JPH06506485A - 燐化合物 - Google Patents

燐化合物

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 燐化合物 本発明は、一般式 ［式中、Ｒはヒドロキシまたは保護されたヒドロキシ基を示し、Ｒ１はヒドロキ シ、保護されたヒドロキシ基または低級アルコキシを表し、モしてＲ２は低級ア ルキル、シクロアルキル、アリール、または燐原子と一緒になって式 ％式％］ の新規なうセミ体性および光学的に活性な燐化合物に関する。
本発明は、式Ｉの燐化合物の製造および例えば非対称性水素化（ａｓｙｍｍｅｔ ｒｉｃ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ）、プロキラル性アリル系におけるエナン チオ選択的水素置換（ｅｎａｎｔｉｏｓｅｌｅｅｔｉｖｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　 ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔｓ）などの如きエナンチオ選択的反応のためのそれら の使用にも関する。さらに、ＲおよびＲ１が両者ともヒドロキシ基を表す式■の 化合物は例えばＲおよび／またはＲ１が堡護されたヒドロキシ基を表す式Ｉの化 合物の如き他のジホスフィンｑや製造のための出発物質として使用することもで きる。
「低級アルキル」という語は本発明では、炭素数が１〜５の直鎖状もしくは分枝 鎖状のアルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、 イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチルなどを意味する。「低 級アルコキシ」という語は、アルキル残基が上記の意味を有する基を示す。ヒド ロキシ基用の保護基としては、一般的なエーテル−生成基、例えばベンジル、ア リル、ベンジルオキシメチル、低級アルコキシメチルまたは２−メトキシエトキ シメチルなど、が特に本発明の範囲内で考えられる。「シクロアルキル」という 語は、３−〜７−員の環、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチ ル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチル、特にシクロペンチルおよびシクロへ キシル、を意味する。「アリール」という語は本発明の範囲では特にフェニル残 基を意味し、それは未置換であるだけでな（オルト−、メタ−またはパラ−位置 で多重−置換されていてもよい。この場合に考えられる置換基は、フェニル、低 級アルキルもしくは低級アルコキシ基、好適にはメチルまたはメトキシ基、また はジー低級アルキル−アミノ、好適にはジメチルアミノ、基、並びに弗素または トリアルキルシリル、例えばトリメチルシリルなどである。さらにこの語はナフ チルを意味することもできる。
式Ｉの燐化合物はラセミ体形でだけでなく光学的に活性な形で存在することもで きる。好適な式Ｉの化合物は、Ｒがヒドロキシを表しそしてＲ１が保護されたヒ ドロキシ基またはアルコキシ基、特にベンジルオキシ基もしくはイソプロピルオ キシ基を表すもの、並びにＲおよびＲ１が同一であるもの、特にＲおよびＲ＋が 両者ともヒドロキシ基またはベンジルオキシ基を毒すものである。Ｒ１がフェニ ル、イソプロピル、シクロペンチルまた１シクロヘキシルを表すものも好適であ る。特に好適な式Ｉの化合物類は、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジヒドロキシビフェニル−２，２′−ジイ ル）ビス（ジフェニルホスフィン）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６’−ジベンジルオキシビフェニル−２，２’− ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）、（Ｒ）−４たは（Ｓ）−（６−ヒトロ キシー６′−イソプロポキシビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニル ホスフィン）である。
