JPH06506475A - 燐化合物 - Google Patents

燐化合物

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 燐化合物 本発明は、一般式 ［式中、Ｒは低級アルキルまたは低級アルコキシを示し、そしてＲ１は低級アル キル、シクロアルキルまたは置換されたフェニルを表す］の新規なラセミ体のお よび光学的に活性な燐化合物に関する。
本発明は、式Ｉの燐化合物の製造および例えば非対称性水素化（ａｓｙｍｍｅｔ ｒｉｃ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ）、ブロキラル性アリル系におけるエナン チオ選択的水素置換（ｅｎａｎｔｉｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　 ｄｉｓｐｌａｃｅＩＩｅｎｔｓ）などの如きエナンチオ選択的反応のためのそれ らの使用にも関する。
「低級アルキル」という語は本発明では、炭素数が１〜５の直鎖状もしくは分枝 鎖状のアルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、 イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチルなど、を意味する。「 低級アルコキシ」という語は、アルキル残基が上記の意味を有している基を示す 。「シクロアルキル」という語は、３−〜５−員の環、例えばシクロプロピル、 シクロブチルおよびシクロペンチル、特にシクロブチルおよびシクロペンチルを 意味する。「置換されたフェニル」という語は本発明の範囲では、メタ−もしく はパラ−位置で置換されてヤてもよくまたはメタ、メタ−置換されていてもよい フェニル残基を意味する。置換基としては、フェニル、トリアルキルシリルおよ びジフェニルアルキルシリル、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ジ フェニルーターシャリーープチルシリルなどが考えられる。
さらにこの語はナフチルを意味することもできる。
式■の燐化合物はラセミ体形でだけでなく光学的に活性な形で存在することもで きる。好適な式Ｉの化合物は、Ｒがメトキシまたはメチル、特にメトキシを意味 するものである。さらに、Ｒ１がイソプロピル、イソペンチル、シクロペンチル または置換されたフェニルを示すものが好適である。この場合、フェニル環は好 適にはバラ−またはメタ、メタ−位置で、すなわちフェニル、トリメチルシリル またはトリエチルシリルで置換されている。特に好適な式■の化合物は、（Ｒ） −または（Ｓ）−（６，６”−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス （ジー４−ビフェニリルホスフィン）、（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジ メトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス−［４−（トリメチルシリ ル）フェニル］ホスフィン］、（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシ ビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ジー（メターターフェニリー５′−ル） ホスフィン）、（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジメトキシビフェニル−２ ，２′−ジイル）ビス［ビス（３，５−ビス（トリメチルシリル）フェニル）ホ スフィン）、（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２， ２′−ジイル）ビス［ビス（３，５−ビス（トリエチルシリル）フェニル）ホス フィン）、（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２ ′−ジイル）ビス（ジイソプロピルホスフィン）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル ）ビス（ジエチルＶフィン）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル ）ビス（ジシクロブチルホスフィン）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル ）ビス（ジシクロペンチルホスフィン） である。
