JPH0649662A - 金属酸化物の異方性エッチング方法 - Google Patents
金属酸化物の異方性エッチング方法Info
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- JPH0649662A JPH0649662A JP5091374A JP9137493A JPH0649662A JP H0649662 A JPH0649662 A JP H0649662A JP 5091374 A JP5091374 A JP 5091374A JP 9137493 A JP9137493 A JP 9137493A JP H0649662 A JPH0649662 A JP H0649662A
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- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
- H10D1/682—Capacitors having no potential barriers having dielectrics comprising perovskite structures
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属酸化物の異方性エッチング方法を提供す
る。 【構成】 金属酸化物基板（例えば、チタン酸バリウム
ストロンチウム３４）が液体雰囲気（例えば、１２モル
濃度の塩化水素酸３０）中へ浸され、放射源（例えば、
２００ワットの水銀キセノンアークランプ２０）によっ
て発せられた電磁放射（例えば、集束された可視／紫外
の電磁放射２４）で以て照明される。集束された電磁放
射２４に対して本質的に透明な窓２６が、放射されたエ
ネルギーの金属酸化物基板３４への到達を許容する。放
射源２０と基板３４との間にエッチマスク３２を配置す
ることができる。金属酸化物基板３４と液体雰囲気３０
とは公称温度（例えば、２５℃）に保たれる。照明なし
では金属酸化物は液体雰囲気にほとんどエッチされな
い。照明されるとエッチ速度は本質的に増大する。
る。 【構成】 金属酸化物基板（例えば、チタン酸バリウム
ストロンチウム３４）が液体雰囲気（例えば、１２モル
濃度の塩化水素酸３０）中へ浸され、放射源（例えば、
２００ワットの水銀キセノンアークランプ２０）によっ
て発せられた電磁放射（例えば、集束された可視／紫外
の電磁放射２４）で以て照明される。集束された電磁放
射２４に対して本質的に透明な窓２６が、放射されたエ
ネルギーの金属酸化物基板３４への到達を許容する。放
射源２０と基板３４との間にエッチマスク３２を配置す
ることができる。金属酸化物基板３４と液体雰囲気３０
とは公称温度（例えば、２５℃）に保たれる。照明なし
では金属酸化物は液体雰囲気にほとんどエッチされな
い。照明されるとエッチ速度は本質的に増大する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には金属酸化物材
料を異方性エッチングする方法に関するものである。
料を異方性エッチングする方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明の範囲を限定することなしに、本
発明の背景について一例として金属酸化物をエッチング
する現在の方法に関連して説明する。
発明の背景について一例として金属酸化物をエッチング
する現在の方法に関連して説明する。
【０００３】金属酸化物材料（例えば、以降でＢＳＴと
略記するチタン酸バリウムストロンチウムＢａＳｒＴｉ
Ｏ3 ）はその電気的及び機械的性質のためにエレクトロ
ニクス分野において数多くの用途を有する。多くの金属
酸化物の化合物が示す非常に高い誘電率はそれらをコン
デンサ、それも多くの集積回路（例えばダイナミックＲ
ＡＭ）中に組み込むための小型のコンデンサに使用され
る誘電体として有用なものとする。多くの金属酸化物材
料はまた電気抵抗の温度係数が正であるため、過電流状
態による損傷から電動機を保護するための装置を作るた
めに利用できる。それらの材料の圧電効果は、例えばレ
ーザーキャビティ長の精密な制御等に広く利用されてい
る。金属酸化物材料を採用した微小な構造は、赤外線を
検出するために低温に冷却することを要するバンドギャ
ップ検出器材料を必要とせずに赤外線を検出するために
使用される。
略記するチタン酸バリウムストロンチウムＢａＳｒＴｉ
Ｏ3 ）はその電気的及び機械的性質のためにエレクトロ
ニクス分野において数多くの用途を有する。多くの金属
酸化物の化合物が示す非常に高い誘電率はそれらをコン
デンサ、それも多くの集積回路（例えばダイナミックＲ
