JPH0648860Y2 - 半導体ウエハ用治具 - Google Patents
半導体ウエハ用治具Info
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- JPH0648860Y2 JPH0648860Y2 JP7933785U JP7933785U JPH0648860Y2 JP H0648860 Y2 JPH0648860 Y2 JP H0648860Y2 JP 7933785 U JP7933785 U JP 7933785U JP 7933785 U JP7933785 U JP 7933785U JP H0648860 Y2 JPH0648860 Y2 JP H0648860Y2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は半導体素子の製造に用いられる炭化珪素（以下
SiCという）を素材とした半導体ウエハ用治具に関する
ものである。
SiCという）を素材とした半導体ウエハ用治具に関する
ものである。
（従来の技術） 炭素粉と珪石粉を焼結して得られるSiCは多孔質であ
り、高強度で熱伝導性が良いという利点を有している。
このため、SiCは、半導体Siウエハの酸化や拡散工程に
おける治具、例えば半導体ウエハボート等として使用さ
れている。（なお、従来のセラミック多孔質体はα型Si
Cと呼ばれ、その気孔は不均一に分布している）。そし
て、この種の半導体ウエハボートはFe,Al等の金属不純
物を比較的多く含有するため、例えば、前記SiCの気孔
部に金属Siを約1600℃の高温で含浸させ、その析出を防
止するようにしたものが一般に用いられている。この種
の半導体ウエハ用治具としては、例えば特開昭53−1421
83号公報に示されたものがある。ところが、上記の製造
法によって得られる治具は、SiC自体が抵抗体として利
用されているように、102〜105Ω・cmという比較的大き
な抵抗値を有する。また、同時に含浸される高純度Siは
真性半導体であり、含浸後の比抵抗は104〜105Ω・cmの
値を示す。
り、高強度で熱伝導性が良いという利点を有している。
このため、SiCは、半導体Siウエハの酸化や拡散工程に
おける治具、例えば半導体ウエハボート等として使用さ
れている。（なお、従来のセラミック多孔質体はα型Si
Cと呼ばれ、その気孔は不均一に分布している）。そし
て、この種の半導体ウエハボートはFe,Al等の金属不純
物を比較的多く含有するため、例えば、前記SiCの気孔
部に金属Siを約1600℃の高温で含浸させ、その析出を防
止するようにしたものが一般に用いられている。この種
の半導体ウエハ用治具としては、例えば特開昭53−1421
83号公報に示されたものがある。ところが、上記の製造
法によって得られる治具は、SiC自体が抵抗体として利
用されているように、102〜105Ω・cmという比較的大き
な抵抗値を有する。また、同時に含浸される高純度Siは
真性半導体であり、含浸後の比抵抗は104〜105Ω・cmの
値を示す。
（考案が解決しようとする問題点） このように、炭素粉と珪石粉とを焼結して得られたSiC
に、金属Siを含浸させた素材を用いて製造される従来の
半導体ウエハ用治具は、高強度で熱伝導性に優れるとい
う利点を有するが、電気抵抗が高いために、半導体ウエ
ハに帯電した静電気を速やかに除去できないといった問
題があった。
に、金属Siを含浸させた素材を用いて製造される従来の
半導体ウエハ用治具は、高強度で熱伝導性に優れるとい
う利点を有するが、電気抵抗が高いために、半導体ウエ
ハに帯電した静電気を速やかに除去できないといった問
題があった。
本考案は、上記問題点を除去するために、電気抵抗を低
くして、半導体ウエハに帯電する静電気を適切に除去可
能な半導体ウエハ用治具を提供することを目的とする。
くして、半導体ウエハに帯電する静電気を適切に除去可
能な半導体ウエハ用治具を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本考案は、上記目的を達成するために、半導体ウエハ用
治具において、珪素と炭素粉、或いは炭化珪素粉を焼結
してなるβ型多孔質SiC焼結体を、Ｐ型又はＮ型不純物
を原子量1014〜1020個／cm3の濃度で混入してなる溶融S
i中に浸し、前記β型多孔質SiC焼結体の気孔率５〜50％
の気孔部に前記溶融Siを充填した素材で構成するように
したものである。
治具において、珪素と炭素粉、或いは炭化珪素粉を焼結
してなるβ型多孔質SiC焼結体を、Ｐ型又はＮ型不純物
を原子量1014〜1020個／cm3の濃度で混入してなる溶融S
i中に浸し、前記β型多孔質SiC焼結体の気孔率５〜50％
の気孔部に前記溶融Siを充填した素材で構成するように
したものである。
（作用） 本考案に係るβ型多孔質SiC焼結体を素材とした半導体
