JPH06509444A - アンチヒューズ構造体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、集積回路に関し、更に詳しくは、フィールド・プログラマブル・ゲー トアレイ、プログラマブル・リード・オンリー・メモリー（ＦＲＯＭ）等のため のアンチヒユーズ構造体に関する。

背ｉ技術 フィールドプログラマブル譬ゲートアレイは、ＡＮＤゲートやＯＲゲート等の多 くの論Ｗａｒを備えており、これらの論理素子は、ヒユーズあるいはアンチヒユ ーズにより選択的に接続されることによってユーザーが設８１シた機能を発揮す る。ブログラノ、されていないヒユーズやゲートアレイは、そのデバイス内部に 組み込まれたヒユーズを選択的に飛ばすことによってプログラムされ、一方、プ ログラムされていないアンチヒユーズ型ゲートアレイは、選択したアンチヒユー ズを導電性に変えることによってプログラムされる。

ＰＲＯＭには多くのＦｌｌ！ｖ！があり、例えば、標！的な一度だけ書き込み可 能なＰＲＯＭ、消ノ２　ｉｊＪ　ｌｉｔヤプログラマブル・リード・オンリー・ メモリー（ＥＦＲＯＭ）、電気的消去１能やプログラマブルやリード拳オンリー ーメモリー（ＥＥＰＲＯＭ）等がある。ＦＲＯＭは、通常、行列状に配置された メモリセルアレイであって、ユーザーデータを格納するようにプログラムされる メモリセルアレイを備えている＋　典型的なＦＲＯＭはヒユーズ〒のデバイスで ある。

−７ｒ−ルトブｒｙグラマプル・ゲートアレイやＦＲＯＭ等に用いられる典型的 なヒユーズは、チタ、・−タングステ＞（ＴｉＷ）合金から形成されており、小 幅の中・Ｌ１不・りと幅広い端部とをイ［する蝶ネクタイの形状をｆ丁シている 。典型的な大入へのヒユーズにおいて、ネックの幅は約２ミクロンであり、端部 の幅は約６ミクロ、／である。充分に高い電圧（通常はトボルトのオーダーの直 流電圧）がヒユーズ′に印加されると、ヒユーズを流れる電流がヒユーズを加熱 して、最終的にはそのネ一７りの部分でヒユーズを溶かしてしまい、ヒユーズを 「飛ばす」ことになる。

アンチヒユーズは、元々は高い抵抗値を有しているが、プログラミング電圧を印 加することによって低抵抗材料に変換されるような材料で形成される。例えば、 ＦＢ１メガオームｃｍの固有抵抗値を有するアモルファスシリコンを、約１〜２ ギガオームの抵抗を有する１ミクロン幅のリンク路に成形する。これらのリンク 路は、１０〜１２ボルトの範囲の直流のプログラミング電圧を印加すると溶融し て再結晶し、２ｏＯオ一ム未満の抵抗値を宵するリンク路を形成することができ る。

これらの低抵抗値のリンク路は、ゲートアレイがユーザー指定の機能を実行した り、ＰＲＯＭの記憶セルとして機能したりするように、フィールドプログラマブ ル・ゲートアレイの論理素子を相互に接続することができる。

電子デバイスにおいては、アンチヒユーズに比べて製造が容易であり、かつ、信 頼性が高いことから、今日ではヒユーズが主に用いられている。アンチヒユーズ には、アンチヒユーズ構造の破損につながる可能性のある「カスプ」と呼ばれる ヒダーンワなどの欠陥を含み易いという問題があった。不幸にもデバイスの中に 一つでも不良のヒユーズやアンチヒユーズがあると、それがデバイス全体の欠陥 につながる場合が多い。

また、アンチヒユーズを製造する場合の問題点として、典型的なアンチヒユ−ズ 材料であるアモルファスシリコンがかなり鋭敏であることが挙げられる。例えば 、アモルファスシリコンにアルミニウムを接触させると、アルミニウムがシリコ ン内部に拡散して、アンチヒユーズ構造がプログラムされていないにも係わらず プログラムされているように見える程度にまで、シリコンの抵抗値を低下させる ことが知られている。また、堆積したアモルファスシリコンが、その後のエツチ ングや堆積工程によって劣化して、機能デバイスの歩留りが低下するという可能 性もある。

さらに、従来のアンチヒユーズ構造は、前述の問題点に起因してかなり広い範囲 のプログラミング電圧を有する傾向にあるという欠点も育している。例えば、従 来では、行列状に配列されたアンチヒユーズ構造体の一部が８．５ボルト程度の 低い直流電圧でプログラムされる場合があり、また、他のアンチヒユーズ構造体 では１１ボルト程度の高いプログラム電圧が必買である場合もある。このように プログラミング電圧が広い範囲に分布することは、アンチヒユーズアレイのため の適切なプログラミノブパラメータを決定する上での複雑性を増大させる。

