JPH0649682A - めっき法による多層膜磁性材料の製造方法 - Google Patents
めっき法による多層膜磁性材料の製造方法Info
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- JPH0649682A JPH0649682A JP28086192A JP28086192A JPH0649682A JP H0649682 A JPH0649682 A JP H0649682A JP 28086192 A JP28086192 A JP 28086192A JP 28086192 A JP28086192 A JP 28086192A JP H0649682 A JPH0649682 A JP H0649682A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】複雑な基板上にも均一な磁性薄膜を形成可能な
合金めっき層からなる多層膜の製造方法を提供する。 【構成】電析めっき中に電流値を瞬間的に変化させて電
流密度によって決められる合金めっき中の合金比率を変
化させることにより、合金比率の異なるめっき層を積層
させて多層膜を製造する。又、このようにして製造した
多層膜に熱処理を施して磁気特性を調整する。
合金めっき層からなる多層膜の製造方法を提供する。 【構成】電析めっき中に電流値を瞬間的に変化させて電
流密度によって決められる合金めっき中の合金比率を変
化させることにより、合金比率の異なるめっき層を積層
させて多層膜を製造する。又、このようにして製造した
多層膜に熱処理を施して磁気特性を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電析めっきにより合金め
っき層を積層させて多層膜を製造する方法に関するもの
であり、その多層膜は磁気特性に優れた磁性薄膜等の磁
性材料として磁気ヘッド、メモリ等に使用される。
っき層を積層させて多層膜を製造する方法に関するもの
であり、その多層膜は磁気特性に優れた磁性薄膜等の磁
性材料として磁気ヘッド、メモリ等に使用される。
【０００２】
【従来の技術】磁性材料の製造方法としては、アモルフ
ァス磁性材料の液体急冷法、スパッタリング法等が公知
である。しかし、液体急冷法はリボン又は線材しか得ら
れず、基板上に薄膜を形成するためには、アモルファス
リボンを接着剤で接合しなくてはならないが、接合強度
が経時変化し強度保証が困難なことが多い。スパッタリ
ング法はコストが非常に高いという問題がある。めっき
法は複雑な基板上に薄膜の形成を可能にするが、単層の
薄膜は、不均一な部分が散在しやすい上に、所望の磁気
特性、例えば８０００ガウス以上の飽和磁束密度が得に
くいという問題があった。
ァス磁性材料の液体急冷法、スパッタリング法等が公知
である。しかし、液体急冷法はリボン又は線材しか得ら
れず、基板上に薄膜を形成するためには、アモルファス
リボンを接着剤で接合しなくてはならないが、接合強度
が経時変化し強度保証が困難なことが多い。スパッタリ
ング法はコストが非常に高いという問題がある。めっき
法は複雑な基板上に薄膜の形成を可能にするが、単層の
薄膜は、不均一な部分が散在しやすい上に、所望の磁気
特性、例えば８０００ガウス以上の飽和磁束密度が得に
くいという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本願の発明者は磁性薄
膜を基板上に直接電析めっき法により形成することがで
きれば、上記問題点を解決しうると考えて開発を進めた
結果、本発明に到達した。本発明の目的は、比較的低コ
ストで複雑な基板上にも磁気特性に優れた磁性薄膜を均
一に形成することができる電析めっき法による多層膜磁
性材料の製造方法を提供することにある。
膜を基板上に直接電析めっき法により形成することがで
きれば、上記問題点を解決しうると考えて開発を進めた
結果、本発明に到達した。本発明の目的は、比較的低コ
ストで複雑な基板上にも磁気特性に優れた磁性薄膜を均
一に形成することができる電析めっき法による多層膜磁
