JPH0650722B2 - 隔離装置及び該隔離装置を備えた堆積装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般的には改良された光電デバイスを製造す
る装置、より詳しくは(1)反応物質がチヤンバの１つか
ら隣接するチヤンバへ拡散するのを防止し、その反応物
質を汚染することを実質的に防止し、かつ(2)これらの
隣接チヤンバ間に、アクセスできる。環境に対し密封さ
れた通路を提供するための、１対の隣接チヤンバを操作
的に連結する外部隔離モジユール乃至反応物質を外部か
ら隔離したモジユールに関する。

本発明は、少くとも２つの操作的に連結された専用デポ
ジシヨン・チヤンバを基板が進行してゆく間に、基板に
半導体物質を順次層にしてデポジツトして、光電デバイ
スを連続的に製造する装置に関する。各デポジシヨン・
チヤンバにおいて基板にデポジツトされる半導体層の組
成は、とりわけ、そのデポジシヨン・チヤンバに導入さ
れる特定の反応気体（単数又は複数）によつて決まる。
デポジシヨン・チヤンバは比較的狭い隔離通路によつて
連結され、その通路は(1)基板が通過し、(2)隣接するデ
ポジシヨン・チヤンバの各々に導入される反応気体（単
数又は複数）を隔離するようになつている。本発明の譲
受人が開発した従来の隔離通路（ガス・ゲートとも言
う）は、１対の隣接デポジシヨン・チヤンバの一方の内
側に操作的に配置されていた。しかし、ガス・ゲート通
路をこのように内部に配置することは、クリーニング、
洩れのテスト、通路の改変、等のためにこの通路の内側
に接近乃至アクセスすることが必要なときに問題を生ず
る。アクセスは(1)ガス・ゲート通路が収容されている
デポジシヨン・チヤンバを開き、(2)そのチヤンバのデ
ポジシヨン用のコンポーネント及びガス・ゲート通路自
体の複雑なシール機構を分解して、初めて可能になる。
明らかに、装置を作動する状態に回復させるには、ガス
・ゲート通路を再び組立て、シールして洩れをチエツク
しなければならない。その後で初めて、デポジシヨン・
チヤンバを環境に対して閉じて、デポジシヨン工程の再
開の準備をすることができる。

隔離通路を十分にシールすることの重要性はますます明
らかになつてきている。環境の汚染物質がデポジシヨン
・チヤンバへ洩れて入りこむと、半導体物質が実質的に
汚染されていないチヤンバでデポジツトされる場合と比
べて基板にデポジツトされる半導体物質の化学的特性や
電気的性質が劣つたものができる。数ppmの程度の汚染
物質がデポジシヨン・チヤンバに導入又は拡散して入る
だけで質の劣る半導体物質ができる可能性があるという
事実は、隔離通路を環境不純物の流入に対してどれほど
慎重にシールすることが必要かをよく示している。

当然のことであるが、デポジシヨン・チヤンバが周囲条
件にさらされる時間が短いほど、そのチヤンバが汚染さ
れることも少ない。従来の構造では、ガス・ゲート通路
にアクセスするためにはその通路が収容されているチヤ
ンバを開くことが必要なので、長時間の運転停止にとも
なう廃物はもちろん、不必要な汚染が起り、高価な労働
時間が費されるという結果になつた。さらに、ガス・ゲ
ート通路を開くたびに、何も洩れが発生しないようにそ
の通路を注意深くチエツクすることが必要であつた。洩
れテストの手順は、時間と労力を要する仕事であつた。
デポジシヨン・チヤンバを開き、通路を取外して再び組
立て、さらに隔離通路の洩れテストを行うことが必要な
ので、デポジシヨン装置は長時間使用が停止された。こ
の半導体デバイスも含めどんな製品の大量生産において
も運転を停止する時間をできるだけ短くすることが望ま
しいことは明らかである。したがつて、本発明の利点の
ひとつは、通路の取外しと再組立に関連した停止時間を
著しく減すように通路を特別に設計して、大量生産スタ
イルのデポジシヨン装置で使用するのに特に適した隔離
通路モジユールを提供することである。

上で述べたように、半導体デバイスの連続生産に特に適
したデポジシヨン装置においては気密なシールが必要と
されるということからして、(1)環境の汚染物質と、デ
ポジシヨン装置の内部に作り出される真空囲障の内部の
清浄領域との間の障壁となるシールの能力、又は(2)隔
離通路の内側にアクセスするのに、現在の再シール方法
のような時間と労力を要する仕事を不要にする容易な仕
方、という点での改良は当業者にとつて重要な進歩とな
る。したがつて、容易に再組立及び再シールできる、外
部に配置された隔離通路モジユールを提供することが本
発明のもうひとつの利点である。

前述の利点及び改良は、「磁気ガス・ゲート（Magnetic
Gas Gate）」という標題の米国特許出願第372,937号、
「溝つきガス・ゲート（Grooved Gas Gate）」という標
題の米国特許出願第407,983号、及びやはり「溝つきガ
ス・ゲート（Grooved Gas Gate）」という標題の米国特
許出願第466,995号（これらの出願はすべて本発明の譲
受人（assignee）譲受けるものである）において、示さ
れ説明されているガス・ゲート通路の動作上の利点及び
改良を犠性にすることなく、本発明の外部隔離モジユー
ルにおいて実現される。より詳しくは、(1)ガス・ゲー
ト内に磁気的引力を発生させ、そこを通る基板を通路の
壁の方へ引きつけて通路開口の大きさを小さくすること
（第372,937号特許出願）、(2)溝つきの内側通路壁を設
けて、ガス・ゲート通路の比較的狭い上部スロツトを通
る掃引気体の一様な、急速な流れを維持すること（第40
7,983号特許出願）、及び(3)ガス・ゲートの溝つき通路
壁の長さ方向の中間に、追加の掃引気体を使用すること
（第466,995号特許出願）、などの改良は本発明の外部
隔離モジユールに取り入れられている。それによつて得
られる結果は、半導体デバイスの連続生産のためのデポ
ジシヨン装置において、隣接チヤンバの各対の間に容易
に配置できる、接近乃至アクセスし易い、環境に対して
シールされた、反応物質隔離モジユールである。

最近、アモーフアス半導体合金をデポジツトするシステ
ムの開発に相当な努力が払われている。それらは、比較
的大きな面積にすることができ、また、それにドープし
てｐ−型及びｎ−型の半導体物質にしてｐ−ｉ−ｎ型デ
バイスを生産できるもので、そのデバイスの動作は、実
質的に結晶半導体デバイスと同等である。

