JPH0647269A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH0647269A JPH0647269A JP4200154A JP20015492A JPH0647269A JP H0647269 A JPH0647269 A JP H0647269A JP 4200154 A JP4200154 A JP 4200154A JP 20015492 A JP20015492 A JP 20015492A JP H0647269 A JPH0647269 A JP H0647269A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 12
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 3
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 7
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 7
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000011866 long-term treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 日常運転時の事故を予知して、未然に防止す
ることのできる真空処理装置を提供する。 【構成】 真空製造装置1と該装置に連通して設けた真
空ポンプ2と該真空ポンプで吸引される排気ガスを処理
する乾式除害装置3からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管7に大気混入センサ12を配
備したものであり、前記大気混入センサ12は、酸素濃
度計又は水分計であり、また前記装置には、大気混入セ
ンサの出力信号により作動する真空製造装置へのプロセ
スガス16供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス
流入機構17、18及び排気ガスの乾式除害装置バイパ
ス弁開放機構5を備えるのがよい。
ることのできる真空処理装置を提供する。 【構成】 真空製造装置1と該装置に連通して設けた真
空ポンプ2と該真空ポンプで吸引される排気ガスを処理
する乾式除害装置3からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管7に大気混入センサ12を配
備したものであり、前記大気混入センサ12は、酸素濃
度計又は水分計であり、また前記装置には、大気混入セ
ンサの出力信号により作動する真空製造装置へのプロセ
スガス16供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス
流入機構17、18及び排気ガスの乾式除害装置バイパ
ス弁開放機構5を備えるのがよい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に係り、
特に、ドライエッチング、CVD(化学蒸着)、イオン
注入などの工程に代表される半導体や液晶など精密電子
部品の製造装置(以下、真空製造装置という)の排気処
理を含めた真空処理装置に関する。
特に、ドライエッチング、CVD(化学蒸着)、イオン
注入などの工程に代表される半導体や液晶など精密電子
部品の製造装置(以下、真空製造装置という)の排気処
理を含めた真空処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスの排気系には、ウエ
ハープロセスに供給された未反応ガスや、プロセスであ
らたに生成した数多くのガス成分が含有されている。こ
れらの中には酸素との親和力がきわめて強くて酸素が共
存すると自然発火的に燃焼するガス(SiH4 など)や
水分と反応して腐食性のはげしいハロゲン化水素を発生
するガス(SiF4 ,Cl2 など)が含まれている。こ
のため、排気系に大気が混入すると、大気中の酸素や水
分により発火・爆発、構成材料の腐食を引き起す。
ハープロセスに供給された未反応ガスや、プロセスであ
らたに生成した数多くのガス成分が含有されている。こ
れらの中には酸素との親和力がきわめて強くて酸素が共
存すると自然発火的に燃焼するガス(SiH4 など)や
水分と反応して腐食性のはげしいハロゲン化水素を発生
するガス(SiF4 ,Cl2 など)が含まれている。こ
のため、排気系に大気が混入すると、大気中の酸素や水
分により発火・爆発、構成材料の腐食を引き起す。
【0003】これ迄、これらのガスを取扱う工程では、
定期点検保修時や停電時に装置が停止したときに細心の
注意を払って系内のガスをN2 などの不活性ガスで置換
している。また、万一の事態が発生しないように装置及
び配管・弁の材料に耐久性にすぐれ信頼性の高いものを
採用したり、排ガスを多量の不活性ガスで常時希釈して
排気するなどの方法がとられている。又、真空ポンプ乾
式除害装置をボックス内に収納し、工場内の排気ダクト
に接続して換気することもある。
定期点検保修時や停電時に装置が停止したときに細心の
注意を払って系内のガスをN2 などの不活性ガスで置換
している。また、万一の事態が発生しないように装置及
び配管・弁の材料に耐久性にすぐれ信頼性の高いものを
採用したり、排ガスを多量の不活性ガスで常時希釈して
排気するなどの方法がとられている。又、真空ポンプ乾
式除害装置をボックス内に収納し、工場内の排気ダクト
