JPH06122980A - 五酸化ニオブの異方性エッチング方法 - Google Patents
五酸化ニオブの異方性エッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 五酸化ニオブの異方性エッチング方法を提
供する。 【構成】 五酸化ニオブ基板３４が液体雰囲気（例え
ば、１０％のフッ化水素酸３０）中へ浸され、放射源
（例えば、２００ワットの水銀キセノンアークランプ２
０）によって発せられた電磁放射（例えば、集束された
可視／紫外の電磁放射２４）で以て照明される。集束さ
れた電磁放射２４に対して本質的に透明の窓２６が、放
射されたエネルギーのＮｂ2 Ｏ5 基板３４への到達を許
容する。放射源２０と基板３４との間にエッチマスク
（例えば、有機フォトレジスト３２）を配置することが
できる。Ｎｂ2 Ｏ5 基板３４と液体雰囲気３０とは公称
温度（例えば、２５℃）に保たれる。照明なしではＮｂ
2 Ｏ5 は液体雰囲気にほとんどエッチされない。照明さ
れるとエッチ速度は本質的に増大する。
供する。 【構成】 五酸化ニオブ基板３４が液体雰囲気（例え
ば、１０％のフッ化水素酸３０）中へ浸され、放射源
（例えば、２００ワットの水銀キセノンアークランプ２
０）によって発せられた電磁放射（例えば、集束された
可視／紫外の電磁放射２４）で以て照明される。集束さ
れた電磁放射２４に対して本質的に透明の窓２６が、放
射されたエネルギーのＮｂ2 Ｏ5 基板３４への到達を許
容する。放射源２０と基板３４との間にエッチマスク
（例えば、有機フォトレジスト３２）を配置することが
できる。Ｎｂ2 Ｏ5 基板３４と液体雰囲気３０とは公称
温度（例えば、２５℃）に保たれる。照明なしではＮｂ
2 Ｏ5 は液体雰囲気にほとんどエッチされない。照明さ
れるとエッチ速度は本質的に増大する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には五酸化ニオブ
を異方性エッチングする方法に関するものである。
を異方性エッチングする方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明の範囲を限定することなしに、本
発明の背景について一例として金属酸化物をエッチング
する現在の方法に関連して説明する。
発明の背景について一例として金属酸化物をエッチング
する現在の方法に関連して説明する。
【０００３】五酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）等の金属酸化
物材料はその電気的及び機械的性質のためにエレクトロ
ニクス分野において数多くの用途を有する。多くの金属
酸化物の化合物が示す非常に高い誘電率はそれらをコン
デンサ、それも多くの集積回路（例えばダイナミックＲ
ＡＭ）中に組み込むための小型のコンデンサに使用され
る誘電体として有用なものとしている。多くの金属酸化
物材料はまた電気抵抗の温度係数が正であるため、過電
流状態による損傷から電動機を保護するための装置を作
るために利用できる。それらの材料の圧電効果は例えば
レーザーキャビティ長の精密な制御等に広く利用されて
いる。金属酸化物材料を採用した微小な構造は、赤外線
を検出するために低温に冷却することを要するバンドギ
ャップ検出器材料を必要とせずに赤外線を検出するため
に使用される。
物材料はその電気的及び機械的性質のためにエレクトロ
ニクス分野において数多くの用途を有する。多くの金属
酸化物の化合物が示す非常に高い誘電率はそれらをコン
デンサ、それも多くの集積回路（例えばダイナミックＲ
ＡＭ）中に組み込むための小型のコンデンサに使用され
る誘電体として有用なものとしている。多くの金属酸化
物材料はまた電気抵抗の温度係数が正であるため、過電
流状態による損傷から電動機を保護するための装置を作
るために利用できる。それらの材料の圧電効果は例えば
レーザーキャビティ長の精密な制御等に広く利用されて
いる。金属酸化物材料を採用した微小な構造は、赤外線
を検出するために低温に冷却することを要するバンドギ
ャップ検出器材料を必要とせずに赤外線を検出するため
に使用される。
【０００４】金属酸化物材料はその特長的な性質を利用
する電気的装置を製造する場合にしばしばエッチングさ
れる。金属酸化物をエッチングするために用いられる方
法は一般的に、作製される装置の機能がそれに依存する
材料の性質を受け入れ難いように変化させてしまうよう
な損傷を導入することなしにエッチング可能でなければ
ならない。更に、エッチマスクパターン中の細部の形状
が保存されるような異方性のエッチング方法が通常望ま
れる。エッチング方法による金属酸化物材料（及び／ま
たは近傍材料 ）の汚染は通常許容されない。
する電気的装置を製造する場合にしばしばエッチングさ