ＡＭ）中に組み込むための小型のコンデンサに使用され
る誘電体として有用なものとする。多くの金属酸化物材
料はまた電気抵抗の温度係数が正であるため、過電流状
態による損傷から電動機を保護するための装置を作るた
めに利用できる。それらの材料の圧電効果は、例えばレ
ーザーキャビティ長の精密な制御等に広く利用されてい
る。金属酸化物材料を採用した微小な構造は、赤外線を
検出するために低温に冷却することを要するバンドギャ
ップ検出器材料を必要とせずに赤外線を検出するために
使用される。
【０００４】金属酸化物はその特長的な性質を利用する
電気的装置を製造する場合にしばしばエッチングされ
る。金属酸化物をエッチングするために用いられる方法
は一般的に、作製される装置の機能がそれに依存する材
料の性質を受け入れ難いように変化させてしまうような
損傷を導入することなしにエッチング可能でなければな
らない。更に、エッチマスクパターン中の細部の形状が
保存されるような異方性のエッチング方法が通常望まれ
る。エッチング方法による金属酸化物材料（及び／また
は近傍材料 ）の汚染は通常許容されない。
電気的装置を製造する場合にしばしばエッチングされ
る。金属酸化物をエッチングするために用いられる方法
は一般的に、作製される装置の機能がそれに依存する材
料の性質を受け入れ難いように変化させてしまうような
損傷を導入することなしにエッチング可能でなければな
らない。更に、エッチマスクパターン中の細部の形状が
保存されるような異方性のエッチング方法が通常望まれ
る。エッチング方法による金属酸化物材料（及び／また
は近傍材料 ）の汚染は通常許容されない。
【０００５】従って当該分野において、金属酸化物は等
方的な湿式エッチングやイオンミリング、プラズマエッ
チング、レーザースクライビングによって行われてい
る。レーザースクライビングは強いレーザー照射に曝す
ことによって材料の選ばれた部分に損傷を与えて弱くし
た後、そこを除去する方法である。
方的な湿式エッチングやイオンミリング、プラズマエッ
チング、レーザースクライビングによって行われてい
る。レーザースクライビングは強いレーザー照射に曝す
ことによって材料の選ばれた部分に損傷を与えて弱くし
た後、そこを除去する方法である。
【０００６】
【発明の概要】金属酸化物材料をエッチする現状の方法
が、許容できない結果をもたらすことが見いだされた。
等方性湿式エッチングはエッチマスクの下側をアンダー
カット（一般的にエッチ深さと同程度の距離）してしま
い、下層の金属酸化物材料に対してエッチマスクパター
ンと異なる形状を与えてしまう。イオンミリングは金属
酸化物材料中にそれの電気的、化学的、機械的、光学
的、及び／または磁性的性質に関する許容できない欠陥
を発生させる。プラズマエッチングはイオンミリングに
よって引き起こされるのと同様な損傷をもたらすと共
に、加えてプラズマを構成する成分が基板材料を汚染し
てしまい、しばしばそれは除去が困難である。レーザー
スクライビングによるエッチングは材料のアンダーカッ
トは引き起こさないものの、レーザー照射は高温度（約
１４００℃）でのアニールによって修復を必要とするよ
うな損傷を金属酸化物材料へ導入する。このアニールは
金属酸化物材料中に望ましくない酸化物状態を作り、そ
の特長的な性質を損なう。高温アニールはまた、基板中
に存在する他の材料や構造に対して変化と損傷をもたら
し得る。
が、許容できない結果をもたらすことが見いだされた。
等方性湿式エッチングはエッチマスクの下側をアンダー
カット（一般的にエッチ深さと同程度の距離）してしま
い、下層の金属酸化物材料に対してエッチマスクパター
ンと異なる形状を与えてしまう。イオンミリングは金属
酸化物材料中にそれの電気的、化学的、機械的、光学
的、及び／または磁性的性質に関する許容できない欠陥
を発生させる。プラズマエッチングはイオンミリングに
よって引き起こされるのと同様な損傷をもたらすと共
に、加えてプラズマを構成する成分が基板材料を汚染し
てしまい、しばしばそれは除去が困難である。レーザー
スクライビングによるエッチングは材料のアンダーカッ
トは引き起こさないものの、レーザー照射は高温度（約
１４００℃）でのアニールによって修復を必要とするよ
うな損傷を金属酸化物材料へ導入する。このアニールは
金属酸化物材料中に望ましくない酸化物状態を作り、そ
の特長的な性質を損なう。高温アニールはまた、基板中
に存在する他の材料や構造に対して変化と損傷をもたら
し得る。
【０００７】一般的に、また本発明の１つの形態におい
て、金属酸化物材料のエッチングはそれを液体雰囲気中
に浸し、次にそれに対して電磁放射（例えば紫外光）を
照射し、基板の照射部分にエッチングを生じさせ、未照
射部分は本質的にエッチされることなく残存するように
