JPH0650780B2 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
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- JPH0650780B2 JPH0650780B2 JP63192013A JP19201388A JPH0650780B2 JP H0650780 B2 JPH0650780 B2 JP H0650780B2 JP 63192013 A JP63192013 A JP 63192013A JP 19201388 A JP19201388 A JP 19201388A JP H0650780 B2 JPH0650780 B2 JP H0650780B2
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- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
- H10F77/164—Polycrystalline semiconductors
- H10F77/1642—Polycrystalline semiconductors including only Group IV materials
- H10F77/1645—Polycrystalline semiconductors including only Group IV materials including microcrystalline silicon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、シリコン系太陽電池とその製造方法に関
し、さらに詳しくは、pin型太陽電池の窓側層に用いた
微結晶シリコン薄膜の材質の改良と、その窓側層の製造
方法に関するものである。
し、さらに詳しくは、pin型太陽電池の窓側層に用いた
微結晶シリコン薄膜の材質の改良と、その窓側層の製造
方法に関するものである。
［従来の技術］ 従来、シリコン系太陽電池は、アモルファスシリコン太
陽電池（以後a-Si太陽電池という）を主流として開発が
進められており、その特性上の概説として下記刊行物に
開示されたものがある。
陽電池（以後a-Si太陽電池という）を主流として開発が
進められており、その特性上の概説として下記刊行物に
開示されたものがある。
電気学会：太陽電池調査専門委員会編；太陽電池ハンド
ブック；電気学会発行（昭和60年７月30日）．p96 とくに、a-Si太陽電池のpin構造において、ヘテロ接合
セルで形成される代表的な太陽電池の構成を以下説明す
る。
ブック；電気学会発行（昭和60年７月30日）．p96 とくに、a-Si太陽電池のpin構造において、ヘテロ接合
セルで形成される代表的な太陽電池の構成を以下説明す
る。
第３図はa-SiC：Ｈ（ｐ型）／a-Si：Ｈ（ｉ型）のヘテ
ロ接合セルを窓側層としたa-Si太陽電池の構造模式図で
ある。図において、１は光（ｈν）の窓を構成するガラ
ス基板で、２はガラス基板に形成されたITOで示される
透明導電膜、３はa-SiCからなるｐ型層（窓側層）、４
はa-Siで形成されるｉ型層、５はa-Siからなるｎ型層、
６はメタル（Me）で形成された電極である。この構成は
ガラス／ITO／pin／Meという符号で示されるもので、a-
SiC層３とa-Si層４とによってヘテロ接合を形成し、光
（ｈν）の変換効率の向上をはかっている。
ロ接合セルを窓側層としたa-Si太陽電池の構造模式図で
ある。図において、１は光（ｈν）の窓を構成するガラ
ス基板で、２はガラス基板に形成されたITOで示される
透明導電膜、３はa-SiCからなるｐ型層（窓側層）、４
はa-Siで形成されるｉ型層、５はa-Siからなるｎ型層、
６はメタル（Me）で形成された電極である。この構成は
ガラス／ITO／pin／Meという符号で示されるもので、a-
SiC層３とa-Si層４とによってヘテロ接合を形成し、光
（ｈν）の変換効率の向上をはかっている。
第４図はa-Siの微結晶化層を窓側層に用いたヘテロ接合
太陽電池の構成模式図である。なお、この微結晶化層は
a-Si中に微結晶Siが点在して含まれた層で、一般にμｃ
−Siといわれているものである。図において、１，２，
４及び第３図の従来例と同一又は相当部分の符号と同一
符号で示し、説明を省略する。