現在では、グロー放電法又は真空デポジシヨン法によつ
て(1)そのエネルギーー・ギヤツプに許容できる密度の
局在準位、及び(2)良質の電子的性質、を有するアモー
フアス・シリコン半導体合金を製造することが可能であ
る。これらの方法は、１９８０年１０月７日のスタンフ
オードＲ．オブシンスキー及びアラン・メーダンの「結
晶半導体と同等なアモーフアス半導体（Amorphous Semi
conductors Equivalent to Crystalline Semiconductor
s）」という標題の米国特許第4,226,898号、１９８０年
８月１２日のスタンフオードＲ．オブシンスキー及びマ
サツグ・イズの同じ標題の米国特許第4,217,374号、及
びスタンフオードＲ．オブシンスキー、デビツドＤ．オ
ールレツド、リー、ウオルター及びステイブンＪ．ハジ
ンスの「マイクロ波エネルギーを用いるアモーフアス半
導体合金及びデバイスの製造方法（Method of Making A
morphous Semiconductor Alloys and Devices Using Mi
crowave Energy」という標題の米国特許出願第432,424
号、で詳しく説明されている。そこで開示されているよ
うに、アモーフアス・シリコン半導体層に導入されたフ
ツ素は、局在準位の密度を実質的に減少させる働きを
し、ゲルマニウムなど他の合金物質の添加を容易にす
る。

光電デバイスの効率を高めるために多重セルを用いると
いう考え方は、少くとも１９５５年という早い時期に、
１９６０年８月１６日の米国特許第2,949,498号、Ｅ．
Ｄ．ジヤクソン、によつて論じられた。そこで論じられ
た多重セル構造はｐ−ｎ接合結晶半導体デバイスを用い
るものであつた。本質的にこの考え方が、異なるバンド
・ギヤツプのデバイスを用いて太陽スペクトルのいろい
ろな部分をもつと効率的に集め、開放回路電圧（Voc.）
を高めることに応用された。タンデム・セル・デバイス
は、２つ以上のセルを有し、光は順次各セルに、大きな
バンド・ギヤツプの物質のあとに最初のセルを通過した
光を吸収する小さなバンド・ギヤツプの物質が来るよう
に導かれる。各セルから発生する電流を実質的にマツチ
させることにより、開放回路電圧は各セルの開放回路電
圧の和になり、一方短絡電流は実質的に一定にとどま
る。

ハマカワその他、は、カスケード型多重セルとして定義
される形態でSi−Ｈを利用する可能性について報告し
た。カスケード・セルは、以下この中で、セル層の間に
分離又は絶縁層のない多重セルと呼ばれる。各セルはｐ
−ｉ−ｎ接合形態の場合のように同じバンド・ギヤツプ
のSi−Ｈ物質から作られた。短絡電流（Jse）のマツチ
ングは、順次の光のパスの中でのセルの厚さを増やすこ
とによつて試みられた。予想されたように、デバイス全
体のVocは増加し、セルの数に比例した。

光電デバイスの製造がバツチ工程だけに限定される結晶
シリコンと異なり、アモーフアス・シリコン合金は、大
面積の基板に多重層でデポジツトして、大量連続工程シ
ステムで光電デバイスを作ることができる。このような
連続工程システムは、１９８０年５月１９日出願の第15
1,301号「Ｐ−添加シリコン膜の製法及びそれから作ら
れるデバイス（A Method of MakingＰ−Doped Silicon
Filmsａｎｄ Devices Made Therefrom）」１９８１年
３月１６日出願の第244,386号「アモーフアス半導体物
質をデポジツトするための連続システム（Continuous S
ystems For Depositing Amorphous Semiconductor Mate
rial）」、１９８１年３月１６日出願の第240,493号
「連続アモーフアス太陽電池生産システム（Continuous
Mmorphous Solar Cell Production System）」、１９
８１月９月２８日出願の第306,146号「多重チヤンバ・
デポジシヨン及び隔離システム及び方法（Multiple Cha
mber Deposition and Isolation System and Metho
d）」、１９８２年３月１９日出願の第359,825号「タン
デム・アモーフアス光電セルを連続的に生産する方法及
び装置（Method and Apparatus for Continuously Prod
ucing Tandemm Amorphous Photovoltaic Cells）」、及
び１９８３年１月２４日出願の第460,629号「タンデム
・アモーフアス光電セルを連続的に生産する方法及び装
置（Method and Apparatus for Continuously Producin
g Tandemm Amorphous Photovoltaic Cells）」、などの
未決の米国特許出願において開示されている。これらの
出願で開示されているように、基板は一連のデポジシヨ
ン・チヤンバを通して連続的に前進させることができ、
各チヤンバはある特定の半導体物質だけをデポジツトす
るのに用いられる。ｐ−ｉ−ｎ型構造の太陽電池を作る
場合、最初のチヤンバはｐ−型半導体層だけをデポジツ
トするのに用いることが好ましく、第二のチヤンバは真
性アモーフアス半導体層だけをデポジツトするのに用い
ることが好ましく、第三のチヤンバはｎ−型半導体層だ
けをデポジツトするのに用いることが好ましい。デポジ
ツトされる各半導体層、とくに真性半導体層、は高純度
でなければならないので、各デポジシヨン・チヤンバに
おけるデポジシヨン環境は、隣接チヤンバに導入される
成分から隔離して、前記デポジシヨン・チヤンバ間の成
分の逆拡散を防止する。前述の特許出願では、システム
は主として光電セルの生産に関わるもので、チヤンバ間
の隔離は“ガス・ゲート”を通して一方向の気体の流れ
を作り出し、不活性気体で基板物質の網のまわりに“掃
く”ことができるようにして遂行される。しかし、この
ガス・ゲートは本来のデポジシヨン・チヤンバの内部に
操作的に配置されていたので、前述したようなアクセス
のしにくさ、洩れテストの困難、及び運転停止時間が長
くなる、などいろいろな欠点が生じた。

本発明は前記諸点に鑑み成されたものであり、前述の欠
点を解消することを目的としている。

前記目的は内部を基板が連続的に移動可能な複数のチャ
ンバと、前記複数のチャンバ内を大気圧よりも低い圧力
に保つ為の手段と、前記複数のチャンバのうち少なくと
も一つのチャンバに反応物質を導入する手段と、を有す
る堆積装置に用いられ、少なくとも一対の隣接チャンバ
間を前記基板が移動可能な状態で連結し前記チャンバの
内部雰囲気と外部雰囲気とを実質的に隔離する為の隔離
装置において、前記隔離装置内を通過する基板に対して
間隙をおいて配置され前記基板の通過する通路を形成す
る為の通路形成手段と、前記一対の隣接するチャンバに
設けられ前記隔離装置を固定連結する為の連結手段と前
記通路形成手段とを気密に接続する密封手段と、を有
し、前記通路形成手段を構成する部材が、前記通路内を
前記外部雰囲気に開放すべく取り外し可能に配設されて
いることを特徴とするる隔離装置及び該隔離装置を備え
た堆積装置によつて達成される。