れる。金属酸化物をエッチングするために用いられる方
法は一般的に、作製される装置の機能がそれに依存する
材料の性質を受け入れ難いように変化させてしまうよう
な損傷を導入することなしにエッチング可能でなければ
ならない。更に、エッチマスクパターン中の細部の形状
が保存されるような異方性のエッチング方法が通常望ま
れる。エッチング方法による金属酸化物材料（及び／ま
たは近傍材料 ）の汚染は通常許容されない。
【０００５】従って当該分野において、Ｎｂ2 Ｏ5 は高
濃度のフッ化水素酸（例えば４９％のＨＦ）を用いた等
方的な湿式エッチングによってエッチされている。
濃度のフッ化水素酸（例えば４９％のＨＦ）を用いた等
方的な湿式エッチングによってエッチされている。
【０００６】
【発明の概要】Ｎｂ2 Ｏ5 をエッチする現状の方法が、
許容できない結果を作り出すことが見いだされた。等方
性湿式エッチングはエッチマスクの下側をアンダーカッ
ト（一般的にエッチ深さと同程度の距離）してしまい、
下層のＮｂ2 Ｏ5 に対してエッチマスクパターンと異な
る形状を与えてしまう。
許容できない結果を作り出すことが見いだされた。等方
性湿式エッチングはエッチマスクの下側をアンダーカッ
ト（一般的にエッチ深さと同程度の距離）してしまい、
下層のＮｂ2 Ｏ5 に対してエッチマスクパターンと異な
る形状を与えてしまう。
【０００７】一般的に、そして本発明の１つの形態にお
いて、Ｎｂ2 Ｏ5 の異方性エッチングはその材料の表面
を液体雰囲気中に浸し、次にそれに対して電磁放射（例
えば紫外光）を照射し、基板の照射部分にエッチングを
生じさせ、未照射部分を本質的にエッチされることなく
残存させることによって行われる。すなわちここに提供
されるプロセスは異方性の液相での光化学的エッチであ
る。望ましくは、Ｎｂ2 Ｏ5 はそれを１０％のフッ化水
素酸中に浸し、その表面部分へ水銀キセノンアークラン
プによって発せられる可視及び紫外の電磁放射を照射す
ることによってエッチされる。表面に照射パターンを定
義するためにエッチマスクが使用され、それによってエ
ッチパターンが定義される。光の持つ高度な方向性のた
めにこのエッチングは異方性エッチとなる。
いて、Ｎｂ2 Ｏ5 の異方性エッチングはその材料の表面
を液体雰囲気中に浸し、次にそれに対して電磁放射（例
えば紫外光）を照射し、基板の照射部分にエッチングを
生じさせ、未照射部分を本質的にエッチされることなく
残存させることによって行われる。すなわちここに提供
されるプロセスは異方性の液相での光化学的エッチであ
る。望ましくは、Ｎｂ2 Ｏ5 はそれを１０％のフッ化水
素酸中に浸し、その表面部分へ水銀キセノンアークラン
プによって発せられる可視及び紫外の電磁放射を照射す
ることによってエッチされる。表面に照射パターンを定
義するためにエッチマスクが使用され、それによってエ
ッチパターンが定義される。光の持つ高度な方向性のた
めにこのエッチングは異方性エッチとなる。
【０００８】これは明らかにＮｂ2 Ｏ5 と液体雰囲気
（例えば１０％のフッ化水素酸）との間の反応中に光照
射によって引き起こされる電子的励起を利用したＮｂ2
Ｏ5のエッチング方法の最初のものである。本発明の特
長はそれが異方性であること（すなわち、本質的にアン
ダーカットがないこと）である。マスク下の領域は影の
中に留まりほとんどエッチされない。更に、この方法は
Ｎｂ2 Ｏ5 中に許容できない欠陥をもたらさないことと
汚染が最小化されることとが見いだされた。
（例えば１０％のフッ化水素酸）との間の反応中に光照
射によって引き起こされる電子的励起を利用したＮｂ2
Ｏ5のエッチング方法の最初のものである。本発明の特
長はそれが異方性であること（すなわち、本質的にアン
ダーカットがないこと）である。マスク下の領域は影の
中に留まりほとんどエッチされない。更に、この方法は
Ｎｂ2 Ｏ5 中に許容できない欠陥をもたらさないことと
汚染が最小化されることとが見いだされた。
【０００９】本発明に特徴的と考えられる新規な性質に
ついては特許請求の範囲に述べた。しかし、本発明自身
についてはそれのその他の特徴及び利点と共に以下の詳
細な説明を図面と一緒に参照することによって最も良く
理解できよう。
ついては特許請求の範囲に述べた。しかし、本発明自身
についてはそれのその他の特徴及び利点と共に以下の詳
細な説明を図面と一緒に参照することによって最も良く
理解できよう。
【００１０】
【実施例】本発明の好適実施例において、そして図１を
参照すると、１０％のフッ化水素酸（ＨＦ）３０中に浸
されて、２００ワットの水銀キセノンアークランプ２０
によって発せられ本質的に基板表面３４に対して垂直に
伝搬する本質的に集束された可視／紫外の電磁放射２４
を照射されることによって、五酸化ニオブ（Ｎｂ
2 Ｏ5 ）の基板３４中にパターンがエッチされる。放射
