JPH0648703B2

JPH0648703B2 - 電子デバイスの試験方法およびその試験装置

Info

Publication number: JPH0648703B2
Application number: JP60129937A
Authority: JP
Inventors: 正浩 ▲吉▼沢; 章菊池; 康和田; 明平藤波; 信生島津
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1985-06-17
Filing date: 1985-06-17
Publication date: 1994-06-22
Anticipated expiration: 2009-06-22
Also published as: JPS61288437A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ＶＬＳＩなどの電子デバイスの特性評価ある
いは障害検出を荷電ビームにより非接触で行うための試
験方法および試験装置に関するものである。特に、ＭＯ
Ｓキャパシタのゲートリークの値や，ｐｎ接合の接合リ
ークの値，ＭＯＳキャパシタの容量等を測定する試験方
法，試験装置に関するものである。

〔従来の技術〕

ＶＬＳＩなどの微細な電子デバイスの実現には、各製造
段階の途中で電子デバイスの試験を行う試験装置および
試験方法の開発が不可欠である。従来の電子デバイス
（ウェハ等）の電気的特性試験には、機械的探針法等に
よる接触式の試験装置が用いられていた。この種の試験
装置は、特に空間分解能の点からサブミクロン領域への
適応は不可能であった。これに対処するため、電子ビー
ムを用いた電子ビームテスタが用いられようになってき
た。上記の電子ビームテスタとしては、たとえば、「Ｉ
Ｃ用電子ビーム試験技術」，スキャニング・エレクトロ
ン・マイクロスコピイ，1981，第１巻，305頁（「ELECT
RON BEAM TEST TECHNIQUES FOR INTEGRATED CIRCUIT
S」，Scanning Electron Microscopy,1981,vol.1,p.30
5）に記載されているものがある。第９図(a)は電位コン
トラストの測定，第９図(b)は電位信号波形の測定を行
うための装置構成を示した図である。

第９図(a)において、１は電子銃、２はレンズ、３は電
子ビームの照射点を定めるためのスキャンコイル、４は
スキャンコイル３に電流を供給するためのスキャン・ゼ
ネレータ、５は二次電子ＳＥを検出するための検出器、
６は検出器５の出力信号を増幅する増幅器、７は試験対
象ＩＣを駆動するためのＩＣドライブ・ユニット、８は
モニタ用ＴＶである。

また第９図(b)において、９はチョッパ、１０はチョッ
パ９にパルスを供給するパルス・ゼネレータ、１１は信
号移相を行うフェーズ・シフタ、１２は信号を遅延させ
るディレイ・ユニット、１３は二次電子スペクトロ・メ
ータ、１４はリニアライゼーション・ユニット、１５は
オシロスコープ・プロッタである。第９図(b)において
第９図(a)と同一部分又は相当部分には同一符号が付し
てある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第９図(a),(b)に示す装置は、ＩＣパッケージに封じら
れた電子デバイスへ外部端子から接触式手段によりテス
ト信号を入力しており、検出手段としてのみ電子ビーム
を使用する装置構成である。従って、完成品の機能検査
等に用いられ、製造途中での試験には用いられていなか
った。また、電子ビームを電圧コントラストの像の表示
またはある点の電位の時間変化を観察するためのプロー
ブとして用いており、電圧の供給源としての電子ビーム
の使い方がなされていなかった。

また特開昭５７−１９６５４０号公報あるいは特公昭４
５−８８２０号公報にあるように、電子ビームを電子デ
バイスの一部に照射し、その場所もしくは他の場所の二
次電子をエネルギーアナライザ等を用いて測定してゲー
トリーク，金属配線の断線の有無を評価する試験装置や
方法が提案されている。しかし、この方法では、荷電ビ
ームの照射位置の電位は時間とともに増減し一定に保た
れないので、定量的な特性試験は行えないという問題が
あった。

