JPH0648892A - ダイヤモンドの格子欠陥制御方法 - Google Patents
ダイヤモンドの格子欠陥制御方法Info
- Publication number
- JPH0648892A JPH0648892A JP4202838A JP20283892A JPH0648892A JP H0648892 A JPH0648892 A JP H0648892A JP 4202838 A JP4202838 A JP 4202838A JP 20283892 A JP20283892 A JP 20283892A JP H0648892 A JPH0648892 A JP H0648892A
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- JP
- Japan
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- diamond
- light
- ultraviolet region
- lattice
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- Pending
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンドのグラファイト化を抑制し高濃
度の格子欠陥形成が可能なダイヤモンドの格子欠陥制御
方法を提供する。 【構成】 窒素イオン打ち込みにより、イオン損傷によ
る格子欠陥を導入したＣＶＤ法によって形成されたダイ
ヤモンド薄膜１をポンプ４により１０-5Ｔｏｒｒ以下の
真空に保ち、エキシマレーザ６から３０８ｎｍの波長の
紫外光７をレンズ８により集光させて紫外線透過窓５を
通してダイヤモンド薄膜１に４００ｍＪ／ｓｈｏｔで、
１０ｓｈｏｔｓ／秒のサイクルで１００ｓｈｏｔｓ（１
０秒）照射する。
度の格子欠陥形成が可能なダイヤモンドの格子欠陥制御
方法を提供する。 【構成】 窒素イオン打ち込みにより、イオン損傷によ
る格子欠陥を導入したＣＶＤ法によって形成されたダイ
ヤモンド薄膜１をポンプ４により１０-5Ｔｏｒｒ以下の
真空に保ち、エキシマレーザ６から３０８ｎｍの波長の
紫外光７をレンズ８により集光させて紫外線透過窓５を
通してダイヤモンド薄膜１に４００ｍＪ／ｓｈｏｔで、
１０ｓｈｏｔｓ／秒のサイクルで１００ｓｈｏｔｓ（１
０秒）照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度光メモリー用の
光源として必要な緑色から紫外領域の単波長光源として
期待されるダイヤモンドの格子欠陥制御技術に関するも
のである。
光源として必要な緑色から紫外領域の単波長光源として
期待されるダイヤモンドの格子欠陥制御技術に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来からダイヤモンドの広いバンドギャ
ップに起因する単波長領域の発光が報告されている。こ
れらの発光はダイヤモンド結晶中の格子欠陥が関与して
いることが明らかになっており、荷電粒子の照射とその
のちの熱処理によって発光に寄与する格子欠陥が形成さ
れていた。より具体的に説明するならば、例えば原子炉
からの中性子を７×１０17ｎ／ｃｍ2 の照射量で窒素不
純物を含んだダイヤモンド結晶に照射し、更に９００℃
程度で熱処理することにより、６３８ｎｍにゼロフォノ
ン線を有するＮＶセンターの発光が得られる。
ップに起因する単波長領域の発光が報告されている。こ
れらの発光はダイヤモンド結晶中の格子欠陥が関与して
いることが明らかになっており、荷電粒子の照射とその
のちの熱処理によって発光に寄与する格子欠陥が形成さ
れていた。より具体的に説明するならば、例えば原子炉
からの中性子を７×１０17ｎ／ｃｍ2 の照射量で窒素不
純物を含んだダイヤモンド結晶に照射し、更に９００℃
程度で熱処理することにより、６３８ｎｍにゼロフォノ
ン線を有するＮＶセンターの発光が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記熱
処理に於いてはダイヤモンド全体が加熱されるため、ダ
イヤモンドのグラファイト化が起こり易く特に高濃度の
格子欠陥の形成が困難であるという問題点があった。こ
れは、熱平衡の上ではダイヤモンドよりグラファイトの
方が安定であるためであり、加熱による処理に於いては
逃れられない問題点である。単波長の発光を得るために
導入する欠陥の密度が高くなるとこのグラファイト化は
更に起こり易くなり高密度の発光中心を有するダイヤモ
ンドを形成することはできない。
処理に於いてはダイヤモンド全体が加熱されるため、ダ
イヤモンドのグラファイト化が起こり易く特に高濃度の
格子欠陥の形成が困難であるという問題点があった。こ
