JPH064918A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH064918A JPH064918A JP16509592A JP16509592A JPH064918A JP H064918 A JPH064918 A JP H064918A JP 16509592 A JP16509592 A JP 16509592A JP 16509592 A JP16509592 A JP 16509592A JP H064918 A JPH064918 A JP H064918A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーバーライトが可能な、高密度記録が可能
で再生パワー、最大記録磁界の大きな光磁気記録媒体を
低コストで提供する。 【構成】 基板上にキュリー温度ＴC1、保磁力ＨC1を持
った記録層とキュリー温度ＴC2、保磁力ＨC2を持った補
助層をＴC1＜ＴC2、ＨC1＞ＨC2として設けた記録媒体で
あって、記録層形成後、記録層の表面を特定条件下に窒
化するもの。
で再生パワー、最大記録磁界の大きな光磁気記録媒体を
低コストで提供する。 【構成】 基板上にキュリー温度ＴC1、保磁力ＨC1を持
った記録層とキュリー温度ＴC2、保磁力ＨC2を持った補
助層をＴC1＜ＴC2、ＨC1＞ＨC2として設けた記録媒体で
あって、記録層形成後、記録層の表面を特定条件下に窒
化するもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的記録再生が可能な
光磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
光磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度、低コストの
書換え可能な情報記録媒体として実用化が進められてい
る。特に希土類と遷移金属のアモルファス合金の記録層
を用いた媒体は非常に優れた特性を示している。光磁気
記録媒体の残された大きな欠点として、重ね書き（オー
バーライト）ができないことがある。すなわち従来の光
磁気記録媒体は記録する前に消去のプロセスが必要であ
るため、１回の記録に２回転を要してデーターの転送速
度を低下させていた。
書換え可能な情報記録媒体として実用化が進められてい
る。特に希土類と遷移金属のアモルファス合金の記録層
を用いた媒体は非常に優れた特性を示している。光磁気
記録媒体の残された大きな欠点として、重ね書き（オー
バーライト）ができないことがある。すなわち従来の光
磁気記録媒体は記録する前に消去のプロセスが必要であ
るため、１回の記録に２回転を要してデーターの転送速
度を低下させていた。
【０００３】近年、光磁気記録媒体においてこの重ね書
きを行う方法としていくつか提唱されている。このうち
特に有望な方法として多層膜を用いた光変調オーバーラ
イト法がある。この方法は第３４回応用物理学関係連合
講演会予稿集２８Ｐ ＺＬ−３ （１９８７）で論じら
れているもので、低キュリー温度と高保磁力を持った垂
直磁化層（光磁気記録層）と該記録層に対し相対的に高
いキュリー温度と低い保磁力を持った垂直磁化層（記録
補助層）から成る。オーバーライトの手段は初めに記録
補助層の磁化の向きをそろえるのに充分でかつ光磁気記
録層に影響をあたえない大きさの初期化磁界（Ｈｉｎ
ｉ）を印加した後、バイアス磁界（Ｈb ）を印加しなが
ら高パワー（ＰH ）および低パワー（ＰL ）の２値に変
調された光ビームを照射する。ＰL 照射のときには記録
補助層の反転はなく光磁気記録層は記録補助層との交換
結合により安定化する方向に向き、ＰH 照射のときには
記録補助層が、バイアス磁界（Ｈb ）によって反転をお
こし、それに従って光磁気記録層もＰL の場合と逆方向
を向きこの２値の変調によりオーバーライトが可能とな
る。
きを行う方法としていくつか提唱されている。このうち
特に有望な方法として多層膜を用いた光変調オーバーラ
イト法がある。この方法は第３４回応用物理学関係連合
講演会予稿集２８Ｐ ＺＬ−３ （１９８７）で論じら
れているもので、低キュリー温度と高保磁力を持った垂