源２０からの電磁放射２１は集束光学系２２によって平
行に揃えられ、その結果の集束された電磁放射２４が基
板３４へ向かって照射される。反応容器２８の一部であ
り集束された電磁放射に対して本質的に透明である窓２
６は放射エネルギーがＮｂ2 Ｏ5 基板３４に到達するの
を許容する。エッチマスク３２は基板の一部に電磁放射
が到達するのを阻止することによってエッチされるパタ
ーンを定義する。Ｎｂ2 Ｏ5 基板３４及び酸溶液３０は
名目的には２５℃の温度にある。そのような温度及び酸
濃度では照射なしではＮｂ2 Ｏ5 はほとんどエッチされ
ない。しかし、ランプから発生した可視／紫外の電磁放
射に照明されるとエッチ速度は増大する。９：１（照射
部：未照射部）という高いエッチ速度比が観測されてい
る。照射エリアでのエッチング反応の加速が熱的効果よ
りもむしろ光子衝撃による電子的な励起によるのは部分
的には光源の比較的低い電力のためであろうと推測され
る。ここに用いられている”電磁放射”という用語は背
景レベルよりも高いレベルの電磁放射を意味し、例えば
室内照明よりも本質的に大きいレベルの照明を意味す
る。
参照すると、１０％のフッ化水素酸（ＨＦ）３０中に浸
されて、２００ワットの水銀キセノンアークランプ２０
によって発せられ本質的に基板表面３４に対して垂直に
伝搬する本質的に集束された可視／紫外の電磁放射２４
を照射されることによって、五酸化ニオブ（Ｎｂ
2 Ｏ5 ）の基板３４中にパターンがエッチされる。放射
源２０からの電磁放射２１は集束光学系２２によって平
行に揃えられ、その結果の集束された電磁放射２４が基
板３４へ向かって照射される。反応容器２８の一部であ
り集束された電磁放射に対して本質的に透明である窓２
６は放射エネルギーがＮｂ2 Ｏ5 基板３４に到達するの
を許容する。エッチマスク３２は基板の一部に電磁放射
が到達するのを阻止することによってエッチされるパタ
ーンを定義する。Ｎｂ2 Ｏ5 基板３４及び酸溶液３０は
名目的には２５℃の温度にある。そのような温度及び酸
濃度では照射なしではＮｂ2 Ｏ5 はほとんどエッチされ
ない。しかし、ランプから発生した可視／紫外の電磁放
射に照明されるとエッチ速度は増大する。９：１（照射
部：未照射部）という高いエッチ速度比が観測されてい
る。照射エリアでのエッチング反応の加速が熱的効果よ
りもむしろ光子衝撃による電子的な励起によるのは部分
的には光源の比較的低い電力のためであろうと推測され
る。ここに用いられている”電磁放射”という用語は背
景レベルよりも高いレベルの電磁放射を意味し、例えば
室内照明よりも本質的に大きいレベルの照明を意味す
る。
【００１１】放射源２０とＮｂ2 Ｏ5 基板３４との間の
エッチマスク３２は望ましくはエッチされる表面に接近
するか接触して配置される。そのようなエッチマスク３
２は基板表面へ堆積させてもよい。エッチマスク３２は
望ましくは有機フォトレジストでできている。一般には
水銀キセノンランプによって生成されるような可視及び
紫外の光に対して十分に不透明で、液体雰囲気によって
本質的にエッチまたは侵食されない任意の材質が使用で
きる。マスク材料によって覆われていない基板エリアは
エッチングに曝される。
エッチマスク３２は望ましくはエッチされる表面に接近
するか接触して配置される。そのようなエッチマスク３
２は基板表面へ堆積させてもよい。エッチマスク３２は
望ましくは有機フォトレジストでできている。一般には
水銀キセノンランプによって生成されるような可視及び
紫外の光に対して十分に不透明で、液体雰囲気によって
本質的にエッチまたは侵食されない任意の材質が使用で
きる。マスク材料によって覆われていない基板エリアは
エッチングに曝される。
【００１２】別の実施例では、液体雰囲気は光照射なし
で材料をエッチする溶液のグループから選ぶことができ
る。この場合は、電磁放射は基板の照射部分でエッチ速
度を増速し、より等方性の少ないエッチを実現する。更
に別の実施例では液体雰囲気は塩を含み、液体雰囲気の
ｐＨ値は７に等しいかそれ以下（すなわち酸性および中
性）である。更に他の実施例ではアルカリ性の（すなわ
ち７より大きい）ｐＨ値を有する液体雰囲気が用いられ
ようが、しかし中性及び酸性の溶液がずっと望ましく、
本発明の好適実施例に述べられたように優れた結果をも
たらす。
で材料をエッチする溶液のグループから選ぶことができ
る。この場合は、電磁放射は基板の照射部分でエッチ速
度を増速し、より等方性の少ないエッチを実現する。更
に別の実施例では液体雰囲気は塩を含み、液体雰囲気の
ｐＨ値は７に等しいかそれ以下（すなわち酸性および中
性）である。更に他の実施例ではアルカリ性の（すなわ
ち７より大きい）ｐＨ値を有する液体雰囲気が用いられ
ようが、しかし中性及び酸性の溶液がずっと望ましく、
本発明の好適実施例に述べられたように優れた結果をも