に接続して換気することもある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の対処では、危険
が予知できる停電時、定期点検保修時には有効である
が、日常の操作中における異常事態の予知あるいは早期
発見は困難であり、特にこれらの有害ガスを長期間にわ
たって処理したことにより、発火・爆発を誘起する恐れ
のある乾式除害装置の除害カラムに対しては万全の対応
ではなかった。本発明は、上記の日常運転時の事故を予
知して、未然に防止することのできる真空処理装置を提
供することを課題とする。
が予知できる停電時、定期点検保修時には有効である
が、日常の操作中における異常事態の予知あるいは早期
発見は困難であり、特にこれらの有害ガスを長期間にわ
たって処理したことにより、発火・爆発を誘起する恐れ
のある乾式除害装置の除害カラムに対しては万全の対応
ではなかった。本発明は、上記の日常運転時の事故を予
知して、未然に防止することのできる真空処理装置を提
供することを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、真空製造装置と該装置に連通して設け
た真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処
理する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管及び/又は出口配管に大気混
入センサを配備したものである。前記大気混入センサと
しては、酸素濃度計及び/又は水分計を用いるのがよ
い。
に、本発明では、真空製造装置と該装置に連通して設け
た真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処
理する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管及び/又は出口配管に大気混
入センサを配備したものである。前記大気混入センサと
しては、酸素濃度計及び/又は水分計を用いるのがよ
い。
【0006】また、前記真空処理装置には、大気混入セ
ンサの出力信号により作動する真空製造装置へのプロセ
スガス供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス流入
機構及び排気ガスの乾式除害装置バイパス弁開放機構を
備えるのがよく、それにより大気混入センサにより異常
を検知した際に直に対応することができる。
ンサの出力信号により作動する真空製造装置へのプロセ
スガス供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス流入
機構及び排気ガスの乾式除害装置バイパス弁開放機構を
備えるのがよく、それにより大気混入センサにより異常
を検知した際に直に対応することができる。
【0007】
【作用】正常な運転がなされている限りにおいては、プ
ロセスガス流量や半導体製造装置の操作条件は非常に厳
密にコントロールされているので、真空ポンプで排気さ
れるガスの組成や各成分の濃度、ガス流量の変動は非常
に少い。例えば、ポリシリコンの成膜工程から排出され
る排ガスの一例を以下に示す。 SiH4 380ppm H2 3200ppm これは、希釈酸素が80リットル/minの場合である
が、それが低下すると爆発範囲に入るし、その際に空気
の混入があって酸素濃度があがれば自然発火も起こり得
る。
ロセスガス流量や半導体製造装置の操作条件は非常に厳
密にコントロールされているので、真空ポンプで排気さ
れるガスの組成や各成分の濃度、ガス流量の変動は非常
に少い。例えば、ポリシリコンの成膜工程から排出され
る排ガスの一例を以下に示す。 SiH4 380ppm H2 3200ppm これは、希釈酸素が80リットル/minの場合である
が、それが低下すると爆発範囲に入るし、その際に空気
の混入があって酸素濃度があがれば自然発火も起こり得
る。
【0008】また、アルミエッチングで多用されるBC
l3 のような加水分解性ガスを処理した乾式除害装置で
は、その除害原理によらずガス流入部にそれらのガスが
滞留しており、大気が混入するとその水分と反応して発
熱するだけでなくB(OH)3 のような固形物を生成し
閉塞の原因となると同時に発生するHClにより接ガス
部が激しく腐食し配管にピンホールをあけ有毒ガスの漏
えいにつながる。このように酸素分圧や水分の変化をセ
ンサで検知して、通常希釈用N2 ガス量の低下、大気の
混入などの異常事態を予知することは大災害を未然に防
止する上できわめて有効な手段である。
l3 のような加水分解性ガスを処理した乾式除害装置で
は、その除害原理によらずガス流入部にそれらのガスが
滞留しており、大気が混入するとその水分と反応して発
熱するだけでなくB(OH)3 のような固形物を生成し
閉塞の原因となると同時に発生するHClにより接ガス
部が激しく腐食し配管にピンホールをあけ有毒ガスの漏
えいにつながる。このように酸素分圧や水分の変化をセ
ンサで検知して、通常希釈用N2 ガス量の低下、大気の
混入などの異常事態を予知することは大災害を未然に防
止する上できわめて有効な手段である。
【0009】酸素分圧が上昇しうるケースとしては 半導体製造装置の操作ミス又は故障による大気混入 半導体製造装置の操作ミス又は故障による通常希釈
用N2 の低下 半導体製造装置〜乾式除害装置の配管(真空ポンプ
本体を含む)の不具合、例えば配管が腐食されることに
より、腐食孔(ピンホール)からの大気混入 などの原因があげられる。本発明によれば、このような