本発明に従う式Ｉの化合物はそれ自体既知の方法で製造することができる。これ は例えば、一般式 ［式中、Ｒ２は上記の意味を有する］ のラセミ体のまたは光学的に活性な化合物をエーテル分解に付すことにより行う ことができる。このようにして、ＲおよびＲ＋がヒドロキシを示す式Ｉの化合物 が得られる。そのような化合物はまた、それ自体既知の方法で、Ｒおよび／また はＲ１が保護されたヒドロキシ基を表す式Ｉの化合物またはＲがヒドロキシを示 しモしてＲ１が低級アルコキシを表す化合物に容易に転化させることができる。
Ｒが低級アルコキシを表す式Ｉの化合物のエーテル分解はそれ自体既は一般的に は不活性有機溶媒中で、例えば塩化メチレンなどの如きハロゲン化された炭化水 素中で、そして約３０６〜約−７８°の温度において行われる。
ＲおよびＲ１がビトロキシを表す式Ｉの化合物中へのヒドロキシ保護基の導入は それ自体既知の方法で、例えば保護基ハライド、例えば塩化ベンジルなどとの反 応により行うことができる。この反応は一般的には不活性有機溶媒中で例えばに 、ＣＯ３、ＮａＨまたはＫＯＨの如き無機塩基の存在下で実施される。溶媒とし ては、例えばアセトン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドまたは特にＫＯＨの場合 にはジメチルスルホキシドが考えられる。反応は一般的には約−１０℃〜約６０ ℃の温度において、好適には約り℃〜約２５℃において、行われる。
ＲおよびＲ１がヒドロキシを示す式Ｉの化合物からＲ１が低級アルコキ　′シを 表す式Ｉの化合物への転化もそれ自体既知の方法で、例えばモノアルキル化によ り行うことができる。こらは一般的には低級アルキルハライドを用いて不活性有 機溶媒中で例えばに、Ｃｏ３、ＮａＨまたはＫまたはＫＯＨの如き無機塩基の存 在下で実施される。溶媒としては、アセトン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドま たは特にＫＯＨの場合にはジメチルスルホキシドが考えられる。反応は一般的に は約−１０℃〜約６０℃の温度において、好適には約り℃〜約２５℃において行 われる。
出発物質として使用される式ＩＩの化合物は既知化合物であるかまたは既知化合 物の製造と同様な方法で、例えばヘルベチカ・シミ力・アクタ（Ｈｅｌｖ、　Ｃ ｈｉｍ、＾ｃｔａ）、７４．３７０　（１９９１）に従い、容易に製造できる既 知化合物の同族体である。
全ての上記の郵は一般的には例えばアルゴンまたは窒素の如き不活性気体下で行 わム毛。
本発明に従う式Ｉの燐化合物は例えばｎＩＩ族金属類、例えばルテニウム、ロジ ウムおよびイリジウム、の如き遷移金属類との錯体を形成し、それらは非対称性 水素化における触媒としておよびブロキシル性アリル系におけるエナンチオ選択 的水素置換のための触媒として使用することができる。ルテニウムおよびロジウ ム錯体は上記の水素化用に好適であり、一方ロジウム錯体は異性化用に好適であ る。これらの触媒、すなわちＶＩＩＩ族金属と式Ｉの燐化合物との鎖体は新規で ありそして本発明の目的でもある。