することによって行われる。すなわちここに提供される
プロセスは異方性の液相での光化学的エッチである。望
ましくは、ＢＳＴはそれを塩化水素酸中に浸し、それに
水銀キセノンアークランプから供給される可視及び紫外
の電磁放射を照射することによってエッチされる。フッ
化水素酸を使用することもできる。表面に照射パターン
を定義するためにエッチマスクが使用され、それによっ
てエッチパターンが定義される。光の持つ高度な方向性
のためにこのエッチングは異方性エッチ法となる。
て、金属酸化物材料のエッチングはそれを液体雰囲気中
に浸し、次にそれに対して電磁放射（例えば紫外光）を
照射し、基板の照射部分にエッチングを生じさせ、未照
射部分は本質的にエッチされることなく残存するように
することによって行われる。すなわちここに提供される
プロセスは異方性の液相での光化学的エッチである。望
ましくは、ＢＳＴはそれを塩化水素酸中に浸し、それに
水銀キセノンアークランプから供給される可視及び紫外
の電磁放射を照射することによってエッチされる。フッ
化水素酸を使用することもできる。表面に照射パターン
を定義するためにエッチマスクが使用され、それによっ
てエッチパターンが定義される。光の持つ高度な方向性
のためにこのエッチングは異方性エッチ法となる。
【０００８】これは明らかに金属と非アルカリ性液体雰
囲気（例えば塩化水素及び／またはフッ化水素酸）との
間の反応中に光照射によって引き起こされる電子的励起
を利用した金属酸化物のエッチング方法の最初のもので
ある。本発明の特長はそれが異方性であること（すなわ
ち、本質的にアンダーカットがないこと）である。マス
ク下の領域は影の中に留まりほとんどエッチされない。
更に、この方法は金属酸化物材料中に許容できない欠陥
をもたらさないことが見いだされた。プラズマ種からの
汚染は回避される。一般的に高温アニールは必要でな
い。
囲気（例えば塩化水素及び／またはフッ化水素酸）との
間の反応中に光照射によって引き起こされる電子的励起
を利用した金属酸化物のエッチング方法の最初のもので
ある。本発明の特長はそれが異方性であること（すなわ
ち、本質的にアンダーカットがないこと）である。マス
ク下の領域は影の中に留まりほとんどエッチされない。
更に、この方法は金属酸化物材料中に許容できない欠陥
をもたらさないことが見いだされた。プラズマ種からの
汚染は回避される。一般的に高温アニールは必要でな
い。
【０００９】本発明に特徴的と考えられる新規な性質に
ついては特許請求の範囲に述べた。しかし、本発明自身
についてはそれのその他の特徴及び利点と共に以下の詳
細な説明を図面と一緒に参照することによって最も良く
理解できよう。
ついては特許請求の範囲に述べた。しかし、本発明自身
についてはそれのその他の特徴及び利点と共に以下の詳
細な説明を図面と一緒に参照することによって最も良く
理解できよう。
【００１０】
【実施例】本発明の好適実施例において、そして図１を
参照すると、１２モル濃度の塩化水素酸（ＨＣｌ）３０
中に浸されて、２００ワットの水銀キセノンアークラン
プ２０によって発せられ本質的に基板表面３４に対して
垂直に伝搬する本質的に集束された可視／紫外の電磁放
射２４を照射されることによって、チタン酸バリウムス
トロンチウム（ＢａＳｒＴｉＯ3 ）の基板３４中にパタ
ーンがエッチされる。放射源２０からの電磁放射２１は
集束光学系２２によって平行に揃えられ、その結果の集
束された電磁放射２４が基板３４へ向かって照射され
る。反応容器２８の一部であり集束された電磁放射に対
して本質的に透明である窓２６は放射エネルギーがＢＳ
Ｔ基板３４に到達するのを許容する。エッチマスク３２
は基板の一部に電磁放射が到達するのを阻止することに
よってエッチされるパターンを定義する。ＢＳＴ基板３
４及び酸溶液３０は名目的には２５℃の温度にある。そ
のような温度及び酸濃度では照射なしではＢＳＴはＨＣ
ｌによってほとんどエッチされない。しかし、ランプか
ら発生した可視／紫外の電磁放射に照明されるとエッチ
速度はおよそ１時間当たり１ミクロン程度になる。照射
エリアでのエッチング反応の加速が熱的効果よりもむし
ろ光子衝撃による電子的な励起によるのは、部分的には
光源の比較的低い電力のためであろうと推測される。こ
こに用いられている”電磁放射”という用語は背景レベ
ルよりも高いレベルの電磁放射を意味し、例えば室内照
明よりも本質的に大きいレベルの照明を意味する。
参照すると、１２モル濃度の塩化水素酸（ＨＣｌ）３０
中に浸されて、２００ワットの水銀キセノンアークラン
プ２０によって発せられ本質的に基板表面３４に対して
垂直に伝搬する本質的に集束された可視／紫外の電磁放
射２４を照射されることによって、チタン酸バリウムス