れは、熱平衡の上ではダイヤモンドよりグラファイトの
方が安定であるためであり、加熱による処理に於いては
逃れられない問題点である。単波長の発光を得るために
導入する欠陥の密度が高くなるとこのグラファイト化は
更に起こり易くなり高密度の発光中心を有するダイヤモ
ンドを形成することはできない。
【０００４】本発明はかかる点に鑑み、ダイヤモンドの
グラファイト化を抑制し高濃度の格子欠陥形成を可能と
するダイヤモンドの格子欠陥制御方法を提供することを
目的とする。
グラファイト化を抑制し高濃度の格子欠陥形成を可能と
するダイヤモンドの格子欠陥制御方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のダイヤモンドの格子欠陥制御方法は、内部
に格子欠陥が導入されたダイヤモンドに紫外領域の光を
照射することを特徴とする。
に、本発明のダイヤモンドの格子欠陥制御方法は、内部
に格子欠陥が導入されたダイヤモンドに紫外領域の光を
照射することを特徴とする。
【０００６】また、前記構成に於いては、紫外領域の光
が０．１Ｗ／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2 の照射密度を有
する光であることが好ましい。また、本発明に於いて
は、紫外領域の光がエキシマレーザによって照射される
光であることが好ましい。
が０．１Ｗ／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2 の照射密度を有
する光であることが好ましい。また、本発明に於いて
は、紫外領域の光がエキシマレーザによって照射される
光であることが好ましい。
【０００７】また、本発明に於いては、紫外領域の光が
照射される際にダイヤモンドが３００℃以下に保たれて
いることが好ましい。また、本発明に於いては、紫外領
域の光が照射される際にダイヤモンドが１０ -4Ｔｏｒｒ
以下の真空雰囲気中に保たれていることが好ましい。
照射される際にダイヤモンドが３００℃以下に保たれて
いることが好ましい。また、本発明に於いては、紫外領
域の光が照射される際にダイヤモンドが１０ -4Ｔｏｒｒ
以下の真空雰囲気中に保たれていることが好ましい。
【０００８】更に、本発明に於いては、紫外領域の光が
照射される際にダイヤモンドが窒素、不活性ガス、また
は水素雰囲気中に保たれていることが好ましい。
照射される際にダイヤモンドが窒素、不活性ガス、また
は水素雰囲気中に保たれていることが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明は上記の手段により得られる以下の作用
に基づくものである。内部に格子欠陥が導入されたダイ
ヤモンドに紫外領域の光を照射すると、欠陥の無い完全
格子の結晶の部分では、紫外領域の光は単に透過するだ
けであるが、格子欠陥の近傍では光が吸収され原子の再
配列が起る。この格子欠陥近傍での選択的吸収は、全体
を加熱する場合と異なりダイヤモンドのグラファイト化
を起こさない。この時、不安定な欠陥は周りの完全結晶
の影響を受けて完全結晶に戻り、その他の欠陥はより安
定な格子欠陥に変化する。この原子の再配列の起る範囲
が小さく保たれるため、高濃度の格子欠陥が導入されて
いても、その相互作用によりグラファイト化が起ること
が抑制される。この様な発光などに有効な安定な格子欠
陥を再現性良く高濃度に形成することができ、この高濃
度の欠陥によって単波長の強い発光が得られる。
に基づくものである。内部に格子欠陥が導入されたダイ
ヤモンドに紫外領域の光を照射すると、欠陥の無い完全
格子の結晶の部分では、紫外領域の光は単に透過するだ
けであるが、格子欠陥の近傍では光が吸収され原子の再
配列が起る。この格子欠陥近傍での選択的吸収は、全体
を加熱する場合と異なりダイヤモンドのグラファイト化
を起こさない。この時、不安定な欠陥は周りの完全結晶
の影響を受けて完全結晶に戻り、その他の欠陥はより安
定な格子欠陥に変化する。この原子の再配列の起る範囲
が小さく保たれるため、高濃度の格子欠陥が導入されて
いても、その相互作用によりグラファイト化が起ること
が抑制される。この様な発光などに有効な安定な格子欠
陥を再現性良く高濃度に形成することができ、この高濃
度の欠陥によって単波長の強い発光が得られる。
【００１０】本発明方法に於いて、紫外領域の光の照射
密度を０．１Ｗ／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2 とすること
により、上記ダイヤモンドの格子配列を壊すことなく、
上記ダイヤモンド中の原子の再配列を確実に生じさせ、
上記安定な格子欠陥が形成され易くなり好ましい。
密度を０．１Ｗ／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2 とすること