本発明に従う式Ｉの化合物はそれ自体既知の方法で製造することができる。これ は例えば、一般式 ［式中、Ｒは上記の意味を有し、モしてＲ２はフェノキシ、塩素または臭素であ る］ の化合物から出発して行うことができる。
製造は例えば、式ＩＩの化合物を式 ＲＩＭｇＸ　または　Ｒ’Ｌｉ ［式中、Ｘは塩素、臭素またはヨウ素を表す］のグリニヤールまたはリチウム化 合物と反応させて式ＩＩＩ［式中、ＲおよびＲ＋は上記の意味を有する］われる 。
式ＩＩの化合物とＲ’ＭｇＸまたはＲ’Ｌｉとの反応はそれ自体既知の方法で行 うことができる。これは好適には一般的なグリニヤール反応の条件下で行われる 。この場合、Ｒ１がフェノキシを表す式ＩＩの化合物は好適には式Ｒ’ＭｇＸＲ １の化合物と反応し、そしてＲ１が塩素を表すもの好適には式Ｒ’−Ｌｉまたは ＲＩＭｇＸの化合物と反応する。
ラセミ体であるかまたは（Ｒ）−もしくは（Ｓ）−形で存在している式ＩＩＩの 化合物の還元はそれ自体既知の方法で実施することができる。これは例えばトリ クロロシランの如きシラン類を用いて芳香族炭化水素中で、例えば沸騰キシレン 中で、またはアセトニトリルなどの中で、一般的には例えばトリエチルアミンま たは好適にはトリブチルアミンの如き補助塩基の存在下で行うことができる。希 望により、この還元をオートクレーブ中で圧力下で行うこともできる。
出発物質として使用される式ＩＩの化合物類は既知化合物でありそして例えばＷ ０９２／１６５３５に従い製造することができる。
全ての上記の反応は一般的には例えばアルゴンまたは窒素の如き不活性気体下で 行われる。
本発明に従う式Ｉの燐化合物は例えばＶＩＩＩ族金属類、例えばルテニウム、ロ ジウムおよびイリジウム、の如き遷移金属類との錯体を形成し、それらは非対称 性水素化における触媒とし゛〔およびブロキラル性アリル系におけるエナンチオ 選択的水素置換のため触媒として使用することができる。ルテニウムおよびロジ ウム錯体は上記の水素化用に好適であり、一方ロジウム錯体は異性化用に好適で ある。これらの触媒、すなわちＶＩＩＩ族金属と式Ｉの燐化合物との錯体、は新 規でありそして本発明の目的でもある。
上記の錯体はそれ自体既知の方法で、例えば式Ｉの化合物を例えば適当な不活性 有機または水性溶媒中でＶＩＩＩ族金属を生成可能な化合物と反応さぜることに より製造することができる。例えばロジウムを生成するために適している化合物 としては、例えば、エチレン、プロピレンなど、並びにビス−オレフィン類、例 えば（Ｚ、　Ｚ’）−１，５−シクロオクタジエン、１．５−へキサジエン、ビ シクロ［２，２，１］へブタ−２，５−ジエンまたはロジウムとの易溶性錯体を 生成する他のジエン類との有機ロジウム錯体が挙げられる。ロジウムを生成する 好適な化合物は、例えば、ジ−μｍクロロ−ビス［η４−（Ｚ、Ｚ）−１，５− シクロオクタジエン］ジロジウム（１）、ジ−μｍクロロ−ビス［η４−ノルボ ルナジェン］ジロジウム（Ｉ）、ジーμｍベルフルオロアセタトービス［η’− （Ｚ、　Ｚ’）−１，５−シクロオクタジエン］ジロジウム（Ｉ）、ロジウムテ トラフルオロホウ酸ビス［η”（Ｚ、Ｚ）−１，５−シクロオクタジエン］また はジロジウム過塩素酸ビス［η’−（Ｚ、　Ｚ）−シクロオクタジエン］である 。ジ−μｍクロロ−ビス［η’−（Ｚ、　Ｚ）−１，５−ンクロオクタジエン］ シイリジウム（Ｉ）が例えばイリジウムを生成する化合物として挙げられる。
上記のルテニウム錯体は、例えば、下記の式％式％ ［式中、Ｚはハロゲンまたは基Ａ−Ｃｏｏを表し、Ａは低級アルキル、アリール 、ハロゲン化された低級アルキルまたはハロゲン化されたアリールを表し、モし てＬは式Ｉのキラルジホスフィン配位子を表す］により表すことができる。
これらの錯体は原曲的にはそれ自体既知の方法で製造することができる。一般的 にそして好適には、ルテニウム化合物は、例えば、式％式％ ［式中、Ｚｌはハロゲンまたは基Ａ’−Ｃｏｏを表し、ＡＩは低級アルキルまた はハロゲン化された低級アルキルを表し、Ｌｌは中性配位子を表し、ｍは数１． ２または３を表し、ｐは数１または２を表し、そしてｑは数Ｏまたは１を表す］ の錯体を式Ｉのキラルジホスフィン配位子と反応させることにより、または式 ％式％ ［式中、Ｌは式Ｉのキラルジホスフィン配位子を表す］のルテニウム錯体をアニ オンＺ（ここでＺは上記の意味を有する）を生成する塩と反応させることにより 製造される。
「中性配位子」という語は本発明の範囲内では、容易に交換可能な配位子、例え ばジオレフィン、例えばノルボルナジェン、（Ｚ、　Ｚ）−１，５−シクロオク タジエンなど、またはニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリルなどを 意味する。ｍが数２または３を表す場合には、配位子は同一であってもまたは異 なっていてもよい。