トロンチウム（ＢａＳｒＴｉＯ3 ）の基板３４中にパタ
ーンがエッチされる。放射源２０からの電磁放射２１は
集束光学系２２によって平行に揃えられ、その結果の集
束された電磁放射２４が基板３４へ向かって照射され
る。反応容器２８の一部であり集束された電磁放射に対
して本質的に透明である窓２６は放射エネルギーがＢＳ
Ｔ基板３４に到達するのを許容する。エッチマスク３２
は基板の一部に電磁放射が到達するのを阻止することに
よってエッチされるパターンを定義する。ＢＳＴ基板３
４及び酸溶液３０は名目的には２５℃の温度にある。そ
のような温度及び酸濃度では照射なしではＢＳＴはＨＣ
ｌによってほとんどエッチされない。しかし、ランプか
ら発生した可視／紫外の電磁放射に照明されるとエッチ
速度はおよそ１時間当たり１ミクロン程度になる。照射
エリアでのエッチング反応の加速が熱的効果よりもむし
ろ光子衝撃による電子的な励起によるのは、部分的には
光源の比較的低い電力のためであろうと推測される。こ
こに用いられている”電磁放射”という用語は背景レベ
ルよりも高いレベルの電磁放射を意味し、例えば室内照
明よりも本質的に大きいレベルの照明を意味する。
【００１１】放射源２０とＢＳＴ基板３４との間のエッ
チマスク３２は望ましくはエッチされる表面に接近する
か接触して配置される。そのようなエッチマスク３２は
基板表面へ堆積させてもよい。エッチマスク３２は望ま
しくは二酸化シリコンでできている。一般には水銀キセ
ノンランプによって生成されるような可視及び紫外の光
に対して十分に不透明で、液体雰囲気によって本質的に
エッチまたは侵食されない酸化シリコンや窒化シリコン
の任意の材質が使用できる。マスク材料によって覆われ
ていない基板エリアは酸溶液によるエッチングに曝され
る。
チマスク３２は望ましくはエッチされる表面に接近する
か接触して配置される。そのようなエッチマスク３２は
基板表面へ堆積させてもよい。エッチマスク３２は望ま
しくは二酸化シリコンでできている。一般には水銀キセ
ノンランプによって生成されるような可視及び紫外の光
に対して十分に不透明で、液体雰囲気によって本質的に
エッチまたは侵食されない酸化シリコンや窒化シリコン
の任意の材質が使用できる。マスク材料によって覆われ
ていない基板エリアは酸溶液によるエッチングに曝され
る。
【００１２】別の実施例では、液体雰囲気は光照射なし
で材料をエッチする溶液のグループから選ぶことができ
る。この場合は、電磁放射は基板の照射部分でエッチ速
度を増速し、より等方性の少ないエッチを実現する。更
に別の実施例では液体雰囲気は塩を含み、液体雰囲気の
ｐＨ値は７に等しいかそれ以下（すなわち酸性および中
性）である。
で材料をエッチする溶液のグループから選ぶことができ
る。この場合は、電磁放射は基板の照射部分でエッチ速
度を増速し、より等方性の少ないエッチを実現する。更
に別の実施例では液体雰囲気は塩を含み、液体雰囲気の
ｐＨ値は７に等しいかそれ以下（すなわち酸性および中
性）である。
【００１３】本方法の付加的な面においては、エッチさ
れる材料と反応することなく溶解性またはわずかに溶解
性の生成物を形成する不動態化剤（パシベーティング・
エージェント）を液体雰囲気３０中へ加えることによっ
て側壁の断面形状制御が促進される。この不動態化剤
は、他のエッチ試薬が側壁に対して与える攻撃に関して
は側壁に”害”を及ぼすが、照射が表面から不動態化剤
をはがすので基板に対して垂直なエッチングを停止させ
ることはない。ＢＳＴのエッチングに関する不動態化剤
の例はリン酸である。
れる材料と反応することなく溶解性またはわずかに溶解
性の生成物を形成する不動態化剤（パシベーティング・
エージェント）を液体雰囲気３０中へ加えることによっ
て側壁の断面形状制御が促進される。この不動態化剤
は、他のエッチ試薬が側壁に対して与える攻撃に関して
は側壁に”害”を及ぼすが、照射が表面から不動態化剤
をはがすので基板に対して垂直なエッチングを停止させ
ることはない。ＢＳＴのエッチングに関する不動態化剤
の例はリン酸である。
【００１４】本発明の別の実施例では、基板に対してパ
ターン化された光を投影させること（すなわち従来のフ
ォトリソグラフィ技術）によって金属酸化物材料の表面
へパターンをエッチする。
ターン化された光を投影させること（すなわち従来のフ
ォトリソグラフィ技術）によって金属酸化物材料の表面
へパターンをエッチする。
【００１５】本発明の更に別の実施例では、液体雰囲気
が基板に相対的に流れるようにされる。液体雰囲気の流
速は変化させることができる。液温はエッチ速度及びエ
ッチングの方向性を変えるために変化させることができ
る。光子の線束を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度に影響を与えることができる。
