JPH0649635A - スパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング方法Info
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- JPH0649635A JPH0649635A JP20281992A JP20281992A JPH0649635A JP H0649635 A JPH0649635 A JP H0649635A JP 20281992 A JP20281992 A JP 20281992A JP 20281992 A JP20281992 A JP 20281992A JP H0649635 A JPH0649635 A JP H0649635A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】残留するガス成分によるウェーハ４のコンタミ
ネーションを避ける。 【構成】真空容器１内でターケット５と同じ組成の薄膜
形成と反応性スパッタによる化合物薄膜の形成をウェー
ハ４に施した後真空容器１内に残留する反応性ガス濃度
を分析管９で検知させる。そしてこの残留ガスの濃度が
あらかじめ設定された値を越えた場合には、不活性ガス
を導入してターゲット５とウェーハ４が無いアノード電
極６との間で放電させ、残留する反応性ガス成分を放電
により薄膜イオン成分に取込み空の電極６に被着させ
て、残留反応性ガス成分を無くす。次のウェーハを処理
するときにウェーハ４コンタミネーションを防ぐことが
できる。
ネーションを避ける。 【構成】真空容器１内でターケット５と同じ組成の薄膜
形成と反応性スパッタによる化合物薄膜の形成をウェー
ハ４に施した後真空容器１内に残留する反応性ガス濃度
を分析管９で検知させる。そしてこの残留ガスの濃度が
あらかじめ設定された値を越えた場合には、不活性ガス
を導入してターゲット５とウェーハ４が無いアノード電
極６との間で放電させ、残留する反応性ガス成分を放電
により薄膜イオン成分に取込み空の電極６に被着させ
て、残留反応性ガス成分を無くす。次のウェーハを処理
するときにウェーハ４コンタミネーションを防ぐことが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング方法に
関し、特に不活性ガスによるターゲットのスパッタリン
グと反応性スパッタリングとを連続して行なうスパッタ
リング方法に関する。
関し、特に不活性ガスによるターゲットのスパッタリン
グと反応性スパッタリングとを連続して行なうスパッタ
リング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のスパッタリング方法の一例
を説明するためのスパッタリング装置の構成を示す図で
ある。従来、この種のスパッタリング方法は、例えば、
図２に示す真空容器１の中に不活性ガス導入口２から不
活性ガスを導入し、カソード電極７に取付けたターゲッ
ト５とアノード電極６に取付けた半導体基板であるウェ
ーハ４との間にプラズマ電源８により電力を印加し、プ
ラズマ放電を発生させ、不活性ガスをイオン化して、タ
ーゲット５を衝撃し、スパッタリング粒子としてターゲ
ット５と同じ組成の薄膜をウェハー４上に形成してい
た。
を説明するためのスパッタリング装置の構成を示す図で
ある。従来、この種のスパッタリング方法は、例えば、
図２に示す真空容器１の中に不活性ガス導入口２から不
活性ガスを導入し、カソード電極７に取付けたターゲッ
ト５とアノード電極６に取付けた半導体基板であるウェ
ーハ４との間にプラズマ電源８により電力を印加し、プ
ラズマ放電を発生させ、不活性ガスをイオン化して、タ
ーゲット５を衝撃し、スパッタリング粒子としてターゲ
ット５と同じ組成の薄膜をウェハー４上に形成してい
た。
【０００３】そして、引き続き同じ真空容器１内に不活
性ガス導入口２から不活性ガスを反応性ガス導入口３か
ら反応性ガスを導入し、不活性ガスのイオン化により、
ターゲット５を衝撃して発生するスパッタリング粒子と
反応性ガスの反応によりウェーハ４に化合物から成る薄
膜を形成していた。
性ガス導入口２から不活性ガスを反応性ガス導入口３か
ら反応性ガスを導入し、不活性ガスのイオン化により、
ターゲット５を衝撃して発生するスパッタリング粒子と
反応性ガスの反応によりウェーハ４に化合物から成る薄
膜を形成していた。
【０００４】このようにこのスパッタリング方法は、種
々の薄膜を同一工程で多層に形成出来ることから半導体
装置のような多層構造のデバイス製造に際してよく利用
されていた。
々の薄膜を同一工程で多層に形成出来ることから半導体
装置のような多層構造のデバイス製造に際してよく利用
されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のスパッタリ
ング方法では、１枚のウェーハにターゲットと同じ組成
の薄膜と反応性スパッタによる化合物薄膜を連続して形