により、上記ダイヤモンドの格子配列を壊すことなく、
上記ダイヤモンド中の原子の再配列を確実に生じさせ、
上記安定な格子欠陥が形成され易くなり好ましい。
【００１１】紫外領域の光がエキシマレーザによって照
射される光である本発明の好ましい態様とすることによ
り、光のパワーや照射時間の制御性のうえで条件の最適
化が容易になり好ましい。
射される光である本発明の好ましい態様とすることによ
り、光のパワーや照射時間の制御性のうえで条件の最適
化が容易になり好ましい。
【００１２】また、紫外領域の光が照射される際にダイ
ヤモンドが３００℃以下に保たれている本発明の好まし
い態様とすることにより、熱の作用によってダイヤモン
ドがグラファイト化するのをより抑制しつつ、有効な格
子欠陥のみを形成することができ、好ましい。
ヤモンドが３００℃以下に保たれている本発明の好まし
い態様とすることにより、熱の作用によってダイヤモン
ドがグラファイト化するのをより抑制しつつ、有効な格
子欠陥のみを形成することができ、好ましい。
【００１３】また、紫外領域の光が照射される際にダイ
ヤモンドが１０-4Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保たれ
ている本発明の好ましい態様とすることにより、ダイヤ
モンドの表面でのグラファイト化などの反応が抑制され
好ましい。
ヤモンドが１０-4Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保たれ
ている本発明の好ましい態様とすることにより、ダイヤ
モンドの表面でのグラファイト化などの反応が抑制され
好ましい。
【００１４】更に、紫外領域の光が照射される際にダイ
ヤモンドが窒素、不活性ガス、または水素雰囲気中に保
たれている本発明の好ましい態様とすることにより、ダ
イヤモンドの表面での酸素との反応によるグラファイト
化などの反応が抑制され好ましい。
ヤモンドが窒素、不活性ガス、または水素雰囲気中に保
たれている本発明の好ましい態様とすることにより、ダ
イヤモンドの表面での酸素との反応によるグラファイト
化などの反応が抑制され好ましい。
【００１５】
【実施例】本発明に於いて照射される紫外領域の光は、
紫外領域の光であれば特に制限はないが、通常波長が４
００ｎｍ〜１８０ｎｍ程度が、発光源を容易に入手しや
すいという意味からは好ましい。
紫外領域の光であれば特に制限はないが、通常波長が４
００ｎｍ〜１８０ｎｍ程度が、発光源を容易に入手しや
すいという意味からは好ましい。
【００１６】また、熱の作用によるダイヤモンドのグラ
ファイト化をより抑制し易くするために、紫外領域の光
の照射時に、ダイヤモンドを３００℃以下に保っておく
ことが好ましいが、温度は低いほど好ましく、特に制限
するものではないが、実験的に容易に達成できると言う
意味から液体窒素のような低温程度までも好ましく用い
ることができる。
ファイト化をより抑制し易くするために、紫外領域の光
の照射時に、ダイヤモンドを３００℃以下に保っておく
ことが好ましいが、温度は低いほど好ましく、特に制限
するものではないが、実験的に容易に達成できると言う
意味から液体窒素のような低温程度までも好ましく用い
ることができる。
【００１７】また、ダイヤモンドの表面でのグラファイ
ト化などの反応の抑制のために、紫外領域の光の照射時
にダイヤモンドが１０-4Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に
保たれていることが好ましく、真空度は低い方がより好
ましい。その下限は特に限定するものではないが、実現
がしやすいと言う意味からは１０-10 Ｔｏｒｒ程度であ
る。
ト化などの反応の抑制のために、紫外領域の光の照射時
にダイヤモンドが１０-4Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に
保たれていることが好ましく、真空度は低い方がより好
ましい。その下限は特に限定するものではないが、実現
がしやすいと言う意味からは１０-10 Ｔｏｒｒ程度であ
る。
【００１８】また同様に、ダイヤモンドの表面でのグラ
ファイト化などの反応の抑制のために、紫外領域の光の
照射時にダイヤモンドが窒素、不活性ガス、または水素
雰囲気中に保たれていることが好ましく、これらのガス
は酸素とダイヤモンド表面との反応を抑制するためのも
のであるので、その圧力は特に制限はなく、加圧でも減
圧でもよく、比較的実現が容易と言う意味からは大気圧
〜１０-10 Ｔｏｒｒ程度の範囲が用いられる。
ファイト化などの反応の抑制のために、紫外領域の光の
照射時にダイヤモンドが窒素、不活性ガス、または水素
雰囲気中に保たれていることが好ましく、これらのガス