太陽電池の構成模式図である。なお、この微結晶化層は
a-Si中に微結晶Siが点在して含まれた層で、一般にμｃ
−Siといわれているものである。図において、１，２，
４及び第３図の従来例と同一又は相当部分の符号と同一
符号で示し、説明を省略する。
７は窓側層を形成するｎ型の微結晶化シリコン層であ
り、以下ｎ（μｃ−Si）層と称する。そして、８はｐ型
のa-Si層であり、第４図の構成は、ガラス／ITO／ｎ
（μｃ−Si）ip／Meで表わされ、正確にはnip構造であ
る。この場合、ｎ（μｃ−Si）層７とｉ型のa-Si層４に
よってヘテロ接合を形成し、光電変換効率を向上してい
る。
り、以下ｎ（μｃ−Si）層と称する。そして、８はｐ型
のa-Si層であり、第４図の構成は、ガラス／ITO／ｎ
（μｃ−Si）ip／Meで表わされ、正確にはnip構造であ
る。この場合、ｎ（μｃ−Si）層７とｉ型のa-Si層４に
よってヘテロ接合を形成し、光電変換効率を向上してい
る。
この光電変換効率の向上については、とくに第４図の従
来例に示したヘテロ接合太陽電池においては、通常のa-
Si太陽電池に比べて開放電圧及び光電変換効率が大幅に
改善されるということが報告されている、このｎ（μｃ
−Si）膜、すなわちｎ型の微結晶化a-Si膜は一般のa-S
i：Ｈ膜に比べて吸収係数が小さく、光電導電率が高い
ことに起因するものと考えられている。
来例に示したヘテロ接合太陽電池においては、通常のa-
Si太陽電池に比べて開放電圧及び光電変換効率が大幅に
改善されるということが報告されている、このｎ（μｃ
−Si）膜、すなわちｎ型の微結晶化a-Si膜は一般のa-S
i：Ｈ膜に比べて吸収係数が小さく、光電導電率が高い
ことに起因するものと考えられている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のような従来のヘテロ接合型a-Si太
陽電池、とくに従来法によって作成されたμｃ−Si膜
は、a-Si膜中に微結晶が点在するにすぎない形態を有す
るものであるから、その光電変換効率は7.8％程度であ
り、上記文献にみられる他の方法による値（〜10％）に
比べて満足すべき値といえない。したがって、太陽電池
を形成するSi膜としてのとくにμｃ−Si膜の物性の向上
が要望されていた。
陽電池、とくに従来法によって作成されたμｃ−Si膜
は、a-Si膜中に微結晶が点在するにすぎない形態を有す
るものであるから、その光電変換効率は7.8％程度であ
り、上記文献にみられる他の方法による値（〜10％）に
比べて満足すべき値といえない。したがって、太陽電池
を形成するSi膜としてのとくにμｃ−Si膜の物性の向上
が要望されていた。
この発明はこのような要請に応ずるためになされたもの
で、μｃ−Si膜の中の微結晶体の体積率を増大させると
いうように膜体の物性を制御して光電変換効率が向上す
る太陽電池の製造方法とその電池構成を提供することを
目的とするものである。
で、μｃ−Si膜の中の微結晶体の体積率を増大させると
いうように膜体の物性を制御して光電変換効率が向上す
る太陽電池の製造方法とその電池構成を提供することを
目的とするものである。
［課題を解決するための手段］ この発明に係るpin型太陽電池は、ｐ型層及びｎ型層の
うちのいずれか一つの層で構成する窓側層を実質的に平
均粒径が100Å以下の微結晶Siのみの薄膜とするもので
ある。
うちのいずれか一つの層で構成する窓側層を実質的に平
均粒径が100Å以下の微結晶Siのみの薄膜とするもので
ある。
また、この発明に係るpin型太陽電池の製造方法は、ｐ
型層及びｎ型層のうちのいずれか一つの層を実質的に平
均粒径が100Å以下の微結晶Siのみからなる微結晶Si薄
膜で構成された窓側層として形成するもので、窓を構成
するガラス基板上に透明導電膜を形成したのち、上記ガ
ラス基板の温度を０℃以下に保持しながら、水素プラズ
マによるSiのスパッタリングを行って透明導電膜上にSi
を堆積することにより、実質的に100％に近い体積率を
有する微結晶シリコンのみの薄膜からなる窓側層を形成
するものである。
型層及びｎ型層のうちのいずれか一つの層を実質的に平
均粒径が100Å以下の微結晶Siのみからなる微結晶Si薄
膜で構成された窓側層として形成するもので、窓を構成
するガラス基板上に透明導電膜を形成したのち、上記ガ
ラス基板の温度を０℃以下に保持しながら、水素プラズ
