ガス(例えばAr等)等をプロセスガスで置換する必要
があるので、例えば第11図に示す状態で全配管ライン
がパージされているときは以下の手順で行う。
まず、バルブ135を閉弁し、プロセスガス供給配管ラ
イン102からのパージ用ガスの供給を止め、さらにバ
ルブ171、167、172、176を閉じ、パージ用
ガス排気ライン105、106によるパージを停止す
る。
イン102からのパージ用ガスの供給を止め、さらにバ
ルブ171、167、172、176を閉じ、パージ用
ガス排気ライン105、106によるパージを停止す
る。
かかる状態とした後、第12図に示すように、バルブ1
38、139、142を閉弁し、バルブ136、14
0、172、176を開弁し、プロセスガス供給配管ラ
イン103、104の系のパージを再開する。
38、139、142を閉弁し、バルブ136、14
0、172、176を開弁し、プロセスガス供給配管ラ
イン103、104の系のパージを再開する。
続いて、バルブ114、126、137、141、16
4、166を開弁し、真空排気ライン107を介して、
プロセスガス供給配管ライン102、及びこれに連通す
る配管ライン152、162等の真空排気を行う。各配
管ラインの真空度が例えば1×10-2TOrr程度に達
したら、バルブ166を閉じてプロセスガス供給配管ラ
イン102からのプロセスガスを、該配管ライン102
に連通する配管系内に充填する。該配管系内にプロセス
ガスが充填されたら、プロセスガスの供給を停止し、前
記パージ用ガスの真空排気の場合と同様に配管系内の真
空排気を行う。
4、166を開弁し、真空排気ライン107を介して、
プロセスガス供給配管ライン102、及びこれに連通す
る配管ライン152、162等の真空排気を行う。各配
管ラインの真空度が例えば1×10-2TOrr程度に達
したら、バルブ166を閉じてプロセスガス供給配管ラ
イン102からのプロセスガスを、該配管ライン102
に連通する配管系内に充填する。該配管系内にプロセス
ガスが充填されたら、プロセスガスの供給を停止し、前
記パージ用ガスの真空排気の場合と同様に配管系内の真
空排気を行う。
(1種類のプロセスガスの供給時:その1) 前記プロセスガス供給配管ライン102からのプロセス
ガスの供給及び配管ラインの真空排気は通常、5回以上
繰り返す。かかる配管系内のパージ用ガスがプロセスガ
スにより十分に置換されたら、第13図に示すように、
バルブ114、126、164、及び166を閉弁し、
バルブ108、111、120、123、132、13
7、141、及び163を開弁し、プロセスガス供給配
管ライン102からのプロセスガスを圧力調整器11
7、マスフローコントローラー129を用いて調整し、
該調整されたプロセスガスを反応室101に供給する。
ガスの供給及び配管ラインの真空排気は通常、5回以上
繰り返す。かかる配管系内のパージ用ガスがプロセスガ
スにより十分に置換されたら、第13図に示すように、
バルブ114、126、164、及び166を閉弁し、
バルブ108、111、120、123、132、13
7、141、及び163を開弁し、プロセスガス供給配
管ライン102からのプロセスガスを圧力調整器11
7、マスフローコントローラー129を用いて調整し、
該調整されたプロセスガスを反応室101に供給する。
(1種類のプロセスガス供給前における置換時:その
2) この時の操作は、プロセスガス供給配管ライン103か
らプロセスガスを供給する場合に対応する。上記その1
の場合と同様に、第11図に示すパージの状態から、バ
ルブ139を閉弁し、プロセスガス供給配管ライン10
3からのパージ用ガスの供給を始め、さらにバルブ17
1、167、172、176を閉弁してパージを停止す
る。
2) この時の操作は、プロセスガス供給配管ライン103か
らプロセスガスを供給する場合に対応する。上記その1
の場合と同様に、第11図に示すパージの状態から、バ
ルブ139を閉弁し、プロセスガス供給配管ライン10
3からのパージ用ガスの供給を始め、さらにバルブ17
1、167、172、176を閉弁してパージを停止す
る。
次に、第14図に示すように、バルブ138、142を
閉弁し、バルブ140、172、176を開弁してパー
ジを再開する。次に、バルブ115、127、138、
141、164、166を開弁して、真空排気ライン1
07を介して、プロセスガス供給配管ライン103と、
これに連通する配管ライン152、162等の真空排気
を行う。該配管ラインの真空度が、例えば1×10-2T
orr程度に達したら、バルブ166を閉じてプロセス
ガス排気配管ライン103からのプロセスガスを該配管
ライン103に連通する配管系内に充填する。
閉弁し、バルブ140、172、176を開弁してパー
ジを再開する。次に、バルブ115、127、138、
141、164、166を開弁して、真空排気ライン1
07を介して、プロセスガス供給配管ライン103と、
これに連通する配管ライン152、162等の真空排気
を行う。該配管ラインの真空度が、例えば1×10-2T
orr程度に達したら、バルブ166を閉じてプロセス
ガス排気配管ライン103からのプロセスガスを該配管
ライン103に連通する配管系内に充填する。
(1種類のプロセスガスの供給時:その2) 配管系内にプロセスガスが充填されたら、プロセスガス
の供給を停止し、上記その1の場合と同様に、配管系内
の真空排気を行い、また、このプロセスガス供給配管ラ
イン103からのプロセスガスの供給、及び該配管ライ
ンの真空排気を、通常5回以上繰り返す。配管系内のプ
ロセスガスによる十分な置換が行われたら、第15図に
示すように、バルブ115、127、164、及び16
6を閉弁し、バルブ109、112、121、124、
133、138、141、及び163を開弁した状態
で、圧力調整器118、マスフローコントローラー13
0によりプロセスガスの供給圧力、流量を調整し、該調
整されたプロセスガスを反応室101に供給する。
の供給を停止し、上記その1の場合と同様に、配管系内
の真空排気を行い、また、このプロセスガス供給配管ラ
イン103からのプロセスガスの供給、及び該配管ライ
ンの真空排気を、通常5回以上繰り返す。配管系内のプ
ロセスガスによる十分な置換が行われたら、第15図に
示すように、バルブ115、127、164、及び16
6を閉弁し、バルブ109、112、121、124、
133、138、141、及び163を開弁した状態
で、圧力調整器118、マスフローコントローラー13
0によりプロセスガスの供給圧力、流量を調整し、該調
整されたプロセスガスを反応室101に供給する。
(1種類のプロセスガス供給前における置換時:その
3) この時の操作は、プロセスガス供給配管ライン104か
らプロセスガスを供給する場合に対応する。上記その1
及びその2の場合と同様に、第11図に示す状態で全配
管系をパージし、バルブ171を閉弁し、プロセスガス
供給配管ライン104からのパジ用ガスの供給を止め、
さらにバルブ167、172、176を閉じると、パー
ジ用ガス排気ライン105、106からのパージが停止
する。
3) この時の操作は、プロセスガス供給配管ライン104か
らプロセスガスを供給する場合に対応する。上記その1
及びその2の場合と同様に、第11図に示す状態で全配
管系をパージし、バルブ171を閉弁し、プロセスガス
供給配管ライン104からのパジ用ガスの供給を止め、
さらにバルブ167、172、176を閉じると、パー
ジ用ガス排気ライン105、106からのパージが停止
する。
次に、第16図に示すように、バルブ142を閉弁し、
バルブ172、176を開弁してパージを再開する。続
いて、バルブ116、128、142、164、166
を開弁して、真空排気ライン107を介して、プロセス
ガス供給配管ライン104と、これに連通する配管ライ
ン162等の真空排気を行う。該配管ラインの真空度
が、例例えば1×10-2程度に達したら、バルブ166
を閉じてプロセスガス供給配管ライン104からのプロ
セスガスを該配管ライン104に連通する配管系内に充
填する。
バルブ172、176を開弁してパージを再開する。続
いて、バルブ116、128、142、164、166
を開弁して、真空排気ライン107を介して、プロセス
ガス供給配管ライン104と、これに連通する配管ライ
ン162等の真空排気を行う。該配管ラインの真空度
が、例例えば1×10-2程度に達したら、バルブ166
を閉じてプロセスガス供給配管ライン104からのプロ
セスガスを該配管ライン104に連通する配管系内に充
填する。
(1種類のプロセスガスの供給時:その3) 配管系内にプロセスガスが充填されたら、プロセスガス
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン104からのプロセスガスの供給、及び配管ライン
の真空排気は、通常5回以上繰り返す。配管系内のパー
ジ用ガスがプロセスガスにより十分に置換されたら、第
17図に示すように、バルブ116、128、164、
166を閉弁し、バルブ110、113、122、12
5、134、142、163を開弁した状態で、圧力調
整器119、マスフローコントローラー131により反
応室101に供給されるプロセスガスの供給圧力、流量
を調整する。
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン104からのプロセスガスの供給、及び配管ライン
の真空排気は、通常5回以上繰り返す。配管系内のパー
ジ用ガスがプロセスガスにより十分に置換されたら、第
17図に示すように、バルブ116、128、164、
166を閉弁し、バルブ110、113、122、12
5、134、142、163を開弁した状態で、圧力調
整器119、マスフローコントローラー131により反
応室101に供給されるプロセスガスの供給圧力、流量
を調整する。
(2種類のプロセスガス供給前における置換時:その
1) まず、2本のプロセスガス供給ライン102、103か
らの2種類のプロセスガスを反応室101へ供給する場
合について説明する。この場合にも、前述した1種類の
プロセスガスを供給する場合と同様に、反応室101に
高純度なプロセスガスを供給するためには、初めに、配
管ライン内に残存するパージ用ガス(例えばAr等)等
をプロセスガス置換する作業を行う。