〔問題点を解決するための手段〕

このような問題点を解決するために本発明は、一次荷電
ビームを電子デバイスの所定の位置に照射する照射手段
と、照射された部分から発生した二次電子を検出する検
出手段と、この二次電子の検出量が一定になるように一
次荷電ビームを制御する制御手段と、電子デバイスの照
射点の電位を測定する電位測定手段と、電子デバイスの
基板に流れる基板電流を測定する電流測定手段とを備え
た試験装置を用いる電子デバイスの試験方法において、
電子デバイスの照射点の電位と基板電流の関係により電
子デバイスの良否を判定するようにしたものである。

〔作用〕

本発明に係る試験装置においては、一次荷電ビームを電
子デバイスの所定の位置に照射する照射手段を加えて、
上記電子デバイスの照射点から発生した二次電子の検出
量が一定になるように一次荷電ビームのビーム電流ある
いは一次パルスビームのオン・オフ比を制御する制御手
段を有することにより、従来は外部端子から行っていた
電圧供給を非接触で行うことができる。さらに、この照
射点の電位とともに基板電流も同時に測定できる。

また本発明の係る試験方法においては、電位とともに基
板電流を同時に測定し、基板電流−電位特性からデバイ
スの試験を行っているので、基板電流と電位の両者の値
を用いてゲートリーク，ジャンクションリーク，容量測
定といったデバイスの定量的な測定が行える。

〔実施例〕

第１図は本発明に係わる電子デバイスの試験装置の一実
施例を示す構成図である。荷電ビーム発生源21より発生
した荷電ビーム22は加速源23により加速されて試料台35
の上の電子デバイス34に照射される。24はアライナ、25
はアライナ電源、26はレンズ、27は制御手段としてのレ
ンズ電源、28はブランカ、29はブランキング電源、30は
照射手段としての偏向器、31は偏向電源、32は対物レン
ズ、33は対物レンズ電源である。一次荷電ビームは偏向
器30で電子デバイス34の所定の位置に照射されるように
偏向されるとともに、対物レンズ32で焦点調整がなされ
る。36は電子デバイス34の電位を測定するためのエネル
ギー分析器、37は電子デバイス34から放出された二次電
子を検出して荷電ビーム22の照射位置を求めるための検
出手段としての二次電子検出器である。38は電子デバイ
ス34の電位を測定するための電位測定手段としての電位
測定回路であり、その出力が電位に対応する。39は基板
電流を測定する電流測定手段としての電流計である。エ
ネルギー分析器36および電位測定回路38については、例
えば、「定量的電位測定のための二次電子検出システ
ム」，スキャニング，1983，第５巻，151頁（「Seconda
ry Electron Detection Systems for Quantitative Vol
tage Measurements」,SCANNING,1983,vol,5.p.151）に記
載されているものがある。電位測定回路38の出力と電流
計39の出力は、表示装置40に入力され、表示装置40は基
板電流−電位特性を表示する。また、電位測定回路38の
出力は電位をある値に固定するために、一次荷電ビーム
のビーム電流を制御するレンズ電源27に入力されてい
る。ここで、電位を負に固定する場合には、二次電子放
出比δが１より小さい加速電圧の負に帯電した荷電ビー
ム（電子ビーム）を用い、電位を正に固定する場合に
は、二次電子放出比δが１より大きい加速電圧の電子ビ
ームもしくは正に帯電した荷電ビームを用いればよい。
この装置では、二次電子放出量が一定になるように、す
なわち、電位が一定になるようにレンズ電源27を調整し
てビーム電流を変化させている。正に帯電させる場合に
は、荷電ビーム22を照射していくと、電位は上昇してい
く。ここで、固定したい電位まで上昇したところでビー
ム電流を減少させて電位が一定になるように調整する。
電位が固定された状態で基板電流もしくはビーム電流を
測定することにより、ゲートリーク，ジャンクションリ
ークの測定が行える。ビーム電流の測定は、ファラデー
カップを用いて行うことができる。あるいは、特願昭60
-48069に示すように、二次電子検出電極，二次電子抑制
電極を設けて、この両者および試料台35に流れる基板電
流の和から求めることができる。後者の方が、ビーム電
流の測定を行う際に試料台35の位置合わせをその都度行
う必要がないので便利である。

