JPH0243319B2 - - Google Patents

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JPH0243319B2
JPH0243319B2 JP57041167A JP4116782A JPH0243319B2 JP H0243319 B2 JPH0243319 B2 JP H0243319B2 JP 57041167 A JP57041167 A JP 57041167A JP 4116782 A JP4116782 A JP 4116782A JP H0243319 B2 JPH0243319 B2 JP H0243319B2
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JP
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plasma
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ray generation
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JP57041167A
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JPS58158842A (ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/009Auxiliary arrangements not involved in the plasma generation
    • H05G2/0094Reduction, prevention or protection from contamination; Cleaning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はX線発生源における材料構成に関す
る。
従来、X線源とりわけレーザー光線または電子
線等による物体材料のプラズマ化によるX線源に
は、アルミニウム、モリブデン、炭素などの物体
材料を用い、雰囲気は通常真空が用いられてい
た。
しかし、上記従来技術では、物体材料のプラズ
マ化後の分解が行なわれず、上記物体材料がX線
発生装置の窓部等へ付着し、X線発生装置として
のX線発生の劣化を来たすという欠点があつた。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、プラ
ズマ化X線発生装置において、劣化のない効率的
なX線源を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、X線発生源に関し、物体材料へのレーザー
光線または電子線の照射等により、物体材料のプ
ラズマ化によるX線を発生する装置において、物
体材料自体が分解あるいは、蒸発等によりガス化
され、周囲装置表面および主としてX線窓に付着
しX線の劣化を発生させず、容易にガス体あるい
はガス化後の排出を可能とすることを特徴とす
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第1図は本発明によるX線発生装置の一例を示
す装置の断面図である。ステンレス容器1内には
アルゴンあるいは窒素ガスが満たされ、物体材料
を入れる入口5、レーザー光線の入口となる石英
窓4、BeからなるX線窓3が容器1に設けられ、
入口5から氷柱又は氷片6が容器内に挿入され、
該氷柱又は氷片6に外部からレーザー光線7を照
準を焦点を絞つて入射し、氷をプラズマ化すると
20乃至40オングストロームの波長のX線8が強い
強度でX線窓8から放出される。プラズマ化され
た氷は水素ガスと酸素ガスとになり、X線容器の
内壁に付着することはなく、とりわけX線窓に付
着しX線照射強度を劣化させることがない。
この様にプラズマ化後の生成物がガス体である
と、容器の内壁に付着することがない。すなわ
ち、プラズマ化後の生成物がガス体のものとし
て、氷(水の結晶体)の他アンモニアの結晶体、
アルゴン、クリプトン、キセノン等の各種不活性
ガスの氷すなわち結晶体があり、場合によつては
水等の液体物質もこれに該当する。更に、プラズ
マ化後、周囲雰囲気と反応して直ちにガス化する
ものとして、酸素雰囲気中の炭酸ガスの固体物
質、すなわちドライ、アイスがあり、一般にはド
ライ、アイスのプラズマ化後は炭素の折出がある
が、周囲酸素雰囲気により炭酸ガスとなる。前記
反応を応用する場合には各種炭化水素化合物もこ
れに該当する。
このようにプラズマ化後の物質がガス化する事
によりX線発生装置の照射強度の劣化のない効率
的なX線源となすことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になるX線源装置の一実施例を
示す断面図である。 1……X線装置容器、2……X線装置容器内雰
囲気、3……X線窓、4……レーザー入射窓、5
……試料挿入口、6……試料、7……レーザー光
線、8……X線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 物体材料へのレーザー光線または電子線の照
    射等により前記物体材料をプラズマ化し、X線を
    発生させるX線発生方法において、H2O、アン
    モニア等の比較的低い融点の結晶固体を前記物体
    材料として用い、物体材料のプラズマ化後の生成
    物が、前記物体材料自身の分解または蒸発により
    ガス化されることを特徴とするX線発生方法。 2 物体材料へのレーザー光線または電子線の照
    射等により前記物体材料をプラズマ化し、X線を
    発生させるX線発生方法において、アルゴン、ク
    リプトン、キセノン等の不活性元素の結晶固体を
    前記物体材料として用い、前記物体材料のプラズ
    マ化後の生成物が、前記物体材料自身の分解また
    は蒸発によりガス化されることを特徴とするX線
    発生方法。 3 前記物体材料の周辺雰囲気を真空あるいはア
    ルゴン、窒素等の不活性雰囲気とすることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項、第2項に記載のX
    線発生方法。 4 物体材料へのレーザー光線または電子線の照
    射等により前記物体材料をプラズマ化し、X線を
    発生させるX線発生方法において、炭酸ガスの結
    晶固体または液体を前記物体材料として用い、前
    記物体材料を酸素雰囲気中でプラズマ化すること
    によつて、前記炭酸ガスと前記酸素を化合しガス
    化することを特徴とするX線発生方法。 5 物体材料へのレーザー光線または電子線の照
    射等により前記物体材料をプラズマ化し、X線を
    発生させるX線発生方法において、前記物体材料
    に液体を用い、物体材料は、プラズマ化後の生成
    物が、雰囲気との化合、前記物体材料自身の分解
    あるいは蒸発等によりガス化されることを特徴と
    するX線発生方法。
JP57041167A 1981-11-09 1982-03-16 X線発生方法 Granted JPS58158842A (ja)

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JP57041167A JPS58158842A (ja) 1982-03-16 1982-03-16 X線発生方法
US06/438,569 US4538291A (en) 1981-11-09 1982-11-02 X-ray source

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JP57041167A JPS58158842A (ja) 1982-03-16 1982-03-16 X線発生方法

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JPS58158842A JPS58158842A (ja) 1983-09-21
JPH0243319B2 true JPH0243319B2 (ja) 1990-09-27

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3586244T2 (de) * 1984-12-26 2000-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Vorrichtung zur Erzeugung von Weich-Röntgenstrahlen durch ein Hochenergiebündel.
JPH0225737A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Hitachi Ltd 表面分析方法および装置
US5577091A (en) * 1994-04-01 1996-11-19 University Of Central Florida Water laser plasma x-ray point sources

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS586795B2 (ja) * 1979-06-09 1983-02-07 大久保 勝弘 金属の部分的電気メッキ方法

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JPS58158842A (ja) 1983-09-21

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