1) まず、2本のプロセスガス供給ライン102、103か
らの2種類のプロセスガスを反応室101へ供給する場
合について説明する。この場合にも、前述した1種類の
プロセスガスを供給する場合と同様に、反応室101に
高純度なプロセスガスを供給するためには、初めに、配
管ライン内に残存するパージ用ガス(例えばAr等)等
をプロセスガス置換する作業を行う。
上記1種類のプロセスガスの供給時における場合と同様
に、第11図に示す状態で全配管系をパージし、しかる
後、バルブ176を閉弁し、プロセスガス供給配管ライ
ン102、103からのパージ用ガスの供給を止め、さ
らにバルブ171、167、172を閉弁し、パージ用
ガス排気ライン105、106からのパージを停止す
る。
に、第11図に示す状態で全配管系をパージし、しかる
後、バルブ176を閉弁し、プロセスガス供給配管ライ
ン102、103からのパージ用ガスの供給を止め、さ
らにバルブ171、167、172を閉弁し、パージ用
ガス排気ライン105、106からのパージを停止す
る。
次に、第18図に示すように、バルブ135、139、
142を閉弁し、バルブ1440、172、176を開
弁すると、プロセスガス供給配管ライン104系のパー
ジが行われる。
142を閉弁し、バルブ1440、172、176を開
弁すると、プロセスガス供給配管ライン104系のパー
ジが行われる。
続いて、バルブ114、115、126、127、13
7、141、166を開弁し、真空排気ライン107を
介して、プロセスガス供給配管ライン102、103、
及びこれらに連通する配管ラインの真空排気を行う。配
管ラインの真空度が例えば1×10-2Torr程度に達
したら、バルブ166、138(バルブ138のの代り
にバルブ137でもよい)を閉弁し、プロセスガス供給
配管ライン102、103からのプロセスガスを、該配
管ライン102、103に連ねる配管系内に充填する。
7、141、166を開弁し、真空排気ライン107を
介して、プロセスガス供給配管ライン102、103、
及びこれらに連通する配管ラインの真空排気を行う。配
管ラインの真空度が例えば1×10-2Torr程度に達
したら、バルブ166、138(バルブ138のの代り
にバルブ137でもよい)を閉弁し、プロセスガス供給
配管ライン102、103からのプロセスガスを、該配
管ライン102、103に連ねる配管系内に充填する。
(2種類のプロセスガスの供給時:その1) 配管系内にプロセスガスが充填されたら、プロセスガス
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン102、103からのプロセスガスの供給、及び配
管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン102、103からのプロセスガスの供給、及び配
管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
こうして、配管系内のパージ用ガスがプロセスガスによ
り十分に置換されたら、第19図に示すように、バルブ
114、115、126、127、164、及び166
を閉弁する一方、バルブ108、109、111、11
2、120、121、123、124、132、13
3、137、138、141、及び163を開弁した状
態で、圧力調整器117、及びマスフローコントローラ
ー129、並びに圧力調整器118、及びマスフローコ
ントローラー130により夫々プロセスガスの供給圧
力、流量を調整すると、該調整された2種類のプロセス
ガスが装置反応室101に供給される。
り十分に置換されたら、第19図に示すように、バルブ
114、115、126、127、164、及び166
を閉弁する一方、バルブ108、109、111、11
2、120、121、123、124、132、13
3、137、138、141、及び163を開弁した状
態で、圧力調整器117、及びマスフローコントローラ
ー129、並びに圧力調整器118、及びマスフローコ
ントローラー130により夫々プロセスガスの供給圧
力、流量を調整すると、該調整された2種類のプロセス
ガスが装置反応室101に供給される。
(2種類のプロセスガス供給前における置換時:その
2) この時の操作は、プロセスガス供給ライン102、10
4から2種類のプロセスガスを混合して反応室101へ
供給する場合に対応する。上記その1の場合と同様に、
プロセス装置に高純度なプロセスガスを供給するために
は、配管ライン内に残存するパージ用ガス等をプロセス
ガスで十分に置換する作業を行う。
2) この時の操作は、プロセスガス供給ライン102、10
4から2種類のプロセスガスを混合して反応室101へ
供給する場合に対応する。上記その1の場合と同様に、
プロセス装置に高純度なプロセスガスを供給するために
は、配管ライン内に残存するパージ用ガス等をプロセス
ガスで十分に置換する作業を行う。
上記その1におけるる場合と同様に、第11図に示す状
態で全配管系をパージし、しかる後、バルブ135、1
71を閉弁し、プロセスガス供給配管ライン102、1
04からのパージ用ガスの供給を止め、さらにバルブ1
67、172、176を閉弁し、パージ用ガス排気ライ
ン105、106からのパージを停止する。次いで、第
20図に示すように、バルブ138、139を閉弁し、
バルブ136、172、176を開弁し、プロセスガス
供給配管ライン103のパージを行う。
態で全配管系をパージし、しかる後、バルブ135、1
71を閉弁し、プロセスガス供給配管ライン102、1
04からのパージ用ガスの供給を止め、さらにバルブ1
67、172、176を閉弁し、パージ用ガス排気ライ
ン105、106からのパージを停止する。次いで、第
20図に示すように、バルブ138、139を閉弁し、
バルブ136、172、176を開弁し、プロセスガス
供給配管ライン103のパージを行う。
続いて、バルブ114、116、126、128、13
7、141、166を開弁し、真空排気ライン107を
介して、プロセスガス供給配管ライン102、104、
及び該配管ラインに連通する配管ラインの真空排気を行
う。配管ラインの真空度が、例えば1×10-2Torr
程度に達したらバルブ166、142(バルブ142の
代わりにバルブ141でもよい)を閉弁し、プロセスガ
ス供給配管ライン102、104からのプロセスガスを
配管系内に充填する。
7、141、166を開弁し、真空排気ライン107を
介して、プロセスガス供給配管ライン102、104、
及び該配管ラインに連通する配管ラインの真空排気を行
う。配管ラインの真空度が、例えば1×10-2Torr
程度に達したらバルブ166、142(バルブ142の
代わりにバルブ141でもよい)を閉弁し、プロセスガ
ス供給配管ライン102、104からのプロセスガスを
配管系内に充填する。
(2種類のプロセスガスの供給時:その2) 配管系内にプロセスガスが充填されたら、プロセスガス
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン102、104からのプロセスガスの供給、及び配
管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン102、104からのプロセスガスの供給、及び配
管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
配管ライン内のパージ用ガス等がプロセスガスにより十
分に置換されたら、第21図に示すように、バルブ11
4、116、126、128、164、166を閉弁
し、バルブ108、110、111、113、120、
122、123、125、132、134、137、1
41、142、163を開弁した状態で、圧力調整器1
17及びマスフローコントローラー129、並びに圧力
調整器119及びマスフローコントローラー131によ
り、夫々プロセスガスの供給圧力、流量を調整し、該調
整されたプロセスガスを反応室101に供給する。
分に置換されたら、第21図に示すように、バルブ11
4、116、126、128、164、166を閉弁
し、バルブ108、110、111、113、120、
122、123、125、132、134、137、1
41、142、163を開弁した状態で、圧力調整器1
17及びマスフローコントローラー129、並びに圧力
調整器119及びマスフローコントローラー131によ
り、夫々プロセスガスの供給圧力、流量を調整し、該調
整されたプロセスガスを反応室101に供給する。
(2種類のプロセスガス供給前における置換時:その
3) この時の操作は、プロセスガス供給ライン103、10
4からのプロセスガスを混合して反応室101に供給す
る場合に対応する。上記その1及びその2の場合と同様
に、反応室101に高純度なプロセスガスを供給するた
めには、供給配管内に残存するパージ用ガス等をプロセ
スガスで置換する作業を行う。
3) この時の操作は、プロセスガス供給ライン103、10
4からのプロセスガスを混合して反応室101に供給す
る場合に対応する。上記その1及びその2の場合と同様
に、反応室101に高純度なプロセスガスを供給するた
めには、供給配管内に残存するパージ用ガス等をプロセ
スガスで置換する作業を行う。
上記その1及びその3における場合と同様に、第11図
に示す状態で全配管系をパージし、しかる後、第22図
に示すように、バルブ139、167、171を閉弁
し、プロセスガス供給配管ライン103、104からの
パージ用ガスの供給を止め、パージ用ガス排気ライン1
06からのパージを停止する。
に示す状態で全配管系をパージし、しかる後、第22図
に示すように、バルブ139、167、171を閉弁
し、プロセスガス供給配管ライン103、104からの
パージ用ガスの供給を止め、パージ用ガス排気ライン1
06からのパージを停止する。
次に、バルブ115、116、127、128、14
1、166を開弁し、真空排気ライン107を介して、
プロセスガス供給配管ライン103、104、及び該配
管ラインに連通する配管ラインの真空排気を行う。配管
ライン真空度が例えば1×10-2Torr程度に達した
ら、バルブ166、142(バルブ142に代えてバル
ブ141でもよい)を閉弁してプロセスガス供給配管ラ
イン103、104からのプロセスガスを供給し、該配