ウエハ用治具は、高強度で熱伝導性が良いのに加えて、
電気抵抗が小さく、半導体ウエハに帯電する静電気を適
切に除去することができる。
ウエハ用治具は、高強度で熱伝導性が良いのに加えて、
電気抵抗が小さく、半導体ウエハに帯電する静電気を適
切に除去することができる。
（実施例） 以下、本考案の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。
する。
第１図は本考案に係る半導体ウエハ用治具の素材の拡大
構造図、第２図はこの素材を用いた半導体ウエハ用治具
の原型の斜視図、第３図は本考案に係る素材である多孔
質SiC焼結体の拡大構造図である。
構造図、第２図はこの素材を用いた半導体ウエハ用治具
の原型の斜視図、第３図は本考案に係る素材である多孔
質SiC焼結体の拡大構造図である。
図中、１は焼結された多孔質SiCバーであり、このバー
の長さは約100μｍ、２は多孔質SiC焼結体の気孔部であ
り、気孔径は約100μｍ〜200μｍ、３はＰ型又はＮ型不
純物を含む溶融Si充填部である。
の長さは約100μｍ、２は多孔質SiC焼結体の気孔部であ
り、気孔径は約100μｍ〜200μｍ、３はＰ型又はＮ型不
純物を含む溶融Si充填部である。
まず、この多孔質SiC焼結体の構成とその特徴について
説明する。
説明する。
ここで、多孔質SiC焼結体として、例えば、『イビセラ
ム』（商品名、イビデン株式会社製）を用いることがで
きるので、これについて説明する。
ム』（商品名、イビデン株式会社製）を用いることがで
きるので、これについて説明する。
この焼結体は、高純度β型炭化珪素を基材として加圧形
成法や常圧鋳型形成法によって、第２図に示されるよう
な原型４を形成し、1800℃〜1900℃の高温で焼結させて
製造される。これは、前記したα型炭化珪素を用いた、
例えば特開昭53−142183号公報に示されるものとは相違
し、第３図に示されるように、β型微粉末の持つ焼結特
性を生かし、板状結晶が複雑に絡み合った均一な三次元
網目構造を有している点に大きな特徴を有している。
成法や常圧鋳型形成法によって、第２図に示されるよう
な原型４を形成し、1800℃〜1900℃の高温で焼結させて
製造される。これは、前記したα型炭化珪素を用いた、
例えば特開昭53−142183号公報に示されるものとは相違
し、第３図に示されるように、β型微粉末の持つ焼結特
性を生かし、板状結晶が複雑に絡み合った均一な三次元
網目構造を有している点に大きな特徴を有している。
その他に、従来のセラミック多孔質体に比べて、 （１）強度と耐熱性（1600℃まで使用可）に優れてい
る。
る。
（２）化学的に安定であり、汚染がない。
（３）用途に応じて、気孔径、気孔率或いは比表面積を
広範囲に製造することが可能である。
広範囲に製造することが可能である。
（４）各種任意形状の製品の製造が可能である。
といった特徴を有する。
このようなβ型炭化珪素を基材としたものは、上記した
ように、熱的、化学的に極めて安定なため、各種溶融金
属の濾過、バブリング材あるいは苛酷な条件下における
フィルタとして用いられているが、半導体ウエハ用治具
としては利用されていない。そして、上記した多孔質Si
C焼結体においては、Fe,Al等の金属不純物濃度が多く、
また各種ガスが気孔中に侵入するため焼結後1500℃〜16
00℃の高純度溶融Si中に浸し、気孔中にSiを充填させる
方法が用いられる。しかし、単なる高純度溶融Siによっ
て充填したのでは、充填後の比抵抗が104〜105Ω・cmと
比較的高い抵抗を示すことになる。
ように、熱的、化学的に極めて安定なため、各種溶融金
属の濾過、バブリング材あるいは苛酷な条件下における
フィルタとして用いられているが、半導体ウエハ用治具
としては利用されていない。そして、上記した多孔質Si
C焼結体においては、Fe,Al等の金属不純物濃度が多く、
また各種ガスが気孔中に侵入するため焼結後1500℃〜16
00℃の高純度溶融Si中に浸し、気孔中にSiを充填させる
方法が用いられる。しかし、単なる高純度溶融Siによっ
て充填したのでは、充填後の比抵抗が104〜105Ω・cmと
比較的高い抵抗を示すことになる。
そこで、本考案においては、この溶融Si中にＢ等のＰ型
不純物、又はP,As,Sb等のＮ型不純物を原子量（ここで
は分子量と同じ）1014〜1020個／cm3の濃度で混入する
ことにより、その電気抵抗を100〜0.0001Ω・cmと大幅
に低下させるようにする。このような方法で上記不純物
を混入させた溶融Siを、気孔部２に充填した状態を示し
たのが第１図であり、この場合、多孔質SiC焼結体の気
孔部２の気孔率は、それ自体の強度が弱くならないよう
にするとともに、不純物を含んだ充填される溶融Siの付
着を確実にするために５〜50％が望ましい。
不純物、又はP,As,Sb等のＮ型不純物を原子量（ここで