本発明の隔離装置としての外部隔離モジュールは、前述
の欠点を実質的に取り除き、同時に、従来のこの種のガ
ス・ゲートがもつていた技術的な進歩をすべて取り入れ
ている。より詳しくは、本発明による外部配置隔離モジ
ユールは、(1)基板が通過するようになつており、かつ
(2)１対の隣接デポジシヨン・チヤンバの一方に導入さ
れる反応物質が、その対の他方のチヤンバに導入される
反応物質を汚染することを実質的に防止する通路を含
む。隣接デポジシヨン・チヤンバの各対のチヤンバ間に
隔離モジユールを外から結合し、作動するように取付け
るようになつている連結メカニズムが備えられる。最後
に、各外部隔離モジユールはまた、最も広い意味でシー
ル機構を有し、それが環境の汚染物質が真空の囲いの中
に入りこむのを実質的に防止する、実質的に気密な障壁
になつている。さらに、掃引気体を用いて反応物質の相
互汚染が実質的に防止されるので、本発明の外部隔離モ
ジユールは隣接デポジシヨン・チヤンバの各対の間で、
アクセスし易い、環境に対し密封された、反応物質を隔
離する通路を提供する。この外部隔離モジユールに設計
で組み込まれてその一部となつている。上で述べた技術
的進歩には、(1)掃引気体の流れが淀むのを防止するた
めの溝がついた通路壁、(2)隣接デポジシヨン・チヤン
バ間の反応物質の逆拡散をさらに防止するために、通路
の比較的狭いチヤンネルへ掃引気体を中央から導入する
こと、及び(3)磁気引力を用いて基板の層が作られない
側の面を通路の溝つき壁に引きつけるようにして、通路
の高さを著しく減すことを可能にしたこと、などが含ま
れる。したがつて、本発明の隔離通路はアモーフアス半
導体材料の大量生産の分野で大きな前進になつている。

本発明のその他の目的や利点は、図面、特許請求の範
囲、及び以下の詳しい説明から明らかになる。

以下では半導体物質を基板にデポジツトする装置で使用
するに適した外部隔離モジユールが開示される。このデ
ポジシヨン装置は、(1)基板が連続的に通過し、反応物
質が導入される、複数個の専用デポジシヨン・チヤンバ
と、(2)デポジシヨン・チヤンバと隔離モジユールを大
気圧より低い圧力に保ち多重チヤンバの真空囲いを形成
する手段とを含む。本発明の隔離モジユールは、隣接デ
ポジシヨン・チヤンバの対を効果的に連結するようにな
つており、(1) (a)基板が通過するようになつていて、
(b)連結された隣接チヤンバの一方に導入された反応物
質が、その対の隣接するチヤンバへ拡散するのを実質的
に防止するようになつている通路と、(2)隣接チヤンバ
の各対のチヤンバ間に隔離モジユールを外部的に配置
し、効果的に取付けて適合させる連結部材と、(3)多重
チヤンバの真空囲いに環境の汚染物質が入りこむのを実
質的に防ぐ実質的に気密な障壁を形成するに適したシー
ルとを含み、それによつてこの外部隔離モジユールが、
隣接チヤンバの各対の間で、アクセスし易い、環境に対
して密封された反応物質を隔離する通路を与える。

隔離モジユール通路は、１対のたて長の通路形成プレー
トを含み、このプレートが実質的に平行な平面に間隔を
おいて定位されてその間に通路を限定するようになつて
いる。通路を通過する基板はこの通路を１対のチヤンネ
ルに分割する。一方のプレートは掃引気体を一方のチヤ
ンネルに一様に導入する手段を含み、他方のプレートは
他方のチヤンネルを通つて反応物質が拡散するのを防ぐ
手段を含む。この拡散防止手段は、(1)掃引気体を導入
するため、あるいは(2)隣接チヤンバの両方から反応物
質を排出するため、のポンプを含んでいてもよい。掃引
気体は隣接チヤンバの一方に他方よりも近い点で他方の
プレートを通して導入してもよい。少くとも１つの通路
形成プレートは通路の内側へのアクセスを与えるために
移動できる形で定位できる。隣接チヤンバの各対の隣接
する壁は基板が通過できる開口がある。連結メンバー
は、(1)１対の開口のあるチヤンバ連結パネルを含み、
一方のパネルは一方の開口のあるチヤンバ壁に取付けら
れるようになつており、他方のパネルは隣接する開口の
あるチヤンバ壁に取付けられるようになつており、さら
に(2)通路形成プレートをチヤンバ連結パネルに固定し
て隣接デポジシヨン・チヤンバの各対の間に通路を形成
するための手段を含む。より詳しくは、各チヤンバ連結
パネルが通路形成プレートを受けるシヨルダを含み、そ
こに移動できる形で定位される通路形成プレートがのつ
てシールするようになつている。シールはエラストマー
が好ましく、通路形成プレートのふちのまわりに作られ
た溝でそれを受ける。それにより、通路形成パネルが通
路連結パネルの通路形成パネルを受けるシヨルダに操作
されて配置されたときに、エラストマー・シールが圧縮
されて実質的に気密な障壁を形成する。

通路形成プレートの一方は、掃引気体の供給装置から、
掃引気体が通路へ導入されるようにする開口を含んでい
る。開口のある通路形成プレートは、また、その内側表
面の長さ方向に沿つて、隣接デポジシヨン・チヤンバま
で伸びている掃引気体チヤンネルを有し、それによつて
掃引気体が開口から、供給孔へ、チヤンネルを通つて各
隣接デポジシヨン・チヤンバへ導かれ、一方のチヤンバ
から隣接するチヤンバへの反応物質の拡散を実質的に防
止するようになつていてもよい。具体的な形として好ま
しい実施態様においては、気体チヤンネルは複数個の間
隔をおいた平行な溝によつて作られ、その溝が一方では
供給孔に、他方では各隣接デポジシヨン・チヤンバの内
側に効果的に通じている。２つの通路形成プレートのう
ち他方は、(1)掃引気体を隣接デポジシヨン・チヤンバ
の各々に導入する、あるいは(2)これらのチヤンバから
デポジシヨン物質を排気するポンプに効果的に結合して
いる中央開口を含む。

Ｉ．光電セル 次に図面、とくに第１図について説明する。同図には、
各々がアモーフアス半導体合金を含む複数個の引き続く
ｐ−ｉ−ｎ層から成る光電セルが１０で示されている。
本発明の外部隔離モジユールが開発されたのは主とし
て、半導体の層が引き続く、隔離されたデポジシヨン・
チヤンバで移動する基板にデポジツトされる、この種の
光電デバイスの生産のためである。

さらに詳しく説明すると、第１図は個々のｐ−ｉ−ｎ型
セル１２ａ、１２ｂ及び１２ｃから成る太陽電池などの
ｐ−ｉ−ｎ型光電デバイスを示している。一番下のセル
２ａの下には基板１１があり、それは透明なものであつ
ても、あるいはステンレス・スチール、アルミニウム、
タンタル、モリブデン又はクロムなどの金属物質で作ら
れたものであつてもよい。ある種の用途では、半導体物
質をデポジツトする前に薄い酸化物の層及び／又は一連
のベース接触層が必要とされることがあるが、この種の
用途では“基板”という語が柔軟な膜だけでなく予備処
理によつてそれに付加えられたすべての要素も含むもの
とする。