管ラインに連通する配管ライン内に2種類のプロセスガ
スを充填する。
1、166を開弁し、真空排気ライン107を介して、
プロセスガス供給配管ライン103、104、及び該配
管ラインに連通する配管ラインの真空排気を行う。配管
ライン真空度が例えば1×10-2Torr程度に達した
ら、バルブ166、142(バルブ142に代えてバル
ブ141でもよい)を閉弁してプロセスガス供給配管ラ
イン103、104からのプロセスガスを供給し、該配
管ラインに連通する配管ライン内に2種類のプロセスガ
スを充填する。
(2種類のプロセスガスの供給時:その3) 配管系内にプロセスガスが充填されたら、プロセスガス
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン103、104からのプロセスガスの供給、及び配
管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
の供給を停止し、パージ用ガスの真空排気と同様に配管
系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配管ラ
イン103、104からのプロセスガスの供給、及び配
管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
配管ライン内のパージ用ガスがプロセスガスにより十分
に置換が行われたら、第23図に示すように、バルブ1
15、116、127、128、164、166を閉弁
し、バルブ109、110、112、113、121、
122、124、125、133、134、138、1
41、142、163を開弁した状態で、圧力調整器1
18、119、マスフローコントローラー130、13
1により夫々のプロセスガスの供給圧力、流量を調整
し、反応室101に混合した、2種類のプロセスガスを
供給する。
に置換が行われたら、第23図に示すように、バルブ1
15、116、127、128、164、166を閉弁
し、バルブ109、110、112、113、121、
122、124、125、133、134、138、1
41、142、163を開弁した状態で、圧力調整器1
18、119、マスフローコントローラー130、13
1により夫々のプロセスガスの供給圧力、流量を調整
し、反応室101に混合した、2種類のプロセスガスを
供給する。
上記の説明では、プロセスガスの1種類又は2種類であ
る場合の供給手順について述べたが、本実施例の構成で
は、3種類混合したプロセスガスの供給も行うことがで
きる。
る場合の供給手順について述べたが、本実施例の構成で
は、3種類混合したプロセスガスの供給も行うことがで
きる。
なお、上記のいずれのプロセスガス供給時においても、
パージ用ガスの切り換え時におけるバルブの開閉弁操作
の時を除き、各プロセスガス供給配管ライン及びこれに
連通する配管ラインにガスの滞留が生じることはない。
パージ用ガスの切り換え時におけるバルブの開閉弁操作
の時を除き、各プロセスガス供給配管ライン及びこれに
連通する配管ラインにガスの滞留が生じることはない。
(プロセスガスの供給停止時) この時の操作におけるバルブの開閉弁は、基本的にはプ
ロセスガス供給の場合と同様である。ただし、パージ用
ガスをプロセスガスで置換する代りに、プロセスガスを
Ar等のパージ用ガスで置換する点で異なる。
ロセスガス供給の場合と同様である。ただし、パージ用
ガスをプロセスガスで置換する代りに、プロセスガスを
Ar等のパージ用ガスで置換する点で異なる。
最初に、プロセスガス供給配管ライン102から供給さ
れているプロセスガスの使用を停止する手順については
以下の通りである。
れているプロセスガスの使用を停止する手順については
以下の通りである。
この場合の各バルブの開閉弁状態は、第24図に示すよ
うに、バルブ108〜113、120〜125、132
〜134、136、137、140、141、163、
172及び176が開弁となっている一方、バルブ11
4〜116、126〜128、135、138、13
9、142、164、166、167及び171が閉弁
となっている。したがって、プロセスガス供給配管ライ
ン102からはプロセスガスが供給され、配管ライン1
03、104からはパージ用ガスが供給されており、パ
ージ用ガスはニードルバルブ174により流量調整され
てパージ用ガス排気ライン105に流されている一方、
プロセスガスは圧力調整器117及びマスフローコント
ローラー129により供給圧力、流量が調整されて、反
応室101に流されている状態となっている。
うに、バルブ108〜113、120〜125、132
〜134、136、137、140、141、163、
172及び176が開弁となっている一方、バルブ11
4〜116、126〜128、135、138、13
9、142、164、166、167及び171が閉弁
となっている。したがって、プロセスガス供給配管ライ
ン102からはプロセスガスが供給され、配管ライン1
03、104からはパージ用ガスが供給されており、パ
ージ用ガスはニードルバルブ174により流量調整され
てパージ用ガス排気ライン105に流されている一方、
プロセスガスは圧力調整器117及びマスフローコント
ローラー129により供給圧力、流量が調整されて、反
応室101に流されている状態となっている。
かかる状態で反応室101へのプロセスガスの供給を停
止するには、まず、バルブ163を閉弁する。
止するには、まず、バルブ163を閉弁する。
次に、バルブ164、166を開弁し、真空排気ライン
107を介して、プロセスガス供給配管ライン102及
び、これに連通する配管ラインの真空排気を行う。配管
ラインの真空度が例えば1×10-2Torr程度に達し
たら、バルブ166を閉弁し、プロセスガス供給配管ラ
イン102からパージ用ガスを供給し、配管系内にパー
ジ用ガスを充填する。配管系内にパージ用ガスが充填さ
れた後、パージ用ガスの供給を停止し、プロセスガスの
真空排気と同様に配管系内の真空排気を行う。
107を介して、プロセスガス供給配管ライン102及
び、これに連通する配管ラインの真空排気を行う。配管
ラインの真空度が例えば1×10-2Torr程度に達し
たら、バルブ166を閉弁し、プロセスガス供給配管ラ
イン102からパージ用ガスを供給し、配管系内にパー
ジ用ガスを充填する。配管系内にパージ用ガスが充填さ
れた後、パージ用ガスの供給を停止し、プロセスガスの
真空排気と同様に配管系内の真空排気を行う。
かかるプロセスガス供給配管ライン102からのパージ
用ガスの供給、及び配管ラインの真空排気は、通常5回
以上繰り返す。
用ガスの供給、及び配管ラインの真空排気は、通常5回
以上繰り返す。
配管ライン内のプロセスガスがパージ用ガスにより十分
な置換が行われたら、バルブ166を閉弁し、プロセス
ガス供給配管ライン102からパージ用ガスを供給し、
バルブ167、171を開弁し、ニードルバルブ169
によって流量を調整し、パージ用ス排気ライン106へ
パージ用ガスを流すことによってプロセスガス供給配管
ライン102及びこれに連通する配管ラインのパージを
行う。
な置換が行われたら、バルブ166を閉弁し、プロセス
ガス供給配管ライン102からパージ用ガスを供給し、
バルブ167、171を開弁し、ニードルバルブ169
によって流量を調整し、パージ用ス排気ライン106へ
パージ用ガスを流すことによってプロセスガス供給配管
ライン102及びこれに連通する配管ラインのパージを
行う。
以上のように、第25図に示すように、使用していない
プロセスガス供給配管ライン103、104及び夫々に
連通する配管ラインのパージを中断することなく、プロ
セスガス供給配管ライン102及びこれに連通する配管
ラインのプロセスガスの供給停止及びその後のパージを
再開することができる。
プロセスガス供給配管ライン103、104及び夫々に
連通する配管ラインのパージを中断することなく、プロ
セスガス供給配管ライン102及びこれに連通する配管
ラインのプロセスガスの供給停止及びその後のパージを
再開することができる。
なお、プロセスガス供給配管ライン103、104から
のプロセスガスが供給されている場合も同様にして、他
の使用していない配管ラインのパージを中断することな
く、プロセスガスの供給を停止し、その後のパージを再
開できる。
のプロセスガスが供給されている場合も同様にして、他
の使用していない配管ラインのパージを中断することな
く、プロセスガスの供給を停止し、その後のパージを再
開できる。
次に、2種類のプロセスガスを混合して供給している場
合に供給を停止する手順について説明する。この場合に
おけるバルブの開閉状態は、例えば第26図に示すよう
に、バルブ108〜113、120〜125、132〜
134、137、138、1440、141、163、
172及び176を夫々開弁し、バルブ114〜11
6、126〜128、135、136、139、14
2、164、166、167及び171を夫々閉弁した
状態となっている。したがって、プロセスガス供給配管
ライン102、103からのプロセスガスが供給されて
いる一方、配管ライン104からパージ用ガスが供給さ
れている状態となっており、該パージ用ガスはニードル
バルブ174によって流量調整されてパージ用ガス排気
ライン105に流れ、プロセスガスは圧力調整器11
7、118、マスフローコントローラー129、130
により供給圧力、流量を調整されて反応室101に流さ
れる。
合に供給を停止する手順について説明する。この場合に
おけるバルブの開閉状態は、例えば第26図に示すよう
に、バルブ108〜113、120〜125、132〜
134、137、138、1440、141、163、
172及び176を夫々開弁し、バルブ114〜11
6、126〜128、135、136、139、14
2、164、166、167及び171を夫々閉弁した
状態となっている。したがって、プロセスガス供給配管
ライン102、103からのプロセスガスが供給されて
いる一方、配管ライン104からパージ用ガスが供給さ
れている状態となっており、該パージ用ガスはニードル
バルブ174によって流量調整されてパージ用ガス排気
ライン105に流れ、プロセスガスは圧力調整器11
7、118、マスフローコントローラー129、130
により供給圧力、流量を調整されて反応室101に流さ
れる。