成することができるものの、反応性スパッタ終了後の真
空容器内では、反応性ガス成分や窒素ガスが残留し、次
に、再び不活性ガスを導入してウェーハの処理を行うと
き、残留ガス成分や窒素ガスによるウェーハへのコンタ
ミネージョンが問題となっていた。
ング方法では、１枚のウェーハにターゲットと同じ組成
の薄膜と反応性スパッタによる化合物薄膜を連続して形
成することができるものの、反応性スパッタ終了後の真
空容器内では、反応性ガス成分や窒素ガスが残留し、次
に、再び不活性ガスを導入してウェーハの処理を行うと
き、残留ガス成分や窒素ガスによるウェーハへのコンタ
ミネージョンが問題となっていた。
【０００６】本発明の目的は、残留ガス成分や窒素ガス
によるコンタミネーションを起すことなく多重の薄膜を
形成することの出来るスパッタリング方法を提供するこ
とである。
によるコンタミネーションを起すことなく多重の薄膜を
形成することの出来るスパッタリング方法を提供するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
方法は、不活性ガスを真空容器内に導入しターゲットと
同じ組成の薄膜を一枚の半導体基板に形成する工程と、
不活性ガスと反応性ガスを混合して反応性スパッタを行
い前記ターゲット表面に生成した化合物と同じ組成の薄
膜形成を同じ真空容器内で連続して前記半導体基板に形
成する工程とを含むスパッタリング方法において、前記
反応性スパッタ終了後に前記真空容器内に残留する反応
性ガス濃度を検知し、残留ガス濃度があらかじめ設定し
た値を越えたとき前記不活性ガスを導入して前記ターゲ
ットの放電を行うことを特徴としている。
方法は、不活性ガスを真空容器内に導入しターゲットと
同じ組成の薄膜を一枚の半導体基板に形成する工程と、
不活性ガスと反応性ガスを混合して反応性スパッタを行
い前記ターゲット表面に生成した化合物と同じ組成の薄
膜形成を同じ真空容器内で連続して前記半導体基板に形
成する工程とを含むスパッタリング方法において、前記
反応性スパッタ終了後に前記真空容器内に残留する反応
性ガス濃度を検知し、残留ガス濃度があらかじめ設定し
た値を越えたとき前記不活性ガスを導入して前記ターゲ
ットの放電を行うことを特徴としている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明のスパッタリング方法の一
実施例を説明するためのスパッタリング装置の構成を示
す図である。このスパッタリング方法に使用するスパッ
タリング装置に、窒素ガスや残留ガスの残留濃度を測定
する分析管９と、この分析管９の測定値を電気信号に変
換する変換器１０と、この変換器の出力を入力し不活性
ガスの導入用バルブを制御するとともにプラズマ電源８
の印加を仕きどる制御部１１を設けたことである。
実施例を説明するためのスパッタリング装置の構成を示
す図である。このスパッタリング方法に使用するスパッ
タリング装置に、窒素ガスや残留ガスの残留濃度を測定
する分析管９と、この分析管９の測定値を電気信号に変
換する変換器１０と、この変換器の出力を入力し不活性
ガスの導入用バルブを制御するとともにプラズマ電源８
の印加を仕きどる制御部１１を設けたことである。
【００１０】次に、このスパッタリング装置によるスパ
ッタリング方法を説明する。まず、従来例で説明したと
同じように、プラズマ電源８によりターゲット５とウェ
ーハ管にプラズマ放電をさせ、アルゴンガスをイオン化
してターゲット５を衝撃し、スパッタリング粒子を発生
としてターゲット５と同じ組成の薄膜をウェーハ４に形
成する。次に同じ真空容器１の中に不活性ガス導入口２
からアルゴンガス、反応性ガス導入口３から窒素ガスの
ような反応性ガスを導入して、アルコンガスのイオン化
によりターゲット５を衝撃して出てきたスパッタリング
粒子と窒素ガスを反応させてできる化合物薄膜を同じウ
ェーハ４に形成する。
ッタリング方法を説明する。まず、従来例で説明したと
同じように、プラズマ電源８によりターゲット５とウェ
ーハ管にプラズマ放電をさせ、アルゴンガスをイオン化
してターゲット５を衝撃し、スパッタリング粒子を発生
としてターゲット５と同じ組成の薄膜をウェーハ４に形
成する。次に同じ真空容器１の中に不活性ガス導入口２
からアルゴンガス、反応性ガス導入口３から窒素ガスの
ような反応性ガスを導入して、アルコンガスのイオン化
によりターゲット５を衝撃して出てきたスパッタリング
粒子と窒素ガスを反応させてできる化合物薄膜を同じウ
ェーハ４に形成する。
【００１１】この後ウェーハ４を取り出し、真空容器１
内の窒素ガスの残留濃度を分析管９を通して測定し、変
換器１０を介して制御部１１で判定させる。窒素ガスの
残留濃度があらかじめ設定された濃度を越える場合には
制御部１１の信号により不活性ガス導入口２から不活性
ガスを導入し、プラズマ電源８を動作させ、空になった
アノード電極６とターゲット５を放電させる。この操作
により窒素や反応性ガス成分は放電による薄膜成分イオ