は分子量と同じ）1014〜1020個／cm3の濃度で混入する
ことにより、その電気抵抗を100〜0.0001Ω・cmと大幅
に低下させるようにする。このような方法で上記不純物
を混入させた溶融Siを、気孔部２に充填した状態を示し
たのが第１図であり、この場合、多孔質SiC焼結体の気
孔部２の気孔率は、それ自体の強度が弱くならないよう
にするとともに、不純物を含んだ充填される溶融Siの付
着を確実にするために５〜50％が望ましい。
また、Ｐ型又はＮ型不純物を含む溶融Siの充填は、通常
のウエハ製造技術、例えば高周波加熱によって不純物を
添加させてインゴットを作製するような技術と同様の技
術を用いて実施することができる。
のウエハ製造技術、例えば高周波加熱によって不純物を
添加させてインゴットを作製するような技術と同様の技
術を用いて実施することができる。
なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、
本考案の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本考案の範囲から排除するものではない。
本考案の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本考案の範囲から排除するものではない。
（考案の効果） 以上、詳細に説明したように、本考案によれば、珪素と
炭素粉、或いは炭化珪素粉を焼結してなるβ型多孔質Si
C焼結体を、Ｐ型又はＮ型不純物を原子量1014〜1020個
／cm3の濃度で混入してなる溶融Si中に浸し、前記β型
多孔質SiC焼結体の気孔率５〜50％の気孔部に前記溶融S
iを充填した素材からなる半導体ウエハ用治具を得るよ
うにしたので、高強度で熱伝導性が良いのに加えて、半
導体ウエハ用治具の電気抵抗を小さくすることができ、
半導体ウエハに帯電する静電気を適切に除去することが
できる。
炭素粉、或いは炭化珪素粉を焼結してなるβ型多孔質Si
C焼結体を、Ｐ型又はＮ型不純物を原子量1014〜1020個
／cm3の濃度で混入してなる溶融Si中に浸し、前記β型
多孔質SiC焼結体の気孔率５〜50％の気孔部に前記溶融S
iを充填した素材からなる半導体ウエハ用治具を得るよ
うにしたので、高強度で熱伝導性が良いのに加えて、半
導体ウエハ用治具の電気抵抗を小さくすることができ、
半導体ウエハに帯電する静電気を適切に除去することが
できる。
このように半導体ウエハ用治具の電気抵抗を小さくでき
るため、半導体ウエハの搭載用ボートは言うに及ばず、
半導体ウエハの搬送用治具、プラズマCVD等の電極とし
ても使用することができ、その適用範囲を拡大すること
ができる。
るため、半導体ウエハの搭載用ボートは言うに及ばず、
半導体ウエハの搬送用治具、プラズマCVD等の電極とし
ても使用することができ、その適用範囲を拡大すること
ができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本考案に係る半導体ウエハ用治具の素材の拡大
構造図、第２図は本考案に係る半導体ウエハ用治具の原
型の斜視図、第３図は本考案に係る多孔質SiC焼結体の
拡大構造図である。 １……SiCバー、２……気孔部、３……Ｐ型又はＮ型溶
融Si充填部、４……半導体ウエハ用治具の原型。
構造図、第２図は本考案に係る半導体ウエハ用治具の原
型の斜視図、第３図は本考案に係る多孔質SiC焼結体の
拡大構造図である。 １……SiCバー、２……気孔部、３……Ｐ型又はＮ型溶
融Si充填部、４……半導体ウエハ用治具の原型。
Claims (1)
- 【請求項１】珪素と炭素粉、或いは炭化珪素粉を焼結し
てなるβ型多孔質SiC焼結体を、Ｐ型又はＮ型不純物を
原子量1014〜1020個／cm3の濃度で混入してなる溶融Si
中に浸し、前記β型多孔質SiC焼結体の気孔率５〜50％
の気孔部に前記溶融Siを充填した素材からなることを特
徴とする半導体ウエハ用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7933785U JPH0648860Y2 (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体ウエハ用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7933785U JPH0648860Y2 (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体ウエハ用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61197498U JPS61197498U (ja) | 1986-12-09 |