第２図は第２の実施例を示す構成図である。41は基板電
流の時間微分を求める微分回路、42は電位の時間微分を
求める微分回路である。この第２の実施例は、電流計39
から出力される基板電流または微分回路41から出力され
る基板電流の時間微分と電位測定回路38から出力される
電位または微分回路42から出力される電位の時間微分と
の比を除算器43で求めて表示装置40に表示する構成であ
る。試験結果の表示のための構成以外は第１図の構成と
同じである。第２図の構成では、基板電流，電位の時間
変化を微分回路41,42で検出し、基板電流またはその微
分信号と電位またはその時間微分とをスイッチS1,S2で
切り替えて選択し、その比を除算器43で求める。この除
算器43の出力の大小に応じて電子デバイス34の良否判定
を行う。除算器43のあとに差動アンプをおき、除算器43
の出力と基準値を比較して、この基準値よりも大きいか
どうかで電子デバイス34の良否判定を行うこともでき
る。スイッチS1,S2の切り替えは、測定項目に応じて選
択し、たとえば、リークの測定ならば、電位と基板電流
の比またはこの両者の微分の比、さらには、電位を固定
した場合のリークは、電位と基板電流もしくはその微分
との比により電子デバイス34の良否判定を行うことがで
きる。容量測定を行う場合には基板電流と電位の時間微
分との比を求めるようにすればよい。また、これらの値
の時間変化，電位依存性を測定することもできる。な
お、微分回路41,42を用いているが、電位測定回路38，
電流計39の出力を計算機に入力し、微分計算を行う構成
でもよい。

次にこの試験装置の動作原理について説明する。一次荷
電ビームとして電子ビームを照射した場合の二次電子放
出比δは試料の材質により数百ボルトから三千ボルト程
度までの何れかの加速電圧でピークを持ち、それ以上の
領域では、加速電圧の増加と共に減少する。このとき加
速電圧の大きさによって二次電子放出比δは１よりも大
きくなったり小さくなったりする。この電子ビームをＭ
ＯＳキャパシタの金属電極に照射すると、δ＞１の加速
電圧ならば電子デバイスの電極は正に帯電し、δ＜１な
らば負に帯電する。このため、電極が外部配線につなが
っていない場合には、時間とともに電極の電位は変化す
る。

第３図はＭＯＳキャパシタに電子ビームをビーム電流一
定で照射した場合の電位、基板電流の時間変化の実測例
である。半導体基板はシリコン、絶縁膜は厚さ1200Åの
シリコン酸化膜であり、電極は500μm角のポリシリコン
である。加速電圧は３ｋＶであり、δ＜１で負に帯電す
る場合を示している。時間とともに電位は負の方に変化
している。その変化の仕方は指数関数的であり、初めは
変化量が大きく、徐々に変化量は減少し、飽和してい
る。これに対して基板電流の変化量は初め大きく徐々に
減少しているが、基板電流自体は、正常なＭＯＳキャパ
シタでは、あるピーク値に達した後に零に減少する。ゲ
ートリークの多いＭＯＳキャパシタでは基板電流は零に
は減少しない。なお、ＭＯＳキャパシタの電極を正に帯
電させるには、、δ＞１となる加速電圧で電子ビームを
照射するか、正に帯電したイオンビームを照射するかす
ればよい。