性材料の製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明が採用する手段の１つは、めっき中に電流値
を瞬間的に変化させ、電流密度により決められる合金め
っき中の合金比率を変化させることにより異質な合金め
っき層を積層させて磁気特性に優れた多層膜を形成する
ことであり、手段の２つは、このようにして得られた多
層膜に熱処理を施して、磁気特性をさらに向上させるこ
とである。
め、本発明が採用する手段の１つは、めっき中に電流値
を瞬間的に変化させ、電流密度により決められる合金め
っき中の合金比率を変化させることにより異質な合金め
っき層を積層させて磁気特性に優れた多層膜を形成する
ことであり、手段の２つは、このようにして得られた多
層膜に熱処理を施して、磁気特性をさらに向上させるこ
とである。
【０００５】
【作用】電析合金めっき法において、めっきを施す電流
値を瞬時にそれより高い電流値に上昇すると、電流密度
も瞬時に増加する。その結果、電流密度によって決まる
合金めっき中の合金比率が変化し、それまでの合金めっ
き層とは異質の合金めっき層が連続して積層する。例え
ば、非晶質合金めっき層に結晶質合金めっき層が連続し
て積層する。低い電流値に落したときも同様であり、例
えば、結晶質合金めっき層に非晶質合金めっき層が積層
する。高低電流値及びそれらの供給時間を調整すること
により、積層する合金めっき層の質と厚さを自由に設定
することができる。
値を瞬時にそれより高い電流値に上昇すると、電流密度
も瞬時に増加する。その結果、電流密度によって決まる
合金めっき中の合金比率が変化し、それまでの合金めっ
き層とは異質の合金めっき層が連続して積層する。例え
ば、非晶質合金めっき層に結晶質合金めっき層が連続し
て積層する。低い電流値に落したときも同様であり、例
えば、結晶質合金めっき層に非晶質合金めっき層が積層
する。高低電流値及びそれらの供給時間を調整すること
により、積層する合金めっき層の質と厚さを自由に設定
することができる。
【０００６】異なる合金めっき層を積層した多層膜に熱
処理を施して、その磁気特性を調整することができる。
例えば、多層膜中の非晶質合金めっき層を熱処理して、
全部又は一部を結晶化させると、飽和磁束密度が増大す
る。熱処理の温度は合金めっき層の熱分析から得られる
データに基づいて設定する。図１は、電流密度０．１Ａ
／ｄｍ2、１．０Ａ／ｄｍ2、８．０Ａ／ｄｍ2、で形成
したそれぞれの合金めっき層のＤＳＣ（示差走査熱量測
定）データを示す曲線である。この曲線のピークから、
電流密度０．１Ａ／ｄｍ2で形成した非晶質合金めっき
層の結晶化開始温度は２８９．６℃、結晶化ピーク温度
は２９９．７℃、及び３３０．８℃、結晶化終了温度は
３３８．７℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で形成した非
晶質合金めっき層の結晶化終了温度は３４５．６℃であ
り、電流密度８．０Ａ／ｄｍ2で形成した結晶質合金め
っき層の変質終了温度は４３５．１℃であることがわか
る。これは電流密度０．１Ａ／ｄｍ2で形成した非晶質
合金めっき層と、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で形成した
非晶質合金めっき層と又は電流密度８．０Ａ／ｄｍ2で
形成した結晶質合金めっき層とを積層させた多層膜を３
４５．６よりも低い熱処理温度で処理すると、１．０Ａ
／ｄｍ2又は８．０Ａ／ｄｍ2で形成しためっき層に影響
を及ぼすことなく、電流０．１Ａ／ｄｍ2で形成しため
っき層のみを結晶質に変質させることができることを示
唆する。又、これは多層膜中の非晶質合金めっき層はそ
の結晶化終了温度以上の温度で熱処理すると、全部が結
晶化して変質し、その結晶化開始温度から終了温度の間
の温度で熱処理すると一部が結晶化して非晶質と結晶質
が混在するめっき層となるように変質することを示唆す
る。
処理を施して、その磁気特性を調整することができる。
例えば、多層膜中の非晶質合金めっき層を熱処理して、
全部又は一部を結晶化させると、飽和磁束密度が増大す
る。熱処理の温度は合金めっき層の熱分析から得られる