上記の錯体はそれ自体既知の方法で、例えば式Ｉの化合物を例えば適当な不活性 有機または水性溶媒中でＶＩＩＩ族金属を生成可能な化合物と反応させることに より製造することができる。例えばロジウムを生成するために適している化合物 としては、例えば、エチレン、プロピレンなど、並びにビス−オレフィン類、例 えば（Ｚ、　Ｚ）−１，５−シクロオクタジエン、１．５−へキサジエン、ビシ クロ［２，２，１］へブタ−２，５−ジエンまたはロジウムとの易溶性錯体を生 成する他のジエン類との有機ロジウム錯体が挙げられる。ロジウムを生成する好 適な化合物は、例えば、ジ−μｍクロロ−ビス［η’−（Ｚ、　Ｚ）−１，５− シクロオクタジエンコシロジウム（１）、ジ−μｍクロロ−ビス［η４−ノルボ ルナジエンコジロジウム（１）、ジーμｍベルフルオロアセタトービス［η’− （Ｚ、　Ｚ）−１，５−シクロオクタジエンコシロジウム（Ｉ）、ロジウムテト ラフルオロホウ酸ビス［η’−（Ｚ、　Ｚｌ−１，５−シクロオクタジエン］ま たはジロジウム過塩素酸ビス［η４−（Ｚ、Ｚ）−シクロオクタジエン］である 。ジ−μｍクロロ−ビス［η’％（７，Ｚ）　−１、５−シクロオクタジエンコ シイリジウム（１）が例えばイリシニムを生成する化合物として挙げられる。
上記のルテニウム錯体は、例えば、下記の式％式％ ［式中、Ｚはハロゲンまたは基Ａ−Ｃｏｏを表し、Ａは低級アルキル、アリール 、ハロゲン化された低級アルキルまたはハロゲン化されたアリールを表し、そし てＬは式Ｉのキシルジホスフィン配位子を表す］により表すことができる。
これらの錯体は原則的にはそれ自体は既知である方法で製造することができる。
一般的にそして好適には、ルテニウム化合物は、例えば、式％式％ ［式中、２＋はハロゲンまたは基Ａ’−Ｃｏｏを表し、Ａ１は低級アルキルまた はハロゲン化された低級アルキルを表し、Ｌｌは中性配位子を表し、ｍは数１． ２または３を表し、ｐは数１または２を表し、そしてｑは数０または１を表す］ の錯体を式Ｉのキシルジホスフィン配位子と反応させることにより、または式 ％式％ ［式中、Ｌは式Ｉのキシルジホスフィン配位子を表す］のルテニウム錯体をアニ オンＺ（ここでＺは上記の意味を有する）を生成する塩と反応させることにより 製造される。
「中性配位子」という語は本発明の範囲内では、容易に交換可能な配位子、例え ばジオレフィン、例えばノルボルナジェン、（Ｚ、　Ｚ）−１＋　５−シクロオ クタジエンなど、またはニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリ亭など 、を意味する。ｍが数２または３を表す場合には、配位子は同々あってもまたは 異なっていてもよい。
式ＩＶのルテニウム錯体は既知の物質であるかまたは例えばアルペルス（＾１ｂ ｅｒｓ）、　Ｍ、　Ｏ，他、ザ・ジャーナル・オブ・オルガノメタリック・ケミ ストリー（Ｊ、Ｏｒｇａｎｏａ＋ｅｔ、　ＣｈｅＩｌｌ、）、スヱ旦、Ｃ６２− Ｃ６６（１９８４）に従う如き既知物質の製造と同様な方法で容易に得られる既 知物質の同族体である。
式ＩＶのルテニウム錯体と式ｌのキシルジホスフィン配位子との反応はそれ自体 は既知である方法で行うことができる。反応は一般的には不活性有機溶媒中で行 うことができる。そのような溶媒の例としては、例えばテトラヒドロフランまた はジオキサンの如きエーテル類、例えばアセトンの如きケトン類、例えばメタノ ール、エタノ−・ルなどの如き低級アルコール類、例えば塩化メチレン、クロロ ホルムなどの如きハロゲン化された炭化水素類、または該溶媒類の混合物が挙げ られる。さらに、反応は０℃〜約１００℃の間の、好適には約り５℃〜約６０℃ の間の、温度において、酸素を厳密に除去しながら行うこともできる。