第４図は半導体基板中に形成されたウェル（we11）領域
のｐｎ接合に電子ビームを照射した場合の接合間の電圧
と基板電流の関係の実測例を示した特性図である。ここ
では、半導体基板はｎ型シリコン、ウェル領域はｐ型で
ある。加速電圧は４ｋＶ、ビーム電流は200pAである。
接合間の電圧および基板電流は時間とともに増加し飽和
する。実線は電子ビームを用いた測定による基板電流−
接合間の電圧の測定結果であり、破線が通常の機械的探
針法を用いて測定した結果である。実線の場合では電子
ビームの電流値を一定として測定しているのに対し、破
線の場合には電極に加える電圧を一定として測定してい
る。このため、電圧を供給するか電流を供給するかの違
いによって、電流を供給する本試験装置の方が基板電流
が大きく測定されている。しかし、機械的探針法におい
ても電流源を接続して同様の測定を行うと、実線のよう
な基板電流−電圧特性がえられる。第４図において、47
はリークが大きく不良である電子デバイスの基板電流−
電圧特性曲線、48,49は良品の電子デバイスの基板電流
−電圧特性曲線である。不良の電子デバイスでは途中か
ら電位はほとんど上昇せずに基板電流が急激に上昇す
る。これに対して良品の電子デバイスでは、基板電流は
飽和するかピークをもった後に減少する。

次に本発明に係わる電子デバイスの試験方法の一実施例
を第１図，第２図を用いて説明する。電子デバイス34上
の所定の位置に電子ビーム22を照射する。電子ビーム22
の照射にともなって電子デバイス34の電位および基板電
流が時間と共に変化する。この変化をエネルギー分析器
36および電位測定回路38により電位を測定し、電流計39
により基板電流を測定し、基板電流−電位特性を表示装
置40に表示する。あるいは、電位がある値に固定される
ようにビーム電流を制御し、その時の基板電流を測定す
る。この固定する電位を変化させて測定を繰り返し、そ
の結果を基板電流−電位特性として表示装置40に表示す
る。電子デバイス34の良否のみを判定する時には、固定
する電位は１つにして測定してもよい。すなわち、第４
図に示すように、リークの大小によって電位が同じでも
基板電流が異なる。前述したように、第４図で実線は電
子ビームを用いた測定による基板電流−接合間の電圧の
測定結果、破線が通常の機械的探針法を用いて測定した
結果である。例えば、電位が２Ｖのところの基板電流
は、良デバイスの曲線48,49では60〜80pAであるのに対
して、不良デバイスの曲線47では、ビーム電流とほぼ同
じ200pAになっている。この図は、ビーム電流を一定に
して測定を行った場合であるが、電位を固定する場合に
は、破線の機械的探針法とほぼ同じ基板電流になり、良
デバイスの曲線48,49では20pA以下、不良デバイスの曲
線47では、ビームデバイスとほぼ同じ200pA程度にな
る。固定する電位を高くしようとすると、不良デバイス
の曲線47では、電位がそこまで上昇しなくなる。このこ
とからも電子デバイスの試験を行うことができる。