データに基づいて設定する。図１は、電流密度０．１Ａ
／ｄｍ2、１．０Ａ／ｄｍ2、８．０Ａ／ｄｍ2、で形成
したそれぞれの合金めっき層のＤＳＣ（示差走査熱量測
定）データを示す曲線である。この曲線のピークから、
電流密度０．１Ａ／ｄｍ2で形成した非晶質合金めっき
層の結晶化開始温度は２８９．６℃、結晶化ピーク温度
は２９９．７℃、及び３３０．８℃、結晶化終了温度は
３３８．７℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で形成した非
晶質合金めっき層の結晶化終了温度は３４５．６℃であ
り、電流密度８．０Ａ／ｄｍ2で形成した結晶質合金め
っき層の変質終了温度は４３５．１℃であることがわか
る。これは電流密度０．１Ａ／ｄｍ2で形成した非晶質
合金めっき層と、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で形成した
非晶質合金めっき層と又は電流密度８．０Ａ／ｄｍ2で
形成した結晶質合金めっき層とを積層させた多層膜を３
４５．６よりも低い熱処理温度で処理すると、１．０Ａ
／ｄｍ2又は８．０Ａ／ｄｍ2で形成しためっき層に影響
を及ぼすことなく、電流０．１Ａ／ｄｍ2で形成しため
っき層のみを結晶質に変質させることができることを示
唆する。又、これは多層膜中の非晶質合金めっき層はそ
の結晶化終了温度以上の温度で熱処理すると、全部が結
晶化して変質し、その結晶化開始温度から終了温度の間
の温度で熱処理すると一部が結晶化して非晶質と結晶質
が混在するめっき層となるように変質することを示唆す
る。
【０００７】
【実施例】本発明を電析めっきの実験に基づいて説明す
る。図２に示すように、めっき層１にカソードとしての
回転電極２を設け、その回転電極を囲むようにアノード
３を入れた。回転電極２と被めっき体３はポテンショス
タット４に接続し、ポテンショスタット４には関数発生
器５によりあらかじめ定めたパターン電流がポテンショ
スタットから供給され、図３に示すように、めっき中の
電流密度は低密度又は高密度を所定時間維持した後に瞬
時に高密度又は低密度に変化する。電流密度が１．０Ａ
／ｄｍ2以下のときは非晶質合金めっき層を、１．５Ａ
／ｄｍ2以上のときは結晶質合金めっき層をそれぞれ形
成した。比較例として電流密度を一定にして単層膜を形
成した。めっき液組成とめっき条件は次のとおりであっ
た。 めっき液組成 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ）：２４０ｇ／Ｌ 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ）： ４５ｇ／Ｌ 塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ）： ４５ｇ／Ｌ ホウ酸 （Ｈ3ＢＯ3） ： ３０ｇ／Ｌ トリメチルアミンボラン［（ＣＨ3）3ＮＢＨ3］：３ｇ
／Ｌ めっき条件 カソード 回転電極 周速 ３００ｃｍ／ｓｅｃ 浴温 ５５±１℃ 電流パターン 低密度 ０．１〜１．５Ａ／ｄｍ2×２３．７ｓｅｃ 高密度 １．０〜８．０Ａ／ｄｍ2×３．８５〜０．４
１５７ｓｅｃ このようにして、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２３のめっき被膜試
料を形成した。試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５は比較例として
の単層膜であり、試料Ｎｏ．６〜Ｎｏ．２３は本発明実
施例の多層膜である。Ｎｏ．６〜Ｎｏ．２３被膜試料に
ついては、多層膜形成後、低密度電流値に基づいて次の
温度の熱処理を施した。 低密度電流値 ０．１Ａ／ｄｍ2：３３８．７℃ 低密度電流値 １．０Ａ／ｄｍ2：３４５．６℃ 低密度電流値 １．５Ａ／ｄｍ2：３９９．５℃ 各試料の熱処理前後の飽和磁束密度を測定した。これら
の結果は次表に示すとおりである。
る。図２に示すように、めっき層１にカソードとしての
回転電極２を設け、その回転電極を囲むようにアノード
３を入れた。回転電極２と被めっき体３はポテンショス