アンチヒユーズ構造体はヒユーズに比較して製造が困難であり、信頼性にも劣る という問題占があるが、その一方で、サイズが小さいという非常に好ましい６製 のヒユーズを用いる場合、典型的な一つのデバイスには約４千個のヒユーズを設 けることができる。一方、１または１．２ミクロンの直径のアンチヒユーズ路を 用いる１ａｉｎには、一つのデバイスに８万〜１０万個のアンチヒユーズを設け ることがｉｉＪ能である。このため、アンチヒユーズを用いることによって、デ バイス内において非常に多くの相互接続が可能になり、ヒユーズ技術を用いたデ バイスよりもはるかに多くの情報を格納することが可能になる。

発明の開示 本発明は、非常に（３頼性が高く、標準的なプロセスで容易に製造可能なアンチ ヒ，ーズＷ４ｍ体を堤供する。この結果、従来の一般的なヒユーズではなくアン チヒユーズを用いて、強力で信頼性の高いフィールドプログラマブル豐アレイや ＰＲＯＭ等のデバイスを製造することが可能である。

このアンチヒユーズ構造体は、基板と、前記基板上に形成され、前記基板まで達 する開［１部を有する絶縁層と、前記基板に接触するように前記開口部内に堆積 され前記開１１部の輪郭に整合するアンチヒユーズ材と、前記アンチヒユーズ材 の１、、に堆積されて前記アンチヒユーズ材の輪郭に整合し、境界面で互いに接 合する側壁部と基底部とを有する凹部を形成する導電性保護層と、前記保護層内 の前記四部の前記側壁部に設けられたスペーサと、を備える。前記スペーサは、 保護層に存在するカスブを覆って、前記基底部の厚肉の中央領域のみがプログラ ミング電圧に曝されるようにする。

前記アンチヒユーズ材としてはアモルファスシリコンが選択され、また、前記４ 電性保護胸としては、アモルファスノリコン内部に有意な程度には拡散しないチ タ／−タングステン合や（Ｔ　ｉ　Ｗ）を用いることが好ましい。また、前記絶 縁―及びスペーサは二酸化ケイ素を含むことが好ましい。

アンチヒユーズ構造体のｌ？Ｍ法は、基板表面を準備する工程と、前記基板表面 上に絶縁層を形成する工程と、前記基板表面まで達する開口部を前記絶縁層に形 成する工程と、前記開口部の輪郭に整合するようにアンチヒユーズ材を前記開口 部内に堆積させる工程と、前記アンチヒユーズ材の輪郭に整合し、境界面で互い に接合する側壁部と基底部とを有する凹部を形成するように、前記アンチヒユー ズ材の上に導電性保護材を堆積させる工程と、前記保護材の前記側壁部と前記基 底部との間の前記境界を実質的に覆うように、前記凹部内にスペーサを形成する 工程と、を備える。前記基板表面は、支持表面上に導電性基板材を堆積させ、前 記４電性基板材をパターン成形することによって形成することが好ましい。

本発明の方法は、更に、前記アンチヒユーズ構造体の位置をマスクして、余分な スペーサ材料をエツチングで除去することにより、前記アンチヒユーズ構造体以 外の部分からスペーサ材料を除去する工程を備える。

本発明のスペーサは、アンチヒユーズ構造体の破損を実質的に減少させ、その結 果、所定の半導体ウェハにおける機能性デバイスの歩留まりを大幅に向上させる 。本発明の方法は、さらに、余分なスペーサ材料を取り除くことによって歩留ま りを増加させることができ、かつ、標準的なプロセス工程で実現可能であるとい う６ スペーサはアンチヒユーズ材の薄い部分を覆うので、プログラミング電圧は、ア ンチヒユーズ材の中央厚内部に一貫して印加される。この結果、アンチヒユーズ アレイに対するプログラミング電圧の範囲がすうと狭（なる。