大気の混入を迅速に検知でき、万一混入するとセンサか
らの異常信号の出力によって、プロセスガスの供給停
止、希釈用N2 ガスの流入、乾式除害装置バイパス弁開
放等により直ちに対応でき、発火・爆発等の事故を予防
できる。
用N2 の低下 半導体製造装置〜乾式除害装置の配管(真空ポンプ
本体を含む)の不具合、例えば配管が腐食されることに
より、腐食孔(ピンホール)からの大気混入 などの原因があげられる。本発明によれば、このような
大気の混入を迅速に検知でき、万一混入するとセンサか
らの異常信号の出力によって、プロセスガスの供給停
止、希釈用N2 ガスの流入、乾式除害装置バイパス弁開
放等により直ちに対応でき、発火・爆発等の事故を予防
できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 図1は、本発明の真空処理装置の概略を示す系統図であ
る。図において、半導体製造装置1は真空ポンプ2によ
って真空が保持され、プロセスガスが16から流入され
ている。真空ポンプ2では排気ガスが6から吸引され、
通常希釈ライン15からのN2 ガスによって希釈され
て、排気ガスライン7から排出される。そして、排気ガ
スライン7からの排気ガスは、乾式除害装置3に流入し
て、除害剤が充填されたカラム4内で有害ガスを除去し
て排気ガスライン8から排気ダクトに排出される。乾式
除害装置3内には、充填カラム4をバイパスするバイパ
ス弁5を有するバイパス通路を設けて、排気ガスライン
7からの排気ガスを直接排気ガスライン8に排出させる
ことができるようにしてもよい。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 図1は、本発明の真空処理装置の概略を示す系統図であ
る。図において、半導体製造装置1は真空ポンプ2によ
って真空が保持され、プロセスガスが16から流入され
ている。真空ポンプ2では排気ガスが6から吸引され、
通常希釈ライン15からのN2 ガスによって希釈され
て、排気ガスライン7から排出される。そして、排気ガ
スライン7からの排気ガスは、乾式除害装置3に流入し
て、除害剤が充填されたカラム4内で有害ガスを除去し
て排気ガスライン8から排気ダクトに排出される。乾式
除害装置3内には、充填カラム4をバイパスするバイパ
ス弁5を有するバイパス通路を設けて、排気ガスライン
7からの排気ガスを直接排気ガスライン8に排出させる
ことができるようにしてもよい。
【0011】上記のような半導体製造装置を含む真空処
理装置において、本発明では、真空ポンプ2からの排気
ガスライン7に排気ガス分岐配管13を取り付けてその
配管13に水分計又は酸素濃度計12が接続されてい
る。そして、この水分計又は酸素濃度計12の信号を半
導体製造装置1内に設けたコントロールボックス14に
送り、送られた信号が異常を示した場合は、コントロー
ルボックス14からの指令により、プロセスガス流入ラ
イン16に設けた自動弁を閉止し、N2 ガス希釈ライン
15に設けた自動弁17及び18を開とし、また、排気
ガス乾式除害装置3をバイパスする通路に設けたバイパ
ス弁5を開放することのできる機構としている。
理装置において、本発明では、真空ポンプ2からの排気
ガスライン7に排気ガス分岐配管13を取り付けてその
配管13に水分計又は酸素濃度計12が接続されてい
る。そして、この水分計又は酸素濃度計12の信号を半
導体製造装置1内に設けたコントロールボックス14に
送り、送られた信号が異常を示した場合は、コントロー
ルボックス14からの指令により、プロセスガス流入ラ
イン16に設けた自動弁を閉止し、N2 ガス希釈ライン
15に設けた自動弁17及び18を開とし、また、排気
ガス乾式除害装置3をバイパスする通路に設けたバイパ
ス弁5を開放することのできる機構としている。
【0012】なお、上記図1において、9は真空ポンプ
ボックスの換気ダクトであり、10は除害装置ボックス
の換気ダクトであり、11は集合主ダクトである。ま
た、大気混入センサは入口配管でなく、出口配管あるい
は入口と出口配管の両方に設けてもよい。
ボックスの換気ダクトであり、10は除害装置ボックス
の換気ダクトであり、11は集合主ダクトである。ま
た、大気混入センサは入口配管でなく、出口配管あるい
は入口と出口配管の両方に設けてもよい。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、排気系の大気の混入又
は希釈用N2 ガスの設定異常を酸素濃度計又は水分計で
早期に検知することによって、発火・爆発などの危険を
未然に防止することができ、より安全な運転が確保され
る。
は希釈用N2 ガスの設定異常を酸素濃度計又は水分計で
早期に検知することによって、発火・爆発などの危険を
未然に防止することができ、より安全な運転が確保され
る。
【図1】本発明の真空処理装置の概略を示す系統図。
1:半導体製造装置 2:真空ポンプ 3:乾式除害装置 4:除害剤充填カラム 5:バイパス弁 6、7、8:排ガス排気ライン 9:真空ポンプ収納ボックスの換気ダクト 10:乾式除害装置収納ボックスの換気ダクト 11:集合主ダクト 12:大気混入センサ 13:大気混入センサへの排ガス分岐配管 14:コントロールボックス 15:N2 ガス希釈ライン 16:プロセスガス流入ライン 17、18:自動弁
フロントページの続き (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 福永 明 神奈川県藤沢市本藤沢4丁目2番1号 株 式会社荏原総合研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 真空製造装置と該装置に連通して設けた