式Ｖのルテニウム錯体は既知の物質であるかまたは例えばアルペルス（Ａｌｂｅ ｒｓ）、　Ｍ、　Ｏ，他、ザ・ジャーナル・オブ・オルガノメタリック・ケミス トリー（Ｊ、　Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ、　ＣｈｅＩ５．）、２７２、Ｃ６２−Ｃ６ ６（１９８４）に従う如き既知物質の製造と同様な方法で容易に得られる既知物 質の同族体である。
式ｖのルテニウム錯体と式■のキラルジホスフィン配位子との反応はそれ自体は 既知である方法で行うことができる。反応は一般的には不活性有機溶媒中で行う ことができる。そのような溶媒の例としては、例えばテトラヒドロフランまたは ジオキサンの如きエーテル類、例えばアセトンの如きケトン類、例えばメタノー ル、エタノールなどの如き低級アルコール類、例えば塩化メチレン、クロロホル ムなどの如きハロゲン化された炭化水素類、または該溶媒類の混合物が挙げられ る。さらに、反応はＯ℃〜約１００℃の間の、好適には約り５℃〜約６０℃の間 の、温度において、酸素を厳密に除去しながら行うこともできる。
式ＶＩのルテニウム錯体（式Ｖの錯体から得られる）とアニオンＺを含有してい る塩との反応は、それ自体は既知である方法で行うことができる。「アニオンＺ を生成する塩」という語は本発明の範囲内では、例えば、アンモニウム塩類、ア ルカリ金属塩類または他の適当な金属塩類を意味している。そのような塩類の溶 解度を改良するためには、ある場合にはクラウンエーテル類などを加えることも できる。
前記の如（、ＶＩＩＩ族金属、特にロジウムおよびルテニウム、との錯体の形状 の本発明に従う燐化合物は、特に非対称性水素化用に使用することができる。特 に適している基質としては、これに関しては特にアリルアルコール類、例えばゲ ラニオール、６．７−シヒドローゲラニオール、６．７−シヒドロフラネソール 、６．７．１０．１１−テトラヒドロフラネソールなど、並びに官能化されたケ トン類、例えばβ−ケトエステル類、例えばアセト酢酸メチルもしくはエチルな ど、または２−ピリジルケトン類、例えば２−アセチルピリジン、２−ピリジル ２．８−ビス（トリフルオロメチル）−４−キノリルケトンなどが挙げられる。
そのような水素化を行う際には、これらの錯体を最初に製造しそして次に水素化 しようとする物質の溶液に加える。しかしながら、一方ではそれらをその場で例 えば水素化しようとする物質の存在下で製造することもできる。
非対称性水素化は、反応条件下で不活性である適当な有機溶媒の中で実施するこ とができる。そのような溶媒としては、芳香族炭化水素類、例えばベンゼン、ト ルエンなど、低級アルコール類、例えばメタノールまたはエタノール、水、エス テル類、例えば酢酸エチル、ハロゲン化された炭化水素類、例えば塩化メチレン 、クロロホルムなど、環式エーテル類、例えばテトラヒドロフランまたはジオキ サンなど、または該溶媒類の混合物が特に挙げられる。
金属対配位子りの比は一般的には、１モルの配位子当たり約０．０５〜約５モル の間のそしてそれぞれ約０．５〜約２モルの間の、好適には約１モルの金属であ る。例えば式ＶＩＩＩの如き錯体中の金属対水素化しようとする物質の比は一般 的には、約０．００５〜約１モル％の間、好適には約０．　ＯＯ２〜約０．１モ ル％の間である。
例えば式ＩＶの如き錯体を用いる非対称性水素化は一般的には、使用される基質 によるが約り℃〜約１５０℃の温度において実施される。この水素化は一般的に は圧力下で、好適には約２〜約２００バールの、特に約１０〜約１００バールの 圧力下でも実施される。
全ての上記の反応は一般的には例えばアルゴンまたは窒素の如き不活性気体下で 行われる。
下記の実施例は本発明を説明するものであり、そして何ら限定しようとするもの ではない。これらの実施例中では、略語は下記の意味を有している。
ＴＬＣ薄層クロマトグラフィー ＧＣ毛管ガスクロマトグラフィー ｅ、　ｅ、エナンチオマー過剰。水素化生成物のｅ、　ｅ、はＧＣによりベルメ チル化されたシクロデキストリン相の上で測定された。
ＴＨＦ　テトラヒドロフラン Ａｒ　アルゴン ＲＴ　室温 全ての温度は摂氏０で示されている。