電磁放射の波長を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度を変化させることができる。電
磁放射の伝搬方向は表面に対して垂直である必要はな
い。エッチング溶液は溶液（例えば、異方性を強調する
ための１つまたは複数個の不動態化剤及び材料を光化学
的にエッチするための１つまたは複数個の試薬）の混合
物でよい。
が基板に相対的に流れるようにされる。液体雰囲気の流
速は変化させることができる。液温はエッチ速度及びエ
ッチングの方向性を変えるために変化させることができ
る。光子の線束を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度に影響を与えることができる。
電磁放射の波長を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度を変化させることができる。電
磁放射の伝搬方向は表面に対して垂直である必要はな
い。エッチング溶液は溶液（例えば、異方性を強調する
ための１つまたは複数個の不動態化剤及び材料を光化学
的にエッチするための１つまたは複数個の試薬）の混合
物でよい。
【００１６】次の表はいくつかの実施例と図面の要約で
ある。
ある。
【００１７】
【表１】
【００１８】以上のように数少ない実施例について詳細
に説明した。本発明の範囲にはここに述べていないが本
発明の特許請求の範囲には含まれるようなその他の実施
例が包含されることは理解されたい。
に説明した。本発明の範囲にはここに述べていないが本
発明の特許請求の範囲には含まれるようなその他の実施
例が包含されることは理解されたい。
【００１９】本発明は例示として取り上げた実施例に関
連して説明したが、この説明は限定的な意図のものでは
ない。例えば、アルカリ性の溶液は好適ではないとした
が、本発明のいくつかの実施例においてはそれが適切な
液体雰囲気である場合もあろう。例示実施例の各種の修
正や組み合わせは本発明のその他の実施例と共に、本明
細書を参考にすることによって当業者には明かであろ
う。従って、本発明の範囲にはそのようなすべての修正
や実施例が包含されるべきである。
連して説明したが、この説明は限定的な意図のものでは
ない。例えば、アルカリ性の溶液は好適ではないとした
が、本発明のいくつかの実施例においてはそれが適切な
液体雰囲気である場合もあろう。例示実施例の各種の修
正や組み合わせは本発明のその他の実施例と共に、本明
細書を参考にすることによって当業者には明かであろ
う。従って、本発明の範囲にはそのようなすべての修正
や実施例が包含されるべきである。
【００２０】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）金属酸化物材料を異方性エッチするための方法で
あって： （ａ）前記金属酸化物材料の表面を非アルカリ性液体雰
囲気中に浸すこと；及び（ｂ）前記表面の部分を電磁放
射で照明すること、の工程を含み、それによって前記表
面の前記照明された部分を前記表面の照明されていない
部分よりも本質的に大きい速度でエッチングする方法。
る。 （１）金属酸化物材料を異方性エッチするための方法で
あって： （ａ）前記金属酸化物材料の表面を非アルカリ性液体雰
囲気中に浸すこと；及び（ｂ）前記表面の部分を電磁放
射で照明すること、の工程を含み、それによって前記表
面の前記照明された部分を前記表面の照明されていない
部分よりも本質的に大きい速度でエッチングする方法。
【００２１】（２）第１項記載の方法であって、前記照
明されている前記表面部分が前記表面の照明されていな
い部分の温度と本質的に同じ温度にある方法。
明されている前記表面部分が前記表面の照明されていな
い部分の温度と本質的に同じ温度にある方法。
【００２２】（３）第１項記載の方法であって、前記液
体雰囲気が塩化水素酸またはフッ化水素酸あるいはそれ
らの組み合わせを含んでいる方法。
体雰囲気が塩化水素酸またはフッ化水素酸あるいはそれ
らの組み合わせを含んでいる方法。
【００２３】（４）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射が水銀キセノンアークランプによって生成される
方法。
磁放射が水銀キセノンアークランプによって生成される
方法。
【００２４】（５）第１項記載の方法であって、前記金
属酸化物材料がチタン酸塩である方法。
属酸化物材料がチタン酸塩である方法。
【００２５】（６）第５項記載の方法であって、前記チ
タン酸塩がチタン酸バリウムストロンチウムである方
法。
タン酸塩がチタン酸バリウムストロンチウムである方
法。