かかる状態で反応室101へのプロセスガスの供給を停
止するには、まず、バルブ163を閉弁する。
止するには、まず、バルブ163を閉弁する。
次に、バルブ164、166を開弁し、真空排気ライン
107を介して、プロセスガス供給配管ライン102、
103、及びプロセス装置配管ラインの真空排気を行
う。配管ラインの真空度が例えば1×10-2Torr程
度に達したら、バルブ166を閉弁し、プロセスガス供
給配管ライン102、103からパージ用ガスを供給
し、該配管ライン102、103に夫々連通する配管ラ
インにパージ用ガスを充填する。
107を介して、プロセスガス供給配管ライン102、
103、及びプロセス装置配管ラインの真空排気を行
う。配管ラインの真空度が例えば1×10-2Torr程
度に達したら、バルブ166を閉弁し、プロセスガス供
給配管ライン102、103からパージ用ガスを供給
し、該配管ライン102、103に夫々連通する配管ラ
インにパージ用ガスを充填する。
配管ライン内にパージ用ガスが充填されたら、パージ用
ガスの供給を停止し、プロセスガスの真空排気と同様に
配管系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配
管ライン102、103からのパージ用ガスの供給、及
び配管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
ガスの供給を停止し、プロセスガスの真空排気と同様に
配管系内の真空排気を行う。かかるプロセスガス供給配
管ライン102、103からのパージ用ガスの供給、及
び配管ラインの真空排気は、通常5回以上繰り返す。
配管系内のプロセスガスがパージ用ガスにより十分に置
換されたら、第27図に示すように、バルブ166を閉
弁し、プロセスガス供給配管ライン102、103から
パージ用ガスを供給し、バルブ136、137を閉弁
し、バルブ135、167、171を開弁し、ニードル
バルブ169、174により流量を調整する一方、パー
ジ用ガス排気ライン105、106にパージ用ガスを流
してプロセスガス供給配管ライン102、103系のパ
ージを行う。
換されたら、第27図に示すように、バルブ166を閉
弁し、プロセスガス供給配管ライン102、103から
パージ用ガスを供給し、バルブ136、137を閉弁
し、バルブ135、167、171を開弁し、ニードル
バルブ169、174により流量を調整する一方、パー
ジ用ガス排気ライン105、106にパージ用ガスを流
してプロセスガス供給配管ライン102、103系のパ
ージを行う。
以上のように、プロセスガス供給配管ライン104系の
パージを中断することなく、プロセスガス供給配管ライ
ン102、103系のプロセスガスの供給停止、及びそ
の後のパージを再開することができる。
パージを中断することなく、プロセスガス供給配管ライ
ン102、103系のプロセスガスの供給停止、及びそ
の後のパージを再開することができる。
なお、前記パージを再開する時には、第28図に示すよ
うに、バルブ135、138を閉弁し、バルブ136、
167、171を開弁するようにしてもよい。
うに、バルブ135、138を閉弁し、バルブ136、
167、171を開弁するようにしてもよい。
同様にして、プロセスガス供給配管ライン102及び1
04、並びに配管ライン103及び104からの2種類
のプロセスガスの供給状態から供給を停止する場合、さ
らには3種類のプロセスガスの混合ガスの供給状態から
その供給停止をする場合にも、他の使用していない系の
パージを中断することなく、当該プロセスガス供給配管
ライン及びこれに連通する配管ラインのパージを再開す
ることができる。
04、並びに配管ライン103及び104からの2種類
のプロセスガスの供給状態から供給を停止する場合、さ
らには3種類のプロセスガスの混合ガスの供給状態から
その供給停止をする場合にも、他の使用していない系の
パージを中断することなく、当該プロセスガス供給配管
ライン及びこれに連通する配管ラインのパージを再開す
ることができる。
第4図乃至第9図は、4つのパルプを一体化して成るモ
ノブロックバルブを1つ又はは2つを含みんでおり、か
つ、2つのフィルターを用いた場合の配管系、特にガス
フィルターの再生を可能にした構成を説明するものであ
る。
ノブロックバルブを1つ又はは2つを含みんでおり、か
つ、2つのフィルターを用いた場合の配管系、特にガス
フィルターの再生を可能にした構成を説明するものであ
る。
第4図は、1つのモノブロックバルブと二つのフィルタ
ーを用いた配管系の構成例を示すものである。201は
プロセスガス供給配管ラインに連なる配管ラインであ
り、202はプロセス装置(反応室)に連なる配管ライ
ンであり、さらに、203はパージ用ガス排気ラインへ
の配管ラインであり、該配管ライン203は、排気ダク
ト等にニードルバルブ、流量計を介して接続されるよう
になっている。そして、210、211はガスフィルタ
ーである。
ーを用いた配管系の構成例を示すものである。201は
プロセスガス供給配管ラインに連なる配管ラインであ
り、202はプロセス装置(反応室)に連なる配管ライ
ンであり、さらに、203はパージ用ガス排気ラインへ
の配管ラインであり、該配管ライン203は、排気ダク
ト等にニードルバルブ、流量計を介して接続されるよう
になっている。そして、210、211はガスフィルタ
ーである。
第5図及び第6図は上記第4図に示す配管系の操作例を
示すものである。
示すものである。
第5図に示す場合は、ガスフィルター210を使用し、
ガスフィルター211をパージする場合であり、バルブ
204、207、208、209を開弁し、バルブ20
5、206を閉弁することにより、ガスフィルター21
1をヒーター等で加熱して再生する。
ガスフィルター211をパージする場合であり、バルブ
204、207、208、209を開弁し、バルブ20
5、206を閉弁することにより、ガスフィルター21
1をヒーター等で加熱して再生する。
また、第6図に示す場合は、ガスフィルター211を使
用し、ガスフィルター210をパージする場合であり、
バルブ205、206、208、209を開弁し、バル
ブ204、207を閉弁することにより、ガスフィルタ
ー210をヒーター等で加熱して再生する。
用し、ガスフィルター210をパージする場合であり、
バルブ205、206、208、209を開弁し、バル
ブ204、207を閉弁することにより、ガスフィルタ
ー210をヒーター等で加熱して再生する。
上記再生の手法は、プロセスガスの流量が比較的大きな
場合適用できるという制約があるが、ガスフィルターの
再生をプロセスガスで行うのでガスフィルター内のガス
の置換を行う必要がないので好適である。
場合適用できるという制約があるが、ガスフィルターの
再生をプロセスガスで行うのでガスフィルター内のガス
の置換を行う必要がないので好適である。
他方、第7図乃至第9図は、2つのモノブロックバルブ
と2つのフィルターを用い、ガスフィルターの再生用の
ガスを別途供給し得るようにした場合の構成例を示すも
のである。
と2つのフィルターを用い、ガスフィルターの再生用の
ガスを別途供給し得るようにした場合の構成例を示すも
のである。
第7図において、301はプロセスガス供給配管ライン
からの配管ラインであり、該配管ライン301は、30
2はプロセス装置への配管ラインであり、さらに、30
3はパージ用ガス供給ラインであり、排気ダクト等にニ
ードルバルブ、流量計を介してて接続されている。30
5、306、307、308、309、310、31
1、及び312はストップバルブであり、このうちバル
ブ305、306、307及び308と、並びにバルブ
309、310、311、及び312は夫々4個のバル
ブを一体化したモノブロツクバルブであり、313、3
14はガスフィルターである。
からの配管ラインであり、該配管ライン301は、30
2はプロセス装置への配管ラインであり、さらに、30
3はパージ用ガス供給ラインであり、排気ダクト等にニ
ードルバルブ、流量計を介してて接続されている。30
5、306、307、308、309、310、31
1、及び312はストップバルブであり、このうちバル
ブ305、306、307及び308と、並びにバルブ
309、310、311、及び312は夫々4個のバル
ブを一体化したモノブロツクバルブであり、313、3
14はガスフィルターである。
第8図は、ガスフィルター314を使用し、フィルター
313をパージする場合を示すものであり、バルブ30
5、308、309、312を開弁し、バルブ306、
307、310、311を閉弁することにより、ガスフ
ィルター313をヒーター等で加熱して再生する。
313をパージする場合を示すものであり、バルブ30
5、308、309、312を開弁し、バルブ306、
307、310、311を閉弁することにより、ガスフ
ィルター313をヒーター等で加熱して再生する。
第9図は、ガスフィルター313を使用し、ガスフィル
ター314をパージする場合を示すものであり、バルブ
306、307、310、311を開弁し、バルブ30
5、308、309、312を閉弁し、ガスフィルター
314をヒーター等で加熱して再生する。
ター314をパージする場合を示すものであり、バルブ
306、307、310、311を開弁し、バルブ30
5、308、309、312を閉弁し、ガスフィルター
314をヒーター等で加熱して再生する。
この手法では、ガスフィルターの再生をプロセスガスと
は別のパージ用ガスで行っているので、再生のためのガ
スの流量は十分確保できる。ただし、ガスフィルターに
プロセスガスと異なるガスを流すことになるので、ガス
フィルター内のガスの置換は充分に行う必要がある。
は別のパージ用ガスで行っているので、再生のためのガ
スの流量は十分確保できる。ただし、ガスフィルターに
プロセスガスと異なるガスを流すことになるので、ガス
フィルター内のガスの置換は充分に行う必要がある。
次に、本発明の第2、及び第3実施例について説明す
る。
る。
上記第1実施例では、簡単のために3種類のプロセスガ
スを供給する場合を示したが、4個のバルブから成るモ
ノブロックバルブを増設する等の構成の変更により、4
種類以上のプロセスガスをプロセス装置に供給するよう
に構成することが可能である。
スを供給する場合を示したが、4個のバルブから成るモ
