JPH0647269A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

Info

Publication number
JPH0647269A
JPH0647269A JP4200154A JP20015492A JPH0647269A JP H0647269 A JPH0647269 A JP H0647269A JP 4200154 A JP4200154 A JP 4200154A JP 20015492 A JP20015492 A JP 20015492A JP H0647269 A JPH0647269 A JP H0647269A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
gas
dry
processing apparatus
exhaust gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4200154A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2511363B2 (ja
Inventor
Masaaki Osato
雅昭 大里
Manabu Tsujimura
学 辻村
Akira Fukunaga
明 福永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Ebara Research Co Ltd
Original Assignee
Ebara Corp
Ebara Research Co Ltd
Ebara Infilco Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp, Ebara Research Co Ltd, Ebara Infilco Co Ltd filed Critical Ebara Corp
Priority to JP4200154A priority Critical patent/JP2511363B2/ja
Publication of JPH0647269A publication Critical patent/JPH0647269A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2511363B2 publication Critical patent/JP2511363B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 日常運転時の事故を予知して、未然に防止す
ることのできる真空処理装置を提供する。 【構成】 真空製造装置1と該装置に連通して設けた真
空ポンプ2と該真空ポンプで吸引される排気ガスを処理
する乾式除害装置3からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管7に大気混入センサ12を配
備したものであり、前記大気混入センサ12は、酸素濃
度計又は水分計であり、また前記装置には、大気混入セ
ンサの出力信号により作動する真空製造装置へのプロセ
スガス16供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス
流入機構17、18及び排気ガスの乾式除害装置バイパ
ス弁開放機構5を備えるのがよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に係り、
特に、ドライエッチング、CVD(化学蒸着)、イオン
注入などの工程に代表される半導体や液晶など精密電子
部品の製造装置(以下、真空製造装置という)の排気処
理を含めた真空処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスの排気系には、ウエ
ハープロセスに供給された未反応ガスや、プロセスであ
らたに生成した数多くのガス成分が含有されている。こ
れらの中には酸素との親和力がきわめて強くて酸素が共
存すると自然発火的に燃焼するガス(SiH4 など)や
水分と反応して腐食性のはげしいハロゲン化水素を発生
するガス(SiF4 ,Cl2 など)が含まれている。こ
のため、排気系に大気が混入すると、大気中の酸素や水
分により発火・爆発、構成材料の腐食を引き起す。
【0003】これ迄、これらのガスを取扱う工程では、
定期点検保修時や停電時に装置が停止したときに細心の
注意を払って系内のガスをN2 などの不活性ガスで置換
している。また、万一の事態が発生しないように装置及
び配管・弁の材料に耐久性にすぐれ信頼性の高いものを
採用したり、排ガスを多量の不活性ガスで常時希釈して
排気するなどの方法がとられている。又、真空ポンプ乾
式除害装置をボックス内に収納し、工場内の排気ダクト
に接続して換気することもある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の対処では、危険
が予知できる停電時、定期点検保修時には有効である
が、日常の操作中における異常事態の予知あるいは早期
発見は困難であり、特にこれらの有害ガスを長期間にわ
たって処理したことにより、発火・爆発を誘起する恐れ
のある乾式除害装置の除害カラムに対しては万全の対応
ではなかった。本発明は、上記の日常運転時の事故を予
知して、未然に防止することのできる真空処理装置を提
供することを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、真空製造装置と該装置に連通して設け
た真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処
理する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管及び/又は出口配管に大気混
入センサを配備したものである。前記大気混入センサと
しては、酸素濃度計及び/又は水分計を用いるのがよ
い。
【0006】また、前記真空処理装置には、大気混入セ
ンサの出力信号により作動する真空製造装置へのプロセ
スガス供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス流入
機構及び排気ガスの乾式除害装置バイパス弁開放機構を
備えるのがよく、それにより大気混入センサにより異常
を検知した際に直に対応することができる。
【0007】
【作用】正常な運転がなされている限りにおいては、プ
ロセスガス流量や半導体製造装置の操作条件は非常に厳
密にコントロールされているので、真空ポンプで排気さ
れるガスの組成や各成分の濃度、ガス流量の変動は非常
に少い。例えば、ポリシリコンの成膜工程から排出され
る排ガスの一例を以下に示す。 SiH4 380ppm H2 3200ppm これは、希釈酸素が80リットル/minの場合である
が、それが低下すると爆発範囲に入るし、その際に空気
の混入があって酸素濃度があがれば自然発火も起こり得
る。
【0008】また、アルミエッチングで多用されるBC
3 のような加水分解性ガスを処理した乾式除害装置で
は、その除害原理によらずガス流入部にそれらのガスが
滞留しており、大気が混入するとその水分と反応して発
熱するだけでなくB(OH)3 のような固形物を生成し
閉塞の原因となると同時に発生するHClにより接ガス
部が激しく腐食し配管にピンホールをあけ有毒ガスの漏
えいにつながる。このように酸素分圧や水分の変化をセ
ンサで検知して、通常希釈用N2 ガス量の低下、大気の
混入などの異常事態を予知することは大災害を未然に防
止する上できわめて有効な手段である。
【0009】酸素分圧が上昇しうるケースとしては 半導体製造装置の操作ミス又は故障による大気混入 半導体製造装置の操作ミス又は故障による通常希釈