式Ｖのルテニウム錯体（式ＩＶの錯体から得られる）とアニオンＺを含有してい る塩との反応は、それ自体は既知である方法で行うことができる。「アニオンＺ を生成する塩」という語は本発明の範囲内では、例えば、アンモニウム塩類、ア ルカリ金属塩類または他の適当な金属塩類を意味している。そのような塩類の溶 解度を改良するためには、ある場合にはクラウンエーテル類などを加えることも できる。
前記の如く、ＶＩＩＩ族金属、特にロジウムおよびルテニウム、との錯体の形状 の本発明に従う燐化合物は、特に非対称性水素化用に使用することができる。特 に〉シている基質としては、これに関しては特にアリルアルコール類、例工ばゲ ラニオール、６，７−シヒドローゲラニオール、６．７−シヒドロフラネソール 、６．７．１０．　Ｉ　Ｉ−テトラヒドロフラネソールなど、並びに官能化され たケトン類、例えばβ〜ケトエステル類、例えばアセト酢酸メチルもしくはエチ ルなど、または２−ピリジルケトン類、例えば２−アセチルピリジン、２−ピリ ジル２．８−ビス（トリフルオロメチル）〜４−キノリルケトンなどが挙げられ る。
そのような水素化を行う際には、これらの錯体を最初に製造しそして次に水素化 しようとする物質の溶液に加える。（７，かじながら、一方ではそれらをその場 で例えば水素化しようとする物質の存在下で製造することもできる。
非対称性水素化は、反応条件下で不活性である適当な有機溶媒の中で実施するこ とができる。そのような溶媒としては、芳香族炭化水素類、例えばベンゼン、ｊ ・ルエンなど、低級アルコール類、例えばメタノールまたはエタノール、水、エ ステル類、例えば酢酸エチル、ハロゲン化された炭化水素類、例えば塩化メチレ ン、クロロホルムなど、環式エーテル類、例えばテトラヒドロフランまたはジオ キサンなど、または該溶媒類の混合物が特に挙げられる。
金属対配位子りの比は一般的には、１モルの配位子当たり約０．０５−約５モル の間のそしてそれぞれ約０．５〜約２モルの間の、好適には約１モルの金属であ る。例えば式ＩＩＩの如き錯体中の金属対水素化しようとする物質の比は一般的 には、約０．００５〜約１モル％の間、好適には約０．００２〜約０．１モル％ の間である。
例えば式ＩＩＩの如き錯体を用いる非対称性水素化は一般的には、使用される基 質によるが豹ρ℃〜約１５０℃の温度において実施される。この水素化は一般的 にぼ圧力下で、好適には約２〜約２００バールの、特に約１０〜約１００バール の圧力下でも実施される。
Ｒおよび／またはＲ１がヒドロキシを表す式Ｉの燐化合物類は、それらの前記の 使用の他に、それらおよびＶＩＩＩ族金属との対応する錯体を適当なイオン交換 体上での吸着により反応混合物から容易に除去できるという点で興味がある。
下記の実施例は本発明を説明するものであり、そして何ら限定しようとするもの ではない。これらの実施例中では、略語は下記の意味を有している。
ＴＬＣ薄層クロマトグラフィー ＧＣ毛管ガスクロマトグラフィー ｅ、ｅ　エナンチオマー過剰。水素化生成物のｅ、　ｅ、はＧＣによりベルメチ ル化されたシクロデキストリン相の上で測定された。
ＲＴ　室温 全ての温度は摂氏０で示されている。
寒曳匹↓。
（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジヒドロキシビフェニル−２，２′−ジイ ル）ビス（゛ジフェニルホスフィン）［（Ｒ）−または（Ｓ）−ＨＯＢ　Ｉ　Ｐ ＨＥＰコの製造 １１．６４ｇ　（１９，９８ミリモル）の（Ｒ）−（６，６’−ジメトキシ−ビ フェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）［＝（Ｒ）−Ｍｅ ＯＢＩ　ＰＨＥＰ］の２００ｍ１のＣＨｚＣｌ　ｚ　（分子ふるい上で乾燥され た）中溶液をアルゴン下で一７８℃に冷却した。５０ｍ１　（５０ミリモル）の ｘＭＢ時、のＣＨ２Ｃｌ□中溶液を次にゆっくり加えると、添加の終了に向かい 白色沈澱が生成した。