直磁化層（光磁気記録層）と該記録層に対し相対的に高
いキュリー温度と低い保磁力を持った垂直磁化層（記録
補助層）から成る。オーバーライトの手段は初めに記録
補助層の磁化の向きをそろえるのに充分でかつ光磁気記
録層に影響をあたえない大きさの初期化磁界（Ｈｉｎ
ｉ）を印加した後、バイアス磁界（Ｈb ）を印加しなが
ら高パワー（ＰH ）および低パワー（ＰL ）の２値に変
調された光ビームを照射する。ＰL 照射のときには記録
補助層の反転はなく光磁気記録層は記録補助層との交換
結合により安定化する方向に向き、ＰH 照射のときには
記録補助層が、バイアス磁界（Ｈb ）によって反転をお
こし、それに従って光磁気記録層もＰL の場合と逆方向
を向きこの２値の変調によりオーバーライトが可能とな
る。
【０００４】こういった２層の磁性層による媒体の他
に、記録補助層の次に初期化の役割をはたす層を設け、
初期化磁石を省略した３層または４層の構造等も提案さ
れている。
に、記録補助層の次に初期化の役割をはたす層を設け、
初期化磁石を省略した３層または４層の構造等も提案さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記いずれの方法にお
いても、光磁気記録層と記録補助層との間の交換結合力
が特性に大きく影響することが知られており、この交換
結合力の制御のために、通常Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等の垂直
磁気異方性が小さい材料による中間層が設けられてい
る。
いても、光磁気記録層と記録補助層との間の交換結合力
が特性に大きく影響することが知られており、この交換
結合力の制御のために、通常Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等の垂直
磁気異方性が小さい材料による中間層が設けられてい
る。
【０００６】しかしながら、このような中間層を設けた
場合には、磁性層の層数の増加に伴い、装置が複雑化す
ると共に、ターゲットコストが増加するという問題を生
じる。また、感度をなるべく上げたいという観点から
は、中間層を省略して全体の膜厚を低下させることが望
ましい。以上の理由により、中間層を用いない交換結合
の制御方法が求められていた。
場合には、磁性層の層数の増加に伴い、装置が複雑化す
ると共に、ターゲットコストが増加するという問題を生
じる。また、感度をなるべく上げたいという観点から
は、中間層を省略して全体の膜厚を低下させることが望
ましい。以上の理由により、中間層を用いない交換結合
の制御方法が求められていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記課題を
解決すべく検討を行った結果、光磁気記録層の表面を特
定の条件で窒化処理を行なうことにより、適度な交換結
合力が得られることを見いだした。本発明の要旨は、基
板上にキュリー温度ＴC1、室温での保磁力ＨC1を持った
光磁気記録層および、キュリー温度ＴC2、室温での保磁
力ＨC2を持った記録補助層がこの順に形成され、Ｔc1、
ＴC2、ＨC1、ＨC2がＴc1＜ＴC2、ＨC1＞ＨC2を満足する
重ね書き可能な光磁気記録媒体において、記録層と記録
補助層との間に記録層を形成後その表面を窒化すること
によって窒化層を形成したことを特徴とする光磁気記録
媒体及びこの光磁気記録媒体の窒化層を形成する方法、
すなわち、記録層の成膜後、記録補助層の成膜前に窒素
を含有したガスを放電させ記録気層表面を、下記の条件
で窒化することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法
に存する。
解決すべく検討を行った結果、光磁気記録層の表面を特
定の条件で窒化処理を行なうことにより、適度な交換結
合力が得られることを見いだした。本発明の要旨は、基
板上にキュリー温度ＴC1、室温での保磁力ＨC1を持った
光磁気記録層および、キュリー温度ＴC2、室温での保磁
力ＨC2を持った記録補助層がこの順に形成され、Ｔc1、
ＴC2、ＨC1、ＨC2がＴc1＜ＴC2、ＨC1＞ＨC2を満足する
重ね書き可能な光磁気記録媒体において、記録層と記録
補助層との間に記録層を形成後その表面を窒化すること