用N2 の低下 半導体製造装置〜乾式除害装置の配管(真空ポンプ
本体を含む)の不具合、例えば配管が腐食されることに
より、腐食孔(ピンホール)からの大気混入 などの原因があげられる。本発明によれば、このような
大気の混入を迅速に検知でき、万一混入するとセンサか
らの異常信号の出力によって、プロセスガスの供給停
止、希釈用N2 ガスの流入、乾式除害装置バイパス弁開
放等により直ちに対応でき、発火・爆発等の事故を予防
できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 図1は、本発明の真空処理装置の概略を示す系統図であ
る。図において、半導体製造装置1は真空ポンプ2によ
って真空が保持され、プロセスガスが16から流入され
ている。真空ポンプ2では排気ガスが6から吸引され、
通常希釈ライン15からのN2 ガスによって希釈され
て、排気ガスライン7から排出される。そして、排気ガ
スライン7からの排気ガスは、乾式除害装置3に流入し
て、除害剤が充填されたカラム4内で有害ガスを除去し
て排気ガスライン8から排気ダクトに排出される。乾式
除害装置3内には、充填カラム4をバイパスするバイパ
ス弁5を有するバイパス通路を設けて、排気ガスライン
7からの排気ガスを直接排気ガスライン8に排出させる
ことができるようにしてもよい。
【0011】上記のような半導体製造装置を含む真空処
理装置において、本発明では、真空ポンプ2からの排気
ガスライン7に排気ガス分岐配管13を取り付けてその
配管13に水分計又は酸素濃度計12が接続されてい
る。そして、この水分計又は酸素濃度計12の信号を半
導体製造装置1内に設けたコントロールボックス14に
送り、送られた信号が異常を示した場合は、コントロー
ルボックス14からの指令により、プロセスガス流入ラ
イン16に設けた自動弁を閉止し、N2 ガス希釈ライン
15に設けた自動弁17及び18を開とし、また、排気
ガス乾式除害装置3をバイパスする通路に設けたバイパ
ス弁5を開放することのできる機構としている。
【0012】なお、上記図1において、9は真空ポンプ
ボックスの換気ダクトであり、10は除害装置ボックス
の換気ダクトであり、11は集合主ダクトである。ま
た、大気混入センサは入口配管でなく、出口配管あるい
は入口と出口配管の両方に設けてもよい。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、排気系の大気の混入又
は希釈用N2 ガスの設定異常を酸素濃度計又は水分計で
早期に検知することによって、発火・爆発などの危険を
未然に防止することができ、より安全な運転が確保され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空処理装置の概略を示す系統図。
【符号の説明】
1:半導体製造装置 2:真空ポンプ 3:乾式除害装置 4:除害剤充填カラム 5:バイパス弁 6、7、8:排ガス排気ライン 9:真空ポンプ収納ボックスの換気ダクト 10:乾式除害装置収納ボックスの換気ダクト 11:集合主ダクト 12:大気混入センサ 13:大気混入センサへの排ガス分岐配管 14:コントロールボックス 15:N2 ガス希釈ライン 16:プロセスガス流入ライン 17、18:自動弁
フロントページの続き (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 福永 明 神奈川県藤沢市本藤沢4丁目2番1号 株 式会社荏原総合研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空製造装置と該装置に連通して設けた
    真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処理
    する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前記
    乾式除害装置の入口配管及び/又は出口配管に大気混入
    センサを配備したことを特徴とする真空処理装置。
  2. 【請求項2】 前記大気混入センサは酸素濃度計及び/
    又は水分計であることを特徴とする請求項1記載の真空
    処理装置。
  3. 【請求項3】 前記真空処理装置には、大気混入センサ
    の出力信号により作動する真空製造装置へのプロセスガ
    ス供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス流入機構
    及び排気ガスの乾式除害装置バイパス弁開放機構を備え
    ていることを特徴とする請求項1又は2記載の真空処理
    装置。
JP4200154A 1992-07-06 1992-07-06 真空処理装置 Expired - Fee Related JP2511363B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4200154A JP2511363B2 (ja) 1992-07-06 1992-07-06 真空処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4200154A JP2511363B2 (ja) 1992-07-06 1992-07-06 真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0647269A true JPH0647269A (ja) 1994-02-22
JP2511363B2 JP2511363B2 (ja) 1996-06-26

Family

ID=16419691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4200154A Expired - Fee Related JP2511363B2 (ja) 1992-07-06 1992-07-06 真空処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2511363B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003135952A (ja) * 2001-11-01 2003-05-13 Nec Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2007014909A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 排ガス処理装置
JP2012207888A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Edwards Kk 除害装置
KR20150108327A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 제해 기능을 갖는 진공 펌프
KR20150108328A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 제해 기능을 갖는 진공 펌프
KR20150139514A (ko) * 2013-04-04 2015-12-11 에드워즈 리미티드 진공 펌핑 및 저감 시스템
US11130271B2 (en) 2016-02-19 2021-09-28 Nissei Asb Machine Co., Ltd. Blow molding device and blow molding method