第３図，第４図から明らかなように、基板電流が少ない
方がリークが小さい。従って、リークの大小によって電
子デバイスの良否を判定する場合には、基板電流あるい
はその時間微分の時間変化を測定すればよいが、基板電
流が飽和するかどうかがわかるまでには時間がかかる。
そのために、電位も測定し、電位あるいはその時間微分
との比を用いて試験する方が、速く、しかもビーム電流
の大きさによる違いも反映しており、正確に電子デバイ
スの良否の判定を行うことができる。ビーム電流を一定
にした場合には、基板電流Ｉの時間微分（dI/dt）と電
位の時間微分（dV/dt）の比dI/dVまたはＩ／Ｖの値があ
る値よりも大きいか小さいかで良否を判定すればよい。
すなわち、正常なｐｎ接合あるいはＭＯＳキャパシタで
は、時間とともに基板電流は飽和し、これらの値は小さ
くなる。しかし、リークが大きいと基板電流は飽和しな
いで、これらの値は大きくなる。また、電位をある値に
固定する場合には、基板電流またはその時間微分と電位
の比，Ｉ／Ｖまたは（dI/dt）/Vの値が正常ならば小さ
く、リークが大きいとこれらの値は大きくなる。従っ
て、これらの大小でリークの良否の判定ができる。第４
図に示すように、実線の電子ビームを用いた測定結果
は、電位が高くなるとともに、すなわち、照射時間の経
過とともに破線の機械的探針法を用いて電圧を供給した
測定結果に漸近している。従って、この基板電流−電位
特性から接合リークの大小だけでなく接合リークの値が
定量的に測定できる。例えば、ビーム電流を変えて、飽
和するときの基板電流と電位を測定していけば、機械的
探針法と同様の基板電流−電圧特性が得られる。ゲート
リーク，接合リークの測定では、ビーム電流を同じにし
て基板電流−電圧特性を測定するが、電位の時間微分
（dV/dt）あるいは基板電流の時間微分（dI/dt）を測定
することにより、または、ある電位に固定するのに必要
なビーム電流を測定することにより、ウェハ間，チップ
間の比較を定量的に行うこともできる。

第５図は本発明に係わる電子デバイスの試験装置の第３
の実施例を示す構成図である。一次荷電ビーム22は、ブ
ランカ28，ブランキング電源29，ブランキングアパーチ
ャー44を用いて、パルス制御回路45からの信号によりチ
ョッピングしてパルスビームにしている。この装置で
は、二次電子信号量の各パルス毎の同位相の信号を比較
して、この値が一定になるように、電位測定回路38の出
力をパルス制御回路45にフィードパックし、パルスビー
ムのオン・オフ比を変える構成になっている。他の装置
構成については、第１図あるいは第２図に示したものと
同じである。オン・オフ比を変える方法には、パルスビ
ームのオン状態のパルス幅を一定にしてパルスの周波数
を変化させる方法と周波数を一定にしてオン状態のパル
スの幅を変化させる方法とがあり、どちらを用いてもよ
い。この構成により、パルスビームの場合にも電位を一
定に保つことができる。

第６図は、第５図の構成の装置で電位を一定に保つこと
ができることを示すための波形図である。第６図(a)〜
(c)は、周波数を一定にしてパルスビームのオン状態の
パルス幅を変化させた時の電位の変化を示している。波
形52,54,56,58はビーム電流の時間変化、51,53,55,57は
電位の時間変化を示している。ここでは正に帯電する場
合を例にしている。すなわち、一次荷電ビームとして
は、負に帯電したビームを二次電子放出比δが１より大
きい加速電圧で、、もしくは正に帯電したビームで照射
する場合である。電子デバイス34にパルスビーム22を照
射すると、パルスビーム22がオン状態の時は電位が上昇
し、オフ状態の時は電位が下降する。オフ状態が短い
と、前に照射されたパルスの電荷が十分に放電されない
うちに次のパルスが照射されるために、第６図(a)に示
すように電位はパルス毎に上昇する。これに対して、オ
フ状態が長いと、前に照射されたパルスの電荷は放電さ
れて、第６図(b)に示すように電位の変化は少なくな
り、電位はパルス毎に減少するか零になる。しかし、こ
の電位を一定にするパルスビーム22のオン・オフ比は照
射部分の容量，ゲートリークの大小により変化するため
に、予めオン・オフ比を設定することができない。この
ために、二次電子放出量δから電位を検出してパルスビ
ーム22のオン・オフ比を調整することにより、第６図
(c)に示すように電位はピークが一定な三角波形にする
ことができる。周波数が高い場合には、第６図(d)に示
すように電位はほぼ一定になる。この装置構成では、電
位を固定させる場合、ゲートリークが大きいと電荷が蓄
積されないため、ゲートリークの少ない電子デバイスに
比較してパルスビーム22のオン状態を長くする必要があ
る。従って、電位をある値に固定するパルスビームのオ
ン・オフ比をモニタすることでゲートリークの大小を識
別することができる。