たらす。
【００１３】本方法の付加的な面においては、エッチさ
れる材料と反応することなく溶解性またはわずかに溶解
性の生成物を形成する不動態化剤（パシベーティング・
エージェント）を液体雰囲気３０中へ加えることによっ
て側壁の断面形状制御が促進される。この不動態化剤
は、他のエッチ試薬が側壁に対して与える攻撃に関して
は側壁に”害”を及ぼすが、照射が表面から不動態化剤
をはがすので基板に対して垂直なエッチングを停止させ
ることはない。Ｎｂ2 Ｏ5 のエッチングに関する不動態
化剤の例は塩化水素酸である。
れる材料と反応することなく溶解性またはわずかに溶解
性の生成物を形成する不動態化剤（パシベーティング・
エージェント）を液体雰囲気３０中へ加えることによっ
て側壁の断面形状制御が促進される。この不動態化剤
は、他のエッチ試薬が側壁に対して与える攻撃に関して
は側壁に”害”を及ぼすが、照射が表面から不動態化剤
をはがすので基板に対して垂直なエッチングを停止させ
ることはない。Ｎｂ2 Ｏ5 のエッチングに関する不動態
化剤の例は塩化水素酸である。
【００１４】本発明の別の実施例では、基板に対してパ
ターン化された光を投影させることによってチタン酸塩
材料の表面へパターンをエッチする。従来のフォトリソ
グラフィはそのようなパターン化された光を提供する１
つの技術である。
ターン化された光を投影させることによってチタン酸塩
材料の表面へパターンをエッチする。従来のフォトリソ
グラフィはそのようなパターン化された光を提供する１
つの技術である。
【００１５】本発明の更に別の実施例では、液体雰囲気
が基板に相対的に流れるようにされる。液体雰囲気の流
速は変化させることができる。液温はエッチ速度及びエ
ッチングの方向性を変えるために変化させることができ
る。光子の線束を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度に影響を与えることができる。
電磁放射の波長を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度を変化させることができる。電
磁放射の伝搬方向は表面に対して垂直である必要はな
い。エッチング溶液は溶液（例えば、異方性を強調する
ための１つまたは複数個の不動態化剤及び材料を光化学
的にエッチするための１つまたは複数個の試薬）の混合
物でよい。
が基板に相対的に流れるようにされる。液体雰囲気の流
速は変化させることができる。液温はエッチ速度及びエ
ッチングの方向性を変えるために変化させることができ
る。光子の線束を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度に影響を与えることができる。
電磁放射の波長を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度を変化させることができる。電
磁放射の伝搬方向は表面に対して垂直である必要はな
い。エッチング溶液は溶液（例えば、異方性を強調する
ための１つまたは複数個の不動態化剤及び材料を光化学
的にエッチするための１つまたは複数個の試薬）の混合
物でよい。
【００１６】次の唯一の表はいくつかの実施例と図面の
要約である。
要約である。
【００１７】
【表１】
【００１８】以上のように数少ない実施例について詳細
に説明した。本発明の範囲にはここに述べていないが本
発明の特許請求の範囲には含まれるようなその他の実施
例が包含されることは理解されたい。
に説明した。本発明の範囲にはここに述べていないが本
発明の特許請求の範囲には含まれるようなその他の実施
例が包含されることは理解されたい。
【００１９】本発明は例示として取り上げた実施例に関
連して説明したが、この説明は限定的な意図のものでは
ない。例示実施例の各種の修正や組み合わせは本発明の
その他の実施例と共に、本明細書を参考にすることによ
って当業者には明かであろう。従って、本発明の範囲に
はそのようなすべての修正や実施例が包含されるべきで
ある。
連して説明したが、この説明は限定的な意図のものでは
ない。例示実施例の各種の修正や組み合わせは本発明の
その他の実施例と共に、本明細書を参考にすることによ
って当業者には明かであろう。従って、本発明の範囲に
はそのようなすべての修正や実施例が包含されるべきで
ある。
【００２０】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）五酸化ニオブを異方性エッチするための方法であ
って： （ａ）前記五酸化ニオブの表面を液体雰囲気中に浸すこ
と；及び（ｂ）前記表面の部分を電磁放射で照明するこ
と、の工程を含み、それによって前記表面の前記照明さ
れた部分を前記表面の照明されていない部分よりも本質
的に大きい速度でエッチングする方法。