は酸素とダイヤモンド表面との反応を抑制するためのも
のであるので、その圧力は特に制限はなく、加圧でも減
圧でもよく、比較的実現が容易と言う意味からは大気圧
〜１０-10 Ｔｏｒｒ程度の範囲が用いられる。
【００１９】以下、本発明をより具体的な実施例によ
り、更に詳細に説明する。図１は本発明のダイヤモンド
の格子欠陥制御方法を実施するための装置の一例を示す
概略図である。
り、更に詳細に説明する。図１は本発明のダイヤモンド
の格子欠陥制御方法を実施するための装置の一例を示す
概略図である。
【００２０】Ｓｉ基板上にマイクロ波ＣＶＤによって形
成されたダイヤモンド薄膜１を真空容器２内のホルダー
３上に設置した。真空容器２はポンプ４により１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下の真空に保たれており、ダイヤモンド薄膜１
上に紫外線透過窓５が設けられている。エキシマレーザ
６から３０８ｎｍの波長の紫外光７がレンズ８により集
光されて紫外線透過窓５を通ってダイヤモンド薄膜１に
照射される。エキシマレーザの出力光７は４００ｍＪ／
ｓｈｏｔで、１０ｓｈｏｔｓ／秒のサイクルで１００ｓ
ｈｏｔｓ（１０秒）照射した。レンズ８で集光後のダイ
ヤモンド薄膜１上での照射密度は１Ｗ／ｃｍ2 であっ
た。紫外線照射による顕著な昇温は認められずダイヤモ
ンド薄膜１はほぼ室温に保たれていた。
成されたダイヤモンド薄膜１を真空容器２内のホルダー
３上に設置した。真空容器２はポンプ４により１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下の真空に保たれており、ダイヤモンド薄膜１
上に紫外線透過窓５が設けられている。エキシマレーザ
６から３０８ｎｍの波長の紫外光７がレンズ８により集
光されて紫外線透過窓５を通ってダイヤモンド薄膜１に
照射される。エキシマレーザの出力光７は４００ｍＪ／
ｓｈｏｔで、１０ｓｈｏｔｓ／秒のサイクルで１００ｓ
ｈｏｔｓ（１０秒）照射した。レンズ８で集光後のダイ
ヤモンド薄膜１上での照射密度は１Ｗ／ｃｍ2 であっ
た。紫外線照射による顕著な昇温は認められずダイヤモ
ンド薄膜１はほぼ室温に保たれていた。
【００２１】尚、ダイヤモンド薄膜１は２μｍの膜厚
で、予めＳｉ半導体工業で用いている通常のイオン打ち
込み装置に窒素ガスを導入し、窒素イオンを発生させ１
００ｋｅＶで１０15のドーズ量の窒素を打ち込んでイオ
ン損傷を導入しておき、上記紫外線照射を行なった。
で、予めＳｉ半導体工業で用いている通常のイオン打ち
込み装置に窒素ガスを導入し、窒素イオンを発生させ１
００ｋｅＶで１０15のドーズ量の窒素を打ち込んでイオ
ン損傷を導入しておき、上記紫外線照射を行なった。
【００２２】紫外線照射前は不安定な欠陥（イオン損
傷）により顕著な発光はみられなかったが、紫外線照射
及び水素プラズマ処理２０分後には図２に示すようなダ
イヤモンドの格子及び窒素に起因すると考えられる発光
９がカソードルミネセンスにより観測された。ここで水
素プラズマ処理は通常のダイヤモンド薄膜形成に用いる
マイクロ波ＣＶＤ装置に水素のみを導入し水素のマイク
ロ波プラズマ中にダイヤモンド薄膜を設置するもので原
子状水素が表面に供給され温度が９００℃程度となる。
傷）により顕著な発光はみられなかったが、紫外線照射
及び水素プラズマ処理２０分後には図２に示すようなダ
イヤモンドの格子及び窒素に起因すると考えられる発光
９がカソードルミネセンスにより観測された。ここで水
素プラズマ処理は通常のダイヤモンド薄膜形成に用いる
マイクロ波ＣＶＤ装置に水素のみを導入し水素のマイク
ロ波プラズマ中にダイヤモンド薄膜を設置するもので原
子状水素が表面に供給され温度が９００℃程度となる。
【００２３】上記紫外線照射により、安定な窒素に起因
する格子欠陥が形成され、その欠陥が発光に寄与したと
考えられる。この処理後のダイヤモンド薄膜は図３のラ
マン散乱を示しグラファイト成分を殆ど含まないことが
確認された。
する格子欠陥が形成され、その欠陥が発光に寄与したと
考えられる。この処理後のダイヤモンド薄膜は図３のラ
マン散乱を示しグラファイト成分を殆ど含まないことが
確認された。
【００２４】本実施例に於いては紫外線光源としてエキ
シマレーザを用いたが、水銀ランプ等の他の紫外線源を
用いても有効であることを確認した。本実施例に於いて
は紫外線の照射密度が１Ｗ／ｃｍ2 であったが、０．１
以上１００Ｗ／ｃｍ2 以下の範囲の照射密度でも有効で
あることを確認した。
シマレーザを用いたが、水銀ランプ等の他の紫外線源を
用いても有効であることを確認した。本実施例に於いて
は紫外線の照射密度が１Ｗ／ｃｍ2 であったが、０．１
以上１００Ｗ／ｃｍ2 以下の範囲の照射密度でも有効で
あることを確認した。