セル１２ａ、１２ｂ及び１２ｃの各々は、少くともシリ
コン又はゲルマニウムを含む半導体ボデーで作られてい
る。各半導体ボデーはｎ型伝導領域又は層２０ａ、２０
ｂ及び２０ｃ、真性領域又は層１８ａ、１８ｂ及び１８
ｃ、及びｐ−型伝導領域又は１６ａ、１６ｂ及び１６
ｃ、を含む。図に示されているように、セ１２ｂは中間
のセルであり、第１図に示唆されるように図示されてい
るセルの上に中間のセルを追加して積み重ねても本発明
の精神及び範囲から逸脱することにはならない。また、
図ではｐ−ｉ−ｎセルが示されているが、本発明の外部
隔離モジユールは、単一又は多重ｎ−ｉ−ｐセルを生産
するための装置にも使用できる。

半導体合金層のデポジシヨンに引き続いて、別の環境で
又は連続工程の一部として、さらにデポジシヨン・プロ
セスが行われることがあるということを理解しておくべ
きである。この段階では、ＴＣＯ（透明導電酸化物）層
２２が付加えられる。セルが十分に大きな面積の場合又
はＴＣＯ層２２の導電率が不十分な場合、電極グリツド
２４がデバイスに付加えられることがある。グリツド２
４は担体パスを短くし、導電効率を高めるようになる。

II．多重グロー放電デポジシヨン・チヤンバ 次に第２図に目を転ずると、光電セルの連続生産のため
の多重グロー放電チヤンバ・デポジシヨン装置の線図
が、全体的に参照数字２６で示されている。この連続デ
ポジシヨン装置２６は、複数個の隔離された専用デポジ
シヨン・チヤンバを含み、各デポジシヨン・チヤンバは
外部隔離モジユール、一般的に４２、により図示のよう
に連結され、それを掃引気体と基板のウエブ（web）が
通過するようになつている。外部隔離モジユール４２
は、この好ましい実施態様では、半導体物質をデポジツ
トすためのものではないが、隣接するチヤンバを汚染す
ることが許されない装置のチヤンバとの間にも適切に配
置されている。本発明の隔離モジユールはある装置のす
べての隣接チヤンバの対を適切に連結するようにも、あ
るいは汚染が最も問題となる隣接チヤンバの対だけを連
結するようにも使用できるということは、当業者には明
らかであろう。

デポジシヨン装置２６は、ｐ−ｉ−ｎ型構造の大面積の
光電セルを、連続的に送り出される基板材料のウエブ１
１の表面にデポジツトして大量生産するのにとくに適し
ている。多重ｐ−ｉ−ｎ型セルを製造するに必要な半導
体層をデポジツトするには、デポジシヨン装置２６は少
くともひとつ三つ組のデポジシヨン・チヤンバを含まな
ければならない。少くとも２つの三つ組が好ましいけれ
ども（したがって第２図には６つの専用デポジシヨン・
チヤンバが示されている）、さらに追加の三つ組を用い
ても本発明の精神と範囲から逸脱しない。デポジシヨン
・チヤンバの各三つ組は、基板１１が通過するときに基
板１１のデポジシヨン面にｐ−型伝導半導体層がデポジ
ツトされる第１のデポジシヨン・チヤンバ２８と、基板
１１が通過するときに基板１１のデポジシヨン面のｐ−
型半導体の層の上に真性半導体層がデポジツトされる第
２のデポジシヨン・チヤンバ３０と、基板１１が通過す
るときに基板１１のデポジシヨン面の真性半導体層の上
にｎ−型伝導半導体層がデポジツトされる第３のデポジ
シヨン・チヤンバ３２とから成る。(1)図にはデポジシ
ヨン・チヤンバの三つ組が２つ示されているけれども、
二つ組の数はもつと少くてもよいし、あるいは余分の三
つ組又は余分の個々のチヤンバを装置に付加えて、任意
の個数の半導体層を含む光電セルを製造する能力をもつ
マシンとすることもできるということ、(2)本発明の外
部隔離モジユールは、(a)隣接する隔離された複数個の
チヤンバの各々に気体が送りこまれ、(b)これらの気体
を、これらのチヤンバの各々の特定領域に局限しなけれ
ばならないマシンならどのようなものにも応用できると
いうこと、及び(3)ここに図示されているグロー放電工
程はｒ．ｆ．電力のカソードを用いているが、他のグロ
ー放電法（たとえばマイクロ波電力）を用いても、本発
明の精神から逸脱するものではないということ、は明ら
かであろう。

各三つ組の各デポジシヨン・チヤンバは基板１１にひと
つの半導体層をデポジツトするようになつている。この
ために、各三つ組のデポジシヨン・チヤンバ２８、３０
及び３２は、各々、カソード３４、各カソード３４のま
わりに配置されたシールド３５、プロセス気体供給コン
ジツト３６、電源３８、使用されなかつたプロセス気体
とデポジツトされなかつたプラズマを排出するコンジツ
ト４１、複数個の横方向に伸びている磁性エレメント５
０、及び第２図では４０として概略が示されている複数
個の放射加熱エレメント、を含む。図には示されていな
いが、隣接チヤンバからの汚染物質の流れの方向と反対
方向に掃引気体を導入するために、掃引気体コンジツト
がこの他にいくつかのチヤンバに設けられることがあ
る。

供給コンジツト３６は、それぞれのカソード３４と有効
に連関して、プロセス気体混合物をデポジシヨン・チヤ
ンバ内で前記カソード３４と基板１１の間に作り出され
る分解領域に供給する。カソード・シールド３５は基板
材料のウエブ１１、カソード３４及び排気コンジツト４
１といつしよい働いて、分解された種をデポジシヨン・
チヤンバの分解領域に実質的に閉じこめる役割をする。

電源３８は、カソード３４、放射ヒータ４０及びアース
された基板１１といつしよに、デポジシヨン・チヤンバ
の分解領域に入つてくる反応気体をデポジツトされる種
に分解する働らきをする。分解された種が次に基板１１
の表面に半導体層としてデポジツトされる。基板１１
は、磁性材料で作られたものであることが好ましく、磁
性基板１１を通常のたるんだ進行径路より上方に引きつ
ける引力を及ぼす複数個の列の磁性エレメント５０によ
つて実質的に平坦に保たれる。

第１図に示されている光電セル１０を作るには、チヤン
バの各三つ組のデポジシヨン・チヤンバ２８ではｐ−型
半導体層が基板１１にデポジツトされ、チヤンバの各三
つ組のデポジシヨン・チヤンバ３０ではｐ−型層の上に
真性半導体の層がデポジツトされ、チヤンバの各三つ組
のデポジシヨン・チヤンバ３２では、真性半導体の層の
上にｎ−型半導体の層がデポジツトされる。こうして、
装置２６は基板１１に少くとも６つの半導体層をデポジ
ツトするようになつているが、デポジシヨン・チヤンバ
３０でデポジツトされる真性半導体層は、デポジシヨン
・チヤンバ２８及び３２でデポジツトされる層とは、ド
ーパント又は添加物質と呼ばれる１つ以上の元素が欠け
ている（定量的に認められるほど）という点で組成が異
なつている。