る。 （１）五酸化ニオブを異方性エッチするための方法であ
って： （ａ）前記五酸化ニオブの表面を液体雰囲気中に浸すこ
と；及び（ｂ）前記表面の部分を電磁放射で照明するこ
と、の工程を含み、それによって前記表面の前記照明さ
れた部分を前記表面の照明されていない部分よりも本質
的に大きい速度でエッチングする方法。
【００２１】（２）第１項記載の方法であって、前記照
明されている前記表面部分が前記表面の照明されていな
い部分の温度と本質的に同じ温度にある方法。
明されている前記表面部分が前記表面の照明されていな
い部分の温度と本質的に同じ温度にある方法。
【００２２】（３）第１項記載の方法であって、前記液
体雰囲気がフッ化水素酸を含んでいる方法。
体雰囲気がフッ化水素酸を含んでいる方法。
【００２３】（４）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射が水銀キセノンアークランプによって生成される
方法。
磁放射が水銀キセノンアークランプによって生成される
方法。
【００２４】（５）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射の伝搬方向が前記表面に対して本質的に垂直であ
る方法。
磁放射の伝搬方向が前記表面に対して本質的に垂直であ
る方法。
【００２５】（６）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射の光源と前記表面との間にエッチマスクが挿入さ
れ、それによって前記表面の部分が照明されないように
なっている方法。
磁放射の光源と前記表面との間にエッチマスクが挿入さ
れ、それによって前記表面の部分が照明されないように
なっている方法。
【００２６】（７）第６項記載の方法であって、前記エ
ッチマスクが有機フォトレジストを含んでいる方法。
ッチマスクが有機フォトレジストを含んでいる方法。
【００２７】（８）第６項記載の方法であって、前記エ
ッチマスクが窒化シリコンである方法。
ッチマスクが窒化シリコンである方法。
【００２８】（９）第６項記載の方法であって、前記エ
ッチマスクが貴金属である方法。
ッチマスクが貴金属である方法。
【００２９】（１０）第９項記載の方法であって、前記
貴金属が白金である方法。
貴金属が白金である方法。
【００３０】（１１）第１項記載の方法であって、前記
液体雰囲気が酸性である方法。
液体雰囲気が酸性である方法。
【００３１】（１２）第１項記載の方法であって、前記
液体雰囲気が塩溶液を含んでいる方法。
液体雰囲気が塩溶液を含んでいる方法。
【００３２】（１３）五酸化ニオブを異方性エッチする
ための方法であって： （ａ）前記五酸化ニオブの表面を１０％のフッ化水素酸
中へ浸すこと、及び（ｂ）水銀キセノンアークランプに
よって生成された電磁放射によって前記表面を照明する
こと、の工程を含み、それによって前記表面の前記照明
された部分を前記表面の照明されていない部分よりも本
質的に大きい速度でエッチする方法。
ための方法であって： （ａ）前記五酸化ニオブの表面を１０％のフッ化水素酸
中へ浸すこと、及び（ｂ）水銀キセノンアークランプに
よって生成された電磁放射によって前記表面を照明する
こと、の工程を含み、それによって前記表面の前記照明
された部分を前記表面の照明されていない部分よりも本
質的に大きい速度でエッチする方法。
【００３３】（１４）五酸化ニオブ基板３４が液体雰囲
気（例えば、１０％のフッ化水素酸３０）中へ浸され、
放射源（例えば、２００ワットの水銀キセノンアークラ
ンプ２０）によって発せられた電磁放射（例えば、集束
された可視／紫外の電磁放射２４）で以て照明される。
集束された電磁放射２４に対して本質的に透明の窓２６
が、放射されたエネルギーのＮｂ2 Ｏ5 基板３４への到
達を許容する。放射源２０と基板３４との間にエッチマ
スク（例えば、有機フォトレジスト３２）を配置するこ
とができる。Ｎｂ2 Ｏ5 基板３４と液体雰囲気３０とは
公称温度（例えば、２５℃）に保たれる。照明なしでは
Ｎｂ2 Ｏ5 は液体雰囲気にほとんどエッチされない。照
明されるとエッチ速度は本質的に増大する。
気（例えば、１０％のフッ化水素酸３０）中へ浸され、
放射源（例えば、２００ワットの水銀キセノンアークラ
ンプ２０）によって発せられた電磁放射（例えば、集束
された可視／紫外の電磁放射２４）で以て照明される。
集束された電磁放射２４に対して本質的に透明の窓２６
が、放射されたエネルギーのＮｂ2 Ｏ5 基板３４への到
達を許容する。放射源２０と基板３４との間にエッチマ
スク（例えば、有機フォトレジスト３２）を配置するこ
とができる。Ｎｂ2 Ｏ5 基板３４と液体雰囲気３０とは
公称温度（例えば、２５℃）に保たれる。照明なしでは
Ｎｂ2 Ｏ5 は液体雰囲気にほとんどエッチされない。照