次に混合物を室温に暖めそして２４時間にわたり撹拌した 。４００ｍ１の飽和ＮＨ４Ｃｌを用いる】一時間にわたる加水分解、相分離、有 機相（Ｃａ　Ｃｌ　２）の乾燥および蒸発後に、１２．５　ｇの黄色粉末が得ら れた。シリカゲル上でのクロマトグラフィー（９０ｇ、ヘキサン／ＣＨ２Ｃ１ｔ 　１　：　１、ヘキサン／酢酸エチル９：１→３：２）後に、８．２６ｇの（Ｒ ）−ＨＯＢＩＰＨＥＰが白色粉末状で得られた。融点１９８．２°−１，９９， ４００［α］廿＝−３４，７’　（ｃ＝０．９、ＣＨＣ］、ｓ）。
上記と同様な方法におけるＣＨ２Ｃｌ２中での０．６５ｇ　（１，１ミリモル） の（Ｓ）−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰと２゜２ｍ１（２，２ミリモル）のＩＭＢＢｒ、 との反応で、０．３５　ｇの（Ｓ）−ＨＯＢＩＰＨＥＰが白色粉末状で得られた 。融点Ｌ９９．５６−２００．５’。
［ａ］Ｗ　＝＋　３３．９°（ｃ；１、ＣＨＣｌ５）。
実施例２ ０．５ｇ　（０，９０ミリモル）の（Ｒ）−（６，６’−ジヒドロキシビフェニ ル−２，２′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）［実施例１に従い製造さ れた］をアルゴン下で０．２１６ｇ　（７，２０ミリモル）のＮａＨの１０ｍ１ のジメチルホルムアミド中懸濁液に加えた。混合物を室温において３０分間撹拌 すると、水素の発生が観察された。次に、０．８３ｍ１　（７，２０ミリモル） の塩化ベンジルを加え、そして反応混合物を室温において３時間撹拌した。飽和 ＮＨ４Ｃｌ溶液を用いる加水分解およびエーテルを用いる抽出により、１．０７ ｇの黄−橙色の油が得られた。シリカゲル上でのクロマトグラフィー（２０ｇ、 ヘキサン／酢酸エチル４：１）および七の後の約５ｇのシリカゲル上でのヘキサ ン溶液の濾過で０．５８ｇの白色粉末が得られた。約１０ｍ１のエタノールの添 加、約１０ｇのシリカゲル上での濾過による不溶性物質の分離およびその後のト ルエン／エタノールからの結晶化により、４１０ｍｇの（Ｒ）−（６，６’−ジ ベンジルオキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン） ［（Ｒ）−ＢｎＯＢＩＰＨＥＰＩが白色結晶状で得られた。
融点１７１．５−１７１．６°。
［α］１−１７．１°（ＣＩ１、ＣＨＣＩｇ）。
実施例３ ２．０ｇ　（３，６１ミリモル）の（Ｒ）−（６，６’−ジベンジルオキシビフ ェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）［実施例１に従い製 造された］の４０ｍ１のジメチルスルホキシド中溶液を室温においてアルゴン下 で３０分間にわたり０．５７２ｇ　（１０，１，９ミリモル）の粉末化された８ ０％ＫＯＨと共に撹拌した。次に、１．１３ｍ１　（１２，０３ミリモル）の臭 化イソプロピルを滴々添加し、そして混合物を室温においてさらに２３時間にわ たり撹拌した。３Ｑｍｌの飽和ＮＨ，ＣＩ溶液を用いる加水分解、約１７５ｍ１ のエーテルを用いる抽出、有機相の乾燥（ＮａｚＳＯ＜）および蒸発により、２ ．４１　ｇの白色粉末が得られた。７０ｇのシリカゲル上でのクロマトグラフィ ー（ヘキサン／ＣＨＣｌ、）後に、１．１８ｇの（Ｒ）−（６−ヒトロキシー６ ′−イソプロピルオキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジフェニルホス フィン）［（Ｒ）−１ｐｒｏｐｏ／ＨＯＢＩ　ＰＨＥＰＩが白色固体状で得られ た。
融点７６．１−７７’。
［α］１＝−４６．０°（−ｅ−Ｆｉ、ＣＴ（ＣＩ、）。