真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処理
する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前記
乾式除害装置の入口配管及び/又は出口配管に大気混入
センサを配備したことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項2】 前記大気混入センサは酸素濃度計及び/
又は水分計であることを特徴とする請求項1記載の真空
処理装置。 - 【請求項3】 前記真空処理装置には、大気混入センサ
の出力信号により作動する真空製造装置へのプロセスガ
ス供給停止機構、吸引ガスへの希釈用N2 ガス流入機構
及び排気ガスの乾式除害装置バイパス弁開放機構を備え
ていることを特徴とする請求項1又は2記載の真空処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200154A JP2511363B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200154A JP2511363B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0647269A true JPH0647269A (ja) | 1994-02-22 |
| JP2511363B2 JP2511363B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=16419691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4200154A Expired - Fee Related JP2511363B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511363B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003135952A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-13 | Nec Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2007014909A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 排ガス処理装置 |
| JP2012207888A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Edwards Kk | 除害装置 |
| KR20150108327A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 제해 기능을 갖는 진공 펌프 |
| KR20150108328A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 제해 기능을 갖는 진공 펌프 |
| KR20150139514A (ko) * | 2013-04-04 | 2015-12-11 | 에드워즈 리미티드 | 진공 펌핑 및 저감 시스템 |
| US11130271B2 (en) | 2016-02-19 | 2021-09-28 | Nissei Asb Machine Co., Ltd. | Blow molding device and blow molding method |
| US11472091B2 (en) | 2015-10-29 | 2022-10-18 | Nissei Asb Machine Co., Ltd. | Two step blow molding unit, apparatus and method |
| WO2025063147A1 (ja) * | 2023-09-20 | 2025-03-27 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス除害システム |
| KR20250111105A (ko) | 2022-11-04 | 2025-07-22 | 닛세이 에이. 에스. 비 기카이 가부시키가이샤 | 목이 구부러진 용기의 제조 장치 및 목이 구부러진 용기의 제조 방법 |
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| JPS645639U (ja) * | 1987-06-25 | 1989-01-12 | ||
| JPH0240492A (ja) * | 1988-07-30 | 1990-02-09 | Kobe Steel Ltd | 熱間静水圧加圧装置のインターロック装置 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4200154A patent/JP2511363B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2511363B2 (ja) | 1996-06-26 |
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