ノブロックバルブを増設する等の構成の変更により、4
種類以上のプロセスガスをプロセス装置に供給するよう
に構成することが可能である。
第29図及び第30図は、夫々第2実施例、第3実施例
を示すものであり、いずれも4種類のプロセスガスの供
給を実現できるように構成したものである。
を示すものであり、いずれも4種類のプロセスガスの供
給を実現できるように構成したものである。
401、501は夫々プロセス装置における反応室であ
り、402〜405、及び502〜505はプロセスガ
ス供給配管ライン、406〜409、506〜509は
ストップバルブであり、414〜416、514〜51
6は4個のバルブを一体化したモノブロックバルブであ
る。410〜413、510〜513はガス調整配管ラ
インであり、プロセスガスの供給圧力や、流量を調整す
るものである。417、517は2連3方バルブであ
る。
り、402〜405、及び502〜505はプロセスガ
ス供給配管ライン、406〜409、506〜509は
ストップバルブであり、414〜416、514〜51
6は4個のバルブを一体化したモノブロックバルブであ
る。410〜413、510〜513はガス調整配管ラ
インであり、プロセスガスの供給圧力や、流量を調整す
るものである。417、517は2連3方バルブであ
る。
418、518は夫々パージ用ガス排気ラインであり、
図示省略の排気ダクト等に接続されている。419、5
19は夫々真空排気及びパージ用ガス排気ラインであ
る。
図示省略の排気ダクト等に接続されている。419、5
19は夫々真空排気及びパージ用ガス排気ラインであ
る。
第29図に示す第2実施例は、4個のバルブが一体化さ
れたモノブロックバルブ414〜416(第1乃至第3
のバルブ群)をピラミット状に配列した態様を示すもの
であり、第30図に示す第3実施例はモノブロックバル
ブ514〜516(第1乃至第3のバルブ群)梯子状に
配列した態様を示すものである。
れたモノブロックバルブ414〜416(第1乃至第3
のバルブ群)をピラミット状に配列した態様を示すもの
であり、第30図に示す第3実施例はモノブロックバル
ブ514〜516(第1乃至第3のバルブ群)梯子状に
配列した態様を示すものである。
なお、5種類以上のプロセスガスを供給する場合であっ
ても、第2実施例のピラミット状、第3実施例の梯子状
のいずれの配列態様でも同様に構成することができ、ま
たピラミット状及び梯子状の混成の配列態様により構成
することも可能である。
ても、第2実施例のピラミット状、第3実施例の梯子状
のいずれの配列態様でも同様に構成することができ、ま
たピラミット状及び梯子状の混成の配列態様により構成
することも可能である。
ただし、いずれの場合でも、第1〜第4のバルブを順次
環状に接続して成るバルブ群たるモノブロックバルブ
は、前記プロセスガス供給配管ラインの数から1を引い
た数だけ設ければよい。
環状に接続して成るバルブ群たるモノブロックバルブ
は、前記プロセスガス供給配管ラインの数から1を引い
た数だけ設ければよい。
以上、本発明の各実施例の説明をしたが、本発明におけ
るプロセスガス供給システムのように超高純度のプロセ
スガスを供給するシステムにおいては、外部リークを1
×10-11Torr・/sec以下に抑える必要があ
り、実際に配管の組み付けの終了後には配管系の外部リ
ークの検査を必要とする。通常、かかる微小なリークの
検査においては、Heリークディテクターが用いられ、
配管の一部にHeリークディテクターのためのポートを
設けておく。なお、上記第1実施例の構成の場合には、
真空排気及びパージ用の配管ライン165にリーク検査
のためのポートを設けるようにすれば、反応室に供給さ
れるプロセスガスの汚染の問題は容易に解決できる。
るプロセスガス供給システムのように超高純度のプロセ
スガスを供給するシステムにおいては、外部リークを1
×10-11Torr・/sec以下に抑える必要があ
り、実際に配管の組み付けの終了後には配管系の外部リ
ークの検査を必要とする。通常、かかる微小なリークの
検査においては、Heリークディテクターが用いられ、
配管の一部にHeリークディテクターのためのポートを
設けておく。なお、上記第1実施例の構成の場合には、
真空排気及びパージ用の配管ライン165にリーク検査
のためのポートを設けるようにすれば、反応室に供給さ
れるプロセスガスの汚染の問題は容易に解決できる。
また、本発明のように複数のバルブを一体化したモノブ
ロックバルブを用いることは、ガス配管系の性能向上に
有効なだけでなく、装置の小型化に顕著な効果を奏す
る。さらに、従来専門的な知識が必要であったガス供給
システムの設計が、モノブロックバルブを用いることに
より極めて容易になり、ガスの滞留部がなく、かつ、総
てのプロセスガス供給系を独立にパージ、真空排気でき
る高性能なプロセス装置ガス供給配管装置を簡単に設計
できることになる。
ロックバルブを用いることは、ガス配管系の性能向上に
有効なだけでなく、装置の小型化に顕著な効果を奏す
る。さらに、従来専門的な知識が必要であったガス供給
システムの設計が、モノブロックバルブを用いることに
より極めて容易になり、ガスの滞留部がなく、かつ、総
てのプロセスガス供給系を独立にパージ、真空排気でき
る高性能なプロセス装置ガス供給配管装置を簡単に設計
できることになる。
本発明によれば、1台のプロセス装置に対して複数のプ
ロセスガスを供給するプロセス装置ガス供給配管装置に
おいて、プロセスガスを供給せず停止中のプロセス装置
ガス供給配管ラインを常時パージ用ガスによってパージ
できる構造にし、さらに、プロセス装置ガス制御ライン
のバイパスラインをガスの滞留部の極めて少ない構造と
することによって、全てのガス供給配管ラインで常時ガ
スが流れている状態を実現でき、ガス滞留部(デッドゾ
ーン)の極めて少ないものとなる。
ロセスガスを供給するプロセス装置ガス供給配管装置に
おいて、プロセスガスを供給せず停止中のプロセス装置
ガス供給配管ラインを常時パージ用ガスによってパージ
できる構造にし、さらに、プロセス装置ガス制御ライン
のバイパスラインをガスの滞留部の極めて少ない構造と
することによって、全てのガス供給配管ラインで常時ガ
スが流れている状態を実現でき、ガス滞留部(デッドゾ
ーン)の極めて少ないものとなる。
さらに、本発明のプロセス装置ガス供給配管装置と、新
たに開発された半導体用クリーンガスシリンダー(特願
昭63−5389号(特開平2−85358号)、シリ
ンダーガスキャビネット配管装置(特願昭63−524
57号(特開平1−225320号)及びプロセスガス
供給配管システム(特願昭63−111152号(特開
平1〜281138号)とを併用することにより、水分
含有量が10ppb以下の超高純度のプロセスガスを、
常時複数のプロセス装置へ供給することができる。
たに開発された半導体用クリーンガスシリンダー(特願
昭63−5389号(特開平2−85358号)、シリ
ンダーガスキャビネット配管装置(特願昭63−524
57号(特開平1−225320号)及びプロセスガス
供給配管システム(特願昭63−111152号(特開
平1〜281138号)とを併用することにより、水分
含有量が10ppb以下の超高純度のプロセスガスを、
常時複数のプロセス装置へ供給することができる。
ここで、新たに開発された半導体用クリーンガスシリン
ダーとは次のようなものである。
ダーとは次のようなものである。
主要部分がステンレス鋼で形成されている装置であ
り、装置内部に露出する前記ステンレス鋼の表面の少な
くとも一部には、ステンレス鋼と不動態膜との界面近傍
に形成されたクロムの酸化物を主成分とする層と、不動
態膜の表面近傍に形成された鉄の酸化物を主成分とする
層との2つの層から構成され、厚さが50Å以上の不動
態膜が、150℃以上400℃未満の温度においてステ
ンレス鋼を加熱酸化せしめて形成されているもの。
り、装置内部に露出する前記ステンレス鋼の表面の少な
くとも一部には、ステンレス鋼と不動態膜との界面近傍
に形成されたクロムの酸化物を主成分とする層と、不動
態膜の表面近傍に形成された鉄の酸化物を主成分とする
層との2つの層から構成され、厚さが50Å以上の不動
態膜が、150℃以上400℃未満の温度においてステ
ンレス鋼を加熱酸化せしめて形成されているもの。
主要部分がステンレス鋼で形成されている装置であ
り、装置内部に露出する前記ステンレス鋼の表面の少な
くとも一部には、クロムの酸化物と鉄の酸化物との混合
酸化物を主成分とする層から成る、厚さが100Å以上
の不動態膜が、400℃以上500℃未満の温度におい
てステンレス鋼を加熱酸化せしめて形成されているも
の。
り、装置内部に露出する前記ステンレス鋼の表面の少な
くとも一部には、クロムの酸化物と鉄の酸化物との混合
酸化物を主成分とする層から成る、厚さが100Å以上
の不動態膜が、400℃以上500℃未満の温度におい
てステンレス鋼を加熱酸化せしめて形成されているも
の。
主要部分がステンレス鋼で形成されている装置であ
り、装置内部に露出する前記ステンレス鋼の表面の少な
くとも一部には、クロムの酸化物を主成分とする層から
なる、厚さが130Å以上の不動態膜が、550℃以上
の温度において9時間以上ステンレス鋼を加熱酸化せし
めて形成されているもの。
り、装置内部に露出する前記ステンレス鋼の表面の少な
くとも一部には、クロムの酸化物を主成分とする層から
なる、厚さが130Å以上の不動態膜が、550℃以上
の温度において9時間以上ステンレス鋼を加熱酸化せし
めて形成されているもの。
特に、不動態膜が形成されたステンレス鋼の表面が、半
径5μmの円周内における凸部と凹部との高さの差の最
大値が1μm以下の平坦度を有しているものが好まし
い。
径5μmの円周内における凸部と凹部との高さの差の最
大値が1μm以下の平坦度を有しているものが好まし
い。
なお、半導体デバイス製造装置に使用されるガスには、
比較的安定な一般ガス(N2、Ar、He、O2、H2)
と、強毒性、自然性、腐食性等の性質を持った特殊材料
ガス(AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、HCl、
NH3、Cl2、CF4、SF6、NF3、WF6等)があ
る。
比較的安定な一般ガス(N2、Ar、He、O2、H2)
と、強毒性、自然性、腐食性等の性質を持った特殊材料