マによるSiのスパッタリングを行って透明導電膜上にSi
を堆積することにより、実質的に100％に近い体積率を
有する微結晶シリコンのみの薄膜からなる窓側層を形成
するものである。
なお、窓側層の極性を左右するドーピングは、スパッタ
リング中に無機水素化物を導入することで達成され、例
えばｎ型微結晶Si薄膜の形成にはｐＨ３（ホスフィ
ン）、ｐ型微結晶Si薄膜の形成にはＢ２Ｈ６（ジボラ
ン）を導入する。
リング中に無機水素化物を導入することで達成され、例
えばｎ型微結晶Si薄膜の形成にはｐＨ３（ホスフィ
ン）、ｐ型微結晶Si薄膜の形成にはＢ２Ｈ６（ジボラ
ン）を導入する。
［作用］ この発明の太陽電池の製造方法においては、pin構造の
窓側層を形成する場合、ガラス基板上に形成された透明
導電膜上にガラス基板温度を０℃以下とし、水素プラズ
マのスパッタリングによりSiを堆積するから、平均粒径
が100Å以下で、かつ100％近くの体積率を有するSi微結
晶体からなるSiの微結晶膜が得られる。
窓側層を形成する場合、ガラス基板上に形成された透明
導電膜上にガラス基板温度を０℃以下とし、水素プラズ
マのスパッタリングによりSiを堆積するから、平均粒径
が100Å以下で、かつ100％近くの体積率を有するSi微結
晶体からなるSiの微結晶膜が得られる。
そして、この発明の製造方法で得られた微結晶Si膜はと
くに平均結晶粒径が100Å以下のときはバンドギャップ
幅が2.0eV位に大きくなる。さらに、この微結晶Si薄膜
は微結晶体の内部はSiであり、外部はシリコン水素化物
となって形成されており、各微結晶体はファンデルワー
ルス力でつながっているため、強固な薄膜が形成され
る。
くに平均結晶粒径が100Å以下のときはバンドギャップ
幅が2.0eV位に大きくなる。さらに、この微結晶Si薄膜
は微結晶体の内部はSiであり、外部はシリコン水素化物
となって形成されており、各微結晶体はファンデルワー
ルス力でつながっているため、強固な薄膜が形成され
る。
このような微結晶Si薄膜を窓側層として形成されたヘテ
ロ接合構造の太陽電池は大きな光電変換効率特性を有す
る。
ロ接合構造の太陽電池は大きな光電変換効率特性を有す
る。
［実施例］ 実施例１； 第１図はこの発明の一実施例を示すシリコン系太陽電池
の構造を説明する模式図である。
の構造を説明する模式図である。
図において、11は光（ｈν）の窓を構成するガラス基板
であり、12はガラス基板11の表面に形成されたITO/SnO2
の２層膜からなる透明導電膜で、窓側の電極を形成する
ものである。13は透明導電膜12上に形成され、100％に
近い体積率をもち、かつ平均粒径が100Å（オングスト
ローム）以下の微結晶Si粒子からなるｎ型微結晶Si薄膜
（ｎ型の窓側層）である。14はｉ型のa-Si：Ｈ薄膜（ｉ
型層）、15はｐ型のa-Si：Ｈ薄膜（ｐ型層）である。ｎ
型微結晶Si薄膜13，ｉ型a-Si：Ｈ薄膜14及びｐ型a-Si薄
膜15によってヘテロ接合型太陽電池のnip構造を構成
し、第１図の実施例に示す全体で太陽電池を形成してい
る。
であり、12はガラス基板11の表面に形成されたITO/SnO2
の２層膜からなる透明導電膜で、窓側の電極を形成する
ものである。13は透明導電膜12上に形成され、100％に
近い体積率をもち、かつ平均粒径が100Å（オングスト
ローム）以下の微結晶Si粒子からなるｎ型微結晶Si薄膜
（ｎ型の窓側層）である。14はｉ型のa-Si：Ｈ薄膜（ｉ
型層）、15はｐ型のa-Si：Ｈ薄膜（ｐ型層）である。ｎ
型微結晶Si薄膜13，ｉ型a-Si：Ｈ薄膜14及びｐ型a-Si薄
膜15によってヘテロ接合型太陽電池のnip構造を構成
し、第１図の実施例に示す全体で太陽電池を形成してい
る。
この太陽電池の動作については、従来のa-Si型太陽電池
の動作と同様であり、周知であるので説明は省略する。
の動作と同様であり、周知であるので説明は省略する。
第１図の実施例の太陽電池の性能を試験した結果、開放
電圧は0.95Ｖと高い値を示し、光電変換効率は13.0％と
大幅に増大し、ほぼ満足される結果が得られた。
電圧は0.95Ｖと高い値を示し、光電変換効率は13.0％と
大幅に増大し、ほぼ満足される結果が得られた。
実施例２； この発明による太陽電池の上記窓側層の形成はプラズマ
スパッタリング装置を用いて行い、その他の部分は通常
の方法によって行った。以下、はじめに、プラズマスパ