実施例４ ａ）０．３７５ｇ　（０，４３ミリモル）の［Ｒｕ（ＣＦｔＣＯＯ）ｔ（ＣＯＤ ）ｌｔの１６ｍ１のジエチルエーテル／テトラヒドロフラン（１：　１）中懸濁 液を４０″において０．４６６ｇ　（０゜８４ミリモル）の（Ｒ）−ＨＯ−ＢＩ ＰＨＥＰ　（実施例１に従い製造された）と共に一夜撹拌した。溶媒の除去後に 、残渣を真空中で乾燥し、そして固体残渣を撹拌しながら各回とも１０ｍ１のペ ンタンで２回洗浄した。真空中での乾燥後に、領７２ｇの ［Ｒｕ（ＣＦｓＣＯＯ）ｚ（Ｒ）−ＨＯＢＩＰＨＥＰ）］が得らｈた。
３．０ｇ（３，４０ミリモル）の ［Ｒｕ（ＣＦｓＣＯＯ）ｔ（Ｒ）ＨＯＢＩＰＨＥＰ）］の３３０ｍのメタノール 中懸濁液を１．０ｇ　（１２，０ミリモル）の酢酸ナトリウムで処理しそして４ ５°ににおいて２時間撹拌した。溶媒の除去後に、残渣を真空中で乾燥しそして 次にフリットに加えた。生成物を６０ｍ１の塩化メチレンで抽出し、溶媒を次に 除去し、モして残棒を３０ｍ１のペンタンと共に粉砕した。上澄み溶液をピペッ トで除去し、そして残存粉末を真空中で乾燥した。２．５ｇのＲｕ（ＣＨｓＣＯ Ｏ）ｚ［（Ｒ）ＨＯＢＩ　ＰＨＥＰ）］が得られた。
ｂ）グローブボックス中で５００ｍ１のオートクレーブに１５．０ｇ（５０，４ ミリモル）の（Ｚ）−２−アセチル−１−（ｐ−メトキシベンジリデン’）−１ ，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロイソキノリン、１７０ｍ１のメタ ノールおよび３．９ｍｇ　（０，００５０ミリモル）の触媒としてのＲｕ（ＣＨ ｓＣＯＯ）ｔ［（Ｒ）ＨＯＢＩＰＨＥＰ）］を充填した。水素化を１００°およ び３５バールにおいて２２時間にわたり行った。転化率は９８．５％であった９ ２ｇの水素化溶液の生成物−含有試料を蒸発させ、モして残渣をジエチルエーテ ル中に溶解させた。触媒を分離するためにエーテル溶液をシリカゲルパッドを通 して濾過した。濾液の蒸発で、１．９７ｇの（Ｓ）−２−アセチル−１−（ｐ− メトキシベンジル）−１、２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロイソキノ リンが９５．９％ｅ。
ｅ、の黄色結晶状で得られた。
ｅ、　ｅ、値を測定するために、生成物を１７０’において１８時間にわたりエ チレングリコールおよび４０°水酸化カリウム水溶液の混合物中で加水分解した 。生成したアミンをピリジン／４−ジメチルアミノピリジン中で（−）−塩化カ ンフアノイルを用いてジアステレオマー性アミド類の混合物に転化させ、そして 後者をＧＣにより分析した。
実施例５ グローブボックス（０２含有量＜１０１００ｐｐ中で５０ｍ１の計量フラスコの 中で９．７ｍｇ　（０，０２ミリモル）のジクロロ−ビス−（１゜５−シクロオ クタジエン）ジロジウムおよび２１．９ｍｇ　（０，０４ミリモル）の（Ｒ）− ＨＯＢＩ　ＰＨＥＰを５Ｑｍｌのトルエン中に溶解させることにより、触媒溶液 を製造した。５００ｍ１のオートクレーブ中で５ｍ　ｌ　ノ、ニー（７）触媒溶 液を１６．１ｇ　（７８，８５ミリモル）の（Ｅ）−３−（ｐ−ターシャリープ チルフェニル）−２−メチル−２−プロペツー−１−ル［（Ｅ）−デヒドロリリ オール］の１４５ｍ１のトルエン中溶液に加えた。
水素化を１００６において６０バールの一定圧力下でそして強く撹拌しながら行 った。残渣を１．４０’１０．０１ミリバールにおいて蒸留した。
１６．１ｇ　（９９，０％）の（Ｓ）−３−（ｐ−ターシャリ−ブチルフェニル ）−２−メチル−２−プロパツール［（Ｓ）−リリオール］が無色結晶状で９６ ．２％ｅ、　ｅ、の工４チオマー純度で得られた。