ガス(AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、HCl、
NH3、Cl2、CF4、SF6、NF3、WF6等)があ
る。
一般ガスは、その取扱いが比較的容易であるため、精製
装置から直接半導体製造装置へ圧送される場合がほとん
どであり、貯槽手段、精製装置、配管材料等が開発、改
善されたことにより、超高純度ガスを半導体製造装置へ
供給することが可能である。(大見忠弘、“pptへの
挑戦〜pptの不純物濃度に挑戦する半導体用ガス配管
システム”、日経マイクロデバイス、1987年7月
号、pp.98〜119)。
装置から直接半導体製造装置へ圧送される場合がほとん
どであり、貯槽手段、精製装置、配管材料等が開発、改
善されたことにより、超高純度ガスを半導体製造装置へ
供給することが可能である。(大見忠弘、“pptへの
挑戦〜pptの不純物濃度に挑戦する半導体用ガス配管
システム”、日経マイクロデバイス、1987年7月
号、pp.98〜119)。
他方、特殊材料ガスは、取扱いに十分な注意が必要であ
り、一般ガスに比べ使用量がかなり少ない等の点から、
シリンダーに充填されたガスを、シリンダーキャビネッ
ト配管装置を経由して、半導体製造装置へ圧送する場合
がほとんどである。
り、一般ガスに比べ使用量がかなり少ない等の点から、
シリンダーに充填されたガスを、シリンダーキャビネッ
ト配管装置を経由して、半導体製造装置へ圧送する場合
がほとんどである。
この場合、シリンダーの内面を複合電解研磨して加工変
質層のない鏡面に仕上げ、パーージバルブを内蔵しMC
R(Metal C Ring フィティング)を用いた外ネジ方式
のシリンダーバルブが開発されている(大見忠弘、室田
淳一、“クリーンボンベとガス充填技術”、第6回超L
SIウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム予稿集
「高性能化プロセス技術面III」、1988年1月、p
p.109−128)。
質層のない鏡面に仕上げ、パーージバルブを内蔵しMC
R(Metal C Ring フィティング)を用いた外ネジ方式
のシリンダーバルブが開発されている(大見忠弘、室田
淳一、“クリーンボンベとガス充填技術”、第6回超L
SIウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム予稿集
「高性能化プロセス技術面III」、1988年1月、p
p.109−128)。
さらに、ガスシリンダーを収納しプロセスガスを供給す
るためのシリンダーキャビネット配管装置の全配管ライ
ンを大気に対し二重切りとし、かつ、パージ用ガス供給
ラインを常時パージできる構造として、配管系への大気
の混入や配管材内壁からの水分を中心とする放出ガスに
よる汚染を極力抑え込んだ装置を実現したことにより、
超高純度ガスが供給できるようになる。
るためのシリンダーキャビネット配管装置の全配管ライ
ンを大気に対し二重切りとし、かつ、パージ用ガス供給
ラインを常時パージできる構造として、配管系への大気
の混入や配管材内壁からの水分を中心とする放出ガスに
よる汚染を極力抑え込んだ装置を実現したことにより、
超高純度ガスが供給できるようになる。
また、新たに開発されたDC−RF結合バイアススパッ
タ装置では、400℃で熱処理をしても全くヒロックの
現われない、表面が鏡面状の極めて優れたAl薄膜が得
られている。(T.Ohmi,H.Kuwabara.T.Shibata and T.Ki
yota,“RF-DC coupled mode bias sputtering for ULSI
metalization"、Proc.lst Int.Symp.onUltraLarge Scal
e Integration Science and Technology,May10-15,198
7.Philadelphia、及び、大見忠弘、“不純物を徹底除
去、ヒロックが発生しないAlの成膜条件を把握”、日
経マイクロデバイス、1987年10月号、pp.10
9〜111)。
タ装置では、400℃で熱処理をしても全くヒロックの
現われない、表面が鏡面状の極めて優れたAl薄膜が得
られている。(T.Ohmi,H.Kuwabara.T.Shibata and T.Ki
yota,“RF-DC coupled mode bias sputtering for ULSI
metalization"、Proc.lst Int.Symp.onUltraLarge Scal
e Integration Science and Technology,May10-15,198
7.Philadelphia、及び、大見忠弘、“不純物を徹底除
去、ヒロックが発生しないAlの成膜条件を把握”、日
経マイクロデバイス、1987年10月号、pp.10
9〜111)。
この装置を用いて得られるAl成膜では、Ar中に含ま
れる水分量を10ppb以下に抑え込むと、初めてAl
膜を形成する最適な製造条件を求めることができること
となる。Arスパッタ雰囲気中に水分が10ppb以上
含まれると、Al膜表面のモフォロジが劣化する。これ
では抵抗率がバルクのAlに等しくかつ熱処理でヒロッ
クの現われないAlの成膜パラメーターを求めることは
不可能である。
れる水分量を10ppb以下に抑え込むと、初めてAl
膜を形成する最適な製造条件を求めることができること
となる。Arスパッタ雰囲気中に水分が10ppb以上
含まれると、Al膜表面のモフォロジが劣化する。これ
では抵抗率がバルクのAlに等しくかつ熱処理でヒロッ
クの現われないAlの成膜パラメーターを求めることは
不可能である。
また、減圧CVDにおいて、水分含有量が10ppb以
下の超高純度のSiH4、H2、N2を用いてSi薄膜形
成を行った結果、ウェハ表面の水分吸着を十分少なく抑
えれば、従来選択成長並びにエピタキシャル成長しない
とされていた実用的薄膜形成条件下(温度650℃、圧
力数Torr)でも選択成長ならびにエピタキシャル成
長することが見出されている。すなわち、クリーンなS
i表面にSiのエピタキシャル成長が得られ、SiO2
上のポリシリコン成膜は少なく抑えられる(室田淳一、
中村直人、加藤学、御子柴宣夫、大見忠弘、“高選択性
を有するウルトラクリーンCVD技術”、第6回超LS
Iウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム予稿集
「高性能化プロセス技術III」、1988年1月、p
p.215〜226)。
下の超高純度のSiH4、H2、N2を用いてSi薄膜形
成を行った結果、ウェハ表面の水分吸着を十分少なく抑
えれば、従来選択成長並びにエピタキシャル成長しない
とされていた実用的薄膜形成条件下(温度650℃、圧
力数Torr)でも選択成長ならびにエピタキシャル成
長することが見出されている。すなわち、クリーンなS
i表面にSiのエピタキシャル成長が得られ、SiO2
上のポリシリコン成膜は少なく抑えられる(室田淳一、
中村直人、加藤学、御子柴宣夫、大見忠弘、“高選択性
を有するウルトラクリーンCVD技術”、第6回超LS
Iウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム予稿集
「高性能化プロセス技術III」、1988年1月、p
p.215〜226)。
本発明に係る装置で得られる不純物の少ないクリーンな
SiH4、Si2H6ガスを用いることにより、Siのエ
ピタキシャル成長温度を600℃まで低温化でき、ま
た、Si、SiO2上へのシリコン堆積においては、明
白な選択性が得られている(森田端穂、光地哲伸、大見
忠弘、熊谷浩洋、伊藤雅樹、“自由分子流照射型低温高
速CVD技術”、第6回超LSIウルトラクリーンテク
ノロジー予稿集「高性能化プロセス技術III」、198
8年1月、pp.229〜243、及び、室田淳一、中
村直人、加藤学、御子柴宣夫、大見忠弘、“高選択性を
有するウルトラクリーンCVD技術”、pp.215〜
226)。
SiH4、Si2H6ガスを用いることにより、Siのエ
ピタキシャル成長温度を600℃まで低温化でき、ま
た、Si、SiO2上へのシリコン堆積においては、明
白な選択性が得られている(森田端穂、光地哲伸、大見
忠弘、熊谷浩洋、伊藤雅樹、“自由分子流照射型低温高
速CVD技術”、第6回超LSIウルトラクリーンテク
ノロジー予稿集「高性能化プロセス技術III」、198
8年1月、pp.229〜243、及び、室田淳一、中
村直人、加藤学、御子柴宣夫、大見忠弘、“高選択性を
有するウルトラクリーンCVD技術”、pp.215〜
226)。
このように、原料ガス供給系をトータル的にクリーン化
されたシステムとすることにより、高品質成膜及び高品
質エッチングが可能となる。
されたシステムとすることにより、高品質成膜及び高品
質エッチングが可能となる。
[発明の効果] 以上のように、請求項1の発明によれば、上流側にガス
供給源が接続されている複数本のプロセスガス供給配管
ラインと、下流側に排気手段が接続されている排気配管
ラインと、前記プロセスガス供給配管ラインの下流側と
排気装置又はプロセス装置の接続を選択的に切り換え可
能な一対のバルブとを備えて成るプロセス装置用ガス供
給配管装置において、互いに独立に開弁又は閉弁が可能
な第1〜第4のバルブを順次環状に接続して成る少なく
とも一つのバルブ群を含み、該少なくとも一つのバルブ
群は、第1のバルブと第2のバルブの接続部、及び、第
3のバルブと第4のバルブの接続部の夫々に、2本のプ
ロセスガス供給配管ラインの夫々が各別に連通するよう
に接続され、前記第2のバルブと第3のバルブの接続部
が前記排気配管ラインに連通するように接続され、第4
のバルブと第1のバルブとの接続部が前記一対のバルブ
の夫々の上流側と連通するように接続されたことを特徴
とするので、複数本のプロセスガス供給配管ラインを介
して少なくとも1種のプロセスガスを供給する場合、い
ずれのプロセスガス供給配管ライン及び夫々に連通する
配管ラインにも、プロセスガス又はパージガスが流れる
状態となるので、配管ラインのガス滞留状態を回避する
ことができ、プロセスガスの汚染を未然に防止すること
ができる。
供給源が接続されている複数本のプロセスガス供給配管
ラインと、下流側に排気手段が接続されている排気配管