ッタリング装置の構成について説明し、ついで製造方法
について説明する。
スパッタリング装置を用いて行い、その他の部分は通常
の方法によって行った。以下、はじめに、プラズマスパ
ッタリング装置の構成について説明し、ついで製造方法
について説明する。
第２図は第１図の実施例の太陽電池を例として、太陽電
池の窓側層13の製造方法に用いたプラズマスパッタリン
グ装置の模式断面図である。図において、21は真空容器
で、図示しない真空装置に連結された排気孔31と真空容
器21の雰囲気を調整するガス導入孔22が設けられてい
る。27,29はプラズマ放電用の電極で、電極27には永久
磁石26が組込まれ、電極27の上面に半導体材料（この場
合Si）からなるターゲット25が設置されており、電極29
には太陽電池のガラス基板28が設置される。電極29には
図示しない冷却装置に連結された冷却媒体の出入孔30が
設けられている。23は電極27,29に電源を供給する高周
波電源である。なお、24は形成された水素プラズマであ
る。
池の窓側層13の製造方法に用いたプラズマスパッタリン
グ装置の模式断面図である。図において、21は真空容器
で、図示しない真空装置に連結された排気孔31と真空容
器21の雰囲気を調整するガス導入孔22が設けられてい
る。27,29はプラズマ放電用の電極で、電極27には永久
磁石26が組込まれ、電極27の上面に半導体材料（この場
合Si）からなるターゲット25が設置されており、電極29
には太陽電池のガラス基板28が設置される。電極29には
図示しない冷却装置に連結された冷却媒体の出入孔30が
設けられている。23は電極27,29に電源を供給する高周
波電源である。なお、24は形成された水素プラズマであ
る。
下表にこの実施例において上記窓側層13を形成したとき
の具体的な動作条件を挙げる。
の具体的な動作条件を挙げる。
以下、第２図のプラズマスパッタリング装置による窓側
層13の形成方法を主として、この発明による太陽電池の
製造方法を説明する。
層13の形成方法を主として、この発明による太陽電池の
製造方法を説明する。
まず、ガラス基板11（第２図では28に相当）を真空容器
21内に設置する前に、ガラス基板11上にITO/SnO2（ITO
はInとTiの酸化物）の２層膜からなる透明導電膜12を形
成する。この状態のガラス基板をガラス基板28として電
極29上に設置し、ターゲット25と対向させる。
21内に設置する前に、ガラス基板11上にITO/SnO2（ITO
はInとTiの酸化物）の２層膜からなる透明導電膜12を形
成する。この状態のガラス基板をガラス基板28として電
極29上に設置し、ターゲット25と対向させる。
ついで、窓側層13を構成するｎ型微結晶Si膜を形成する
のであるが、その手順はガス導入孔22より水素（Ｈ２）
ガスと所定量のｐＨ３ガスを導入し、真空容器21内の雰
囲気として0.5Torrのガス圧を形成したのち、電極27,29
に高周波電源23からの電圧を印加する。このときプラズ
マ24が形成されプラズマ24中の水素イオンによりターゲ
ット25を構成するSiをスパッタリングし、液体窒素を冷
却媒体の出入口孔30からの導入により液体窒素温度に冷
却されたガラス基板28上にSiの薄膜を形成して窓側層13
を形成する。この場合、冷却媒体は０℃以下に冷却され
た水であってもよい。
のであるが、その手順はガス導入孔22より水素（Ｈ２）
ガスと所定量のｐＨ３ガスを導入し、真空容器21内の雰
囲気として0.5Torrのガス圧を形成したのち、電極27,29
に高周波電源23からの電圧を印加する。このときプラズ
マ24が形成されプラズマ24中の水素イオンによりターゲ
ット25を構成するSiをスパッタリングし、液体窒素を冷
却媒体の出入口孔30からの導入により液体窒素温度に冷
却されたガラス基板28上にSiの薄膜を形成して窓側層13
を形成する。この場合、冷却媒体は０℃以下に冷却され
た水であってもよい。
形成されたSi薄膜、すなわち窓側層13を観測したとこ
ろ、平均粒径が100Å以下のSi微結晶がほぼ連続的に結
合して形成されていることがわかった。
ろ、平均粒径が100Å以下のSi微結晶がほぼ連続的に結
合して形成されていることがわかった。
ついで、この窓側層13上に通常の方法によりアモルファ
スのｉ型層であるｉ型a-Si：Ｈ膜14を形成し、さらにア
モルファスのｐ型層であるｐ型a-Si：Ｈ膜15を順次形成