高効率の光電デバイスを作り出すには、基板１１の表面
にデポジツトされる各半導体層は、高純度で、前記基板
表面にわたつて均一な組成であり、かつ前記基板表面に
わたつて厚さが一様であることが重要である。これらの
目標を達成するには、とりわけ、デポジシヨン・チヤン
バの対の一方のチヤンバと隣接するチヤンバとの間の、
プロセス気体の相互汚染を実質的に防ぐことが必要であ
る。さらに、デポジシヨン装置２６によつて作られた真
空囲いの中に環境の汚染物質が入りこむことを防ぐこと
も必要である。本発明の外部隔離モジユール４２が開発
されたのは、前述の汚染を、(1)生産時間の損失、及び
(2)過大な労力を要する活動、を少くするような仕方で
防止するためである。

III．外部隔離モジユール 次に第３図及び第５図について説明すると、ここでは外
部隔離モジユールが、チヤンバ２８及び３０のような１
対の隣接チヤンバの間に効果的に配置されてそれらを連
結しているところが、大きく拡大された断面図で示され
ている。各チヤンバ２８及び３０は、外側側壁２８ａ及
び３０ａ、外側上壁２８ｂ及び３０ｂ、及び細長い開口
２８ｃ及び３０ｃを含み、この開口を通つて基板材料１
１が矢印Ａの方向に通過するようになつている。前述の
説明はチヤンバ２８及び３０に関しているが、これらの
チヤンバは単に見本として選ばれたものにすぎないとい
うことに注意されたい。本発明の外部隔離モジユール４
２も同様に、第２図のデポジシヨン・システムの他のど
の隣接チヤンバの対の間にも使用できるものであるが、
それだけでなく、反応物質を分離しなければならない隣
接チヤンバのどんな対の間でも使用できる。第３図の実
施態様に、さらに汚染に対する防備を施すようにした変
形例、第６図を参照して論じられる。

隔離モジユール４２は、(1)基板材料１１が通過し、(2)
連結されたデポジシヨン・チヤンバの対の一方に導入さ
れた反応物質が隣接チヤンバへ拡散するのを実質的に防
止するようになつている細長い、比較的小さい通路４４
を含む。好ましい通路４４の長さはほぼ１６インチに最
適化されたが、(1)その半分の長さの通路でも相互汚染
は効果的に減少するし、(2)もつと長い通路を用いても
汚染の防止に目立つた効果がないこともある。通路４４
の幅は、少くとも基板材料のウエブ１１の幅に等しく、
通路４４の高さは１／１６インチと小さい。幅は、チヤ
ンバ２８及び３０の一方に導入された反応物質が隣接チ
ヤンバに拡散できる開口部分ができるだけ小さく、同時
に基板材料のウエブ及び基板にデポジツトされた半導体
物質が通過しても、半導体物質が通路４４の内壁に触れ
て損傷することがないように十分大きな開口となるよう
に選ばれる。基板材料のウエブ１１がデポジシヨン装置
２６に適切に配置されると、通路４４は２つの部分すな
わち、(1)比較的広く、細長い、下方チヤンネル４４
ｂ、と(2)比較的狭い、細長い、上方チヤンネル４４
ａ、とに分けられる。実施態様により、(1)これらのチ
ヤンネルの両方で掃引気体の十分な流れを維持するか、
又は(2)上方チヤンネル４４ａでは掃引気体の十分な流
れを維持し、下方チヤンネル４４ｂでは出て行く反応物
質の十分な流れを維持して、通路４４を通しての反応物
質の拡散を実質的に防止するようにしなければならな
い。

通路４４は、実質的に平行な、一般に平行な面で間隔を
おいて支持されるようになつた１対の細長い通路形成プ
レート４６及び４８によつて形成される。第３図及び第
５図の第一の好ましい実施態様では、細長いプレート４
６及び４８は、両方共、移動できる形で配置されて、隣
接デポジシヨン・チヤンバ２８及び３０を適切に連結す
るようになつている。あとで第４図について説明される
別の好ましい実施態様においては、プレートの一方、４
６又は４８、がこれらのチヤンバに対して固定して配置
されることがある。通路形成プレート４６の縁部乃至ふ
ち４６ａは、以下でさらに詳しく述べるように段をつけ
て、内側に配置される、プレートを定位しシールする面
を設ける。プレート４６の段がついたふち４６ａは、５
０ａのように溝を作つてそこに細長いＯ−リング型のエ
ラストマー・シール５０を受けるようにして、通路４４
への環境からの汚染物質の侵入を防止する障壁とする。
細長い通路形成プレートの内側表面４６ｂには、長さ方
向に伸びた複数個の溝４６ｃ（第５図に最もよく示され
ている）が作られており、この溝４６ｃは実質的にプレ
ート４６の全長にわたつて伸び、実質的にチヤンバ２８
及び３０の間の距離にわたりその両者を通じている。こ
れは、上方の通路スロツト４４ａを掃引気体が十分な速
度で流れて、隣接チヤンバ間の反応気体の拡散を防止で
きるようにするためである（この考え方は、前に参照に
あげた米国特許出願第407,983号及び第466,955号に詳し
く説明されている）。

直立した隆起部５２に複数個の開口５４が作られたもの
が中央に配置され、（基板の運動方向に対して）横方向
にのびており、隆起部５２と開口５４は通路形成プレー
ト４６をつかんで、もち上げて取外したり、再び定位し
たりするためのハンドルになつている。複数個の細長
い、比較的深い、磁石を受けるキヤビテイ５６が、直立
する隆起部５２の両側に伸びている。キヤビテイ５６の
深さは、それにセラミツク磁石５８を適切に挿入したと
きに、磁石が通路４４の内側溝つき壁４６ｂに十分近い
位置となり、(1)その通路を通過する基板材料の磁性ウ
エブ１１を磁気的に引きつけ、(2)その基板材料をその
内側溝つき壁４６ｂの方へと付勢することができるよう
に選ばれる。これは前に参照としてあげた米国特許出願
第372,937号に詳しく説明されている通りである。最後
に、細長い、横方向に伸びた掃引気体を受ける孔６０
が、供給装置（図示されていない）から掃引気体（アル
ゴンなどの不活性気体が好ましい）を、孔６０を各溝４
６ｃに効果的に通じさせている供給孔６２に供給する。
こうして掃引気体を上方通路表面の各溝４６ｃに一様に
導入することができる。