ンに変換され、空のアノード電極６に吸収される。この
ことにより真空容器内の残留ガス成分は無くなる。次
に、未処理のウェーハ４を退避した場所よりアノード電
極６に載置し、ウェーハを処理する。このとき真空容器
内には、残留ガス成分が存在しないので、ウェーハ４は
コンタミネーションを受けることは無い。
内の窒素ガスの残留濃度を分析管９を通して測定し、変
換器１０を介して制御部１１で判定させる。窒素ガスの
残留濃度があらかじめ設定された濃度を越える場合には
制御部１１の信号により不活性ガス導入口２から不活性
ガスを導入し、プラズマ電源８を動作させ、空になった
アノード電極６とターゲット５を放電させる。この操作
により窒素や反応性ガス成分は放電による薄膜成分イオ
ンに変換され、空のアノード電極６に吸収される。この
ことにより真空容器内の残留ガス成分は無くなる。次
に、未処理のウェーハ４を退避した場所よりアノード電
極６に載置し、ウェーハを処理する。このとき真空容器
内には、残留ガス成分が存在しないので、ウェーハ４は
コンタミネーションを受けることは無い。
【００１２】なお、この実施例でアノード電極６にダミ
ーウェーハを載置させ、アノード電極６の汚染を防止し
た方が装置の性能維持に対して特策である。
ーウェーハを載置させ、アノード電極６の汚染を防止し
た方が装置の性能維持に対して特策である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明のスパッタリ
ング方法は、反応性スパッタ終了後、真空容器内の反応
性ガス濃度を検知し、残留ガス濃度が一定の値を越えた
場合には不活性ガスを導入しターゲットの放電を行い、
残留反応性ガス成分をイオン化し、ダミー部に被着化さ
せることによって残留反応性ガス成分を除去することが
出来るので、ウェーハにコンタミネーションを起すこと
なく成膜出来るという効果がある。
ング方法は、反応性スパッタ終了後、真空容器内の反応
性ガス濃度を検知し、残留ガス濃度が一定の値を越えた
場合には不活性ガスを導入しターゲットの放電を行い、
残留反応性ガス成分をイオン化し、ダミー部に被着化さ
せることによって残留反応性ガス成分を除去することが
出来るので、ウェーハにコンタミネーションを起すこと
なく成膜出来るという効果がある。
【図１】本発明のスパッタリング方法の一実施例を説明
するためのスパッタリング装置を構成を示す図である。
するためのスパッタリング装置を構成を示す図である。
【図２】従来のスパッタリング方法の一例を説明するた
めのスパッタリング装置の構成を示す図である。
めのスパッタリング装置の構成を示す図である。
１ 真空容器 ２ 不活性ガス導入口 ３ 反応性ガス導入口 ４ ウェーハ ５ ターケット ６ アノード電極 ７ カソード電極 ８ プラズマ電源 ９ 分析管 １０ 変換器 １１ 制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 不活性ガスを真空容器内に導入しターゲ
ットと同じ組成の薄膜を一枚の半導体基板に形成する工
程と、不活性ガスと反応性ガスを混合して反応性スパッ
タを行い前記ターゲット表面に生成した化合物と同じ組
成の薄膜形成を同じ真空容器内で連続して前記半導体基
板に形成する工程とを含むスパッタリング方法におい
て、前記反応性スパッタ終了後に前記真空容器内に残留
する反応性ガス濃度を検知し、残留ガス濃度があらかじ
め設定した値を越えたとき前記不活性ガスを導入して前
記ターゲットの放電を行うことを特徴とするスパッタリ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20281992A JPH0649635A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20281992A JPH0649635A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | スパッタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0649635A true JPH0649635A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=16463725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20281992A Pending JPH0649635A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649635A (ja) |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20281992A patent/JPH0649635A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981027 |