タット４に接続し、ポテンショスタット４には関数発生
器５によりあらかじめ定めたパターン電流がポテンショ
スタットから供給され、図３に示すように、めっき中の
電流密度は低密度又は高密度を所定時間維持した後に瞬
時に高密度又は低密度に変化する。電流密度が１．０Ａ
／ｄｍ2以下のときは非晶質合金めっき層を、１．５Ａ
／ｄｍ2以上のときは結晶質合金めっき層をそれぞれ形
成した。比較例として電流密度を一定にして単層膜を形
成した。めっき液組成とめっき条件は次のとおりであっ
た。 めっき液組成 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ）：２４０ｇ／Ｌ 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ）： ４５ｇ／Ｌ 塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ）： ４５ｇ／Ｌ ホウ酸 （Ｈ3ＢＯ3） ： ３０ｇ／Ｌ トリメチルアミンボラン［（ＣＨ3）3ＮＢＨ3］：３ｇ
／Ｌ めっき条件 カソード 回転電極 周速 ３００ｃｍ／ｓｅｃ 浴温 ５５±１℃ 電流パターン 低密度 ０．１〜１．５Ａ／ｄｍ2×２３．７ｓｅｃ 高密度 １．０〜８．０Ａ／ｄｍ2×３．８５〜０．４
１５７ｓｅｃ このようにして、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２３のめっき被膜試
料を形成した。試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５は比較例として
の単層膜であり、試料Ｎｏ．６〜Ｎｏ．２３は本発明実
施例の多層膜である。Ｎｏ．６〜Ｎｏ．２３被膜試料に
ついては、多層膜形成後、低密度電流値に基づいて次の
温度の熱処理を施した。 低密度電流値 ０．１Ａ／ｄｍ2：３３８．７℃ 低密度電流値 １．０Ａ／ｄｍ2：３４５．６℃ 低密度電流値 １．５Ａ／ｄｍ2：３９９．５℃ 各試料の熱処理前後の飽和磁束密度を測定した。これら
の結果は次表に示すとおりである。
【０００８】 表 試料 積層数 設定電流密度 層区分 飽和磁束密度 飽和磁束密度 ＮＯ （Ａ／ｄｍ2） （ガウスＧ） （ガウスＧ） 低／高 めっきのまま 熱処理あり （比較例） １ 単層 0.1 非晶質 非磁性 − ２ ↑ 1.0 ↑ ４５００ − ３ ↑ 1.5 結晶質 ５５００ − ４ ↑ 3.0 ↑ ７０００ − ５ ↑ 8.0 ↑ ７５００ − （本発明実施例） ６ ４００ 0.1／1.0 非晶／非晶 ９０００ ９８００ ７ ↑ 0.1／1.5 ↑／結晶 ５９００ ６２００ ８ ↑ 0.1／3.0 ↑／↑ ７５００ ７９００ ９ ↑ 0.1／8.0 ↑／↑ ７８００ ８１００ １０ ↑ 1.0／1.5 ↑／↑ ９２００ ９８００ １１ ↑ 1.0／3.0 ↑／↑ １５０００ １７０００ １２ ↑ 1.0／8.0 ↑／↑ １７４００ １７９００ １３ ↑ 1.5／3.0 結晶／↑ １４０００ １６０００ １４ ↑ 1.5／8.0 ↑／↑ １１６００ １２１００ １５ ４０ 0.1／1.0 非晶／非晶 ７０００ ７５００ １６ ↑ 0.1／1.5 ↑／結晶 ６５００ ６６００ １７ ↑ 0.1／3.0 ↑／↑ ８１００ ８５００ １８ ↑ 0.1／8.0 ↑／↑ ８１００ ８２００ １９ ↑ 1.0／1.5 ↑／↑ １２４００ １２８００ ２０ ↑ 1.0／3.0 ↑／↑ １６４００ １８２００ ２１ ↑ 1.0／8.0 ↑／↑ １７０００ １７３００ ２２ ↑ 1.5／3.0 結晶／↑ １４６００ １５１００ ２３ ↑ 1.5／8.0 ↑／↑ １６８００ １７１００
【０００９】試料Ｎｏ．６、Ｎｏ．９、Ｎｏ．１４の縦
断面切片からイオンシニング法により透過型電子顕微鏡
試料を作成し、ＴＥＭ像と電子線回析像を観察した。図
４（ａ）は熱処理後の試料Ｎｏ．６を２１０，０００倍
したＴＥＭ像であり、（ｂ）及び（ｃ）は白色の非晶質
合金めっき層及び暗色の結晶質合金めっき層の電子線回
析像を示す。このＴＥＭ像はＮｉ−Ｃｏ−Ｂの非晶質合
金めっき層と、非晶質を結晶化した結晶質合金めっき層