【００２６】（７）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射の伝搬方向が前記表面に対して本質的に垂直であ
る方法。
磁放射の伝搬方向が前記表面に対して本質的に垂直であ
る方法。
【００２７】（８）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射の光源と前記表面との間にエッチマスクが挿入さ
れ、それによって前記表面の部分が照明されないように
なっている方法。
磁放射の光源と前記表面との間にエッチマスクが挿入さ
れ、それによって前記表面の部分が照明されないように
なっている方法。
【００２８】（９）第８項記載の方法であって、前記エ
ッチマスクが酸化シリコンである方法。
ッチマスクが酸化シリコンである方法。
【００２９】（１０）第８項記載の方法であって、前記
エッチマスクが窒化シリコンである方法。
エッチマスクが窒化シリコンである方法。
【００３０】（１１）第８項記載の方法であって、前記
エッチマスクが貴金属である方法。
エッチマスクが貴金属である方法。
【００３１】（１２）第１１項記載の方法であって、前
記貴金属が白金である方法。
記貴金属が白金である方法。
【００３２】（１３）第１項記載の方法であって、前記
液体雰囲気が酸性である方法。
液体雰囲気が酸性である方法。
【００３３】（１４）第１項記載の方法であって、前記
液体雰囲気が塩溶液を含んでいる方法。
液体雰囲気が塩溶液を含んでいる方法。
【００３４】（１５）チタン酸バリウムストロンチウム
を異方性エッチするための方法であって： （ａ）前記チタン酸バリウムストロンチウムの表面を１
２モルの塩化水素酸中へ浸すこと、及び（ｂ）水銀キセ
ノンアークランプによって生成された電磁放射によって
前記表面を照明すること、の工程を含み、それによって
前記表面の前記照明された部分を前記表面の照明されて
いない部分よりも本質的に大きい速度でエッチする方
法。
を異方性エッチするための方法であって： （ａ）前記チタン酸バリウムストロンチウムの表面を１
２モルの塩化水素酸中へ浸すこと、及び（ｂ）水銀キセ
ノンアークランプによって生成された電磁放射によって
前記表面を照明すること、の工程を含み、それによって
前記表面の前記照明された部分を前記表面の照明されて
いない部分よりも本質的に大きい速度でエッチする方
法。
【００３５】（１６）金属酸化物材料を異方性エッチす
るための方法であって： （ａ）前記金属酸化物材料の表面を液体雰囲気中へ浸す
こと、及び（ｂ）電磁放射によって前記表面を照明する
こと、の工程を含み、それによって前記表面の前記照明
された部分を前記表面の照明されていない部分よりも本
質的に大きい速度でエッチする方法。
るための方法であって： （ａ）前記金属酸化物材料の表面を液体雰囲気中へ浸す
こと、及び（ｂ）電磁放射によって前記表面を照明する
こと、の工程を含み、それによって前記表面の前記照明
された部分を前記表面の照明されていない部分よりも本
質的に大きい速度でエッチする方法。
【００３６】（１７）金属酸化物基板（例えば、チタン
酸バリウムストロンチウム３４）が液体雰囲気（例え
ば、１２モル濃度の塩化水素酸３０）中へ浸され、放射
源（例えば、２００ワットの水銀キセノンアークランプ
２０）によって発せられた電磁放射（例えば、集束され
た可視／紫外の電磁放射２４）で以て照明される。集束
された電磁放射２４に対して本質的に透明な窓２６が、
放射されたエネルギーの金属酸化物基板３４への到達を
許容する。放射源２０と基板３４との間にエッチマスク
３２を配置することができる。金属酸化物基板３４と液
体雰囲気３０とは公称温度（例えば、２５℃）に保たれ
る。照明なしでは金属酸化物は液体雰囲気にほとんどエ
ッチされない。照明されるとエッチ速度は本質的に増大
する。
酸バリウムストロンチウム３４）が液体雰囲気（例え
ば、１２モル濃度の塩化水素酸３０）中へ浸され、放射
源（例えば、２００ワットの水銀キセノンアークランプ
２０）によって発せられた電磁放射（例えば、集束され
た可視／紫外の電磁放射２４）で以て照明される。集束
された電磁放射２４に対して本質的に透明な窓２６が、
放射されたエネルギーの金属酸化物基板３４への到達を
許容する。放射源２０と基板３４との間にエッチマスク
３２を配置することができる。金属酸化物基板３４と液
体雰囲気３０とは公称温度（例えば、２５℃）に保たれ
る。照明なしでは金属酸化物は液体雰囲気にほとんどエ
ッチされない。照明されるとエッチ速度は本質的に増大
する。
【００３７】
【関連出願へのクロスリファレンス】以下の関連出願を
本出願と同時に提出する：
本出願と同時に提出する：
【図１】金属酸化物材料を異方性エッチするために用い