してnip構造を形成した。
スのｉ型層であるｉ型a-Si：Ｈ膜14を形成し、さらにア
モルファスのｐ型層であるｐ型a-Si：Ｈ膜15を順次形成
してnip構造を形成した。
最後に通常の真空蒸着法により金属（Me）を蒸着して電
極16を形成することにより、この発明による太陽電池の
作成を完了する。
極16を形成することにより、この発明による太陽電池の
作成を完了する。
なお、上記実施例１，２においては、太陽電池のSi層を
nip構造とし、ｎ型微結晶Si膜を窓側層とする場合につ
いて説明したが、太陽電池のSi層をpin構造とし、ｐ型
微結晶Si膜を窓側層とすることも太陽電池の構成上差支
えないものである。この場合、nip構造は一般に称され
るpin構造の中に含まれるものである。また、ガラス基
板の冷却媒体としては０℃以下であればよいが、実施例
の液体窒素のほかに低温下限は液体ヘリウム温度まで実
施可能であり、微結晶媒体の形成には低温ほどよいこと
が確認されている。
nip構造とし、ｎ型微結晶Si膜を窓側層とする場合につ
いて説明したが、太陽電池のSi層をpin構造とし、ｐ型
微結晶Si膜を窓側層とすることも太陽電池の構成上差支
えないものである。この場合、nip構造は一般に称され
るpin構造の中に含まれるものである。また、ガラス基
板の冷却媒体としては０℃以下であればよいが、実施例
の液体窒素のほかに低温下限は液体ヘリウム温度まで実
施可能であり、微結晶媒体の形成には低温ほどよいこと
が確認されている。
［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明による太陽電池は、微結晶
Si膜を窓側層として有するので、通常の製法では作製さ
れた微結晶化a-Si膜（μｃ−Si）よりバンドギャップが
広くなり、アモルファスSi太陽電池の開放電圧が増大
し、かつ光電変換効率の高性能な太陽電池の開発が可能
である。
Si膜を窓側層として有するので、通常の製法では作製さ
れた微結晶化a-Si膜（μｃ−Si）よりバンドギャップが
広くなり、アモルファスSi太陽電池の開放電圧が増大
し、かつ光電変換効率の高性能な太陽電池の開発が可能
である。
また、この発明による太陽電池の製造方法は、Si膜の窓
側層形成において、基板温度を０℃以下に保持した状態
で水素プラズマによるスパッタリングを行って、ガラス
基板上にSi膜を形成するので、窓側層として100％に近
いSi微結晶からなる微結晶Si膜が形成される。このため
上記のような高性能太陽電池の供給に対する寄与が大で
ある。
側層形成において、基板温度を０℃以下に保持した状態
で水素プラズマによるスパッタリングを行って、ガラス
基板上にSi膜を形成するので、窓側層として100％に近
いSi微結晶からなる微結晶Si膜が形成される。このため
上記のような高性能太陽電池の供給に対する寄与が大で
ある。
第１図はこの発明の一実施例を示す太陽電池の構造模式
図、第２図はこの発明の太陽電池の製造工程中に用いた
プラズマスパッタリング装置の模式断面図、第３図は従
来のa-Si太陽電池のヘテロ接合セルの模式図、第４図は
従来のa-Si太陽電池に微結晶化Si膜を用いたヘテロ接合
セルの模式図である。 図において、11はガラス基板、12は透明導電膜、13はｎ
型微結晶Si膜、14はｉ型のa-Si膜、15はｐ型のa-Si膜、
16は電極、21は真空容器、22はガス導入孔、23は高周波
電源、24は水素プラズマ、25はターゲット、26は永久磁
石、27は電極、28はガラス基板、29は電極、30は冷却媒
体の出入孔、31は排気孔である。
図、第２図はこの発明の太陽電池の製造工程中に用いた
プラズマスパッタリング装置の模式断面図、第３図は従
来のa-Si太陽電池のヘテロ接合セルの模式図、第４図は
従来のa-Si太陽電池に微結晶化Si膜を用いたヘテロ接合
セルの模式図である。 図において、11はガラス基板、12は透明導電膜、13はｎ
型微結晶Si膜、14はｉ型のa-Si膜、15はｐ型のa-Si膜、
16は電極、21は真空容器、22はガス導入孔、23は高周波
電源、24は水素プラズマ、25はターゲット、26は永久磁
石、27は電極、28はガラス基板、29は電極、30は冷却媒