明されるとエッチ速度は本質的に増大する。
【００３４】
【関連出願へのクロスリファレンス】以下の関連出願を
本出願と同時に提出する：
本出願と同時に提出する：
【図１】Ｎｂ2 Ｏ5 を異方性エッチするために用いられ
る装置及び材料の模式図。
る装置及び材料の模式図。
２０ 水銀キセノンアークランプ ２１ 電磁放射 ２２ 集束光学系 ２４ 集束放射 ２６ 窓 ２８ 反応容器 ３０ 酸溶液 ３２ エッチマスク ３４ Ｎｂ2 Ｏ5 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スコット アール．サマーフェルト アメリカ合衆国テキサス州ダラス，スキル マン ロード 9350，アパートメント ナ ンバー 2911
Claims (1)
- 【請求項１】 金属酸化物材料を異方性エッチするため
の方法であって： （ａ）前記金属酸化物材料の表面を非アルカリ性液体雰
囲気中に浸すこと；及び（ｂ）前記表面の部分を電磁放
射で照明すること、の工程を含み、それによって前記表
面の前記照明された部分を前記表面の照明されていない
部分よりも本質的に大きい速度でエッチングする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US872701 | 1992-04-20 | ||
| US07/872,701 US5201989A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Anisotropic niobium pentoxide etch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122980A true JPH06122980A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=25360136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5091375A Pending JPH06122980A (ja) | 1992-04-20 | 1993-04-19 | 五酸化ニオブの異方性エッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5201989A (ja) |
| JP (1) | JPH06122980A (ja) |
| KR (1) | KR100296714B1 (ja) |
| TW (1) | TW232750B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020084330A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 紫外線反応性金属酸化物含有膜を形成する方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279702A (en) * | 1992-09-30 | 1994-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Anisotropic liquid phase photochemical copper etch |
| MX9305898A (es) * | 1992-10-30 | 1995-01-31 | Texas Instruments Inc | Metodo de grabado fotoquimico anisotropico para la fabricacion decircuitos integrados. |
| US5653851A (en) * | 1994-07-05 | 1997-08-05 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for etching titanate with organic acid reagents |
| US5626773A (en) * | 1995-01-03 | 1997-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Structure and method including dry etching techniques for forming an array of thermal sensitive elements |
| US5746930A (en) * | 1995-01-03 | 1998-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Method and structure for forming an array of thermal sensors |