第７図は本発明に係わる電子デバイスの試験方法の一実
施例を説明するためのフローチャートである。ここで
は、基板電流および電位を測定し、上記測定データを計
算機に入力し、計算処理により電子デバイスの良否判
定、容量測定を行っている。

まずステップ61においてビームの位置合わせを行う。そ
の後、ステップ62に示すように、ビーム照射を開始し、
これを合わせてタイマをスタートする。

次にステップ63において、時間・基板電流・電位をステ
ップ64に示すある時間間隔ごとに測定し、計算機のメモ
リに記憶する。この時の時間間隔は一定でもよいが、第
３図に示すように荷電ビーム照射直後は電位・基板電流
の時間変化が大きいので、初めは時間間隔を短くし、電
位が飽和してきたら時間間隔を長くするようにした方が
効率的である。

ステップ65において電位が飽和してきたらステップ66に
移行する。ステップ66において基板電流Ｉが飽和してい
るか否かを判断し、飽和している場合はステップ67、飽
和していない場合はステップ71へ移行する。

ステップ67においては一次荷電ビームの照射，タイマを
停止し、ステップ68へ移行する。

電位が飽和しても基板電流Ｉが飽和しない場合はリーク
が多い場合であるので、ステップ71で一次荷電ビームの
照射とタイマ作動を停止し、次にステップ72に示すよう
に、容量の測定は行わず、ゲートリーク大と決定する。

容量を測定する場合には、まず、第３図に示すような電
位，基板電流の時間変化を測定し、ステップ68におい
て、基板電流Ｉの時間積分から電荷量Ｑの時間変化を次
式により求める。

次にステップ69に示すように、容量ＣをＣ(t)＝(dQ/dt)
/(dV/dt)あるいはＣ(t)＝dQ/dVにより求める。ここでビ
ーム電流が一定の場合には、Ｃ(t)＝I/(dV/dt)により容
量を求めてもよい。

次にステップ70に示すように、この容量ＣあるいはＣ−
Ｖプロットを表示し、また、これらの値をフロッピイ・
ディスク（ＦＤ）（図示せず）に記憶する。

第８図はこの方法によって測定したＣ−Ｖプロットの実
施例である。測定に用いた電子デバイスは、ｎ型シリコ
ン基板上の1200Åの酸化膜の上に形成したポリシリコン
ゲートのＭＯＳキャパシタであり、ゲート金属は500μ
ｍ角である。実線80はこの方法を用いた電子ビームによ
る測定結果、破線90は機械的探針法を用いたクサイ・ス
タティック（qusi-static）C-V測定の結果である。この
測定は、第３図に示したような電位，基板電流の時間変
化から求めている。この場合、照射時間とともに電位は
零からずれていく。従って、実線80のＣ−Ｖプロット
も、照射時間の増加にともなってゲート電圧が零からず
れていくようにプロットされる。ビーム照射直後は電子
ビームを用いた方法の方が容量が急激に変化しており、
２つの実験結果はあまり一致していないが、電位が飽和
する領域では両者の絶対値はよく一致している。従っ
て、電位が飽和した領域で容量の絶対値の測定ができ
る。また、電位が飽和していない領域では、容量の増加
の割合・立ち上がりからＭＯＳキャパシタのフラットバ
ンド電圧（Ｖ_ＦＢ）の異常等が検出できる。