体の出入孔、31は排気孔である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−117687（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−67280（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】ｐ型層，ｉ型層及びｎ型層のpin構造を有
する太陽電池において、 上記ｐ型層及びｎ型層のうちのいずれか１つの層を窓側
層とし、この窓側層が実質的に平均粒径100Å以下の微
結晶シリコンのみからなる微結晶シリコン膜であること
を特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】ｐ型層，ｉ型層及びｎ型層のpin構造を有
し、上記ｐ型層及びｎ型層のうちのいずれか１つの層を
実質的に平均粒径100Å以下の微結晶シリコンのみから
なる微結晶シリコン膜で構成された窓側層とする太陽電
池の製造方法において、 窓を構成するガラス基板上に透明導電膜を形成したの
ち、上記ガラス基板温度を０℃以下に保ち、水素プラズ
マによるスパッタリングを行って上記透明導電膜上にシ
リコンを堆積して上記窓側層を形成することを特徴とす
る太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192013A JPH0650780B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192013A JPH0650780B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242765A JPH0242765A (ja) | 1990-02-13 |
| JPH0650780B2 true JPH0650780B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=16284153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63192013A Expired - Lifetime JPH0650780B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650780B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210050A (en) | 1990-10-15 | 1993-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor film |
| US6362097B1 (en) * | 1998-07-14 | 2002-03-26 | Applied Komatsu Technlology, Inc. | Collimated sputtering of semiconductor and other films |
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| JP2004335733A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜太陽電池 |
| JP2004356163A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | シリコン系薄膜及び光電変換素子、並びにシリコン系薄膜の製造方法 |
| JP2009076743A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Nissin Electric Co Ltd | 光起電力素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187971A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar cell |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63192013A patent/JPH0650780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0242765A (ja) | 1990-02-13 |
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