第３図及び第５図に示されている実施態様では、以下で
さらに詳しく説明されるように通路形成プレート４８の
縁部乃至ふち４８ａには段がつけられて、内側に配置さ
れる定位及びシール面４８ａが作られる。プレート４８
の段のついたふち４８ａは、６４ａのように溝がつけら
れ、そこに細長いＯ−リング型エラストマー・シール６
４を受けるようになつている。このシールの機能は、上
で通路形成プレート４６及びシール５０に関して説明さ
れた。通路形成プレート４８の内側は、実質的に平ら
な、なめらかな表面４８ｂである。プレート４８の外側
表面の中央に、ポンプ８０及びイグソースト８２に結合
されるようになつている比較的大きい円形ノズル６６が
シールするようにして固定される（第６図を見よ）。こ
れは(1)両方のデポジシヨン・チヤンバ２８及び３０か
ら下方通路チヤンネル４４ｂを通して反応物質を取り出
すためのもの、あるいは(2)掃引気体を下方通路チヤン
ネル４４ｂから両方のデポジシヨン・チヤンバへ導入す
るためのものである。ノズル６６は、Ｏ−リング型のエ
ラストマー・シール６６ｂを受ける溝６６ａを含む。シ
ール６６ｂはプレート４８の外側表面とノズル６６との
間で作られる接合を通る洩れを防止するようになつてい
る。ノズル６６の内側の孔６６ｃはプレート中央の孔４
８ｃと合つている。これは、(1)第６図の矢印Ｃで示さ
れるように、排気乃至イグゾースト８２から、下方通路
チヤンネル４４ｂを通つてチヤンバ２８及び３２へ入る
不活性掃引気体の流れ、又は(2)第３図の矢印Ｂで示さ
れるように、チヤンバから通路チヤンネル４４ｂを通つ
てイグゾースト８２へ行く反応気体の流れ、のパスを完
成させる。最後に、１対の（基板の進行方向に対して）
横方向の、開口のある隆起部６８が通路形成プレート４
８の外側表面に伸びており、プレート４８をつかんだ
り、挿入したり、取外したりするハンドルとなる。

前に述べたように、ノズル６６とポンプ８０は、(1)反
応物質を下方通路チヤンネル４４ｂを通してチヤンバへ
排出するために、か又は(2)掃引気体を供給源８４から
下方通路チヤンネル４４ｂを通してチヤンバへ導入する
ため、かどちらかに希望に応じて使用できるようになつ
ている（第６図を見よ）。いずれの場合も、反応物質が
一方のチヤンバから隣接するチヤンバへ拡散するのが実
質的に防がれる。ポンプ８０がその排気動作モードで使
用される場合、両方のチヤンバからの反応物質はノズル
６６を通して引かれて排気される。ポンプ８０がその掃
引気体導入動作モードで使用される場合、源８４からの
掃引気体の流れが反応物質の拡散を防止する。ノズル及
びポンプ・アセンブリを気体源８４からの掃引気体の導
入に適合させるには、第３図及び第５図の通路形成プレ
ート４８の内側表面で小さな変更を行うだけでよい。第
６図を参照してもつと詳しく説明すると、変更される通
路形成プレート４８の内側表面に細長い、開口のある掃
引気体マニホールド８８を受けるための細長い溝８６が
作られる。マニホールド８８は、下方通路チヤンネル４
４ｂの幅方向で掃引気体を一様に導入するために、その
長さに沿つて複数個の８８ａのような小さな開口を含
む。チユーブ８８ｂは、開口８８ａを通して掃引気体を
そこに導くためにノズル６６とマニホールド８８とを効
果的に結合する。第６図にはさらに、変更される通路形
成プレートの内側表面４８ａに、マニホールド８８を受
ける溝をつけてもよい別の位置を破線で示している。多
数の定位溝８６を設ける理由は、この明細書の“動作”
の節で詳しく述べられる。

本発明の外部隔離モジユール４２はまた、２８及び３０
などの隣接デポジシヨン・チヤンバの間で通路形成プレ
ート４６及び４８を結合するために構成された連結アセ
ンブリ７０を含んでいる。連結アセンブリ７０は、１対
のチヤンバ連結パネル７２を含み、各々中央位置に横方
向に細長いスロツト７２ａが作られている。スロツト７
２ａの長さは、基板材料がそこを通過できるように、基
板材料のウエブ１１の幅と実質的に等しくなつている。
スロツト７２ａの高さは、通路４４の高さと実質的に等
しく、ただしわずかにそれより大きい。チヤンバ連結パ
ネル７２の一方は、チヤンバ２８又は３０の壁２８ａ又
は３０ａの一方に取付けられ、スロツト７２ａがチヤン
バ壁の細長い開口２８ｃ及び３０ｃと整列するようにな
つている。チヤンバ連結パネル７２の各々は１対の通路
形成プレートを受けるシヨルダ７２ｂを含み、それに取
外しできる形で定位される通路形成プレート４６及び４
８の、段がついたふち４６ａ及び４８ａの対向する２つ
の側面がのつてシールするようになつている。

隔離モジユール４２はさらに、前面及び背面の壁を含む
（そのうち背面の壁７３だけが第５図に示されてい
る）。前面及び背面の壁は、各々細長いバー７５を含
み、その高さ寸法はシヨルダ７２ｂの外側表面間の距離
に等しい。直ちに明らかなように、バー７５の上面７５
ｂは、プレート４６の段つきのふち４６ａの側面でパネ
ル７２のシヨルダ７２ｂによつて支持されていない部分
に対してプレートを受けるシヨルダとなつており、バー
７５の下面７５ｃは、プレート４８の段つきのふち４８
ｂの側面でパネル７２のシヨルダ７２ｂによつて支持さ
れていない部分に対してプレートを受けるシヨルダとな
つている。

プレートを受けるシヨルダ７２ｂは、チヤンバ連結パネ
ル７２に、溶接７２ｃなどによつて固定されるが、その
空間的位置関係は、通路形成プレート４６及び４８の段
つきのふち、それぞれ４６ａ及び４８ａ、がシヨルダ７
２ｂ及びバー７５ｂ及び７５ｃに定位されたときに、そ
れが最適の高さの通路４４を定めるようになつている。
もつと詳しく言うと、チヤンバ連結パネル７２の各々を
チヤンバ２８又は３０の壁２８ａ又は３０ａの一方に固
定されると、通路形成プレート４６及び４８が、プレー
トを受ける対向する位置のシヨルダ７２ｂ及びバー７５
の対向する位置のシヨルダ７５ｂ及び７５ｃに、プレー
ト４６及び４８の段つきのふち４６ａ及び４８ａにある
エラストマー・シール５０及び６４が圧縮されて洩れの
ない障壁を形成するように定位され、環境の汚染物質が
入りこむことができないようになる。装置２６が作動し
ているときは、真空囲障乃至真空囲いの内部に大気圧に
より低い圧力が生じ、それが作り出す力によつて通路形
成プレート４６及び４８が、シヨルダ７２ｂに対してし
つかりとシールをする形で押しつけられる。そのように
適切に配置されたときには、間隔をおいたシヨルダ７２
ｂの間に作られる開口及び通路４４が一直線上に並ん
で、基板材料１１の層が作られたウエブがそこを通過す
る。ポンプ・アセンブリを止めると、通路形成プレート
４６及び４８は直ちにシヨルダ７２ｂから取外すことが
でき、モジユールの内部のクリーニング、変更などの目
的で隔離モジユール４２の内側へのアクセスが可能にな
る。