| JPH0648860Y2 true JPH0648860Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=30624156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7933785U Expired - Lifetime JPH0648860Y2 (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体ウエハ用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648860Y2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009078605A3 (en) * | 2007-12-14 | 2010-07-22 | Worldex Industry & Trading Co., Ltd. | SIC MATERIAL COMPRISING COMBINATION OF α-SIC AND β-SIC AND TWO-PART PLASMA CHAMBER CATHODE MANUFACTURED USING THE SAME |
| US8834520B2 (en) | 2007-10-10 | 2014-09-16 | Wake Forest University | Devices and methods for treating spinal cord tissue |
| US9289193B2 (en) | 2008-07-18 | 2016-03-22 | Wake Forest University Health Sciences | Apparatus and method for cardiac tissue modulation by topical application of vacuum to minimize cell death and damage |
| US9737455B2 (en) | 2007-01-10 | 2017-08-22 | Wake Forest Univeristy Health Sciences | Apparatus and method for wound treatment employing periodic sub-atmospheric pressure |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2507213Y2 (ja) * | 1989-02-28 | 1996-08-14 | 京セラ株式会社 | 半導体ウエハ−の加工、測定用真空吸着盤 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP7933785U patent/JPH0648860Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9737455B2 (en) | 2007-01-10 | 2017-08-22 | Wake Forest Univeristy Health Sciences | Apparatus and method for wound treatment employing periodic sub-atmospheric pressure |
| US8834520B2 (en) | 2007-10-10 | 2014-09-16 | Wake Forest University | Devices and methods for treating spinal cord tissue |
| WO2009078605A3 (en) * | 2007-12-14 | 2010-07-22 | Worldex Industry & Trading Co., Ltd. | SIC MATERIAL COMPRISING COMBINATION OF α-SIC AND β-SIC AND TWO-PART PLASMA CHAMBER CATHODE MANUFACTURED USING THE SAME |
| US9289193B2 (en) | 2008-07-18 | 2016-03-22 | Wake Forest University Health Sciences | Apparatus and method for cardiac tissue modulation by topical application of vacuum to minimize cell death and damage |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61197498U (ja) | 1986-12-09 |
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