【００２５】照射密度が増大するとダイヤモンド薄膜の
昇温が認められるが、ホルダ３を水冷することによりダ
イヤモンド薄膜１の温度が３００℃以下に保たれていれ
ば有効であることを確認した。
昇温が認められるが、ホルダ３を水冷することによりダ
イヤモンド薄膜１の温度が３００℃以下に保たれていれ
ば有効であることを確認した。
【００２６】本実施例に於いては照射時間が１０秒であ
ったが、照射時間が１０分以下であれば、ダイヤモンド
薄膜の昇温を３００℃以下に保ちやすく好ましいことを
確認した。
ったが、照射時間が１０分以下であれば、ダイヤモンド
薄膜の昇温を３００℃以下に保ちやすく好ましいことを
確認した。
【００２７】本実施例に於いては真空容器内は１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下に保たれていたが、１０ -4Ｔｏｒｒ以上であ
れば、あるいは、また真空容器を窒素、不活性ガス、叉
は水素で満たせば、表面反応が起らず表面のグラファイ
ト化を防止でき有効であることを確認した。
ｏｒｒ以下に保たれていたが、１０ -4Ｔｏｒｒ以上であ
れば、あるいは、また真空容器を窒素、不活性ガス、叉
は水素で満たせば、表面反応が起らず表面のグラファイ
ト化を防止でき有効であることを確認した。
【００２８】本実施例に於いてはＳｉ上に形成したダイ
ヤモンド薄膜について示したが、ダイヤモンド単結晶に
ついても有効であることを確認した。本実施例に於いて
はイオン打ち込みしたダイヤモンドについて示したが、
他の粒子線（中性子線、電子線等）によって欠陥の導入
されたダイヤモンドや、合成の過程で導入されている欠
陥についても有効であることを確認した。
ヤモンド薄膜について示したが、ダイヤモンド単結晶に
ついても有効であることを確認した。本実施例に於いて
はイオン打ち込みしたダイヤモンドについて示したが、
他の粒子線（中性子線、電子線等）によって欠陥の導入
されたダイヤモンドや、合成の過程で導入されている欠
陥についても有効であることを確認した。
【００２９】以上説明したように、本発明によれば、高
濃度の安定な格子欠陥を有するダイヤモンドが形成可能
となり、光出力の単波長光源が実現されその実用的効果
は大きい。
濃度の安定な格子欠陥を有するダイヤモンドが形成可能
となり、光出力の単波長光源が実現されその実用的効果
は大きい。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、ダイヤモンドのグラファイト
化を抑制し高濃度の格子欠陥形成が可能なダイヤモンド
の格子欠陥制御方法を提供できる。
化を抑制し高濃度の格子欠陥形成が可能なダイヤモンド
の格子欠陥制御方法を提供できる。
【００３１】また、紫外領域の光の照射密度を０．１Ｗ
／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2 とする本発明の好ましい態
様とすることにより、上記ダイヤモンドの格子配列を壊
すことなく、上記ダイヤモンド中の原子の再配列を確実
に生じさせ、安定な格子欠陥が形成され易くすることが
できる。
／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2 とする本発明の好ましい態
様とすることにより、上記ダイヤモンドの格子配列を壊
すことなく、上記ダイヤモンド中の原子の再配列を確実
に生じさせ、安定な格子欠陥が形成され易くすることが
できる。
【００３２】紫外領域の光がエキシマレーザによって照
射される光である本発明の好ましい態様とすることによ
り、光のパワーや照射時間の制御性のうえで条件の最適
化を容易にすることができる。
射される光である本発明の好ましい態様とすることによ
り、光のパワーや照射時間の制御性のうえで条件の最適
化を容易にすることができる。
【００３３】また、紫外領域の光が照射される際にダイ
ヤモンドが３００℃以下に保たれている本発明の好まし
い態様とすることにより、熱の作用によってダイヤモン
ドがグラファイト化するのをより抑制しつつ、有効な格
子欠陥のみを形成することができる。
ヤモンドが３００℃以下に保たれている本発明の好まし
い態様とすることにより、熱の作用によってダイヤモン
ドがグラファイト化するのをより抑制しつつ、有効な格
子欠陥のみを形成することができる。
【００３４】また、紫外領域の光が照射される際にダイ
ヤモンドが１０-4Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保たれ
ている本発明の好ましい態様とすることにより、ダイヤ
モンドの表面でのグラファイト化などの反応を抑制する
ことができる。
ヤモンドが１０-4Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保たれ