ここでは、ビーム照射開始後に電位，基板電流の時間変
化を測定して容量を求めているが、電位をある値に固定
させた後にビーム照射条件を変えて、電位，基板電流の
時間変化を測定して容量を求めてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、一次荷電ビームを電子デ
バイスの所定の位置に照射する照射手段と、照射された
部分から発生した二次電子を検出する検出手段と、この
二次電子の検出量が一定になるように一次荷電ビームを
制御する制御手段と、電子デバイスの照射点の電位を測
定する電位測定手段と、電子デバイスの基板に流れる基
板電流を測定する電流測定手段とを備えた試験装置を用
いる電子デバイスの試験方法において、電子デバイスの
照射点の電位と基板電流の関係により電子デバイスの良
否を判定するようにしたので、非接触で微細な電子デバ
イス上の所定の位置の電位を設定でき、リークの値，容
量およびその電圧依存性、トランジスタの閾値電圧等の
定量的な測定、電子デバイスの検査を製造途中で行うこ
とができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる電子デバイスの試験装置の一実
施例を示す構成図、第２図は第２の実施例を示す構成
図、第３図はＭＯＳキャパシタに荷電ビームを照射した
場合の電極の電位と基板電流の時間変化の実測例を示す
特性図、第４図は半導体基板中に形成されたウェル領域
のｐｎ接合に荷電ビームを照射した場合の電極の電位と
基板電流の時間変化の実測例を示す特性図、第５図は本
発明に係わる電子デバイスの試験装置の第３の実施例を
示す構成図、第６図は電位を第５図の装置で固定する原
理を説明するための波形図、第７図は本発明に係わる電
子デバイスの試験方法の一実施例を説明するためのフロ
ーチャート、第８図はこの方法により測定したＭＯＳキ
ャパシタの容量の測定例（Ｃ−Ｖプロット）を示す特性
図、第９図は従来の電子デバイスの試験装置を示す構成
図である。 21……荷電ビーム発生源、22……荷電ビーム、23……加
速源、24……アライナ、25……アライナ電源、26……レ
ンズ、27……レンズ電源、28……ブランカ、29……ブラ
ンキング電源、30……偏向器、31……偏向電源、32……
対物レンズ、33……対物レンズ電源、34……電子デバイ
ス、35……試料台、36……エネルギー分析器、37……二
次電子検出器、38……電位測定回路、39……電流計、40
……表示装置。

フロントページの続き (72)発明者藤波明平神奈川県厚木市森の里若宮３番１号日本電信電話株式会社厚木電気通信研究所内 (72)発明者島津信生神奈川県厚木市森の里若宮３番１号日本電信電話株式会社厚木電気通信研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一次荷電ビームを電子デバイスの所定の位
置に照射する照射手段と、照射された部分から発生した
二次電子を検出する検出手段と、前記二次電子の検出量
が一定になるように前記一次荷電ビームを制御する制御
手段と、前記電子デバイスの照射点の電位を測定する電
位測定手段と、電子デバイスの基板に流れる基板電流を
測定する電流測定手段とを備えた試験装置を用いる電子
デバイスの試験方法において、前記電子デバイスの照射
点の電位と基板電流の関係により電子デバイスの良否を
判定する電子デバイスの試験方法。
【請求項２】電子デバイスの照射点の電位と基板電流の
関係は、前記照射点の電位に対する基板電流の変化であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子デ
バイスの試験方法。
【請求項３】電子デバイスの照射点の電位と基板電流の
関係は、前記基板電流の積分から求められた電荷量の照
射点の電位に対する微分すなわち電荷量の時間微分と電
位の時間微分との比であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電子デバイスの試験方法。
【請求項４】電子デバイスの照射点の電位と基板電流の
関係は、前記基板電流と電位の時間微分の比であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子デバイス
の試験方法。
【請求項５】一次荷電ビームを電子デバイスの所定の位
置に照射する照射手段と、照射された部分から発生した
二次電子を検出する検出手段と、前記二次電子の検出量
が一定になるように前記一次荷電ビームを制御する制御
手段と、前記電子デバイスの照射点の電位を測定する電
位測定手段と、電子デバイスの基板に流れる基板電流を
測定する電流測定手段とを備えたことを特徴とする電子
デバイスの試験装置。