−ビス（ジー４−ビフェニリルホスフィン）の合成［（Ｒ）−および（Ｓ）−ｐ −ビフェニル−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ］３．０ｇ（１２３ミリモル）のマグネシウ ム片および２３．３ｇ（１，００ミリモル）の４−ブロモビフェニルから製造さ れた臭化４−ビフェニリルマグネシウムの２５０ｍ１の乾燥ＴＨＦ中溶液を室温 において６゜７８ｇ　（１０ミリモル）の（６，６’−ジメトキシビフェニル− ２，２’−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）に滴々添加した。生 じた溶液を室温においてさらに３０分間そして４０°において１時間撹拌し、そ して６５″において２時間沸騰させた。０°に冷却した後に、反応混合物をＮＨ ４Ｃｌ溶液でゆっくり処理した。有機相を分離し、飽和ＮａＣＩ溶液で洗浄し、 Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ４上で乾燥し、濾過し、そして蒸発させた。残渣を５００ｇのシ リカゲル上でクロマトグラフィーにかけた（酢酸エチル、次にＣＨ２Ｃｌ２／エ タノール９：１−１次にエタノールで溶離）。得られた生成物（８，９ｇ）を酢 酸エチル／ヘキサンから再結晶化させた。結晶を吸引濾別し、ヘキサンで洗浄し 、そしてＨＶ（〜１ＱＰａ）中で１００℃において乾燥した。７．０ｇの（Ｒ） −（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス（ジー４−ビ フェニリルホスフィンオキシト）が白色粉末状で得られた。融点１９０−２１０ ℃。
［α席＝＋６７．５　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ３）。
５ｍｌのトリクロロシランをＡｒ下で冷却しながら６．８７ｇ　（７，４７ミリ モル）の（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）−ビ ス（ジー４−ビフェニリルホスフィンオキシト）の８０ｍ１の乾燥キシレンおよ び１３ｍ１の乾燥トリブチルアミン中溶液に滴々添加した。反応溶液を還流下で Ａｒ下で３時間にわたり沸騰させた。冷却後に、反応混合物をＡｒ下で１００ｍ １の脱酸素化した３０％ＮａＯＨ溶液の中に鋼カヌーレを介して加ると、それに より温度は６０−７０’に上昇した。二相混合物を６０−７０’においてさらに １時間撹拌し、そして冷却後に、相を分離した。有機相を水（２Ｘ１００ｍｌ） および飽和ＮａＣ１溶液（２ｘ１００ｍｌ）で洗浄し、Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏａ上で乾 燥し、濾過し、そして回転蒸発器上で濃縮した。残渣を８０″においてＨＶ（〜 １０Ｐａ）中で乾燥し、エタノール／ＣＨｚＣＩ＊から再結晶化させた。
１００°においてＨＶ（〜１０Ｐａ）中で乾燥した後に、６．５ｇの（Ｒ）−（ ６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー４−ビフェニ リルホスフィン）が融点２１７−２１８’の白色粉末状で単離された。
［αコせ＝＋３９　（ｃ＝１．０、　ＣＨＣｌ５）　。
以上と同様な方法で下記の化合物類が製造された：（Ｓ）−（６，６’−ジメト キシビフェニル・−２，２’−ジイル）ビス（ジ−４−ビフエニリ／ｌ、ｈ、ス フィンオキシド）、融点２３０−２４５’、［α］Ｖ＝−５５，８（ｃ＝１．０ 、ＣＨＣｌ３）。
（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー４ −ビフエニリルホＸ７４：／）［（Ｓ）−ｐ−ビフェニル−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ ］、融点１６０−１８０”、 ［α］ＶＩ＝−３９，４（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［４−（ トリメチルシリル）フェニル］ホスフィンオキシト］、［α］Ｖ＝＋８９．９　 （ｃ＝０．８、ＣＨＣｌ５）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［４−（ トリメチルシリル）フェニル］ホスフィン］［（Ｒ）−ｐ−ＴＭＳ−ＭｅＯＢＩ ＰＨＥＰ］、融点２１０．７−２１１．１’、［α］萱＝＋３６．７　（ｃ＝０ ．８、ＣＨＣｌ５）。
ニル−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ］ ０．２４ｇ　（１０ミリモル）のマグネシウム片および２．７８ｇ（９ミリモル ）の５′−ブロモ−メタ−ターフェニル（チージエン・フランク・デュ（Ｃｈｉ −Ｊｅｎ　Ｆｒａｎｋ　Ｄｕ）、ハＯルド＋ハート（１’１ａｒｏｌｄ　Ｈａｒ ｔ）、クオクークーン・ダニエルＮ　ｇ　（Ｋｖｏｋ−Ｋｅｕｎｇ　Ｄａｎｉｅ ｌ　Ｎｇ）、ザ・ジャーナル・オブ・ザ・オーガニック・ケミストリイ（Ｊ、　 Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｗ、）、１９８６．５１．３１６２）から製造された臭化メタ −ターフェニル−５′−イルマグネシウムの４０ｍ１の乾燥ＴＨＦ中溶液を一７ ８°において０．４５ｇ（１ミリモル）功（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフ ェニル−２，２′−ジイル）ビス（ホスホン酸クロライド）中に流し入れた。生 成した均質反応溶液を０″においてＮＨ，ＣＩ溶液で滴々処理した。有機相を分 離し、飽和ＮａＣ１溶液で洗浄し、Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏａ上で乾燥し、そして蒸発さ せた。残渣を１００ｇのシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけた（ヘキサン ／酢酸エチル１０％→５０％）、１００°におけるＨＶ（〜１０Ｐａ）中での乾 燥後に、０．６ｇ（５０％）の（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２ ，２′−ジイル）ビス［ジー（メターターフェニリー５′−ル）ホスフィンオキ シト］が白色粉末状で単離された。融点１８１−２０５＠、［α用＝＋４２．４ 　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
２ｍｌのトリクロロシランをＡｒ下でそして冷却しながら、０．５ｇ（０，４ミ リモル）の（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）ビ ス［ジー（メターターフエニリー５′−ル）ホスフィンオキシト］の乾燥キシレ ンおよび４ｍｌの乾燥トリブチルアミン中溶液に滴々添加した。反応溶液を還流 下でＡｒ下で３時間にわたり沸騰させた。冷却後に、反応混合物をＡｒ下で５０ ｍ１の脱酸素化されている３０％ＮａＯＨ中に鋼カヌーレを介して加えると、そ れにより温度が６０−７０＠に上昇した。二相混合物を６０−７０”においてさ らに１時間拡販し、そして冷却後に、相を分離した。有機相を水（２Ｘ５０ｍｌ ）および飽和ＮａＣ１溶液（２Ｘ５０ｍｌ）で洗浄し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、 濾過し、そして回転蒸発器上で蒸発させた。８０″においてＨＶ（〜ｌ０Ｐａ） 中で乾燥した後に、残渣をシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけた（５０ｇ １ＣＨＩＣＩｚ／ヘキサン、次にＣＨｔＣＩＪ。得られた生成物をエタノール／ ＣＨｚＣ１ｔから再結晶化させた。１００°においてＨＶ（〜１ｌｐａ）中で乾 燥した後に、０．４ｇの（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′ −ジイル）ビス［ジー（メターターフエニリー５′−ル）ホスフィン］が融点１ ４８−１５５°の白色粉末状で単離された。
［α］甘せ−３，５（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ、）。
以上と同様な方法で下記の化合物類が製造された：（Ｓ）−（６，６’−ジメト キシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ジー（メタ−ター７エニリー５′− ル）ホスフィンオキシト］。融点１７９−２０３°（クロマトグラフィーにかけ た）。
［α］！＝−４３，７（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｓ）−（６，６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ジー（ メターターフェニリー５′−ル）ホスフィン］。融点１５０−１５８°（クロマ トグラフィーにかけた）。
［α］Ｗ＝＋４．０　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
実施例３ 実施例１または実施例２と同様にして下記の化合物類を製造することができた４ （Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス− （３，５−ビス（トリエチルシリル）フェニル）ホスフィンオキシト］。融点２ ５８−２６０’　（クロマトグラフィーにかけた）。
［α庁＝＋６２．４　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ３）。
［グリニヤール反応用に必要な１−ブロモ−３，５−ビス−（トリメチフレシリ ル）ベンゼンは、Ｂ−Ｍ、　ト０　刈−（Ｔｒｏｓｔ）、ＤＪ、ムルフイ−（Ｍ ｕｒｐｈｙ）、オルガノメタリックス（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ）、　 １９８５Ｓ４Ｓ１１４３に従い製造奄れた］ （Ｒ）−（６，６’”ニジメトキンビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス −（３，５−ビス（トリメチルシリル）フェニル）ホスフィン］［（Ｒ）−３， ５−ＴＭＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ］。融点２０７−２０９°。
［α〕賀＝＋１９．７　（ｃ＝１．０、ＣＨＣＩｇ）。
（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス− （３，５−ビス（トリメチルシリル）フェニル）ホスフィンオキシト］。融点２ ５８−２６０°（クロマトグラフィーにかけた）。
［α］ｔｌ’＝−６２．４　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｓ）−（６，６−シメトキシビフエニルー２．２′−ジイル）ビス［ビス−（ ３，５−ビス（トリメチルシリル）フェニル）ホスフィン］［（Ｓ）−３，５− ＴＭＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ］。融点２０８−２０９°。
［ａ］！＝−１９，２（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ、）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス− （３，５−ビス（トリエチルシリル）フェニル）ホスフィンオキシト］。
［ａ］１１１′＝＋３１．０　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス− （３，５−ビス（トリエチルシリル）フェニル）ホスフィン］。融点５８−５９ ’。
［ａ］！＝−１８，１（ｃ＝１．．０、ＣＨＣｌ３）。
（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス− （３，５−ビス（トリエチルシリル）フェニル）ホスフィンオキシト］。
［ａｌＷ＝　３０　（ｃ＝１．０．ＣＨＣｌ５）。
（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス− （３，５−ビス（トリエチルシリル）フェニル）ホスフィン］。融点５８−５９ °。
［α］ｔ？＝−＋−Ｔ１′１６．５　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
プロピルホスフィンオキシト）。融点１９４．５−１９６．５°。
［ａｌＷ＝−６１，３（ｃ＝１．０．ＣＨＣｌ５）。
（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジイソ プロピルホスフィン）。融点１３８−１４０°。
［α］Ｈ＝−１８，４°（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジイソ プロピルホスフィンオキシド）。融点１９５−１９６°。
［α］廿＝十６２°（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ、）。
（Ｒ）−（６，６−シメトキシビフエニルー２．２′−ジイル）ビス（ジイソプ ロピルホスフィン）。融点１４０−１４１°。
［α用＝＋１９．７’　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ、）。
（Ｒ３）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジエ チルホスフィンオキシト）。融点２５５−２５６”。
（Ｒ５）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジエ チルホスフィン）。融点１３７’。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジシク ロブチルホスフィンオキシド）。