によって窒化層を形成したことを特徴とする光磁気記録
媒体及びこの光磁気記録媒体の窒化層を形成する方法、
すなわち、記録層の成膜後、記録補助層の成膜前に窒素
を含有したガスを放電させ記録気層表面を、下記の条件
で窒化することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法
に存する。
【０００８】
【数２】０．６＜ＰN ×ｔ＜２．０ ＰN ：窒素の分圧（Ｐa ） ｔ ：放電時間 （秒）
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
用いられる基板としてはガラスやアクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等のプラスチック等の透明基板が挙げら
れる。基板の厚みは１．２ｍｍ程度が一般的である。
用いられる基板としてはガラスやアクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等のプラスチック等の透明基板が挙げら
れる。基板の厚みは１．２ｍｍ程度が一般的である。
【００１０】本発明では基板上に光磁気記録層及び記録
補助層を設ける。光磁気記録層としては相対的にキュリ
ー温度Ｔc1が低く保磁力Ｔc1が大きいものが用いられ
る。例えばＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げ
られる。Ｔc1としては１２０℃以上２００℃以下のもの
が好ましく、またＨc1としては１０ｋＯｅ以上のものが
好ましい。膜厚は３００〜１０００Å程度が好ましい。
補助層を設ける。光磁気記録層としては相対的にキュリ
ー温度Ｔc1が低く保磁力Ｔc1が大きいものが用いられ
る。例えばＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げ
られる。Ｔc1としては１２０℃以上２００℃以下のもの
が好ましく、またＨc1としては１０ｋＯｅ以上のものが
好ましい。膜厚は３００〜１０００Å程度が好ましい。
【００１１】記録補助層としては相対的にキュリー温度
ＴC2が高く保磁力ＨC2がＨc1より小さいものが用いられ
る。例えばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｃｏ、Ｇｄ−
Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。ＴC2とし
ては１８０℃以上２５０℃以下のものが好ましいが当然
Ｔc1より大きい必要がある。またＨC2としては小さい方
が初期化磁界（Ｈｉｎｉ）を低減させるために好ましい
が、光磁気記録層との交換結合のため、記録補助層は実
効的バイアス磁界（ＨW ）を受けるので、初期化した状
態を安定に存在させるためにはある程度の大きさのＨC2
が必要である。ＨC2としては一般的に１ｋＯｅ以上３ｋ
Ｏｅ以下程度のものが好ましい。記録補助層の膜厚は５
００Å以上１５００Å以下が好ましい。
ＴC2が高く保磁力ＨC2がＨc1より小さいものが用いられ
る。例えばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｃｏ、Ｇｄ−
Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。ＴC2とし
ては１８０℃以上２５０℃以下のものが好ましいが当然
Ｔc1より大きい必要がある。またＨC2としては小さい方
が初期化磁界（Ｈｉｎｉ）を低減させるために好ましい
が、光磁気記録層との交換結合のため、記録補助層は実
効的バイアス磁界（ＨW ）を受けるので、初期化した状
態を安定に存在させるためにはある程度の大きさのＨC2
が必要である。ＨC2としては一般的に１ｋＯｅ以上３ｋ
Ｏｅ以下程度のものが好ましい。記録補助層の膜厚は５
００Å以上１５００Å以下が好ましい。
【００１２】重ね書きは、光磁気記録層と記録補助層の
間の交換結合力によって可能となる。交換結合力が弱す
ぎる場合、低パワー（ＰL ）記録において、逆方向に印
可されたバイアス磁界（Ｈb ）により、記録層の磁区の
反転が不十分となる。交換結合力が強すぎる場合磁壁を
持った記録磁区が不安定となり、再生パワー（Ｐr ）に
対する強さが低下する。信号特性を低下させない最大の
バイアス磁界（Ｈmax）は通常４００（Ｏｅ）以上であ
れば十分であると考えられる。同様に最大の再生パワー
（Ｐmax ）は、ほぼ１．５ｍＷ以上必要である。
間の交換結合力によって可能となる。交換結合力が弱す
ぎる場合、低パワー（ＰL ）記録において、逆方向に印
可されたバイアス磁界（Ｈb ）により、記録層の磁区の
反転が不十分となる。交換結合力が強すぎる場合磁壁を
持った記録磁区が不安定となり、再生パワー（Ｐr ）に
対する強さが低下する。信号特性を低下させない最大の
バイアス磁界（Ｈmax）は通常４００（Ｏｅ）以上であ
れば十分であると考えられる。同様に最大の再生パワー
（Ｐmax ）は、ほぼ１．５ｍＷ以上必要である。
【００１３】Ｈb ，Ｐr 両者に対して、適当な強度を持
った媒体を得るには、交換結合力を適当な値にコントロ
ールする必要がある。我々は、先の出願（特願平２−１
７８０８９号）において光磁気記録層と記録補助層との
間に窒素含有層を設けることにより、交換結合力を低下
させることができることを提案した。本発明においては
窒素含有層の形成を窒素含有ガスの放電による記録層の
窒化処理によって行う。
った媒体を得るには、交換結合力を適当な値にコントロ
ールする必要がある。我々は、先の出願（特願平２−１
７８０８９号）において光磁気記録層と記録補助層との
間に窒素含有層を設けることにより、交換結合力を低下
させることができることを提案した。本発明においては
窒素含有層の形成を窒素含有ガスの放電による記録層の
窒化処理によって行う。
【００１４】このときの窒化量は、放電を起こす際の窒
素分圧ＰN 、放電時間ｔの２つによって制御することが
可能であり、窒素分圧が高い程、また放電時間が長い
程、窒化量は大きくなる。窒化量は、ほぼＰN とｔの積
によって現わされ、０．６＜ＰN ×ｔ＜２．０が好まし
い範囲である。窒化された層は窒素を１０原子％以上含
有する領域が２０Å以上１０Å以下で、その領域の最高
窒素含有量が３０原子％以上であるのが良い。
素分圧ＰN 、放電時間ｔの２つによって制御することが
可能であり、窒素分圧が高い程、また放電時間が長い
程、窒化量は大きくなる。窒化量は、ほぼＰN とｔの積
によって現わされ、０．６＜ＰN ×ｔ＜２．０が好まし
い範囲である。窒化された層は窒素を１０原子％以上含
有する領域が２０Å以上１０Å以下で、その領域の最高
窒素含有量が３０原子％以上であるのが良い。
【００１５】本発明においては、記録層と記録補助層に
加えて、更に他の層を形成する場合がある。例えば、初
期化磁界を用いない媒体を作製するには、記録補助層に
続いて、制御層、初期化層を設ける。制御層としては、
光磁気記録層、記録補助層のいずれよりもキュリー温度
が低いものが好ましい。初期化層としては光磁気記録
層、記録補助層のいずれよりもキュリー温度が高いもの
が好ましい。膜厚としては、制御層が５０〜３００Å、
初期層が１００〜５００Å程度が好ましく用いられる。
加えて、更に他の層を形成する場合がある。例えば、初
期化磁界を用いない媒体を作製するには、記録補助層に
続いて、制御層、初期化層を設ける。制御層としては、
光磁気記録層、記録補助層のいずれよりもキュリー温度
が低いものが好ましい。初期化層としては光磁気記録
層、記録補助層のいずれよりもキュリー温度が高いもの
が好ましい。膜厚としては、制御層が５０〜３００Å、
初期層が１００〜５００Å程度が好ましく用いられる。
【００１６】磁性層に用いられる希土類と遷移金属の合
金は非常に酸化され易いため磁性層の両側に保護膜を設
けるのはこの発明の好ましい形態である。保護層として
はＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴａＯ、ＴｉＯ、ＺｎＳ等が好まし
く用いられる。保護層の膜厚としては５００〜２０００
Å程度が好ましい。基板と磁性層の間の保護層は干渉効
果により反射率を低下させる干渉層としての役目も持っ
ている。
金は非常に酸化され易いため磁性層の両側に保護膜を設
けるのはこの発明の好ましい形態である。保護層として
はＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴａＯ、ＴｉＯ、ＺｎＳ等が好まし
く用いられる。保護層の膜厚としては５００〜２０００
Å程度が好ましい。基板と磁性層の間の保護層は干渉効
果により反射率を低下させる干渉層としての役目も持っ
ている。
【００１７】基板上に各層を形成する方法としてはスパ
ッタリング、電子ビーム蒸着、ＣＶＤ法等が用いられる
が、スパッタリング法を用いた場合、異方性の高い良質
な膜が得られるので特に好ましい。
ッタリング、電子ビーム蒸着、ＣＶＤ法等が用いられる
が、スパッタリング法を用いた場合、異方性の高い良質
な膜が得られるので特に好ましい。
【００１８】
【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例 記録領域上に溝の底に平坦な領域を持つ案内溝を有する
１３０ｍｍφのポリカーボネート基板を２つの成膜チャ
ンバーを持つスパッタリング装置に導入し、まず３×１
０-7Ｔｏｒｒ以下まで排気しＡｒとＮ2 の混合ガスを用
いてＳｉターゲットの反応性スパッタリングを行いＳｉ
3 Ｎ4 からなる８００Åの保護層を形成した。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例 記録領域上に溝の底に平坦な領域を持つ案内溝を有する
１３０ｍｍφのポリカーボネート基板を２つの成膜チャ
ンバーを持つスパッタリング装置に導入し、まず３×１
０-7Ｔｏｒｒ以下まで排気しＡｒとＮ2 の混合ガスを用
いてＳｉターゲットの反応性スパッタリングを行いＳｉ
3 Ｎ4 からなる８００Åの保護層を形成した。
【００１９】基板を２×１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空度で
ある別のチャンバーに移動した後、Ａｒガスを導入しＴ
b とＦｅ93Ｃｏ7 （原子％、以下同じ）のターゲットを
同時にスパッタリングを行い、Ｔｂ19（Ｆｅ93Ｃｏ7 ）
の光磁気記録層を４００Å形成した。その後Ａｒガスと
所定分圧のＮ2 をガス導入し、１３．５６ＭＨｚの高周
波で１００Ｗのパワーを投入し、所定時間の放電を行っ
た。具体的にはＮ2 の分圧を０．０２５Ｐａで一定と
し、放電時間を変化させる方法及び放電時間を１５秒で
一定とし、Ｎ2 の分圧を変化させる方法によった。
ある別のチャンバーに移動した後、Ａｒガスを導入しＴ
b とＦｅ93Ｃｏ7 （原子％、以下同じ）のターゲットを
同時にスパッタリングを行い、Ｔｂ19（Ｆｅ93Ｃｏ7 ）
の光磁気記録層を４００Å形成した。その後Ａｒガスと
所定分圧のＮ2 をガス導入し、１３．５６ＭＨｚの高周
波で１００Ｗのパワーを投入し、所定時間の放電を行っ
た。具体的にはＮ2 の分圧を０．０２５Ｐａで一定と
し、放電時間を変化させる方法及び放電時間を１５秒で
一定とし、Ｎ2 の分圧を変化させる方法によった。
【００２０】その後、ＤｙとＦｅ60Ｃｏ40のターゲット
を同時にスパッタリングを行い、Ｄｙ30（Ｆｅ60Ｃ
ｏ40）の組成を持つ記録補助層を８００Å形成した。デ
ィスクを始めのチャンバーに戻した後、再度Ｓｉ3 Ｎ4
を保護層として８００Å成膜を行ない光磁気記録媒体を
得た。窒素ガス分圧を０．０２５Ｐａで一定とし、放電
時間を変えた場合の、得られた光磁気記録媒体の最大記
録磁界（Ｈmax ）と最大再生パワー（Ｐmax ）の関係を
図１に、放電時間を１５秒で一定とし、窒素分圧を変化
させた場合の同様の関係を図２に示した。
を同時にスパッタリングを行い、Ｄｙ30（Ｆｅ60Ｃ
ｏ40）の組成を持つ記録補助層を８００Å形成した。デ
ィスクを始めのチャンバーに戻した後、再度Ｓｉ3 Ｎ4
を保護層として８００Å成膜を行ない光磁気記録媒体を
得た。窒素ガス分圧を０．０２５Ｐａで一定とし、放電
時間を変えた場合の、得られた光磁気記録媒体の最大記
録磁界（Ｈmax ）と最大再生パワー（Ｐmax ）の関係を
図１に、放電時間を１５秒で一定とし、窒素分圧を変化
させた場合の同様の関係を図２に示した。
【００２１】この図１、図２からＰN ×ｔ（Ｐa ・秒）
とＨmax 及びＰmax との関係を示したのが図３である。
図３からＨmax が４００（Ｏe ）以上、Ｐmax が１．５
ｍＷ以上となるのは、ＰN ×ｔが０．５近くから２近く
であることがわかる。得られたディスクのうち、Ｈmax
とＰmax が上記を満足するものは、いずれも初期化磁界
３ｋＯｅでオーバーライトが可能であり、ＣＮＲは４７
〜５０ｄＢ（ビット長０．７８μｍ）という高い値がえ
られた。
とＨmax 及びＰmax との関係を示したのが図３である。
図３からＨmax が４００（Ｏe ）以上、Ｐmax が１．５
ｍＷ以上となるのは、ＰN ×ｔが０．５近くから２近く
であることがわかる。得られたディスクのうち、Ｈmax
とＰmax が上記を満足するものは、いずれも初期化磁界
３ｋＯｅでオーバーライトが可能であり、ＣＮＲは４７
〜５０ｄＢ（ビット長０．７８μｍ）という高い値がえ
られた。
【００２２】
【発明の効果】本発明で得られた光磁気記録媒体は窒化
層の働きにより最大再生パワー、最大記録磁界ともに優
れたものである。また、本発明の方法によれば、記録層
を窒化して窒化層を形成しているので、窒化層の形成が
コスト的、装置的に簡単で良くなり、実用上大変好まし
い。
層の働きにより最大再生パワー、最大記録磁界ともに優
れたものである。また、本発明の方法によれば、記録層
を窒化して窒化層を形成しているので、窒化層の形成が
コスト的、装置的に簡単で良くなり、実用上大変好まし
い。
【図１】放電時間とＨmax 、Ｐmax との関係のグラフ
【図２】窒素分圧とＨmax 、Ｐmax との関係のグラフ
【図３】ＰN ×ｔとＨmax 、Ｐmax との関係のグラフ
イ Ｐmax のグラフ ロ Ｈmax のグラフ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にキュリー温度Ｔc1、室温での保
磁力ＨC1を持った光磁気記録層および、キュリー温度Ｔ
C2、室温での保磁力ＨC2を持った記録補助層がこの順に
形成され、Ｔc1、ＴC2、ＨC1、ＨC2がＴc1＜ＴC2、ＨC1
＞ＨC2を満足する重ね書き可能な光磁気記録媒体であっ
て、記録層と記録補助層との間に記録層を形成後その表
面を窒化することによって、窒化層を形成したことを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上にキュリー温度Ｔc1、室温での保
磁力ＨC1を持った光磁気記録層および、キュリー温度Ｔ
C2、室温での保磁力ＨC2を持った記録補助層がこの順に
形成され、Ｔc1、ＴC2、ＨC1、ＨC2がＴc1＜ＴC2、ＨC1
＞ＨC2を満足する重ね書き可能な光磁気記録媒体におい
て、記録層の成膜後、記録補助層の成膜前に窒素を含有
したガスを放電させ記録層表面を、下記の条件で窒化す
ることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 【数１】０．６＜ＰN ×ｔ＜２．０ ＰN ：窒素の分圧（Ｐa ） ｔ ：放電時間 （秒）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16509592A JPH064918A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16509592A JPH064918A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH064918A true JPH064918A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15805795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16509592A Pending JPH064918A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064918A (ja) |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP16509592A patent/JPH064918A/ja active Pending
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