ｅ、　ｅ、値を測定するために、塩化メチレン中の生成物を（Ｒ）−または（Ｓ ）−６−メドキシー２．５．７．８−テトラメチルクロマン−２−カルボン酸、 ジシクロへキシルカルボジイミドおよび４−ジメチルアミノピリジンを用いてジ アステレオマー性エステルに転化させ、そしてガスクロマトグラフィーにより分 析した。
実施例６ （Ｒ）−ＩｐｒｏｐＯ／ＨＯＢＩＰＨＥＰを配位子として有する触媒を実施例５ と同様な方法で製造し、そして水素化を同一条件下で行った。
転化率は２１時間後に９９．９％であった。水素化溶液を実施例５中の如く処理 した。１６．１ｇ（９９，０％）の（Ｓ）−リリオールが無色結晶状で９５．１ ％ｅ、　ｅ、のエナンチオマー純度で得られた。
フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号ＣＯ７Ｆ　９／６５６８ 　９１５５−４Ｈ（３１）優先権主張番号　１５８２／９２−８（３２）優先日 　１９９２年５月１８日（３３）優先権主張国　スイス（ＣＨ）Ｉ （３１）優先権主張番号　１９４４／９２−５（３２）優先日　１９９２年６月 １９日（３３）優先権主張国　スイス（ＣＨ）（８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、Ｂ Ｅ、ＣＨ，ＤＥ。
ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＥ、ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、　ＲＴ、　Ｓ Ｅ）、ＪＰ、　ＵＳ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. １．一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ ［式中、Ｒはヒドロキシまたは保護されたヒドロキシ基を示し、Ｒ１はヒドロキ シ、保護されたヒドロキシ基または低級アルコキシを表し、そしてＲ２は低級ア ルキル、シクロアルキル、アリール、または燐原子と一緒になって式 ▲数式、化学式、表等があります▼ の基を表す］ のラセミ体のおよび光学的に活性な燐化合物。
  2. ２．ＲおよびＲ１が同一である請求の範囲第１項に記載の式１のラセミ体のおよ び光学的に活性な燐化合物。
  3. ３．Ｒがヒドロキシを表し、そしてＲ１が保護されたヒドロキシ基を表す請求の 範囲第１項に記載の式Ｉのラセミ体のおよび光学的に活性な燐化合物。
  4. ４．ＲおよびＲ１がヒドロキシまたはベンジルオキシ基を表す請求の範囲第１ま たは２項に記載の式１のラセミ体のおよび光学的に活性な燐化合物。
  5. ５．Ｒがヒドロキシを表し、そしてＲ１がベンジルオキシ基またはイソプロピル オキシ基を表す請求の範囲第１または３項に記載の式Ｉのラセミ体のおよび光学 的に活性な燐化合物。
  6. ６．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジヒドロキシビフェニル−２，２′− ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）。
  7. ７．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６，６′−ジベンジルオキシビフェニル−２，２ ′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）。
  8. ８．（Ｒ）−または（Ｓ）−（６−ヒドロキシ−６′−イソプロポキシビフェニ ル−２，２′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）。
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