US11472091B2 (en) 2015-10-29 2022-10-18 Nissei Asb Machine Co., Ltd. Two step blow molding unit, apparatus and method
WO2025063147A1 (ja) * 2023-09-20 2025-03-27 大陽日酸株式会社 排ガス除害システム
KR20250111105A (ko) 2022-11-04 2025-07-22 닛세이 에이. 에스. 비 기카이 가부시키가이샤 목이 구부러진 용기의 제조 장치 및 목이 구부러진 용기의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS645639U (ja) * 1987-06-25 1989-01-12
JPH0240492A (ja) * 1988-07-30 1990-02-09 Kobe Steel Ltd 熱間静水圧加圧装置のインターロック装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS645639U (ja) * 1987-06-25 1989-01-12
JPH0240492A (ja) * 1988-07-30 1990-02-09 Kobe Steel Ltd 熱間静水圧加圧装置のインターロック装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003135952A (ja) * 2001-11-01 2003-05-13 Nec Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2007014909A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 排ガス処理装置
JP2012207888A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Edwards Kk 除害装置
KR20150139514A (ko) * 2013-04-04 2015-12-11 에드워즈 리미티드 진공 펌핑 및 저감 시스템
US10300433B2 (en) 2013-04-04 2019-05-28 Edwards Limited Vacuum pumping and abatement system
JP2016514825A (ja) * 2013-04-04 2016-05-23 エドワーズ リミテッド 真空ポンピング・除害システム
KR20150108328A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 제해 기능을 갖는 진공 펌프
JP2015195344A (ja) * 2014-03-17 2015-11-05 株式会社荏原製作所 除害機能付真空ポンプ
JP2015194150A (ja) * 2014-03-17 2015-11-05 株式会社荏原製作所 除害機能付真空ポンプ
KR20150108327A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 제해 기능을 갖는 진공 펌프
US10641256B2 (en) 2014-03-17 2020-05-05 Ebara Corporation Vacuum pump with abatement function
US10641272B2 (en) 2014-03-17 2020-05-05 Ebara Corporation Vacuum pump with abatement function
US11472091B2 (en) 2015-10-29 2022-10-18 Nissei Asb Machine Co., Ltd. Two step blow molding unit, apparatus and method
US11130271B2 (en) 2016-02-19 2021-09-28 Nissei Asb Machine Co., Ltd. Blow molding device and blow molding method
US11731337B2 (en) 2016-02-19 2023-08-22 Nissei Asb Machine Co., Ltd. Blow molding device and blow molding method
KR20250111105A (ko) 2022-11-04 2025-07-22 닛세이 에이. 에스. 비 기카이 가부시키가이샤 목이 구부러진 용기의 제조 장치 및 목이 구부러진 용기의 제조 방법
WO2025063147A1 (ja) * 2023-09-20 2025-03-27 大陽日酸株式会社 排ガス除害システム
JP2025045892A (ja) * 2023-09-20 2025-04-02 大陽日酸株式会社 排ガス除害システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2511363B2 (ja) 1996-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI499450B (zh) 用於處理來自製程之可燃性廢氣的系統及方法
JP2008520435A5 (ja)
JP2511363B2 (ja) 真空処理装置
US5827339A (en) Apparatus for generating chemical-free dry air
KR101929696B1 (ko) 통합형 환기 시스템을 포함하는 이온 주입기
US5635242A (en) Method and apparatus for preventing rupture and contamination of an ultra-clean APCVD reactor during shutdown
JPH07106315B2 (ja) 真空処理装置の運転方法
US5176889A (en) Method and apparatus for treatment of NF3 gas
JPS5998295A (ja) 半導体工場などにおける警報および制御装置
US6949234B2 (en) Wet abatement system for waste SiH4
JP6248360B2 (ja) 排気ガス処理システム
JPH0536673A (ja) 半導体製造装置
JPS62237929A (ja) 三フツ化窒素ガスの処理方法およびその装置
JPH0214606B2 (ja)
JPH10321636A (ja) 固体製造装置
JPH0237103Y2 (ja)
JP2006055824A (ja) 排ガス除害装置及び排ガス除害方法
JPS5998293A (ja) 半導体工場などにおける警報および制御装置
US5401473A (en) Method and apparatus for treatment of NF3 gas
KR900006259B1 (ko) 실리콘계 절연박막형성을 위한 광화학(photo cvd)장치의 진공시스템
JPH0623220A (ja) 乾式除害装置
KR920008039B1 (ko) 급속 열처리장치용 진공시스템
KR920004962B1 (ko) 내화금속박막증착용 반도체장치의 진공배기계
US20180277455A1 (en) Method for optimizing dry absorber efficiency and lifetime in epitaxial applications
JPH0237105Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees