JPH09320134A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH09320134A JPH09320134A JP8131917A JP13191796A JPH09320134A JP H09320134 A JPH09320134 A JP H09320134A JP 8131917 A JP8131917 A JP 8131917A JP 13191796 A JP13191796 A JP 13191796A JP H09320134 A JPH09320134 A JP H09320134A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】
【課題】 面内磁化状態にある部分の記録磁区情報がマ
スクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する
記録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々
の記録ビットを分離して再生することが可能な光磁気記
録媒体を提供する。 【解決手段】 再生層１は、室温において面内磁化状態
であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる。記録
層４は、情報の記録される垂直磁化膜である。中間層３
は再生層１と記録層４との間に形成された非磁性膜であ
る。面内磁化層２は、再生層１に隣接しており、上記臨
界温度近傍の温度で磁化が減少するものである。
スクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する
記録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々
の記録ビットを分離して再生することが可能な光磁気記
録媒体を提供する。 【解決手段】 再生層１は、室温において面内磁化状態
であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる。記録
層４は、情報の記録される垂直磁化膜である。中間層３
は再生層１と記録層４との間に形成された非磁性膜であ
る。面内磁化層２は、再生層１に隣接しており、上記臨
界温度近傍の温度で磁化が減少するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク，光磁気テープ，光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
置に適用される光磁気ディスク，光磁気テープ，光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き換え可能な光記録媒体とし
て、光磁気記録媒体が広く使用されている。光磁気記録
媒体では、光磁気記録媒体上に半導体レーザからの光ビ
ームを集光することにより、情報の記録再生を行う。し
かしながら、従来より、このような光磁気記録媒体で
は、光ビームのビーム径に対して、記録用磁区である記
録ビット径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、
再生特性が劣化してくるという問題がある。これは、目
的とする記録ビット上に集光された光ビームのビーム径
内に、隣接する記録ビットが入るために、個々の記録ビ
ットを分離して再生することができなくなるためであ
る。
て、光磁気記録媒体が広く使用されている。光磁気記録
媒体では、光磁気記録媒体上に半導体レーザからの光ビ
ームを集光することにより、情報の記録再生を行う。し
かしながら、従来より、このような光磁気記録媒体で
は、光ビームのビーム径に対して、記録用磁区である記
録ビット径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、
再生特性が劣化してくるという問題がある。これは、目
的とする記録ビット上に集光された光ビームのビーム径
内に、隣接する記録ビットが入るために、個々の記録ビ
ットを分離して再生することができなくなるためであ
る。
【０００３】上記問題を解決する光磁気記録媒体とし
て、室温において面内磁化状態であり、温度上昇と共に
垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜からなり情報
を記録する記録層と、再生層と記録層との間に設けられ
た非磁性中間層とを有しており、再生層と記録層とが静
磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されている（特
開平６−１５０４１８号公報）。
て、室温において面内磁化状態であり、温度上昇と共に
垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜からなり情報
を記録する記録層と、再生層と記録層との間に設けられ
た非磁性中間層とを有しており、再生層と記録層とが静
磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されている（特
開平６−１５０４１８号公報）。
【０００４】この光磁気記録媒体では、再生層中の面内
磁化状態にある部分の記録磁区情報からは情報が再生さ
れない、つまりその部分がマスクされる。このため、再
生層上に集光された光ビームのビーム径内に複数の記録
ビットが入る場合においても、光ビームのパワーと再生
層が垂直磁化状態となる温度を適当に設定しておけば、
個々の記録ビットを分離して再生することができる。し
たがって、記録ビットを高密度化することが可能とな
る。
磁化状態にある部分の記録磁区情報からは情報が再生さ
れない、つまりその部分がマスクされる。このため、再
生層上に集光された光ビームのビーム径内に複数の記録
ビットが入る場合においても、光ビームのパワーと再生
層が垂直磁化状態となる温度を適当に設定しておけば、
個々の記録ビットを分離して再生することができる。し
たがって、記録ビットを高密度化することが可能とな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平６−１５０４１８号公報に記載された構造の光記
録媒体では、さらに小さい記録ビット径及びさらに小さ
い記録ビット間隔で記録再生を行う場合、面内磁化状態
にある再生層によるマスクが不十分となり、十分な再生
信号が得られなくなるという問題がある。
特開平６−１５０４１８号公報に記載された構造の光記
録媒体では、さらに小さい記録ビット径及びさらに小さ
い記録ビット間隔で記録再生を行う場合、面内磁化状態
にある再生層によるマスクが不十分となり、十分な再生
信号が得られなくなるという問題がある。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、さらに小さい記
録ビット径及び小さい記録ビット間隔で記録再生を行っ
た場合においても、十分な再生信号を得ることのできる
光記録媒体を提供することにある。
めになされたものであり、その目的は、さらに小さい記
録ビット径及び小さい記録ビット間隔で記録再生を行っ
た場合においても、十分な再生信号を得ることのできる
光記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の光磁気記録媒体は以下のようなものである。
発明の光磁気記録媒体は以下のようなものである。
【０００８】（１）請求項１に記載の光磁気記録媒体
は、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態に移行する再生層と、垂直磁化膜から
なり情報を光磁気記録する記録層と、非磁性膜からなり
再生層と記録層との間に配置された中間層と、を有して
なる光磁気記録媒体において、再生層の少なくとも一方
側に隣接し、臨界温度近傍の温度で磁化が減少する面内
磁化層を有してなるものである。
は、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態に移行する再生層と、垂直磁化膜から
なり情報を光磁気記録する記録層と、非磁性膜からなり
再生層と記録層との間に配置された中間層と、を有して
なる光磁気記録媒体において、再生層の少なくとも一方
側に隣接し、臨界温度近傍の温度で磁化が減少する面内
磁化層を有してなるものである。
【０００９】上記構成によれば、臨界温度以下では面内
磁化層と再生層とが交換結合するため、再生層における
面内磁化によるマスクが強調され、小さい記録ビット径
及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場
合においても、十分な再生信号を得ること、すなわち、
磁気的超解像再生が可能となる。また、中間層により、
再生層及び面内磁化層と記録層との交換結合を完全に遮
断し、再生層及び面内磁化層と記録層との間に良好な静
磁結合を実現することが可能となる。
磁化層と再生層とが交換結合するため、再生層における
面内磁化によるマスクが強調され、小さい記録ビット径
及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場
合においても、十分な再生信号を得ること、すなわち、
磁気的超解像再生が可能となる。また、中間層により、
再生層及び面内磁化層と記録層との交換結合を完全に遮
断し、再生層及び面内磁化層と記録層との間に良好な静
磁結合を実現することが可能となる。
【００１０】（２）請求項２に記載の光磁気記録媒体
は、面内磁化層が、臨界温度近傍の温度で磁化が消失し
ているものである。
は、面内磁化層が、臨界温度近傍の温度で磁化が消失し
ているものである。
【００１１】本構成では、臨界温度近傍において面内磁
化層の磁化が消失しているため、再生層の磁化の向きは
面内磁化層により規定されなくなり、再生層への記録層
からの浮遊磁界の転写を容易に行うことが可能となる。
化層の磁化が消失しているため、再生層の磁化の向きは
面内磁化層により規定されなくなり、再生層への記録層
からの浮遊磁界の転写を容易に行うことが可能となる。
【００１２】（３）請求項３に記載の光磁気記録媒体
は、面内磁化層が、臨界温度近傍の温度で、再生層との
交換結合を解いて再生層に記録層からの浮遊磁化を転写
させるように、設定されてなるものである。
は、面内磁化層が、臨界温度近傍の温度で、再生層との
交換結合を解いて再生層に記録層からの浮遊磁化を転写
させるように、設定されてなるものである。
【００１３】上記構成によれば、臨界温度以下では面内
磁化層と再生層とが交換結合することにより、再生層に
おける面内磁化によるマスクが強調される。また、臨界
温度以上では、再生層に記録層からの浮遊磁化が転写さ
れる。このため、小さい記録ビット径及びさらに小さい
記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても、十
分な再生信号を得ること、すなわち、磁気的超解像再生
が可能となる。
磁化層と再生層とが交換結合することにより、再生層に
おける面内磁化によるマスクが強調される。また、臨界
温度以上では、再生層に記録層からの浮遊磁化が転写さ
れる。このため、小さい記録ビット径及びさらに小さい
記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても、十
分な再生信号を得ること、すなわち、磁気的超解像再生
が可能となる。
【００１４】（４）請求項４に記載の光磁気記録媒体
は、面内磁化層のキュリー温度が、臨界温度と略同一で
あるものである。
は、面内磁化層のキュリー温度が、臨界温度と略同一で
あるものである。
【００１５】この構成では、面内磁化層の温度が臨界温
度と略同一となったときに、面内磁化層の磁化が消失す
る。このため、臨界温度以下では再生層と面内磁化層が
交換結合して、再生層の磁化の向きが面内磁化層により
規定される。一方、臨界温度以上では面内磁化層の磁化
が消失するため、再生層の磁化の向きは面内磁化層によ
り規定されなくなり、垂直磁化状態となる。したがっ
て、臨界温度以下において、再生層の磁化の向きが膜面
に対して傾くようなことがなくなり面内磁化マスクが強
調される。また、臨界温度以上では、再生層に、記録層
からの磁化を容易に転写することが可能となる。
度と略同一となったときに、面内磁化層の磁化が消失す
る。このため、臨界温度以下では再生層と面内磁化層が
交換結合して、再生層の磁化の向きが面内磁化層により
規定される。一方、臨界温度以上では面内磁化層の磁化
が消失するため、再生層の磁化の向きは面内磁化層によ
り規定されなくなり、垂直磁化状態となる。したがっ
て、臨界温度以下において、再生層の磁化の向きが膜面
に対して傾くようなことがなくなり面内磁化マスクが強
調される。また、臨界温度以上では、再生層に、記録層
からの磁化を容易に転写することが可能となる。
【００１６】（５）請求項５に記載の光磁気記録媒体
は、面内磁化層がＧｄＦｅ合金，ＧｄＦｅＡｌ合金，Ｇ
ｄＦｅＴｉ合金，ＧｄＦｅＴａ合金，ＧｄＦｅＰｔ合
金，ＧｄＦｅＡｕ合金，ＧｄＦｅＣｕ合金，ＧｄＦｅＡ
ｌＴｉ合金，ＧｄＦｅＡｌＴａ合金のいずれかの合金か
らなるものである。
は、面内磁化層がＧｄＦｅ合金，ＧｄＦｅＡｌ合金，Ｇ
ｄＦｅＴｉ合金，ＧｄＦｅＴａ合金，ＧｄＦｅＰｔ合
金，ＧｄＦｅＡｕ合金，ＧｄＦｅＣｕ合金，ＧｄＦｅＡ
ｌＴｉ合金，ＧｄＦｅＡｌＴａ合金のいずれかの合金か
らなるものである。
【００１７】上記構成によれば、面内磁化層と再生層と
の間の良好な交換結合状態を実現することが可能とな
り、再生層における面内磁化によるマスクが強調され、
良好な磁気的超解像再生を実現することが可能となる。
の間の良好な交換結合状態を実現することが可能とな
り、再生層における面内磁化によるマスクが強調され、
良好な磁気的超解像再生を実現することが可能となる。
【００１８】（６）請求項６に記載の光磁気記録媒体
は、再生層，面内磁化層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、面内磁化層の膜厚が、２ｎｍ以上
４０ｎｍ以下であるものである。
は、再生層，面内磁化層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、面内磁化層の膜厚が、２ｎｍ以上
４０ｎｍ以下であるものである。
【００１９】上記構成によれば、面内磁化層と再生層と
の間に働く交換結合力が良好な状態に設定され、再生層
における面内磁化によるマスクを良好に強調することが
可能となる。
の間に働く交換結合力が良好な状態に設定され、再生層
における面内磁化によるマスクを良好に強調することが
可能となる。
【００２０】（７）請求項７に記載の光磁気記録媒体
は、再生層，面内磁化層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、再生層の膜厚が、１０ｎｍ以上８
０ｎｍ以下であるものである。
は、再生層，面内磁化層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、再生層の膜厚が、１０ｎｍ以上８
０ｎｍ以下であるものである。
【００２１】上記構成によれば、再生層における面内磁
化によるマスクを良好に強調することが可能となる。ま
た、再生層膜厚が最適化されることにより、良好な再生
信号を得ることが可能となる。
化によるマスクを良好に強調することが可能となる。ま
た、再生層膜厚が最適化されることにより、良好な再生
信号を得ることが可能となる。
【００２２】（８）請求項８に記載の光磁気記録媒体
は、面内磁化層，再生層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、面内磁化層の膜厚が、２ｎｍ以上
１０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
は、面内磁化層，再生層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、面内磁化層の膜厚が、２ｎｍ以上
１０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
【００２３】上記構成によれば、面内磁化層と再生層と
の間に働く交換結合力が良好な状態に設定され、再生層
における面内磁化によるマスクを良好に強調することが
可能となる。
の間に働く交換結合力が良好な状態に設定され、再生層
における面内磁化によるマスクを良好に強調することが
可能となる。
【００２４】（９）請求項９に記載の光磁気記録媒体
は、面内磁化層，再生層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、再生層の膜厚が、１５ｎｍ以上６
０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
は、面内磁化層，再生層，中間層、及び、記録層がこの
順に形成されており、再生層の膜厚が、１５ｎｍ以上６
０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
【００２５】上記構成によれば、再生層における面内磁
化によるマスクを良好に強調することが可能となる。ま
た、再生層膜厚が最適化されることにより、良好な再生
信号を得ることが可能となる。
化によるマスクを良好に強調することが可能となる。ま
た、再生層膜厚が最適化されることにより、良好な再生
信号を得ることが可能となる。
【００２６】（１０）請求項１０に記載の光磁気記録媒
体は、請求項６乃至請求項９に記載の光磁気記録媒体に
おいて、中間層の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
ものである。
体は、請求項６乃至請求項９に記載の光磁気記録媒体に
おいて、中間層の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
ものである。
【００２７】この構成によれば、非磁性中間層膜厚が最
適化されることにより、良好な静磁結合状態が実現さ
れ、磁気的超解像再生を実現することが可能となる。
適化されることにより、良好な静磁結合状態が実現さ
れ、磁気的超解像再生を実現することが可能となる。
【００２８】（１１）請求項１１に記載の光磁気記録媒
体は、中間層と記録層との間に反射層を有してなるもの
である。
体は、中間層と記録層との間に反射層を有してなるもの
である。
【００２９】この構成によれば、再生層と面内磁化層の
トータル膜厚が薄くなり、再生層と面内磁化層とを透過
した再生用の光ビームが反射層により反射され、磁気的
超解像再生にとって不要な記録層からの情報再生を完全
に遮断することが可能となるり、磁気的超解像再生特性
が改善される。
トータル膜厚が薄くなり、再生層と面内磁化層とを透過
した再生用の光ビームが反射層により反射され、磁気的
超解像再生にとって不要な記録層からの情報再生を完全
に遮断することが可能となるり、磁気的超解像再生特性
が改善される。
【００３０】（１２）請求項１２に記載の光磁気記録媒
体は、反射層の膜厚が２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であるも
のである。
体は、反射層の膜厚が２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であるも
のである。
【００３１】上記構成によれば、反射層膜厚が最適化さ
れることにより、再生用の光ビームが反射層により反射
され、磁気的超解像再生特性が改善されるとともに、再
生層及び面内磁化層と記録層との間に働く静磁結合力を
良好な状態に維持することが可能となる。
れることにより、再生用の光ビームが反射層により反射
され、磁気的超解像再生特性が改善されるとともに、再
生層及び面内磁化層と記録層との間に働く静磁結合力を
良好な状態に維持することが可能となる。
【００３２】（１３）請求項１３に記載の光磁気記録媒
体は、反射層が、結晶化していない金属あるいは金属合
金からなるものである。
体は、反射層が、結晶化していない金属あるいは金属合
金からなるものである。
【００３３】上記構成によれば、良好な磁気的超解像再
生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形
成される記録層の磁気特性が改善され、より小さな消去
磁界で消去可能な光磁気ディスクを提供することが可能
となる。
生を実現することが可能となるとともに、反射層上に形
成される記録層の磁気特性が改善され、より小さな消去
磁界で消去可能な光磁気ディスクを提供することが可能
となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００３５】まず、光磁気記録媒体の再生動作原理を説
明する。図１は本発明の光磁気記録媒体の超解像再生動
作原理を説明する断面図であり、図２は従来の超解像再
生動作原理を説明する断面図である。
明する。図１は本発明の光磁気記録媒体の超解像再生動
作原理を説明する断面図であり、図２は従来の超解像再
生動作原理を説明する断面図である。
【００３６】まず、従来の超解像再生動作について説明
する。従来の超解像光磁気記録媒体は、図２に示すよう
に、室温で面内磁化状態であり、臨界温度以上の温度で
垂直磁化状態となる希土類金属と遷移金属との合金から
なる再生層１と、室温に補償温度を有する希土類金属と
遷移金属との合金からなる記録層４との間に非磁性中間
層３が形成され、再生層１と記録層４とが静磁結合した
構成である。
する。従来の超解像光磁気記録媒体は、図２に示すよう
に、室温で面内磁化状態であり、臨界温度以上の温度で
垂直磁化状態となる希土類金属と遷移金属との合金から
なる再生層１と、室温に補償温度を有する希土類金属と
遷移金属との合金からなる記録層４との間に非磁性中間
層３が形成され、再生層１と記録層４とが静磁結合した
構成である。
【００３７】再生は、光ビーム５を再生層１側から集光
照射することにより行われる。光ビーム５が照射される
と、媒体には光ビーム５の強度分布に対応したガウシア
ン分布状の温度分布が形成される。再生層１は、その温
度が分布に伴って面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷
移する。図２では、Ｚ部が臨界温度以上となっており、
この部分が垂直磁化状態となる。このとき、再生層１の
Ｚ部のトータル磁化の向きは記録層４から発生する漏洩
磁界の向きとなる。このように、この光磁気記録媒体で
は、理想的には光スポット５が照射された部分の一部の
みが垂直磁化状態となって再生に寄与することとなり、
超解像再生動作が実現する。
照射することにより行われる。光ビーム５が照射される
と、媒体には光ビーム５の強度分布に対応したガウシア
ン分布状の温度分布が形成される。再生層１は、その温
度が分布に伴って面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷
移する。図２では、Ｚ部が臨界温度以上となっており、
この部分が垂直磁化状態となる。このとき、再生層１の
Ｚ部のトータル磁化の向きは記録層４から発生する漏洩
磁界の向きとなる。このように、この光磁気記録媒体で
は、理想的には光スポット５が照射された部分の一部の
みが垂直磁化状態となって再生に寄与することとなり、
超解像再生動作が実現する。
【００３８】上記したように、この光磁気記録媒体の再
生においては、再生層１が垂直磁化状態となる臨界温度
以上の範囲のみの情報が再生されることが望ましいが、
実際には、臨界温度以下の範囲においても図２における
Ｚ部の近傍では、再生層１の磁化は、記録層４のトータ
ル磁化から発生する漏洩磁界の影響を受けて、膜面に対
して傾いた磁化状態となる、つまり、再生に寄与する垂
直磁化成分を有することになる。これは、記録層４から
発生する漏洩磁界が温度上昇に伴い徐々に大きくなるこ
とと、再生層１の磁化状態が温度上昇に伴って徐々に面
内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移することによる。
したがって、Ｚ部に記録された情報を再生する場合に、
そのＺ部の近傍の臨界温度以下の範囲の情報をも同時に
再生してしまい、再生分解能劣化が発生してしまう。
生においては、再生層１が垂直磁化状態となる臨界温度
以上の範囲のみの情報が再生されることが望ましいが、
実際には、臨界温度以下の範囲においても図２における
Ｚ部の近傍では、再生層１の磁化は、記録層４のトータ
ル磁化から発生する漏洩磁界の影響を受けて、膜面に対
して傾いた磁化状態となる、つまり、再生に寄与する垂
直磁化成分を有することになる。これは、記録層４から
発生する漏洩磁界が温度上昇に伴い徐々に大きくなるこ
とと、再生層１の磁化状態が温度上昇に伴って徐々に面
内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移することによる。
したがって、Ｚ部に記録された情報を再生する場合に、
そのＺ部の近傍の臨界温度以下の範囲の情報をも同時に
再生してしまい、再生分解能劣化が発生してしまう。
【００３９】ここで、再生層１においては、室温で面内
磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる特性
を実現するため、希土類金属副格子モーメントの大きさ
と遷移金属副格子モーメントの大きさとが同じ大きさに
なる補償組成に対して、希土類金属副格子モーメントを
多く含有していることが必要であり、再生層１の遷移金
属副格子モーメントの向きとトータル磁化の向きとが反
平行となる。一方、記録層４においては、室温に補償温
度を有する希土類遷移金属合金が用いられており、温度
上昇過程において、遷移金属副格子モーメントの大きさ
が希土類金属副格子モーメントより大きくなるため、記
録層４の遷移金属副格子モーメントの向きとトータル磁
化の向きとは平行となる。
磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる特性
を実現するため、希土類金属副格子モーメントの大きさ
と遷移金属副格子モーメントの大きさとが同じ大きさに
なる補償組成に対して、希土類金属副格子モーメントを
多く含有していることが必要であり、再生層１の遷移金
属副格子モーメントの向きとトータル磁化の向きとが反
平行となる。一方、記録層４においては、室温に補償温
度を有する希土類遷移金属合金が用いられており、温度
上昇過程において、遷移金属副格子モーメントの大きさ
が希土類金属副格子モーメントより大きくなるため、記
録層４の遷移金属副格子モーメントの向きとトータル磁
化の向きとは平行となる。
【００４０】次に、図１に示す本発明の超解像光磁気記
録媒体の再生動作原理を説明する。この光記録媒体で
は、再生層１に隣接して、面内磁化層２が形成されてい
る。この面内磁化層２は、臨界温度以上の温度において
磁化を持たないか、あるいは、臨界温度近傍の温度で磁
化の大きさが温度上昇とともに小さくなるように設定さ
れている。
録媒体の再生動作原理を説明する。この光記録媒体で
は、再生層１に隣接して、面内磁化層２が形成されてい
る。この面内磁化層２は、臨界温度以上の温度において
磁化を持たないか、あるいは、臨界温度近傍の温度で磁
化の大きさが温度上昇とともに小さくなるように設定さ
れている。
【００４１】このような光磁気記録媒体では、再生層１
と面内磁化層２は隣接しているため、面内磁化層２の面
内磁化と再生層１の面内磁化とは臨界温度以下では交換
結合している。したがって、再生層１の磁化の方向は正
確に面内方向を向くこととなる。
と面内磁化層２は隣接しているため、面内磁化層２の面
内磁化と再生層１の面内磁化とは臨界温度以下では交換
結合している。したがって、再生層１の磁化の方向は正
確に面内方向を向くこととなる。
【００４２】また、この光磁気記録媒体に光ビーム５が
照射され、光ビーム５の強度分布に対応したガウシアン
分布状の温度分布が形成されると、面内磁化層２は、そ
の温度分布に起因する温度上昇に伴って磁化の大きさが
小さくなる或いは消失する。一方、再生層１は、その温
度上昇に伴って面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移
しようとする。このため、温度上昇とともに面内磁化層
２と再生層１との交換結合力が弱くなり、臨界温度以上
では、再生層１が垂直磁化状態となる。このとき、再生
層１のＺのトータル磁化の向きは記録層４から発生する
漏洩磁界の向きとなる。
照射され、光ビーム５の強度分布に対応したガウシアン
分布状の温度分布が形成されると、面内磁化層２は、そ
の温度分布に起因する温度上昇に伴って磁化の大きさが
小さくなる或いは消失する。一方、再生層１は、その温
度上昇に伴って面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移
しようとする。このため、温度上昇とともに面内磁化層
２と再生層１との交換結合力が弱くなり、臨界温度以上
では、再生層１が垂直磁化状態となる。このとき、再生
層１のＺのトータル磁化の向きは記録層４から発生する
漏洩磁界の向きとなる。
【００４３】以上のように、本発明の光磁気記録媒体で
は、臨界温度以下では、面内磁化層２の面内磁化と再生
層１の面内磁化とが交換結合し、面内磁化状態が保持さ
れ、臨界温度以上でのみ、面内磁化層２の磁化が小さく
なり交換結合力が弱くなって、再生層１が垂直磁化状態
となる。このため、目的とする再生層１の臨界温度以上
の範囲のみの情報を再生することが可能となる。
は、臨界温度以下では、面内磁化層２の面内磁化と再生
層１の面内磁化とが交換結合し、面内磁化状態が保持さ
れ、臨界温度以上でのみ、面内磁化層２の磁化が小さく
なり交換結合力が弱くなって、再生層１が垂直磁化状態
となる。このため、目的とする再生層１の臨界温度以上
の範囲のみの情報を再生することが可能となる。
【００４４】〔第１の実施の形態〕本発明の実施の形態
について、図面に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気デ
ィスクを適用した場合について説明する。
について、図面に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気デ
ィスクを適用した場合について説明する。
【００４５】図３はこの光磁気ディスクの構成を示す断
面図である。この光磁気ディスクは、基板６，透明誘電
体層７，再生層１，面内磁化層２，非磁性中間層３，記
録層４，保護層８，オーバーコート層９が、この順にて
積層されたディスク本体を有している。
面図である。この光磁気ディスクは、基板６，透明誘電
体層７，再生層１，面内磁化層２，非磁性中間層３，記
録層４，保護層８，オーバーコート層９が、この順にて
積層されたディスク本体を有している。
【００４６】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム５が対物レンズによ
り再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られてい
る光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっ
ている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の
向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向にな
る現象である。
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム５が対物レンズによ
り再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られてい
る光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっ
ている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の
向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向にな
る現象である。
【００４７】基板６は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００４８】透明誘電体層７は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定
される必要があり、再生光の波長をλ，透明誘電体層７
の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層７の膜厚は（λ
／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を
６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層７の膜厚を４０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定
される必要があり、再生光の波長をλ，透明誘電体層７
の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層７の膜厚は（λ
／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を
６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層７の膜厚を４０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【００４９】再生層１は、希土類遷移金属合金からなる
磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化
状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態となるよ
うに組成調整されている。
磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化
状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態となるよ
うに組成調整されている。
【００５０】面内磁化層２は、希土類遷移金属合金、ま
たは、希土類金属、または、遷移金属を主成分とする磁
性膜からなり、膜面に水平な方向に磁化を有するもので
ある。上記したように、面内磁化層２は、臨界温度以下
の温度で再生層１の面内磁化状態を保持し、臨界温度以
上において磁化が弱くなり記録層４から発生する漏洩磁
界が透過しやすくなるように、組成調整されている。
たは、希土類金属、または、遷移金属を主成分とする磁
性膜からなり、膜面に水平な方向に磁化を有するもので
ある。上記したように、面内磁化層２は、臨界温度以下
の温度で再生層１の面内磁化状態を保持し、臨界温度以
上において磁化が弱くなり記録層４から発生する漏洩磁
界が透過しやすくなるように、組成調整されている。
【００５１】非磁性中間層３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、再生層１及び面内磁化層２と記録
層４とが静磁結合すべく、その膜厚が１〜４０ｎｍに設
定されている。
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、再生層１及び面内磁化層２と記録
層４とが静磁結合すべく、その膜厚が１〜４０ｎｍに設
定されている。
【００５２】記録層４は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜からなり、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範
囲に設定されている。
垂直磁化膜からなり、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範
囲に設定されている。
【００５３】保護層８は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ
等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属
合金からなり、再生層１や記録層４に用いる希土類遷移
金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであ
り、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されてい
る。
等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属
合金からなり、再生層１や記録層４に用いる希土類遷移
金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであ
り、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されてい
る。
【００５４】オーバーコート層９は、紫外線硬化樹脂ま
たは熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
たは熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
【００５５】次に、この構成の光磁気ディスクの形成方
法及び記録再生特性の具体例を説明する。
法及び記録再生特性の具体例を説明する。
【００５６】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
る。
【００５７】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットと、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッ
タ装置内の基板ホルダーに、プリグルーブ及びプリピッ
トを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の
基板６を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合
ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス
圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板６にＡｌＮからな
る透明誘電体層７を膜厚８０ｎｍで形成する。
金ターゲットと、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットと、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッ
タ装置内の基板ホルダーに、プリグルーブ及びプリピッ
トを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の
基板６を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合
ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス
圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板６にＡｌＮからな
る透明誘電体層７を膜厚８０ｎｍで形成する。
【００５８】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層７上に、Ｇ
ｄ0.30（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.70からなる再生層１を膜
厚４０ｎｍで形成する。その再生層１は、室温において
面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態と
なる特性を有し、その補償温度が３００℃、そのキュリ
ー温度が３２０℃である。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層７上に、Ｇ
ｄ0.30（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.70からなる再生層１を膜
厚４０ｎｍで形成する。その再生層１は、室温において
面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態と
なる特性を有し、その補償温度が３００℃、そのキュリ
ー温度が３２０℃である。
【００５９】続いて、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットに電
力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記再
生層１上に、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25からな
る面内磁化層２を膜厚２０ｎｍで形成する。その面内磁
化層２は、キュリー温度が１２０℃であり、室温からキ
ュリー温度（１２０℃）まで、膜面に平行な方向に磁化
を有する面内磁化層である。
力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記再
生層１上に、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25からな
る面内磁化層２を膜厚２０ｎｍで形成する。その面内磁
化層２は、キュリー温度が１２０℃であり、室温からキ
ュリー温度（１２０℃）まで、膜面に平行な方向に磁化
を有する面内磁化層である。
【００６０】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、面内磁化層２上にＡｌＮからなる
非磁性中間層３を膜厚４ｎｍで形成する。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、面内磁化層２上にＡｌＮからなる
非磁性中間層３を膜厚４ｎｍで形成する。
【００６１】続いて、再度、スパッタ装置内を１×１０
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入
し、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層
３上に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.77からなる記録層４を膜厚４０ｎｍで形成す
る。その記録層４は、２５℃に補償温度を有し、キュリ
ー温度が２７５℃である。
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入
し、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層
３上に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.77からなる記録層４を膜厚４０ｎｍで形成す
る。その記録層４は、２５℃に補償温度を有し、キュリ
ー温度が２７５℃である。
【００６２】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層８を膜厚２０ｎｍとして形成する。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層８を膜厚２０ｎｍとして形成する。
【００６３】最後に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層９を形成する。
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層９を形成する。
【００６４】（２）記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光ピックアップで測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）のマーク長依存性を図４に示す。
を用いた光ピックアップで測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）のマーク長依存性を図４に示す。
【００６５】比較のため、面内磁化層２の存在しない構
成の光磁気ディスクのＣＮＲのマーク長依存性も比較例
１として同図に記載する。なお、面内磁化層の存在しな
い光磁気ディスクの媒体は、本実施の形態の媒体構成に
おいて、面内磁化層２を取り除いた構成である。また、
ここで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応
する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区
ピッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものであ
る。
成の光磁気ディスクのＣＮＲのマーク長依存性も比較例
１として同図に記載する。なお、面内磁化層の存在しな
い光磁気ディスクの媒体は、本実施の形態の媒体構成に
おいて、面内磁化層２を取り除いた構成である。また、
ここで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応
する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区
ピッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものであ
る。
【００６６】マーク長０.３μｍの両者のＣＮＲを比較
すると、比較例１の場合に３４.０ｄＢであるのに対し
て、本実施の形態の場合３９.５ｄＢと５.５ｄＢのＣＮ
Ｒ増加が観測されている。これは、面内磁化層２によ
り、再生層１の面内磁化マスクがより完全なものとな
り、再生分解能が上がったことによるものである。
すると、比較例１の場合に３４.０ｄＢであるのに対し
て、本実施の形態の場合３９.５ｄＢと５.５ｄＢのＣＮ
Ｒ増加が観測されている。これは、面内磁化層２によ
り、再生層１の面内磁化マスクがより完全なものとな
り、再生分解能が上がったことによるものである。
【００６７】以上のように、本実施の形態の光磁気記録
媒体では、再生層１に隣接し、再生層１の臨界温度近傍
で磁化が低下する面内磁化層２を有しているため、臨界
温度以下の温度で再生層１の磁化の方向が膜面に対して
傾くことが抑制され、再生分解能を向上させることがで
きる。
媒体では、再生層１に隣接し、再生層１の臨界温度近傍
で磁化が低下する面内磁化層２を有しているため、臨界
温度以下の温度で再生層１の磁化の方向が膜面に対して
傾くことが抑制され、再生分解能を向上させることがで
きる。
【００６８】次に、本実施の形態の光磁気記録媒体にお
いて、再生層１及び面内磁化層２の膜厚、非磁性中
間層３の膜厚、面内磁化層２の材料及び組成、を変化
させて、記録再生特性を調べた結果について示す。
いて、再生層１及び面内磁化層２の膜厚、非磁性中
間層３の膜厚、面内磁化層２の材料及び組成、を変化
させて、記録再生特性を調べた結果について示す。
【００６９】再生層１及び面内磁化層２の膜厚 表１は、再生層１と面内磁化層２の膜厚を変化させて、
マーク長が０.３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示す
ものである。
マーク長が０.３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示す
ものである。
【００７０】
【表１】
【００７１】尚、表１において、面内磁化層の膜厚０ｎ
ｍというのは、面内磁化層を有していない従来の光磁気
記録媒体（以下、比較例１と記す）の結果を示してい
る。
ｍというのは、面内磁化層を有していない従来の光磁気
記録媒体（以下、比較例１と記す）の結果を示してい
る。
【００７２】表１から、面内磁化層２の膜厚を２ｎｍと
極めて薄い場合においても、再生層１の臨界温度以下で
の面内磁化マスクが強化されることにより、比較例１よ
りもＣＮＲが１ｄＢ上昇していることがわかる。また、
面内磁化層２の膜厚を増大してくと、２０ｎｍまではＣ
ＮＲが増大するが、それ以上厚くするとＣＮＲは低下し
ていき、６０ｎｍとなると比較例１よりもＣＮＲが低下
してしまう。これは、面内磁化マスクが強化され過ぎ、
垂直磁化状態となるべき部分において、面内磁化マスク
の影響を受けて、完全な垂直磁化状態が得られなくなる
ことによるものであると考えられる。表１より、面内磁
化層２膜厚としては、比較例１よりもＣＮＲの向上する
２〜４０ｎｍが望ましいことが分かる。
極めて薄い場合においても、再生層１の臨界温度以下で
の面内磁化マスクが強化されることにより、比較例１よ
りもＣＮＲが１ｄＢ上昇していることがわかる。また、
面内磁化層２の膜厚を増大してくと、２０ｎｍまではＣ
ＮＲが増大するが、それ以上厚くするとＣＮＲは低下し
ていき、６０ｎｍとなると比較例１よりもＣＮＲが低下
してしまう。これは、面内磁化マスクが強化され過ぎ、
垂直磁化状態となるべき部分において、面内磁化マスク
の影響を受けて、完全な垂直磁化状態が得られなくなる
ことによるものであると考えられる。表１より、面内磁
化層２膜厚としては、比較例１よりもＣＮＲの向上する
２〜４０ｎｍが望ましいことが分かる。
【００７３】また、再生層１の膜厚は、表１から、その
膜厚が８ｎｍとなると、再生信号が小さくなり、そのＣ
ＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。さらに、再生
層１の膜厚が１２０ｎｍとなると、再生層１に発生する
磁壁エネルギーが増加し、臨界温度以上に温度上昇した
部分において完全な垂直磁化状態が得られなくなり、そ
のＣＮＲが比較例１よりも低くなってしまう。表１よ
り、再生層１の膜厚としては、比較例１よりも高いＣＮ
Ｒの得られる１０〜８０ｎｍの範囲が望ましいことが分
かる。
膜厚が８ｎｍとなると、再生信号が小さくなり、そのＣ
ＮＲは比較例１よりも低くなってしまう。さらに、再生
層１の膜厚が１２０ｎｍとなると、再生層１に発生する
磁壁エネルギーが増加し、臨界温度以上に温度上昇した
部分において完全な垂直磁化状態が得られなくなり、そ
のＣＮＲが比較例１よりも低くなってしまう。表１よ
り、再生層１の膜厚としては、比較例１よりも高いＣＮ
Ｒの得られる１０〜８０ｎｍの範囲が望ましいことが分
かる。
【００７４】非磁性中間層３の膜厚 表２は、非磁性中間層３の膜厚を変化させて、マーク長
０．３μｍでのＣＮＲ、及び、消去に必要な磁界（消去
磁界）を測定した結果を示すものである。
０．３μｍでのＣＮＲ、及び、消去に必要な磁界（消去
磁界）を測定した結果を示すものである。
【００７５】
【表２】
【００７６】表２からわかるように、非磁性中間層３の
膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲが著しく低下している
ことがわかる。これは、非磁性中間層３の膜厚が薄すぎ
るため、良好な静磁結合状態が得られなかったことによ
るものと考えられる。非磁性中間層３の膜厚が１ｎｍの
時、最大のＣＮＲが得られ、非磁性中間層３の膜厚が大
きくなるにつれて、静磁結合力が小さくなるとともにＣ
ＮＲが低下していくことがわかる。比較例１よりも高い
ＣＮＲの得るためには、非磁性中間層３の膜厚を１〜８
０ｎｍの範囲に設定する必要のあることが分かる。
膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲが著しく低下している
ことがわかる。これは、非磁性中間層３の膜厚が薄すぎ
るため、良好な静磁結合状態が得られなかったことによ
るものと考えられる。非磁性中間層３の膜厚が１ｎｍの
時、最大のＣＮＲが得られ、非磁性中間層３の膜厚が大
きくなるにつれて、静磁結合力が小さくなるとともにＣ
ＮＲが低下していくことがわかる。比較例１よりも高い
ＣＮＲの得るためには、非磁性中間層３の膜厚を１〜８
０ｎｍの範囲に設定する必要のあることが分かる。
【００７７】さらに、非磁性中間層３の膜厚を厚くする
ことにより、再生層１と記録層４との静磁結合力が小さ
くなることにより、消去磁界が小さくなることがわか
る。消去磁界を実用的な３１ｋＡ／ｍ以下の範囲にする
ためには、非磁性中間層３の膜厚を４ｎｍ以上とするこ
とが望ましい。
ことにより、再生層１と記録層４との静磁結合力が小さ
くなることにより、消去磁界が小さくなることがわか
る。消去磁界を実用的な３１ｋＡ／ｍ以下の範囲にする
ためには、非磁性中間層３の膜厚を４ｎｍ以上とするこ
とが望ましい。
【００７８】面内磁化層２の材料及び組成 以上では、面内磁化層２としてキュリー温度が１２０℃
の（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25を用いた場合の記
録再生特性について示したが、ここで、面内磁化層２の
Ａｌ含有率を変えて記録再生特性を調査した結果を記述
する。
の（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25を用いた場合の記
録再生特性について示したが、ここで、面内磁化層２の
Ａｌ含有率を変えて記録再生特性を調査した結果を記述
する。
【００７９】表３は、面内磁化層２を膜厚２０ｎｍの
（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）XＡｌ1-Xとして、Ｘ（ａｔｏｍ
％）の値を変えて、面内磁化層２のキュリー温度Ｔ
C2と、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピック
アップで測定したマーク長０.３μｍでのＣＮＲ（信号
対雑音比）とを測定した結果を示すものである。
（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）XＡｌ1-Xとして、Ｘ（ａｔｏｍ
％）の値を変えて、面内磁化層２のキュリー温度Ｔ
C2と、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピック
アップで測定したマーク長０.３μｍでのＣＮＲ（信号
対雑音比）とを測定した結果を示すものである。
【００８０】
【表３】
【００８１】表３において、面内磁化層２が形成されて
いない比較例１において得られたＣＮＲ（３４.０ｄ
Ｂ）よりも高いＣＮＲが得られるのは、０.３０＜Ｘ＜
１.００の範囲であることがわかる。
いない比較例１において得られたＣＮＲ（３４.０ｄ
Ｂ）よりも高いＣＮＲが得られるのは、０.３０＜Ｘ＜
１.００の範囲であることがわかる。
【００８２】ここで、再生層１は、１２０℃の温度で垂
直磁化状態となるものである。したがって、面内磁化層
２は、１２０℃以下の温度において、再生層１の面内磁
化マスクを強調することができればよいため、面内磁化
層２のキュリー温度の最適値は、１２０℃ということに
なる。
直磁化状態となるものである。したがって、面内磁化層
２は、１２０℃以下の温度において、再生層１の面内磁
化マスクを強調することができればよいため、面内磁化
層２のキュリー温度の最適値は、１２０℃ということに
なる。
【００８３】しかしながら、表３に示すように、面内磁
化層２のキュリー温度が、６０℃以上２２０℃以下にお
いても、比較例１よりも高いＣＮＲが得られており、こ
こから、面内磁化層２として、再生層１が垂直磁化状態
となる臨界温度と同一温度において磁化が０となるよう
なものを使用しなくとも、その臨界温度近傍で温度上昇
とともに磁化が低下するようなものを使用すれば、再生
層１の面内磁化マスクをある程度強調できることがわか
る。
化層２のキュリー温度が、６０℃以上２２０℃以下にお
いても、比較例１よりも高いＣＮＲが得られており、こ
こから、面内磁化層２として、再生層１が垂直磁化状態
となる臨界温度と同一温度において磁化が０となるよう
なものを使用しなくとも、その臨界温度近傍で温度上昇
とともに磁化が低下するようなものを使用すれば、再生
層１の面内磁化マスクをある程度強調できることがわか
る。
【００８４】尚、ここでは、面内磁化層２として、Ｇｄ
ＦｅＡｌを用いた結果について記述しているが、キュリ
ー温度が６０℃〜２２０℃の材料であればどのようなも
のでもよく、他に例えば、ＮｄＦｅ、ＮｄＦｅＡｌ、Ｄ
ｙＦｅ、ＤｙＦｅＡｌからなる面内磁化層を用いること
が可能である。以下に、その一例として、面内磁化層２
として、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ｚ0.25（ＺはＡｌ以
外の金属元素）を用いた結果について記述する。
ＦｅＡｌを用いた結果について記述しているが、キュリ
ー温度が６０℃〜２２０℃の材料であればどのようなも
のでもよく、他に例えば、ＮｄＦｅ、ＮｄＦｅＡｌ、Ｄ
ｙＦｅ、ＤｙＦｅＡｌからなる面内磁化層を用いること
が可能である。以下に、その一例として、面内磁化層２
として、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ｚ0.25（ＺはＡｌ以
外の金属元素）を用いた結果について記述する。
【００８５】表４は、その場合における面内磁化層２の
キュリー温度ＴC2と、波長６８０ｎｍの半導体レーザを
用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ
（信号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。
ここで、Ｚとしては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，
Ａｌ0.5Ｔｉ0.5，Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いた。比較のた
め、面内磁化層を有していない光磁気ディスクのＣＮＲ
を比較例１として記載している。
キュリー温度ＴC2と、波長６８０ｎｍの半導体レーザを
用いた光ピックアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ
（信号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。
ここで、Ｚとしては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，
Ａｌ0.5Ｔｉ0.5，Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いた。比較のた
め、面内磁化層を有していない光磁気ディスクのＣＮＲ
を比較例１として記載している。
【００８６】
【表４】
【００８７】表４より、Ｚとして、Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，
Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ0.5Ｔｉ0.5，Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いた
すべての場合において、比較例１よりも高いＣＮＲが得
られていることがわかる。このように、面内磁化層２の
キュリー温度が６０℃〜２２０℃の範囲にあれば記録再
生特性は向上する。したがって、面内磁化層２として
は、他に、ＮｄＦｅＴｉ，ＮｄＦｅＴａ，ＤｙＦｅＴ
ｉ，ＤｙＦｅＴａからなる面内磁化層を用いることも可
能である。
Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ0.5Ｔｉ0.5，Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いた
すべての場合において、比較例１よりも高いＣＮＲが得
られていることがわかる。このように、面内磁化層２の
キュリー温度が６０℃〜２２０℃の範囲にあれば記録再
生特性は向上する。したがって、面内磁化層２として
は、他に、ＮｄＦｅＴｉ，ＮｄＦｅＴａ，ＤｙＦｅＴ
ｉ，ＤｙＦｅＴａからなる面内磁化層を用いることも可
能である。
【００８８】尚、以上の〜では、再生層１が４０ｎ
ｍのＧｄ0.3（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.7，面内磁化層２が２
０ｎｍの（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25，非磁性中
間層３が４ｎｍのＡｌＮ，記録層４が４０ｎｍの（Ｇｄ
0.5Ｄｙ0.5）0.23（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.77である場合を
基準として、再生層１及び面内磁化層２の膜厚，非
磁性中間層３の膜厚，面内磁化層２の材料及び組成、
を変化させた場合の記録再生特性を示したが、再生層
１，面内磁化層２，非磁性中間層３，記録層４の材料及
び組成が上記のものでない場合においても同様の結果が
得られた。したがって、再生層１，面内磁化層２，非磁
性中間層３の膜厚はそれぞれ１０ｎｍ以上８０ｎｍ以
下，２ｎｍ以上４０ｎｍ以下，１ｎｍ以上８０ｎｍ以下
であることが望ましい。
ｍのＧｄ0.3（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.7，面内磁化層２が２
０ｎｍの（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.75Ａｌ0.25，非磁性中
間層３が４ｎｍのＡｌＮ，記録層４が４０ｎｍの（Ｇｄ
0.5Ｄｙ0.5）0.23（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.77である場合を
基準として、再生層１及び面内磁化層２の膜厚，非
磁性中間層３の膜厚，面内磁化層２の材料及び組成、
を変化させた場合の記録再生特性を示したが、再生層
１，面内磁化層２，非磁性中間層３，記録層４の材料及
び組成が上記のものでない場合においても同様の結果が
得られた。したがって、再生層１，面内磁化層２，非磁
性中間層３の膜厚はそれぞれ１０ｎｍ以上８０ｎｍ以
下，２ｎｍ以上４０ｎｍ以下，１ｎｍ以上８０ｎｍ以下
であることが望ましい。
【００８９】〔第２の実施の形態〕本発明の第２の実施
の形態について図面に基づいて説明すれば以下の通りで
ある。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気
ディスクを適用した場合について説明する。
の形態について図面に基づいて説明すれば以下の通りで
ある。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気
ディスクを適用した場合について説明する。
【００９０】図５は、本光磁気ディスクの構成を示す断
面図である。この図に示すように、基板６，透明誘電体
層７，面内磁化層２，再生層１，非磁性中間層３，記録
層４，保護層８，オーバーコート層９が、この順にて積
層されている。つまり、この光磁気ディスクは、第１の
実施の形態に記載の光磁気ディスクにおいて、再生層１
と面内磁化層２の形成順序が逆になった構成となってい
る。
面図である。この図に示すように、基板６，透明誘電体
層７，面内磁化層２，再生層１，非磁性中間層３，記録
層４，保護層８，オーバーコート層９が、この順にて積
層されている。つまり、この光磁気ディスクは、第１の
実施の形態に記載の光磁気ディスクにおいて、再生層１
と面内磁化層２の形成順序が逆になった構成となってい
る。
【００９１】次に、この光磁気ディスクの形成方法，記
録再生特性について説明する。
録再生特性について説明する。
【００９２】（１）光磁気ディスクの形成方法 本実施の形態の光磁気ディスクは、第１の実施の形態に
記載の光磁気ディスクの形成方法において、再生層１と
面内磁化層２の形成順序を逆にすることにより形成でき
る。ここでは、第１の実施の形態と同様の方法で、基板
６，透明誘電体層７，非磁性中間層３，記録層４，保護
層８，オーバーコート層９からなる光磁気ディスクを形
成した。
記載の光磁気ディスクの形成方法において、再生層１と
面内磁化層２の形成順序を逆にすることにより形成でき
る。ここでは、第１の実施の形態と同様の方法で、基板
６，透明誘電体層７，非磁性中間層３，記録層４，保護
層８，オーバーコート層９からなる光磁気ディスクを形
成した。
【００９３】（２）記録再生特性 表５は、再生層１と面内磁化層２の膜厚を変えて、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すも
のである。
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すも
のである。
【００９４】
【表５】
【００９５】表５において、面内磁化層膜厚が０ｎｍと
ある欄は、面内磁化層２を形成していない比較例１の結
果を示している。面内磁化層２の膜厚を２ｎｍと極めて
薄くした場合においても、面内磁化マスクの強化が実現
することにより、ＣＮＲが１ｄＢ上昇する。面内磁化層
２の膜厚を１０ｎｍより大きくすると、比較例１よりも
ＣＮＲが低くなってしまうことがわかる。これは、レー
ザ光５が再生情報を持たない面内磁化層２を透過するこ
とにより、再生信号強度が低下することによる。以上の
ことより、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる面内磁
化層２の膜厚は、２〜１０ｎｍの範囲であることが分か
る。
ある欄は、面内磁化層２を形成していない比較例１の結
果を示している。面内磁化層２の膜厚を２ｎｍと極めて
薄くした場合においても、面内磁化マスクの強化が実現
することにより、ＣＮＲが１ｄＢ上昇する。面内磁化層
２の膜厚を１０ｎｍより大きくすると、比較例１よりも
ＣＮＲが低くなってしまうことがわかる。これは、レー
ザ光５が再生情報を持たない面内磁化層２を透過するこ
とにより、再生信号強度が低下することによる。以上の
ことより、比較例１よりも高いＣＮＲの得られる面内磁
化層２の膜厚は、２〜１０ｎｍの範囲であることが分か
る。
【００９６】また、第１の実施の形態の光磁気ディスク
と比較して、光ビーム５の入射側に面内磁化層２が存在
するため、相対的にＣＮＲが低くなっており、第１の実
施の形態における比較例１より高いＣＮＲを実現するた
めに必要な再生層１の膜厚範囲は狭くなり、再生層１の
膜厚が１５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲である必要がある。
と比較して、光ビーム５の入射側に面内磁化層２が存在
するため、相対的にＣＮＲが低くなっており、第１の実
施の形態における比較例１より高いＣＮＲを実現するた
めに必要な再生層１の膜厚範囲は狭くなり、再生層１の
膜厚が１５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲である必要がある。
【００９７】尚、ここでは、再生層１がＧｄ0.3（Ｆｅ
0.8Ｃｏ0.2）0.7，面内磁化層２が（Ｇｄ0.11Ｆ
ｅ0.89）0.75Ａｌ0.25，非磁性中間層３がＡｌＮ，記録
層４が（Ｇｄ0.5Ｄｙ0.5）0.23（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.77
である場合を基準として、再生層１及び面内磁化層２の
膜厚を変化させた場合の記録再生特性を示したが、再生
層１，面内磁化層２，非磁性中間層３，記録層４の材料
及び組成が上記のものでない場合においても同様の結果
が得られた。したがって、再生層１，面内磁化層２の膜
厚はそれぞれ１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下，２ｎｍ以上１
０ｎｍ以下であることが望ましい。
0.8Ｃｏ0.2）0.7，面内磁化層２が（Ｇｄ0.11Ｆ
ｅ0.89）0.75Ａｌ0.25，非磁性中間層３がＡｌＮ，記録
層４が（Ｇｄ0.5Ｄｙ0.5）0.23（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.77
である場合を基準として、再生層１及び面内磁化層２の
膜厚を変化させた場合の記録再生特性を示したが、再生
層１，面内磁化層２，非磁性中間層３，記録層４の材料
及び組成が上記のものでない場合においても同様の結果
が得られた。したがって、再生層１，面内磁化層２の膜
厚はそれぞれ１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下，２ｎｍ以上１
０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００９８】また、非磁性中間層３は第１の実施の形態
と同一条件すなわち１ｎｍ以上８０ｎｍ以下の膜厚であ
ることが望ましい。
と同一条件すなわち１ｎｍ以上８０ｎｍ以下の膜厚であ
ることが望ましい。
【００９９】〔第３の実施の形態〕本発明の第３の実施
の形態について、図面に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁
気ディスクを適用した場合について説明する。
の形態について、図面に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁
気ディスクを適用した場合について説明する。
【０１００】図６は本実施の形態の光磁気ディスクの構
成を示す断面図である。図６に示すように、基板６，透
明誘電体層７，再生層１，面内磁化層２，非磁性中間層
３，反射層１０，記録層４，保護層８，オーバーコート
層９が、この順にて積層されたディスク本体を有してい
る。
成を示す断面図である。図６に示すように、基板６，透
明誘電体層７，再生層１，面内磁化層２，非磁性中間層
３，反射層１０，記録層４，保護層８，オーバーコート
層９が、この順にて積層されたディスク本体を有してい
る。
【０１０１】第１の実施の形態及び第２の実施の形態に
記載した光磁気ディスクでは、再生層１と面内磁化層２
のトータル膜厚が４０ｎｍより小さくなった場合、再生
層１と面内磁化層２とを透過した光ビーム５が記録層４
により反射され、再生信号に記録層４の情報が混入する
恐れがあり、この場合、再生層１と面内磁化層２の面内
磁化によるマスク効果が低下してしまう。
記載した光磁気ディスクでは、再生層１と面内磁化層２
のトータル膜厚が４０ｎｍより小さくなった場合、再生
層１と面内磁化層２とを透過した光ビーム５が記録層４
により反射され、再生信号に記録層４の情報が混入する
恐れがあり、この場合、再生層１と面内磁化層２の面内
磁化によるマスク効果が低下してしまう。
【０１０２】本実施の形態の光磁気ディスクは、上記の
問題を解決するために、第１の実施の形態に記載した光
磁気ディスクにおいて、非磁性中間層３と記録層４との
間に、反射層１０を形成している。このようにすること
により、再生層１と面内磁化層のトータル膜厚が４０ｎ
ｍ以下と薄くなった場合においても、再生層１と面内磁
化層２とを透過した光ビーム５は反射層１０により反射
され、再生信号に記録層４の情報が混入することを防ぐ
ことが可能となり、再生層１と面内磁化層２の面内磁化
によるマスクの効果をより優れたものとすることができ
る。
問題を解決するために、第１の実施の形態に記載した光
磁気ディスクにおいて、非磁性中間層３と記録層４との
間に、反射層１０を形成している。このようにすること
により、再生層１と面内磁化層のトータル膜厚が４０ｎ
ｍ以下と薄くなった場合においても、再生層１と面内磁
化層２とを透過した光ビーム５は反射層１０により反射
され、再生信号に記録層４の情報が混入することを防ぐ
ことが可能となり、再生層１と面内磁化層２の面内磁化
によるマスクの効果をより優れたものとすることができ
る。
【０１０３】以下、本実施の形態の光磁気ディスクの製
造方法及び記録再生特性について具体的に説明する。
造方法及び記録再生特性について具体的に説明する。
【０１０４】（１）光磁気ディスクの形成方法 本実施の形態の光磁気ディスクは、第１の実施の形態の
光磁気ディスクの形成方法において、非磁性中間層３と
記録層４との間に、Ａｌからなる反射層１０を形成する
ものであり、基板６，透明誘電体層７，再生層１，面内
磁化層２，非磁性中間層３，記録層４，保護層８，オー
バーコート層９は第１の実施の形態と同様の方法で、再
生層１の膜厚を１７.５ｎｍとし、面内磁化層２の膜厚
を７.５ｎｍとして形成した。
光磁気ディスクの形成方法において、非磁性中間層３と
記録層４との間に、Ａｌからなる反射層１０を形成する
ものであり、基板６，透明誘電体層７，再生層１，面内
磁化層２，非磁性中間層３，記録層４，保護層８，オー
バーコート層９は第１の実施の形態と同様の方法で、再
生層１の膜厚を１７.５ｎｍとし、面内磁化層２の膜厚
を７.５ｎｍとして形成した。
【０１０５】ここで、Ａｌ反射層１０は、非磁性中間層
３を形成した後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ａ
ｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒとし、上記非磁性中間層３上に、Ａｌからなる反射
層１０を膜厚２〜８０ｎｍで形成した。
３を形成した後、再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ａ
ｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒとし、上記非磁性中間層３上に、Ａｌからなる反射
層１０を膜厚２〜８０ｎｍで形成した。
【０１０６】（２）記録再生特性 表６は、反射層１０の膜厚を変えて、波長６８０ｎｍの
半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３
μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すものである。
半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した０.３
μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を示すものである。
【０１０７】
【表６】
【０１０８】表６において、反射層膜厚が０ｎｍとある
欄は、反射層１０を形成していない場合（以下、比較例
２と記す）の結果を示している。反射層１０の膜厚を２
ｎｍと極めて薄くした場合においても、記録層４からの
情報再生遮断の効果が見られ、ＣＮＲが０.５ｄＢ上昇
する。また、反射層１０の膜厚を厚くしていくと、ＣＮ
Ｒは徐々に大きくなり、膜厚が２０ｎｍでＣＮＲが極大
となる。これは、反射層膜厚の増加に伴い、記録層４か
らの情報再生遮断の効果がより顕著になるためである。
表６において、膜厚２０ｎｍ以上でＣＮＲが低下してい
るが、記録層４と再生層１との距離が大きくなることに
より、両者間に働く静磁結合力が弱くなることによるも
のである。表６から、比較例２よりも高いＣＮＲの得る
ためには、反射層１０の膜厚を２〜４０ｎｍの範囲で設
定する必要があることがわかる。
欄は、反射層１０を形成していない場合（以下、比較例
２と記す）の結果を示している。反射層１０の膜厚を２
ｎｍと極めて薄くした場合においても、記録層４からの
情報再生遮断の効果が見られ、ＣＮＲが０.５ｄＢ上昇
する。また、反射層１０の膜厚を厚くしていくと、ＣＮ
Ｒは徐々に大きくなり、膜厚が２０ｎｍでＣＮＲが極大
となる。これは、反射層膜厚の増加に伴い、記録層４か
らの情報再生遮断の効果がより顕著になるためである。
表６において、膜厚２０ｎｍ以上でＣＮＲが低下してい
るが、記録層４と再生層１との距離が大きくなることに
より、両者間に働く静磁結合力が弱くなることによるも
のである。表６から、比較例２よりも高いＣＮＲの得る
ためには、反射層１０の膜厚を２〜４０ｎｍの範囲で設
定する必要があることがわかる。
【０１０９】次に、反射層として他の材料を使用した場
合における記録再生特性について説明する。
合における記録再生特性について説明する。
【０１１０】以上では、反射層１０として、Ａｌを用い
た再生特性について示したが、ここでは、まず、反射層
１０として、ＡｌとＡｌ以外の金属との合金を用いた結
果について記述する。
た再生特性について示したが、ここでは、まず、反射層
１０として、ＡｌとＡｌ以外の金属との合金を用いた結
果について記述する。
【０１１１】表７は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ
1-XＦｅXとして、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁
界の大きさを示している。
1-XＦｅXとして、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁
界の大きさを示している。
【０１１２】
【表７】
【０１１３】表７より、Ｆｅ含有量が多くなるにしたが
って、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれ
て、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮ
Ｒも比較例２よりも大きく、反射層１０を形成した効果
が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌから
なる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消
去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.５
０以下に設定することにより、消去磁界を小さくするこ
とが可能であった。
って、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれ
て、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮ
Ｒも比較例２よりも大きく、反射層１０を形成した効果
が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌから
なる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消
去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.５
０以下に設定することにより、消去磁界を小さくするこ
とが可能であった。
【０１１４】次に、表８は、反射層１０を膜厚２０ｎｍ
のＡｌ1-XＮｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変え
て、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックア
ップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）
と消去磁界の大きさを示している。
のＡｌ1-XＮｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変え
て、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックア
ップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）
と消去磁界の大きさを示している。
【０１１５】
【表８】
【０１１６】表８より、Ｆｅを含有した場合と同様に、
Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消
去磁界を小さくすることが可能であった。
Ｘを０.０２以上０.５０以下に設定することにより、消
去磁界を小さくすることが可能であった。
【０１１７】Ｆｅ，Ｎｉ以外に、Ｃｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｎｄ等の磁性金属を同様にしてＡｌに含有させるこ
とにより、消去磁界を小さくすることが可能である。
ｙ，Ｎｄ等の磁性金属を同様にしてＡｌに含有させるこ
とにより、消去磁界を小さくすることが可能である。
【０１１８】次に、反射層１０として、Ａｌに非磁性金
属元素を含有させた場合の記録特性改善について示す。
属元素を含有させた場合の記録特性改善について示す。
【０１１９】表９は、反射層１０を膜厚２０ｎｍのＡｌ
1-XＴｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁
界の大きさを示している。
1-XＴｉXとして、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）と消去磁
界の大きさを示している。
【０１２０】
【表９】
【０１２１】表９より、Ｔｉ含有量が多くなるにしたが
って、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれ
て、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮ
Ｒも比較例２よりも大きく、反射層１０を形成した効果
が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌから
なる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消
去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.９
８以下に設定することにより、消去磁界を小さくするこ
とが可能であった。
って、すなわち、Ｘが０.１０よりも大きくなるにつれ
て、ＣＮＲが徐々に小さくなっているが、いずれのＣＮ
Ｒも比較例２よりも大きく、反射層１０を形成した効果
が見られる。一方、消去磁界を見ると、純粋なＡｌから
なる反射層１０を用いた場合、５０ｋＡ／ｍと大きな消
去磁界が必要であるのに対して、Ｘを０.０２以上０.９
８以下に設定することにより、消去磁界を小さくするこ
とが可能であった。
【０１２２】次に、表１０は、反射層１０として、Ｔｉ
以外の非磁性元素をＡｌに含有した場合の消去磁界低減
効果について示すものであり、反射層１０をＡｌ0.5Ｚ
0.5として、ＺをＴｉ以外の非磁性金属を用いた場合に
おける、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピッ
クアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音
比）と消去磁界の大きさを示している。
以外の非磁性元素をＡｌに含有した場合の消去磁界低減
効果について示すものであり、反射層１０をＡｌ0.5Ｚ
0.5として、ＺをＴｉ以外の非磁性金属を用いた場合に
おける、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピッ
クアップで測定した０.３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音
比）と消去磁界の大きさを示している。
【０１２３】
【表１０】
【０１２４】表１０より、Ｚとして非磁性金属であるＴ
ａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉを用いた場合において、い
ずれのＣＮＲも比較例２よりも大きく、反射層１０を形
成した効果が見られる。また、消去磁界を見ると、Ａｌ
にＴｉを含有させた場合と同様に、消去磁界を小さくで
きることがわかる。
ａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉを用いた場合において、い
ずれのＣＮＲも比較例２よりも大きく、反射層１０を形
成した効果が見られる。また、消去磁界を見ると、Ａｌ
にＴｉを含有させた場合と同様に、消去磁界を小さくで
きることがわかる。
【０１２５】以上のように、Ａｌに磁性金属や非磁性金
属を含有することにより消去磁界を低減させることがで
きるのは、磁性金属や非磁性金属を含有することにより
Ａｌ反射層１０を形成するときにＡｌの結晶化を防ぐこ
とができ、その上に形成する記録層４の磁気特性が改善
されるからである。
属を含有することにより消去磁界を低減させることがで
きるのは、磁性金属や非磁性金属を含有することにより
Ａｌ反射層１０を形成するときにＡｌの結晶化を防ぐこ
とができ、その上に形成する記録層４の磁気特性が改善
されるからである。
【０１２６】
【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
によれば、再生層における面内磁化によるマスクを強調
することができ、小さい記録ビット径及び小さい記録ビ
ット間隔で記録再生を行った場合においても、十分な再
生信号品質を得ることが可能となる。また、非磁性中間
層により、再生層及び面内磁化層と記録層との交換結合
を完全に遮断し、再生層及び面内磁化層と記録層との間
に良好な静磁結合を実現できる。
によれば、再生層における面内磁化によるマスクを強調
することができ、小さい記録ビット径及び小さい記録ビ
ット間隔で記録再生を行った場合においても、十分な再
生信号品質を得ることが可能となる。また、非磁性中間
層により、再生層及び面内磁化層と記録層との交換結合
を完全に遮断し、再生層及び面内磁化層と記録層との間
に良好な静磁結合を実現できる。
【０１２７】また、中間層と記録層との間に反射層を形
成することにより、再生層と面内磁化層のトータル膜厚
が薄くなり、再生層と面内磁化層とを透過した再生用の
光ビームが反射層により反射され、磁気的超解像再生に
とって不要な記録層からの情報再生を完全に遮断するこ
とが可能となり、磁気的超解像再生特性を改善できる。
成することにより、再生層と面内磁化層のトータル膜厚
が薄くなり、再生層と面内磁化層とを透過した再生用の
光ビームが反射層により反射され、磁気的超解像再生に
とって不要な記録層からの情報再生を完全に遮断するこ
とが可能となり、磁気的超解像再生特性を改善できる。
【０１２８】また、再生層，面内磁化層，中間層を最適
化することにより、面内磁化層と再生層との間に働く交
換結合力が良好な状態に設定され、再生層における面内
磁化によるマスクを強調することが可能となる。また、
良好な再生信号を得ることが可能となる。更に、良好な
静磁結合状態が実現され、磁気的超解像再生を実現する
ことが可能となる。
化することにより、面内磁化層と再生層との間に働く交
換結合力が良好な状態に設定され、再生層における面内
磁化によるマスクを強調することが可能となる。また、
良好な再生信号を得ることが可能となる。更に、良好な
静磁結合状態が実現され、磁気的超解像再生を実現する
ことが可能となる。
【０１２９】また、反射層を結晶化していない金属ある
いは金属合金とすることにより、反射層上に形成される
記録層の磁気特性が最適化され、より小さな消去磁界で
の消去が可能となる。
いは金属合金とすることにより、反射層上に形成される
記録層の磁気特性が最適化され、より小さな消去磁界で
の消去が可能となる。
【図１】本発明の光磁気ディスクの再生原理を説明する
模式図である。
模式図である。
【図２】従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する模
式図である。
式図である。
【図３】第１の実施の形態の光磁気ディスクの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】第１の実施の形態の光磁気ディスクのＣＮＲの
マーク長さ依存性を示す図である。
マーク長さ依存性を示す図である。
【図５】第２の実施の形態の光磁気ディスクの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】第３の実施の形態の光磁気ディスクの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 再生層 ２ 面内磁化層 ３ 非磁性中間層 ４ 記録層 ５ 光ビーム ６ 基板 ７ 透明誘電体層 ８ 保護層 ９ オーバーコート層 １０ 反射層
Claims (13)
- 【請求項１】 室温において面内磁化状態であり臨界温
度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生層と、垂直
磁化膜からなり情報を光磁気記録する記録層と、非磁性
膜からなり前記再生層と前記記録層との間に配置された
中間層と、を有してなる光磁気記録媒体において、 前記再生層の少なくとも一方側に隣接し、前記臨界温度
近傍の温度で磁化が減少する面内磁化層を有してなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記面内磁化層は、前記臨界温度近傍の温度で磁化が消
失しているものであることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記面内磁化層は、前記臨界温度近傍の温度で、前記再
生層との交換結合を解いて前記再生層に前記記録層から
の浮遊磁化を転写させるように、設定されてなることを
特徴とする光記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記面内磁化層のキュリー温度が、前記臨界温度と略同
一であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４に記載の光磁気記
録媒体において、 面内磁化層が、ＧｄＦｅ合金、ＧｄＦｅＡｌ合金、Ｇｄ
ＦｅＴｉ合金、ＧｄＦｅＴａ合金、ＧｄＦｅＰｔ合金、
ＧｄＦｅＡｕ合金、ＧｄＦｅＣｕ合金、ＧｄＦｅＡｌＴ
ｉ合金、ＧｄＦｅＡｌＴａ合金のいずれかの合金からな
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５に記載の光磁気記
録媒体において、 前記再生層，前記面内磁化層，前記中間層、及び、前記
記録層がこの順に形成されており、 前記面内磁化層の膜厚が、２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６に記載の光磁気記
録媒体において、 前記再生層，前記面内磁化層，前記中間層、及び、前記
記録層がこの順に形成されており、 前記再生層の膜厚が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１乃至請求項５に記載の光磁気記
録媒体において、 前記面内磁化層，前記再生層，前記中間層、及び、前記