| US5603848A (en) * | 1995-01-03 | 1997-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching through a substrate to an attached coating |
| US5705443A (en) * | 1995-05-30 | 1998-01-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Etching method for refractory materials |
| US5919607A (en) * | 1995-10-26 | 1999-07-06 | Brown University Research Foundation | Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications |
| US6358430B1 (en) * | 1999-07-28 | 2002-03-19 | Motorola, Inc. | Technique for etching oxides and/or insulators |
| US6550795B1 (en) | 2001-03-20 | 2003-04-22 | Dana Corporation | Suspension alignment device |
| CN104759753B (zh) * | 2015-03-30 | 2016-08-31 | 江苏大学 | 多系统自动化协调工作提高激光诱导空化强化的方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4518456A (en) * | 1983-03-11 | 1985-05-21 | At&T Bell Laboratories | Light induced etching of InP by aqueous solutions of H3 PO4 |
| US4661201A (en) * | 1985-09-09 | 1987-04-28 | Cts Corporation | Preferential etching of a piezoelectric material |
| US4838989A (en) * | 1987-08-25 | 1989-06-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Laser-driven fusion etching process |
| US4861421A (en) * | 1988-06-01 | 1989-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Photochemical semiconductor etching |
| US5057184A (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-15 | International Business Machines Corporation | Laser etching of materials in liquids |
-
1992
- 1992-04-20 US US07/872,701 patent/US5201989A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-19 KR KR1019930006542A patent/KR100296714B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-19 JP JP5091375A patent/JPH06122980A/ja active Pending
- 1993-08-26 TW TW082106902A patent/TW232750B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020084330A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 紫外線反応性金属酸化物含有膜を形成する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930021819A (ko) | 1993-11-23 |
| TW232750B (ja) | 1994-10-21 |
| KR100296714B1 (ko) | 2001-10-24 |
| US5201989A (en) | 1993-04-13 |
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