が連続的に積層することを、電子線回析像は非晶質を結
晶化した結晶質合金めっき層が始めから結晶質として形
成した結晶質合金めっき層とは異なる結晶配向性を有す
ることをそれぞれ示す。
断面切片からイオンシニング法により透過型電子顕微鏡
試料を作成し、ＴＥＭ像と電子線回析像を観察した。図
４（ａ）は熱処理後の試料Ｎｏ．６を２１０，０００倍
したＴＥＭ像であり、（ｂ）及び（ｃ）は白色の非晶質
合金めっき層及び暗色の結晶質合金めっき層の電子線回
析像を示す。このＴＥＭ像はＮｉ−Ｃｏ−Ｂの非晶質合
金めっき層と、非晶質を結晶化した結晶質合金めっき層
が連続的に積層することを、電子線回析像は非晶質を結
晶化した結晶質合金めっき層が始めから結晶質として形
成した結晶質合金めっき層とは異なる結晶配向性を有す
ることをそれぞれ示す。
【００１０】図５（ａ）は熱処理前の試料Ｎｏ．９を９
２，０００倍したＴＥＭ像であり、白色のめっき層と暗
色のめっき層が積層する多層膜を示す。（ｂ）は同じく
試料Ｎｏ．９を２，３００，０００倍に拡大したＴＥＭ
像であり、このＴＥＭ像中の丸で囲んだ白色部分Ａと暗
色部分Ｂの電子線回析像Ａ、Ｂを左下に示す。白色部分
電子線回析像Ａは非晶質のハローパターンを、暗色部分
電子線回析像Ｂは結晶質のつぶ状パターンを示すから、
この試料の多層膜は、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｂの非晶質合金めっ
き層と結晶質合金めっき層が交互に積層したものであ
る。
２，０００倍したＴＥＭ像であり、白色のめっき層と暗
色のめっき層が積層する多層膜を示す。（ｂ）は同じく
試料Ｎｏ．９を２，３００，０００倍に拡大したＴＥＭ
像であり、このＴＥＭ像中の丸で囲んだ白色部分Ａと暗
色部分Ｂの電子線回析像Ａ、Ｂを左下に示す。白色部分
電子線回析像Ａは非晶質のハローパターンを、暗色部分
電子線回析像Ｂは結晶質のつぶ状パターンを示すから、
この試料の多層膜は、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｂの非晶質合金めっ
き層と結晶質合金めっき層が交互に積層したものであ
る。
【００１１】図６（ａ）は熱処理後の試料Ｎｏ．１４の
４３０，０００倍のＴＥＭ像であり、（ｂ）及び（ｃ）
は（ａ）の暗色部分及び白色部分の電子線回析像であ
り、共に結晶質合金めっき層であることを示す。この実
験結果から、飽和磁束密度は単層膜も多層膜も設定電流
密度の高いものが低いものよりも大きく、設定電流密度
が同程度の場合は、多層膜の方が単層膜よりも大きく、
多層膜は熱処理したものが熱処理しないものよりも大き
いといえる。又、この実験結果は、８０００ガウス以上
の飽和磁束密度を持つＮｉ−Ｃｏ−Ｂ合金めっき層多層
膜の製造が容易であることを示唆する。
４３０，０００倍のＴＥＭ像であり、（ｂ）及び（ｃ）
は（ａ）の暗色部分及び白色部分の電子線回析像であ
り、共に結晶質合金めっき層であることを示す。この実
験結果から、飽和磁束密度は単層膜も多層膜も設定電流
密度の高いものが低いものよりも大きく、設定電流密度
が同程度の場合は、多層膜の方が単層膜よりも大きく、
多層膜は熱処理したものが熱処理しないものよりも大き
いといえる。又、この実験結果は、８０００ガウス以上
の飽和磁束密度を持つＮｉ−Ｃｏ−Ｂ合金めっき層多層
膜の製造が容易であることを示唆する。
【００１２】
【発明の効果】上記のとおり、本発明の方法は、電析め
っき中の電流値を瞬間的に変えて異なる合金比率の合金
めっき層を積層させて均一で優れた磁性特性を有する多
層膜を複雑な基板上にも容易に形成することが可能であ
り、その多層膜は熱処理により調整すると、磁束特性が
一層向上するから、従来の液体急冷法、スパッタリング
法、単層膜めっき法などよりも低コストでより優れた磁
性薄膜を製造することができるという格別な効果を奏す
る。
っき中の電流値を瞬間的に変えて異なる合金比率の合金
めっき層を積層させて均一で優れた磁性特性を有する多
層膜を複雑な基板上にも容易に形成することが可能であ
り、その多層膜は熱処理により調整すると、磁束特性が
一層向上するから、従来の液体急冷法、スパッタリング