られる装置及び材料の模式図。
られる装置及び材料の模式図。
２０ 水銀キセノンアークランプ ２１ 電磁放射 ２２ 集束光学系 ２４ 集束放射 ２６ 窓 ２８ 反応容器 ３０ 酸溶液 ３２ エッチマスク ３４ ＢＳＴ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スコット アール．サマーフェルト アメリカ合衆国テキサス州ダラス，スキル マン ロード 9350，アパートメント ナ ンバー 2911
Claims (1)
- 【請求項１】 金属酸化物材料を異方性エッチするため
の方法であって： （ａ）前記金属酸化物材料の表面を非アルカリ性液体雰
囲気中に浸すこと；及び（ｂ）前記表面の部分を電磁放
射で照明すること、の工程を含み、それによって前記表
面の前記照明された部分を前記表面の照明されていない
部分よりも本質的に大きい速度でエッチングする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/871,862 US5238529A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Anisotropic metal oxide etch |
| US871862 | 1992-04-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0649662A true JPH0649662A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=25358323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5091374A Pending JPH0649662A (ja) | 1992-04-20 | 1993-04-19 | 金属酸化物の異方性エッチング方法 |
Country Status (4)
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| US (1) | US5238529A (ja) |
| JP (1) | JPH0649662A (ja) |
| KR (1) | KR100303969B1 (ja) |
| TW (1) | TW252995B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2021535604A (ja) * | 2018-09-04 | 2021-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ウェットエッチングのための光子的に調整されたエッチング液の反応性 |
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| US11186016B2 (en) | 2010-07-08 | 2021-11-30 | Acushnet Company | Golf club head having multi-material face and method of manufacture |
| US9192826B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-11-24 | Acushnet Company | Golf club head having a multi-material face |
| US12472663B2 (en) | 2010-07-08 | 2025-11-18 | Acushnet Company | Golf club head having a multi-material face and method of manufacture |
| US9033818B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-05-19 | Acushnet Company | Golf club head having a multi-material face |
| US10143898B2 (en) | 2010-07-08 | 2018-12-04 | Acushnet Company | Golf club head having a multi-material face |
| CN104759753B (zh) * | 2015-03-30 | 2016-08-31 | 江苏大学 | 多系统自动化协调工作提高激光诱导空化强化的方法 |