次に第４図に示されている実施態様に目を転ずると、全
体的に４２ａと記された外部隔離モジユールが示されて
おり、その部分のうち上で説明した部分と実質的に同一
なものは、同じ数字によつて参照されている。第４図の
実施態様は、下方通路形成プレート４８ｂが連結アセン
ブリ７０のパネル７２によつて取外しできない形で支持
されていて、隣接チヤンバ２８及び３０を効果的に連結
している外部隔離モジユール４２ａを示している。この
実施態様では、取外しできない下方プレート４８Ｂは、
プレート４８Ｂの内側表面４８ｂが通路４４の底面を形
成するように、連結パネル７２のスロツト７２ａ及びチ
ヤンバ壁２８ａ及び３０ａの細長い開口２８ｃ及び３０
ｃと一直線上に、９０のような点で連結パネル７２に溶
接される。上方の、取外しできる通路形成プレート４６
は、第３図の実施態様のプレートと同一であり、(1)連
結アセンブリ７０のプレート受けシヨルダ７２ｂに定位
されてシールするように、かつ、(2)その中央の孔６０
及びその供給孔６２を通して、掃引気体をその内側表面
に作られた溝４６ｃの各々に導入されるように、なつて
いる。ノズル６６は、外部隔離モジユール４２ａが連結
する隣接チヤンバ２８及び３０に(1)掃引気体を導入す
るため、又は(2)それから反応物質を排気するため、に
プレート４８Ｂの外側表面の希望する位置に固定できる
ことは明らかであろう。

IV．動作 本発明の外部隔離モジユール４２は、第２図のデポジシ
ヨン装置における運転上の配置に選ばれた実施態様にか
かわりなく、選ばれた(1)隣接デポジシヨン・チヤンバ
２８、３０及び３２の間、又は(2)デポジシヨン・チヤ
ンバ装置の別のチヤンバとの間に配置されるべく構成さ
れている。したがつてモジユール４２はどの２つのチヤ
ンバの間でも使用できるものであるが、これらのモジユ
ール４２を配置することが最も重要になるいくつかの場
所がある。最も重要な場所は、真性半導体デポジシヨン
・チヤンバ３０の両側で、これはドーパント気体が真性
反応物質を汚染しないようにするためである。その他の
重要な場所は、(1)予備クリーニング、貯蔵、その他の
デポジシヨン前処理チヤンバと最初のデポジシヨン・チ
ヤンバの間、たとえば第２図のクリーニング・・チヤン
バ２７と最初のｐ−型層デポジシヨン・チヤンバ２８と
の間、(2)前のセルの最後のデポジシヨン・チヤンバ
と、あとのセルの最初のデポジシヨン・チヤンバとの
間、たとえば第２図の最初の三つ組チヤンバのうちのｎ
−型層ドーパント・デポジシヨン・チヤンバ３２と第２
の三つ組チヤンバのうちのｐ−型層ドーパント・デポジ
シヨン・チヤンバ２８との間、(3)最終デポジシヨン・
チヤンバと、デポジシヨン後の旋回又は貯蔵チヤンバと
の間、たとえば第２の三つ組チヤンバのｎ−型層ドーパ
ント・デポジシヨン・チヤンバ３２と巻き取りチヤンバ
３２ｂとの間、である。

反応物質の隔離が必要とされる場合には常に隔離モジユ
ール４２を用いることが好ましいけれども、真性半導体
のデポジシヨン・チヤンバ以外のデポジシヨン装置２６
のチヤンバ間では前述の特許出願で説明されているよう
な内部ガス・ゲートを用いることも可能である。

動作時には、連結アセンブリ７０の連結パネル７２は、
２８及び３０などのデポジシヨン・チヤンバの対向に隣
接する壁２８ａ及び３０ａに、チヤンバ壁２８ａ及び３
０ａの細長い開口２８ｃ及び３０ｃがパネルのスロツト
７２ａ、及び細長いシヨルダ（複数）７２ｂの間で作ら
れる開口と一直線上に並ぶように固定される。取外しで
きる実施態様では、通路形成パネル４６及び４８の段つ
きのふち４６ａ及び４８ａが、次に、プレートを受ける
シヨルダ７２ｂにのり、そのエラストマー・シール５０
及び６４が、それぞれこのシヨルダ７２ｂによつて圧縮
されるように、しつかりと定位される。真空ポンプを運
転し始めると、プレート４６及び４８はシヨルダ７２ｂ
に引きつけられてシールをし、環境の汚染物者がそこか
ら洩れてチヤンバ２８及び３０に入りこむのを防止す
る。次に掃引気体を、供給孔６２及び開口６０を通つて
上方の通路形成プレート４６の溝４６ｃに導入して比較
的狭い通路チヤンネル４４ａを通つて反応物質が拡散す
るのを防ぐに十分な流量を維持するようにする。最後
に、ポンプ８０を始動させて、(1)下方通路形成プレー
ト４８に固定されているノズル６６の孔６６ｃを通して
反応物質を引き出すか、あるいは(2)気体源８４から掃
引気体を導入して、開口のあるマニホールド８８を通つ
て両方の隣接チヤンバへ流れ込むようにすることによ
り、比較的広い、下方チヤンネル４４ｂを通つて反応物
質が拡散するのを防止する。

掃引気体導入という動作モードを用いる場合、オペレー
タがマニホールド８８を配置する場所を選ぶことができ
る。普通は隣接チヤンバ間のほぼ真中に配置されるので
あるが、汚染も最も心配される方向によつて、チヤンバ
のうち一方に他方よりも近い点にマニホールド８８を配
置するのが効果的なこともある。したがつて、下方通路
形成プレート４８Ａを複数個、各々その内側表面４８ｂ
の異なる位置に溝８６が作られたもの、を用意しておい
てもよい。その場合、オペレータが、比較的広い通路チ
ヤンネル４４ｂに掃引気体を導入するのに適切な位置に
マニホールドを有するプレートを選択する。

(1)固定下方プレート４８Ｂ又は取外しできる下方プレ
ート４８、のいずれの実施態様を用いるかによらず、ま
た(2)掃引気体の導入又は反応物質の引き出し、のいづ
れの実施態様を用いるかによらず、本発明の外部隔離モ
ジユールは、一方のデポジシヨン・チヤンバから隣接す
るチヤンバへの反応物質の拡散を効果的に防止し、同時
にそれらのチヤンバ間に信頼できる、アクセスし易い、
環境に対して密封された通路を実現する。

本発明は、図示された実施態様の精しい構造に限定され
るものではないと理解すべきである。好ましい実施態様
についての前述の説明は、本発明を限定するものでなく
て例示するものと見なすべきであり、本発明の範囲は、
すべての均等物を含む特許請求の範囲によつて限定され
るものである。

以上のように、本発明の隔離装置及び該隔離装置を備え
た堆積装置は、堆積装置内に例えば帯状の基板が充填さ
れた状態であっても、隔離装置の通路を形成する通路形
成手段の構成部材を取り外すことにより通路内を外部雰
囲気に開放することができるため、隔離装置のクリーニ
ングや基板との狭い距離を保持するための基板のテンシ
ョンの調整等のメンテナンスを簡単に行なうことができ
る共に、メンテナンスが終了して装置を再び使用すべく
隔離装置の通路を再形成する際、隔離装置を固定連結す
る連結手段と通路形成手段との間を気密に接続する密封
手段により該隔離装置を気密的に封止することができ
る。