記録層がこの順に形成されており、 前記面内磁化層の膜厚が、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 請求項１乃至請求項５または請求項８に
記載の光磁気記録媒体において、 前記面内磁化層，前記再生層，前記中間層、及び、前記
記録層がこの順に形成されており、 前記再生層の膜厚が、１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項６乃至請求項９に記載の光磁気
記録媒体において、 前記中間層の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以下であること
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 請求項１乃至請求項１０に記載の光磁
気記録媒体において、 前記中間層と前記記録層との間に反射層を有してなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の光磁気記録媒体に
おいて、 前記反射層の膜厚が、２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 請求項１１または請求項１２に記載の
光磁気記録媒体において、 前記反射層は、結晶化していない金属或いは金属合金か
らなることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13191796A JP3781823B2 (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US08/859,614 US5939187A (en) | 1996-05-27 | 1997-05-20 | Magneto-optical recording medium |
| KR1019970020702A KR100248592B1 (ko) | 1996-05-27 | 1997-05-26 | 광 자기 기록 매체 |
| EP97303570A EP0810594B1 (en) | 1996-05-27 | 1997-05-27 | Magneto-optical recording medium |
| DE69730080T DE69730080T2 (de) | 1996-05-27 | 1997-05-27 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13191796A JP3781823B2 (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320134A true JPH09320134A (ja) | 1997-12-12 |
| JP3781823B2 JP3781823B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=15069218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13191796A Expired - Lifetime JP3781823B2 (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5939187A (ja) |
| EP (1) | EP0810594B1 (ja) |
| JP (1) | JP3781823B2 (ja) |
| KR (1) | KR100248592B1 (ja) |
| DE (1) | DE69730080T2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6430115B1 (en) | 1998-09-08 | 2002-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording device with three distinct layers |
| US6456571B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-09-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and reproducing method thereof |
| US6463016B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical storage medium having in-plane magnetized layers |
| US6534162B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-03-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
| US6660404B2 (en) | 2000-12-01 | 2003-12-09 | Fujitsu Limited | Magnetooptical recording medium including a connection layer that is non-magnetic by itself at room temperature but can be induced to exhibit magnetism when in contact with a magnetic layer |
| US6671234B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical storage media and method of reproducing the same |
| US6721238B2 (en) | 2000-11-29 | 2004-04-13 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers capable of reducing reproducing laser power |
| KR100447159B1 (ko) * | 1998-08-21 | 2004-12-04 | 엘지전자 주식회사 | 광자기기록매체 |
| KR100525369B1 (ko) * | 1998-08-18 | 2005-12-28 | 엘지전자 주식회사 | 광자기 기록 매체 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0954993A (ja) * | 1995-08-15 | 1997-02-25 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法 |
| JP3545133B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JP3400251B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2003-04-28 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| US6147939A (en) * | 1997-03-06 | 2000-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having intermediate layer of in-plane magnetization |
| KR19990023151A (ko) * | 1997-08-27 | 1999-03-25 | 사토 도리 | 광자기기록매체 및 그 재생방법 |
| JP3108397B2 (ja) | 1997-10-13 | 2000-11-13 | 三洋電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2989575B2 (ja) * | 1997-12-12 | 1999-12-13 | 三洋電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US6141297A (en) * | 1998-03-11 | 2000-10-31 | Lg Electronics Inc. | Magneto-optical recording medium |
| JP3492525B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2004-02-03 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3519293B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2004-04-12 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置 |
| JP3519295B2 (ja) | 1998-11-30 | 2004-04-12 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3434242B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| JP3626050B2 (ja) | 1999-11-02 | 2005-03-02 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその記録方法 |
| JP2001222843A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2002358616A (ja) * | 2000-06-12 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
| JP2002329352A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体 |
| KR100499136B1 (ko) * | 2002-12-14 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4831851A (en) | 1986-04-10 | 1989-05-23 | Supra Products, Inc. | Combination/electronic lock system |
| US5307656A (en) | 1990-12-17 | 1994-05-03 | La Gard, Inc. | High security electronic dial combination lock |
| EP1143434A3 (en) * | 1992-08-28 | 2001-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| JP2986622B2 (ja) * | 1992-09-02 | 1999-12-06 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリー素子およびその記録再生方法 |
| JP2938284B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 |
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| JPH06162589A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
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1996
- 1996-05-27 JP JP13191796A patent/JP3781823B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-20 US US08/859,614 patent/US5939187A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-26 KR KR1019970020702A patent/KR100248592B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-27 EP EP97303570A patent/EP0810594B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-27 DE DE69730080T patent/DE69730080T2/de not_active Expired - Lifetime
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