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| US10434380B2 (en) | 2015-11-18 | 2019-10-08 | Acushnet Company | Multi-material golf club head |
| US10065084B2 (en) | 2015-11-18 | 2018-09-04 | Acushnet Company | Multi-material golf club head |
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| US10350464B2 (en) | 2015-11-18 | 2019-07-16 | Acushnet Company | Multi-material golf club head |
| US10343030B2 (en) | 2015-11-18 | 2019-07-09 | Acushnet Company | Multi-material golf club head |
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| US11491377B1 (en) | 2021-12-28 | 2022-11-08 | Acushnet Company | Golf club head having multi-layered striking face |
| US12285661B2 (en) | 2022-03-11 | 2025-04-29 | Acushnet Company | Golf club head having supported striking face |
| US11850461B2 (en) | 2022-03-11 | 2023-12-26 | Acushnet Company | Golf club head having supported striking face |
| US20230338786A1 (en) | 2022-04-20 | 2023-10-26 | Acushnet Company | Multi-material golf club head |
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|---|---|---|---|---|
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| US4414066A (en) * | 1982-09-10 | 1983-11-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electrochemical photoetching of compound semiconductors |
| US4391683A (en) * | 1982-09-10 | 1983-07-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for photoetching procedures |
| US4661201A (en) * | 1985-09-09 | 1987-04-28 | Cts Corporation | Preferential etching of a piezoelectric material |
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-
1992
- 1992-04-20 US US07/871,862 patent/US5238529A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-19 JP JP5091374A patent/JPH0649662A/ja active Pending
- 1993-04-19 KR KR1019930006541A patent/KR100303969B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-27 TW TW082107926A patent/TW252995B/zh active
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|---|---|
| TW252995B (ja) | 1995-08-01 |
| KR930021818A (ko) | 1993-11-23 |
| KR100303969B1 (ko) | 2001-11-22 |
| US5238529A (en) | 1993-08-24 |
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