具体的に述べるなら、隔離装置においては、拡散により
反応物質ガスが少量流れることと基板温度が低下するこ
とにより粉状の異方（例えばＳｉ系粉体の場合にはポリ
シラン等）の生成が生じ、狭い通路内で基板の堆積面に
付着したりすることがある。本発明によれば、このよう
な状態が生じた場合にも該状態を解消すべく迅速且つ簡
単に確実に対応（即ち、クリーニング、テンションの調
整）することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は複数個のｐ−ｉ−ｎ型セルを含み、セルの各層
が半導体合金から作られている直列光電セルの部分断面
図、 第２図は第１図に示されたセルのような光電デバイスの
連続生産に使用すべく構成された、本発明の好ましい具
体例の外部隔離モジユールを隣接チヤンバ間に組み込ん
だ多重グロー放電チヤンバ・デポジシヨン装置の線図、 第３図は本発明の好ましい一具体例の外部隔離モジユー
ルを１対のデポジシヨン・チヤンバ間に適切に配置した
形で図示する、第２図の線３−３に沿つてとつた拡大部
分断面図、 第４図は本発明の第二の具体例の外部隔離モジユールを
１対の隣接デポジシヨン・チヤンバ間に適切に配置した
形で図示する、第２図の線４−４に沿つてとつた拡大部
分断面図、 第５図は第３図に示された本発明の一具体例の外部隔離
モジユールの一部断面を含む拡大部分分解斜視図、 第６図は掃引気体が通路形成プレートのマニホールドに
導入される本発明の一具体例の外部隔離モジユールを別
のマニホールド位置を破線で示した、一部断面の拡大部
分分解断面図である。 １０……光電デバイス、２６……デポジシヨン装置、４
２……外部隔離モジユール、２８、３０、３２……デポ
ジシヨン・チヤンバ、１１……基板、５０……磁性エレ
メント、４４……通路、４４ａ……上方チヤンネル、４
４ｂ……下方チヤンネル、４６、４８……通路形成プレ
ート、４６ｃ……溝、４６ａ……段つきふち、５０……
シール、７２……チヤンバ連結パネル、７２ｂ……通路
形成プレートを受けるシヨルダ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−43413（ＪＰ，Ａ)

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】内部を基板が連続的に移動可能な複数のチ
   ャンバと、前記複数のチャンバ内を大気圧よりも低い圧
   力に保つための手段と、前記複数のチャンバのうち少な
   くとも一つのチャンバに反応物質を導入する手段と、を
   有する堆積装置に用いられ、少なくとも一対の隣接チャ
   ンバ間を前記基板が移動可能な状態で連結し前記チャン
   バの内部雰囲気と外部雰囲気とを実質的に隔離するため
   の隔離装置において、 前記隔離装置内を前記基板が通過するための通路を形成
   する通路形成手段と、 前記通路内の前記基板の裏面と対向する位置に設けられ
   た複数の溝と、 前記基板を前記複数の溝側へ押しつける手段と、 前記複数の溝と前記基板の裏面とにより形成され前記チ
   ャンバ内に連通する空間に気体を流す第１の手段と、 前記通路内の前記基板の表面と対向する壁面と該基板の
   表面とにより形成された前記チャンバ内に連通する空間
   に気体を流すための第２の手段と、 前記一対の隣接するチャンバに設けられ前記隔離装置を
   固定連結するための連結手段と前記通路形成手段とを機
   密に接続する密封手段と、を有し、 前記通路形成手段を構成する部材が、前記通路内を前記
   外部雰囲気に開放すべく取り外し可能に配設されている
   ことを特徴とする隔離装置。
2. 【請求項２】前記溝を有する部材と前記壁面を有する部
   材とが取り外し可能であることを特徴とする請求項１に
   記載の隔離装置。
3. 【請求項３】前記溝を有する部材が取り外し可能であ
   り、前記壁面を有する部材が固定されていることを特徴
   とする請求項１に記載の隔離装置。
4. 【請求項４】前記基板を前記複数の溝側へ押しつける手
   段は磁石であることを特徴とする請求項１に記載の隔離
   装置。
5. 【請求項５】前記第２の手段は気体を通路内に供給する
   手段であることを特徴とする請求項１に記載の隔離装
   置。
6. 【請求項６】前記第２の手段は気体を通路内から排気す
   る手段であることを特徴とする請求項１に記載の隔離装
   置。
7. 【請求項７】前記複数の溝は基板の移動方向と平行に設
   けられていることを特徴とする請求項１に記載の隔離装
   置。
8. 【請求項８】前記第２の手段は通路の中央より一方のチ
   ャンバ側に設けられた気体供給孔を有することを特徴と
   する請求項５に記載の隔離装置。
9. 【請求項９】内部を基板が連続的に移動可能な複数のチ
   ャンバと、前記複数のチャンバ内を大気圧よりも低い圧
   力に保つための手段と、前記複数のチャンバのうち少な
   くとも一つのチャンバに反応物質を導入する手段と、少
   なくとも一対の隣接チャンバ間を前記基板が移動可能な
   状態で連結し前記チャンバの内部雰囲気と外部雰囲気と
   を実質的に隔離するための隔離装置と、を有する堆積装
   置において、 前記隔離装置内を前記基板が通過するための通路を形成
   する通路形成手段と、 前記通路内の前記基板の裏面と対向する位置に設けられ
   た複数の溝と、 前記基板を前記複数の溝側へ押しつける手段と、 前記複数の溝と前記基板の裏面とにより形成され前記チ
   ャンバ内に連通する空間に気体を流す第１の手段と、 前記通路内の前記基板の表面と対向する壁面と該基板の
   表面とにより形成され前記チャンバ内に連通する空間に
   気体を流すための第２の手段と、 前記一対の隣接するチャンバに設けられ前記隔離装置を
   固定連結するための連結手段と前記通路形成手段とを機
   密に接続する密封手段と、を有し、 前記通路形成手段を構成する部材が、前記通路内を前記
   外部雰囲気に開放すべく取り外し可能に配設されている
   ことを特徴とする堆積装置。
10. 【請求項１０】前記溝を有する部材と前記壁面を有する
    部材とが取り外し可能であることを特徴とする請求項９
    に記載の堆積装置。
11. 【請求項１１】前記溝を有する部材が取り外し可能であ
    り、前記壁面を有する部材が固定されていることを特徴
    とする請求項９に記載の堆積装置。
12. 【請求項１２】前記基板を前記複数の溝側へ押しつける
    手段は磁石であることを特徴とする請求項９に記載の堆
    積装置。
13. 【請求項１３】前記第２の手段は気体を通路内に供給す
    る手段であることを特徴とする請求項９に記載の堆積装
    置。
14. 【請求項１４】前記第２の手段は気体を通路内から排気
    する手段であることを特徴とする請求項９に記載の堆積
    装置。
15. 【請求項１５】前記複数の溝は基板の移動方向と平行に
    設けられていることを特徴とする請求項９に記載の堆積
    装置。
16. 【請求項１６】前記第２の手段は通路の中央より一方の
    チャンバ側に設けられた気体供給孔を有することを特徴
    とする請求項１３に記載の堆積装置。