［α］Ｗ＝＋７．０　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ３）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジシク ロブチルホスフィン）。融点１７２−１７５００［α］！＝＋３．２　（ｃ＝１ ．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジシク ロブチル’ＦＮフィンオキシド）。融点２３９−２４２°。
［α庫＝ｊ、４　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ、）。
（Ｓ）−（６，６−シメトキシビフエニルー２．２′−ジイル）ビス（ジシクロ ブチルホスフィン）。融点１７３−１７４’。
［ａ］Ｗ＝−２，１（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジシク ロペンチルホスフィンオキシド）。融点２８７−２８８’。
［α］ＶＩ＝＋５．３　（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ３）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジシク ロペンチルホスフィン）。融点１６１−１６３’。
［ａ］Ｖ＝−１５，１（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジシク ロペンチルホスフィンオキシド）。融点２８７−２８８°。
［ａ］！＝−５，６（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌ５）。
（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジシク ロペンチルホスフィン）。融点１６０−１６１００［ａ］Ｖ＝＋１５．０　（ｃ ＝１．０、ＣＨＣｌ３）。
実施例４ ａ）グローブボックス（＜　１　ｐ　ｐｍ酸素）中で２．０６ｍｇ（０，００６ ３ミリモル）のジ（η２−アセタト）−（ηシクロオクター１．５−ジエン）ル テニウム（ＩＩ）　［Ｂ、ハイセル（Ｈｅｉｓｅｒ）他、テトラヘドロンニアシ ンメトリー（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　：＾ｓｙｍｅａｅｔｒｙ）、ヱ、５１　 （１９９１）］および５゜６ｍｇ　（０，００６３ミリモル）の（Ｒ）−ｐ−ビ フェニル−ＭｅＯＢＴＰＨＥＰ　（実施例１に従い製造された）を０．７ｍｌの テトラヒドロフｂ）グローブボックス中で５００ｍ１のオートクレ−ブに１５． ０ｇ（５０，４ミリモル）の（Ｚ）−２−アセチル−１−（ｐ−メトキシベンジ リデン）−１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロイソキノリン、１７ ０ｍ１のメタノールおよびａ）に従い製造された触媒溶液を充填した。水素化を １０００および３５バールにおいて２２時間にわたり行った。転化率は９８．５ ％であった。２ｇの水素化溶液の生成物−含有試料を蒸発させ、モして残渣をジ エチルエーテル中に溶解させた。触媒を分離するためにエーテル溶液をシリカゲ ルパッドを通して濾過した。濾液を蒸発させて、１．９７ｇの（Ｓ）−２−アセ チル−１−（ｐ−メトキシベンジル）−１，２，３，４，５，６，７，８−オク タヒドロイソキノリンを９５．９％ｅ、　ｅ、の黄色結晶状で与えた。
ｅ、　ｅ、値を測定するために、生成物を１７０°においてエチレングリコール および４０％水酸化カリウム水溶液の混合物中で加水分解した。
生成したアミンをピリジン／４−ジメチルアミノピリジン中の（−）−塩化カン フアノイルを用いてジアステレオマー性アミド類の混合物に転化させ、そして後 者をＧＣにより分析した。
実施例５ 実施例４と同様な方法で配位子として（Ｒ）−ｐ−ＴＭＳ−ＭｅＯＢ　ＩＰＨＥ Ｐ　（実施例１に従い製造された）を有する触媒を製造し、そして水素化も同様 な方法で行った。９４％転化率、９６％ｅ、　ｅ、。