ている本発明の好ましい態様とすることにより、ダイヤ
モンドの表面でのグラファイト化などの反応を抑制する
ことができる。
【００３５】更に、紫外領域の光が照射される際にダイ
ヤモンドが窒素、不活性ガス、または水素雰囲気中に保
たれている本発明の好ましい態様とすることにより、ダ
イヤモンドの表面での酸素との反応によるグラファイト
化などの反応を抑制することができる。
ヤモンドが窒素、不活性ガス、または水素雰囲気中に保
たれている本発明の好ましい態様とすることにより、ダ
イヤモンドの表面での酸素との反応によるグラファイト
化などの反応を抑制することができる。
【図１】本発明方法を実施するための装置の一例を示す
概略図。
概略図。
【図２】本発明の一実施例によって得られたダイヤモン
ドのカソードルミネセンススペクトル。
ドのカソードルミネセンススペクトル。
【図３】本発明の一実施例によって得られてダイヤモン
ドのラマンスペクトル。
ドのラマンスペクトル。
１ ダイヤモンド薄膜 ２ 真空容器 ３ ホルダ ４ ポンプ ５ 紫外線透過窓 ６ エキシマレーザ ７ 紫外光 ８ レンズ ９ 欠陥に起因する発光
Claims (6)
- 【請求項１】 内部に格子欠陥が導入されたダイヤモン
ドに紫外領域の光を照射することを特徴とするダイヤモ
ンドの格子欠陥制御方法。 - 【請求項２】 紫外領域の光が０．１Ｗ／ｃｍ2 〜１０
０Ｗ／ｃｍ2 の照射密度を有する光である請求項１記載
のダイヤモンドの格子欠陥制御方法。 - 【請求項３】 紫外領域の光がエキシマレーザによって
照射される光である請求項１または２に記載のダイヤモ
ンドの格子欠陥制御方法。 - 【請求項４】 紫外領域の光が照射される際にダイヤモ
ンドが３００℃以下に保たれている請求項１または２に
記載のダイヤモンドの格子欠陥制御方法。 - 【請求項５】 紫外領域の光が照射される際にダイヤモ
ンドが１０-4Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保たれてい
る請求項１または２に記載のダイヤモンドの格子欠陥制
御方法。 - 【請求項６】 紫外領域の光が照射される際にダイヤモ
ンドが窒素、不活性ガス、または水素雰囲気中に保たれ
ている請求項１または２に記載のダイヤモンドの格子欠
陥制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202838A JPH0648892A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | ダイヤモンドの格子欠陥制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202838A JPH0648892A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | ダイヤモンドの格子欠陥制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0648892A true JPH0648892A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=16464030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4202838A Pending JPH0648892A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | ダイヤモンドの格子欠陥制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648892A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2540537A (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-25 | Univ Oxford Innovation Ltd | Crystal defects |
| CN111584382A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-25 | 哈尔滨工业大学 | 利用金刚石nv色心原位表征异质界面状态的方法 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4202838A patent/JPH0648892A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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