法、単層膜めっき法などよりも低コストでより優れた磁
性薄膜を製造することができるという格別な効果を奏す
る。
【図１】はＮｉ−Ｃｏ−Ｂ合金めっき層のＤＳＣ曲線を
示す図である。
示す図である。
【図２】は本発明方法を実施する実験装置の略図であ
る。
る。
【図３】はめっき中の電流密度の変化を示すグラフ、
【図４】は本発明実施例試料Ｎｏ．６熱処理後のＴＥＭ
像（a）及び電子線回析像（ｂ、ｃ）である。
像（a）及び電子線回析像（ｂ、ｃ）である。
【図５】は同じく試料Ｎｏ．９熱処理前のＴＥＭ像
（ａ、ｂ）であり、（ｂ）は電子回析像を含む。
（ａ、ｂ）であり、（ｂ）は電子回析像を含む。
【図６】は同じく試料Ｎｏ．１４熱処理後のＴＥＭ像
（ａ）及び電子線回析像（ｂ、ｃ）である。
（ａ）及び電子線回析像（ｂ、ｃ）である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】は本発明実施例試料Ｎｏ．６熱処理後の透過型
電子顕微鏡による金属組織写真（ａ）及び電子線回析に
よる結晶構造写真（ｂ、ｃ）である。
電子顕微鏡による金属組織写真（ａ）及び電子線回析に
よる結晶構造写真（ｂ、ｃ）である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】は本発明実施例試料Ｎｏ．９熱処理前の透過型
電子顕微鏡による金属組織写真（ａ、ｂ）であり、
（ｂ）の左下の電子線回析による結晶構造写真（Ａ、
Ｂ）は（ｂ）のＡ、Ｂ部分のものである。
電子顕微鏡による金属組織写真（ａ、ｂ）であり、
（ｂ）の左下の電子線回析による結晶構造写真（Ａ、
Ｂ）は（ｂ）のＡ、Ｂ部分のものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】は本発明実施例試料Ｎｏ．１４熱処理後の透過
型電子顕微鏡による金属組織写真（ａ）及び電子線回析
による結晶構造写真（ｂ、ｃ）である。
型電子顕微鏡による金属組織写真（ａ）及び電子線回析
による結晶構造写真（ｂ、ｃ）である。
フロントページの続き (72)発明者 渡辺 徹 神奈川県厚木市毛利台３丁目17番19号
Claims (8)
- 【請求項１】電析めっき中に電流値を瞬間的に変化させ
て電流密度により決められる合金めっき中の合金比率を
変化させることにより、異なる合金比率の合金めっき層
を積層させて多層膜を形成することを特徴とするめっき
法による多層膜磁性材料の製造方法。 - 【請求項２】合金めっき層は非晶質合金めっき層からな
ることを特徴とする請求項１記載のめっき法による多層
膜磁性材料の製造方法。 - 【請求項３】合金めっき層は結晶質合金めっき層からな
ることを特徴とする請求項１記載のめっき法による多層
膜磁性材料の製造方法。 - 【請求項４】合金めっき層は非晶質合金めっき層と結晶
質合金めっき層からなることを特徴とする請求項１記載
のめっき法による多層膜磁性材料の製造方法。 - 【請求項５】電析めっき中に電流値を瞬間的に変化させ
て電流密度により決められる合金めっき中の合金比率を
変化させることにより、異なる合金比率の合金めっき層
を積層させて多層膜を形成し、前記多層膜に熱処理を施
して磁気特性を調整することを特徴とするめっき法によ
る多層膜磁性材料の製造方法。 - 【請求項６】合金めっき層は非晶質合金めっき層を含
み、熱処理は前記非晶質合金めっき層の結晶化が終了す
る温度範囲においてなされることを特徴とする請求項５
記載のめっき法による多層膜磁性材料の製造方法。 - 【請求項７】合金めっき層は非晶質合金めっき層を含
み、熱処理は前記非晶質合金めっき層の結晶化が開始す
る温度よりも高く終了する温度よりも低い温度範囲にお
いてなされることを特徴とする請求項５記載のめっき法
による多層膜磁性材料の製造方法。 - 【請求項８】合金めっき層は結晶質合金めっき層を含
み、熱処理は前記結晶質合金めっき層が変質する温度範
囲においてなされることを特徴とする請求項５記載のめ
っき法による多層膜磁性材料の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28086192A JPH0649682A (ja) | 1992-06-05 | 1992-09-25 | めっき法による多層膜磁性材料の製造方法 |