ラインと、前記プロセスガス供給配管ラインの下流側と
排気装置又はプロセス装置の接続を選択的に切り換え可
能な一対のバルブとを備えて成るプロセス装置用ガス供
給配管装置において、互いに独立に開弁又は閉弁が可能
な第1〜第4のバルブを順次環状に接続して成る少なく
とも一つのバルブ群を含み、該少なくとも一つのバルブ
群は、第1のバルブと第2のバルブの接続部、及び、第
3のバルブと第4のバルブの接続部の夫々に、2本のプ
ロセスガス供給配管ラインの夫々が各別に連通するよう
に接続され、前記第2のバルブと第3のバルブの接続部
が前記排気配管ラインに連通するように接続され、第4
のバルブと第1のバルブとの接続部が前記一対のバルブ
の夫々の上流側と連通するように接続されたことを特徴
とするので、複数本のプロセスガス供給配管ラインを介
して少なくとも1種のプロセスガスを供給する場合、い
ずれのプロセスガス供給配管ライン及び夫々に連通する
配管ラインにも、プロセスガス又はパージガスが流れる
状態となるので、配管ラインのガス滞留状態を回避する
ことができ、プロセスガスの汚染を未然に防止すること
ができる。
請求項2の発明によれば、請求項1の発明において、バ
ルブ群は、ガス滞留部が極小化されるように第1〜第4
のバルブを一体化したものであることを特徴とするの
で、配管ラインのガス滞留状態をさらに十分に回避する
ことがき、さらにはコンパクト化を実現できる。
ルブ群は、ガス滞留部が極小化されるように第1〜第4
のバルブを一体化したものであることを特徴とするの
で、配管ラインのガス滞留状態をさらに十分に回避する
ことがき、さらにはコンパクト化を実現できる。
請求項3及び請求項4の発明によれば、請求項1の発明
において、3個のバルブ群を夫々梯子状、ピラミット状
に配列することにより、配管系の仕様態様に応じた所望
の配列状態を選択することができる。
において、3個のバルブ群を夫々梯子状、ピラミット状
に配列することにより、配管系の仕様態様に応じた所望
の配列状態を選択することができる。
請求項5の発明によれば、請求項1の発明において、前
記プロセスガス供給配管ラインは、ガス流量計及びガス
圧調整器を設けていることを特徴とするので、プロセス
ガスの供給に際して、所望の流れの状態に調整すること
ができる。
記プロセスガス供給配管ラインは、ガス流量計及びガス
圧調整器を設けていることを特徴とするので、プロセス
ガスの供給に際して、所望の流れの状態に調整すること
ができる。
請求項6の発明によれば、請求項5の発明において、前
記プロセスガス供給配管ラインは、ガス流量計及びガス
圧調整器の夫々に対して並列にバイパスラインを有する
ことを特徴とするので、例えば全配管ラインを同時にパ
ージする必要がある場合、パージ用ガスの流量を増大し
て十分なパージを行ない得るようにすることができる。
記プロセスガス供給配管ラインは、ガス流量計及びガス
圧調整器の夫々に対して並列にバイパスラインを有する
ことを特徴とするので、例えば全配管ラインを同時にパ
ージする必要がある場合、パージ用ガスの流量を増大し
て十分なパージを行ない得るようにすることができる。
請求項7の発明によれば、請求項1乃至請求項6の発明
において、プロセスガスは、一般ガス又は特殊材料ガス
であることを特徴とするので、半導体デバイスに代表さ
れる薄膜製造技術に適用して有用である。
において、プロセスガスは、一般ガス又は特殊材料ガス
であることを特徴とするので、半導体デバイスに代表さ
れる薄膜製造技術に適用して有用である。
総じて、本発明によれば、プロセスガス供給系を総合化
かつクリーン化されたシステムとすることによって、高
品質成膜及び高品質エッチングが可能となる。
かつクリーン化されたシステムとすることによって、高
品質成膜及び高品質エッチングが可能となる。
第1図は本発明の第1実施例を示す配管系のブロック
図、第2図は上記第1実施例における3連4方バルブを
示す要部拡大ブロック図、第3図は本発明に用いた4連
4方バルブを示す要部拡大ブロック図である。 第4図及び第7図はプロセス装置用ガス配管ラインにお
けるガスフィルター配管の接続例を示す図、第5図、第
6図、第8図及び第9図は、第4図、第7図に示したガ
スフィルター配管の操作例を示す図である。 第10図乃至第28図は、第1図に示す実施例の操作例
を示す図である。第29図は第2実施例を示す要部ブロ
ック図、第30図は第3実施例を示す要部ブロック図で
ある。 第31図(a)〜(g)は従来のプロセス装置用ガス供給配管
装置を示すブロック図、第32図はプロセス装置用ガス
供給配管装置において配管系を閉鎖した場合の露点の変
化を測定した結果を示すグラフである。 101……プロセス装置の反応室、102、103、1
04……プロセスガス供給配管ライン、105、106
……パージ用ガス排気ライン、107……ガス配管の真
空排気ライン、135、136、137、138、13
9、140、141、142……バルブ群を構成するス
トップバルブ、169、174……ニードルバルブ、1
70、175……浮子式流量計、143、144、14
7、148、149、150、152、153、15
4、157、158、159、160、162……プロ
セス装置配管ライン。
図、第2図は上記第1実施例における3連4方バルブを
示す要部拡大ブロック図、第3図は本発明に用いた4連
4方バルブを示す要部拡大ブロック図である。 第4図及び第7図はプロセス装置用ガス配管ラインにお
けるガスフィルター配管の接続例を示す図、第5図、第
6図、第8図及び第9図は、第4図、第7図に示したガ
スフィルター配管の操作例を示す図である。 第10図乃至第28図は、第1図に示す実施例の操作例
を示す図である。第29図は第2実施例を示す要部ブロ
ック図、第30図は第3実施例を示す要部ブロック図で
ある。 第31図(a)〜(g)は従来のプロセス装置用ガス供給配管
装置を示すブロック図、第32図はプロセス装置用ガス
供給配管装置において配管系を閉鎖した場合の露点の変
化を測定した結果を示すグラフである。 101……プロセス装置の反応室、102、103、1
04……プロセスガス供給配管ライン、105、106
……パージ用ガス排気ライン、107……ガス配管の真
空排気ライン、135、136、137、138、13
9、140、141、142……バルブ群を構成するス
トップバルブ、169、174……ニードルバルブ、1
70、175……浮子式流量計、143、144、14
7、148、149、150、152、153、15
4、157、158、159、160、162……プロ
セス装置配管ライン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−98138(JP,A) 特開 昭60−82668(JP,A) 特開 昭63−291895(JP,A) 実開 昭62−59133(JP,U) 実開 昭61−96538(JP,U) 米国特許4446815(US,A)
Claims (7)
- 【請求項1】上流側にガス供給源が接続されている複数
本のプロセスガス供給配管ラインと、下流側に排気手段
が接続されている排気配管ラインと、前記プロセスガス
供給配管ラインの下流側と排気装置又はプロセス装置の
接続を選択的に切り換え可能な一対のバルブとを備えて
成るプロセス装置用ガス供給配管装置において、互いに
独立に開弁又は閉弁が可能な第1〜第4のバルブを順次
環状に接続して成る少なくとも一つのバルブ群を含み、
該少なくとも一つのバルブ群は、第1のバルブと第2の
バルブの接続部、及び、第3のバルブと第4のバルブの
接続部の夫々に、2本のプロセスガス供給配管ラインの
夫々が各別に連通するように接続され、前記第2のバル
ブと第3のバルブの接続部が前記排気配管ラインに連通
するように接続され、第4のバルブと第1のバルブとの
接続部が前記一対のバルブの夫々の上流側と連通するよ
うに接続されたことを特徴とするプロセス装置用ガス供
給配管装置。 - 【請求項2】前記バルブ群は、ガス滞留部が極小化され
るように第1〜第4のバルブを一体化したものであるこ
とを特徴とする請求項1に記載のプロセス装置用ガス供
給配管装置。 - 【請求項3】前記バルブ群は、第1乃至第3のバルブ群
を含み、第1のバルブ群における第1のバルブと第2の
バルブとの接続部に第1のプロセスガス供給配管ライン
が連通し、該第1のバルブ群における第3のバルブと第
4のバルブとの接続部に第2のプロセスガス供給配管ラ
インが連通し、第2のバルブ群における第3のバルブと
第4のバルブとの接続部に第3のプロセスガス供給配管
ラインが連通し、第3のバルブ群における第3のバルブ
と第4のバルブとの接続部に第4のプロセスガス供給配
管ラインが連通し、前記第1のバルブ群における第4の
バルブと第1のバルブとの接続部に前記第2のバルブ群
における第1のバルブと第2のバルブとの接続部が接続
され、前記第2のバルブ群における第4のバルブと第1
のバルブとの接続部に第3のバルブ群における第1のバ
ルブと第2のバルブとの接続部が接続され、前記第3の
バルブ群における第4のバルブと第1のバルブとの接続
部が前記一対のバルブの夫々の上流側と連通するように
接続され、前記第1乃至第3のバルブ群における第2の
バルブと第3のバルブの接続部が夫々前記排気配管ライ
ンに連通するように接続されていることを特徴とする請
求項1又は請求項2に記載のプロセス装置用ガス供給配
管装置。 - 【請求項4】前記バルブ群は、第1乃至第3のバルブ群
を含み、第1のバルブ群における第1のバルブと第2の
バルブとの接続部に第1のプロセスガス供給配管ライン
が連通し、該第1のバルブ群における第3のバルブと第
4のバルブとの接続部に第2のプロセスガス供給配管ラ
インが連通し、第2のバルブ群における第1のバルブと
第2のバルブとの接続部に第3のプロセスガス供給配管
ラインが連通し、該第2のバルブ群における第3のバル
ブと第4のバルブとの接続部に第4のプロセスガス供給
配管ラインが連通し、前記第1のバルブ群における第4
のバルブと第1のバルブとの接続部に前記第3のバルブ
群における第1のバルブと第2のバルブとの接続部が接
続され、前記第2のバルブ群における第4のバルブと第
1のバルブとの接続部に第3のバルブ群における第3の
バルブと第4のバルブとの接続部が接続され、前記第3
のバルブ群における第4のバルブと第1のバルブとの接
続部が前記一対のバルブの夫々の上流側と連通するよう