実施例６ グローブボックス（０，含有量＞ｉｐｐｍ）中で５０ｍ１のシュレンク管の中で １０．１４ｍｇ　（０，０３１ミリモル）のジ（η２−アセタト）＝（η４−シ クロオクター１．５−ジエン）ルテニウム（ＩＩ）　［Ｂ、）１イセル（Ｈｅｉ ｓｅｒ）他、テトラヘドロンニアシンメトリー（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：　Ａ ｓｙｍｍｅｔｒｙ）、ｌ、５１　（１９９１）コおよび１３．８３ｍｇ　（０， ０３１ミリモル）の［（Ｓ）−６，６’−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′− ジイル］ビス［ジイソプロピルホスフィンコ（実施例３に従い製造された）を６ ｍｌのエーテルおよび２ｍｌのＴＨＦ中に溶解させた。赤色の透明触媒溶液が生 成した。８．０ｇ　（３１，０ミリモル）の３．４．６．１１−テトラヒドロ− ６，１１−ジオキソ−ピリダゾ［１，２−ａ］ｌフタラジン１−カルボン酸、３ ．１４ｇ（３１，０ミリモル）のトリエチルアミン、１５０ｍ１のメタノールお よび上記で製造された触媒溶液が充填されているオートクレーブ中で水素化を行 った。水素化は６０″において４０バールの純粋水素の一定圧力においてそして 強く撹拌しながら行われた。５時間後に、転化率はＧＣに従うと９９．９％であ った。黄色の水素化溶液を５０°／２２０ミリバールにおいて回転蒸発器上で蒸 発させて２５ｇの重量とした。４．４２ｍ１の２５％ＨＣＩ溶液および次に２７ ｍ１の水を２０−３５＠において撹拌しながら残存溶液に滴々添加した。懸濁液 を２０°において１時間モして０°において１時間撹拌した。濾過および乾燥後 に、７．７ｇ（９６％）の（Ｓ）−１，２，３，４，６，１１−ヘキサヒドロ− ６，１１−ジオキソ−ピリダゾ［１，２−ｂｌフタラジン−１−カルボン酸がほ とんど白色の結晶状で９６．５％ｅ、ｅ　のエナンチオマー純度で得られた。ｅ 、　ｅ、値はＨＰＬＣによりα−ＡＰＧカラム上で測定された。
フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号Ｃ０７Ｄ　２１７／２０ 　７４３１−４Ｃ４８７１０４１４７７０１９−４Ｃ （３１）優先権主張番号　１５８２／９２−８（３２）優先臼　１９９２年５月 １８日（３３）優先権主張国　スイス（ＣＨ）Ｉ （３１）優先権主張番号　１９４４／９２−５（３２）優先臼　１９９２年６月 １９日（３３）優先権主張国　スイス（ＣＨ）（８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、Ｂ Ｅ、ＣＨ，ＤＥ。
ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＥ、ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、　ＰＴ、　Ｓ Ｅ）、ＪＰ、　ＵＳ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. １．一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ ［式中、Ｒは低級アルキルまたは低級アルコキシを示し、そしてＲ１は低級アル キル、シクロアルキルまたは置換されたフェニルを表す］のラセミ体のおよび光 学的に活性な燐化合物。
  2. ２．Ｒがメトキシを表す請求の範囲第１項に記載の式Ｉのラセミ体のおよび光学 的に活性な燐化合物。
  3. ３．Ｒ１がイソプロピル、イソペンチル、シクロペンチルまたは置換されたフェ ニルを表す請求の範囲第１または２項に記載の式Ｉのラセミ体のおよび光学的に 活性な燐化合物。
  4. ４．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジ イル）ビス（ジ−４−ビフェニリルホスフィン）。
  5. ５．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジ イル）ビス［ビス−［４−（トリメチルシリル）フェニル］ホスフィン］。
  6. ６．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジ イル）ビス［ジ−（メタ−ターフェニリ−５′−ル）ホスフィン）。
  7. ７．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジ イル）ビス［ビス（３，５−ビス（トリメチルシリル）フェニル）ホスフィン） 。
  8. ８．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイ ル）ビス（ジイソプロピルホスフィン）。
  9. ９．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジ イル）ビス（ジシクロペンチルホスフィン）。
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