| DE4394869T DE4394869T1 (de) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials in Form eines Mehrschichtfilms, durch Plattieren |
| PCT/JP1993/001365 WO1994008072A1 (fr) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Procede de fabrication par electrodeposition d'un materiau magnetique destine a un revetement multi-couches |
| DE4394869A DE4394869C2 (de) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials in Form eines Mehrschichtfilms, durch Legierungselektroplattieren |
| US08/196,062 US5552030A (en) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Method of making a magnetic material in the form of a multilayer film by plating |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17000392 | 1992-06-05 | ||
| JP4-170003 | 1992-06-05 | ||
| JP28086192A JPH0649682A (ja) | 1992-06-05 | 1992-09-25 | めっき法による多層膜磁性材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0649682A true JPH0649682A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=26493156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28086192A Pending JPH0649682A (ja) | 1992-06-05 | 1992-09-25 | めっき法による多層膜磁性材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3835942A1 (de) * | 1988-10-21 | 1990-04-26 | Telefunken Electronic Gmbh | Flaechenhafter strahler |
| WO2020122381A1 (ko) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 주식회사 케이씨씨 | 세라믹 하우징 및 세라믹 기재의 도금 방법 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP28086192A patent/JPH0649682A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3835942A1 (de) * | 1988-10-21 | 1990-04-26 | Telefunken Electronic Gmbh | Flaechenhafter strahler |
| WO2020122381A1 (ko) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 주식회사 케이씨씨 | 세라믹 하우징 및 세라믹 기재의 도금 방법 |
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