に接続され、第1乃至第3のバルブ群の夫々における第
2のバルブと第3のバルブの接続部が前記排気配管ライ
ンに連通するように接続されていることを特徴とする請
求項1又は請求項2に記載のプロセス装置用ガス供給配
管装置。 - 【請求項5】前記プロセスガス供給配管ラインは、ガス
流量計及びガス圧調整器を設けていることを特徴とする
請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のプロ
セス装置用ガス供給配管装置。 - 【請求項6】前記プロセスガス供給配管ラインは、ガス
流量計及びガス圧調整器の夫々に対して並列にバイパス
ラインを有することを特徴とする請求項1から請求項5
までのいずれか1項に記載のプロセス装置用ガス供給装
置。 - 【請求項7】前記プロセスガスは、一般ガス又は特殊材
料ガスであることを特徴とする請求項1から請求項6ま
でのいずれか1項に記載のプロセス装置用ガス供給配管
装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171383A JPH0647073B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | プロセス装置用ガス供給配管装置 |
| DE68919819T DE68919819T2 (de) | 1988-07-08 | 1989-07-07 | Leitungssystem zur gasversorgung einer prozessanlage. |
| EP89908265A EP0379594B1 (en) | 1988-07-08 | 1989-07-07 | Gas supply pipeline system for process equipment |
| PCT/JP1989/000690 WO1990000633A1 (fr) | 1988-07-08 | 1989-07-07 | Systeme de pipelines pour l'alimentation en gaz d'une installation de traitement |
| AT89908265T ATE115195T1 (de) | 1988-07-08 | 1989-07-07 | Leitungssystem zur gasversorgung einer prozessanlage. |
| US08/121,174 US5313982A (en) | 1988-07-08 | 1993-09-13 | Gas supply piping device for a process apparatus |
| US08/458,894 US5591267A (en) | 1988-01-11 | 1995-06-02 | Reduced pressure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171383A JPH0647073B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | プロセス装置用ガス供給配管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221618A JPH0221618A (ja) | 1990-01-24 |
| JPH0647073B2 true JPH0647073B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=15922160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171383A Expired - Fee Related JPH0647073B2 (ja) | 1988-01-11 | 1988-07-08 | プロセス装置用ガス供給配管装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0379594B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0647073B2 (ja) |
| AT (1) | ATE115195T1 (ja) |
| DE (1) | DE68919819T2 (ja) |
| WO (1) | WO1990000633A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2889752B2 (ja) * | 1992-01-29 | 1999-05-10 | 株式会社東芝 | ガス供給システムおよびガス供給装置 |
| US5455014A (en) * | 1993-07-20 | 1995-10-03 | Hughes Aircraft Company | Liquid deposition source gas delivery system |
| FI100409B (fi) | 1994-11-28 | 1997-11-28 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| JP4159004B2 (ja) | 1997-06-13 | 2008-10-01 | 財団法人国際科学振興財団 | ガス回収方法 |
| US20060156980A1 (en) | 2005-01-19 | 2006-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| JP4606396B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給システム及び処理ガス供給方法 |
| JP5436248B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2014-03-05 | 和三 長谷川 | 低圧空気供給システム |
| JP2012199511A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-10-18 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| CN102853255A (zh) * | 2012-08-29 | 2013-01-02 | 昆山书豪仪器科技有限公司 | 直读光谱供气系统 |
| KR102260840B1 (ko) * | 2020-02-25 | 2021-06-07 | 주식회사 케이씨 | 가스 공급 시스템 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4446815A (en) | 1981-12-22 | 1984-05-08 | Societa Italiana Vetro Siv Spa | Apparatus for continuously depositing a layer of a solid material on the surface of a substrate brought to a high temperature |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442913Y2 (ja) * | 1984-11-30 | 1992-10-12 | ||
| JPS6259133U (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | ||
| JPS63291895A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 気相表面処理反応装置 |
| JPH0682668A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Canon Inc | レンズ駆動装置及びカメラのレンズ移動装置 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63171383A patent/JPH0647073B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-07 EP EP89908265A patent/EP0379594B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-07 AT AT89908265T patent/ATE115195T1/de active
- 1989-07-07 WO PCT/JP1989/000690 patent/WO1990000633A1/ja not_active Ceased
- 1989-07-07 DE DE68919819T patent/DE68919819T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4446815A (en) | 1981-12-22 | 1984-05-08 | Societa Italiana Vetro Siv Spa | Apparatus for continuously depositing a layer of a solid material on the surface of a substrate brought to a high temperature |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68919819T2 (de) | 1995-05-04 |
| ATE115195T1 (de) | 1994-12-15 |
| WO1990000633A1 (fr) | 1990-01-25 |
| EP0379594B1 (en) | 1994-12-07 |
| JPH0221618A (ja) | 1990-01-24 |
| DE68919819D1 (de) | 1995-01-19 |
| EP0379594A1 (en) | 1990-08-01 |
| EP0379594A4 (en) | 1991-07-03 |
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