本発明の１記や他の６屯は、以下の本発明の詳細な説明並びにそれに伴う図面に 基づき、より−制用らかになるであろう。

図面の簡単な説明 図１は、アンチヒユーズ・アレイの概略図である。

図２は、本発明のプロセスを示すフローチャートである。

図３ａ−３ｈは、図２に示すプロセスに従ってアンチヒユーズ構造体を製造する ［程を示す図である。

図４は、図３のｗＡ４で囲まれたアンチヒユーズ・メモリー構造を示す拡大図で ある。

発明の最適な実施例 図１は、行Ｒ及び列Ｃに配列されたアンチヒユーズ構造体１２のアレイ１０を示 ス。ロウ・デコーダ（行デコーダ）１４は、ロウ・アドレスバス（行アドレスバ ス）＋６に連結される入力部を有し、更に、多（のロウ線１８を介して行ＲにＩ Ｉ続されている。同様に、カラム・デコーダ（列デコーダ）２０は、カラム・ア ドレスバス（列アドレスバス）２２に連結される入力部を有し、多くのカラム線 ２４を介して列Ｃに接続されている。フィールドプログラマブル・ゲートアレイ においては、アンチヒユーズ構造体１２はゲートアレイの論理素子の間に接続さ れており、また、ＦＲＯＭにおいては、アンチヒユーズ構造体１２はビット線と フード線に接続されて、それらの論理状態を読み出すことができるようになって いる。

最初は、アレイ１０はプログラムされていない状態、即ち、それぞれのアンチヒ ユーズ構造体１２が高抵抗の状態にある。アレイｌＯのプログラムは、ロウ・デ コーダ１４にロウアドレス（行番地）を割り当ててロウ線１８の１つを選択し、 また、カラム・デコーダ２０にカラムアドレス（列番地）を割り当ててカラム線 ２４の１つを選択することによって行なわれる。その結果、ロウ線とカラム線と の交点に配置されるアンチヒユーズ構造体１２が、永久的に、かつ、不可逆的に 低抵抗状聾にプログラムされる。このようにして、個々のアンチヒユーズ構造体 １２を次々とプログラミングすることにより、アレイ１０全体をプログラムする ことができる。

図２はＮ改良されたアンチヒユーズ構造体を製造する基本工程２６を示す。まず 、第１の工程２８で、アンチヒユーズ構造体用の基板を用意する。この基板には 、通常、ロウ線１８あるいはカラム線２４のいずれかを含む導電性ラインを備え ている。工程３０では、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）層等の絶縁層を基板上に形成 する。次の工程３２及び３４では、絶縁層に開口部を形成し、アンチヒユーズ材 を開口部内に堆積させる。アンチヒユーズ材は、開口部の輪郭に整合する傾向に ある０次の工程３５では、導電性保護材がアンチヒユーズ材の上に整合的に堆積 されて四部を形成するが、この凹部には、その側壁部と基底部との間の境界にカ スブが形成されることがある。最後に、保護材の境界領域を覆うように、アンチ ヒユーズ材の凹部の側壁部に沿って、スペーサを形成する。このように導電性保 護材の境界領域を覆うことにより、アレイ１０の信頼性及び歩留まりを大幅に向 上させることができる。さらに、プログラミング電圧が、カスブのある薄い領域 でなく、より厚みのあるアンチヒユーズ材の中央基底部に印加されるように構成 しているので、アレイ１０のプログラミング電圧の範囲はずっと狭くなっている 。

図３ａ〜３ｈは、上述したプロセス２６の工程に従って製造される中間体構造を 順次に示すものである。図３ａにおいては、半導体ウェハの絶縁層４ｏ上に金属 ｌ１１３８が堆積される。絶縁層４０は、好ましくは、６ないし８インチの直径 のＹ導体級ノリコノウェハ上に形成された二酸化ケイ素層である。また、金属屑 ３８は、Ｎ３９ａ．３９ｂ．３９ｃを含む３屑の金属サンドイッチ構造を有する ことが好ましい。屑３９ａは、好ましくは２２ニア８の割合のＴｉＷ合金がら成 る２０００オ／ゲストロームの厚さの屑であり、障壁層としての役割を果たす。

また、Ｉ’ｊ１３９ｂは、杆ましくは９９：１の割合のアルミニウムー飼合金か ら成る厚さ４０００オ／ゲストロームの屑である。屑３９ｃは、好ましくは非反 射被覆層として機能し、電界拡散（エレクトロマイブレーン１ン）の抑制に寄与 する８。

Ｏす／ゲストロームの厚さのＴｉＷ屑である。

複合金属屑３８は、スパッタ堆積システムを用いて堆積させることが好ましく、 このようなシステムは、カリフォルニア州パロアルトのパリアン（Ｖａｒｉａｎ ）　社、カリフ寸ルニア州す／タクララのアプライド・マテリアルズ（Ａｐｐｌ ｉｅｄ　ｌ１ｌｓｔｅｒｉａｌＳ）社等から市販されている。金ｍ層３８は、そ の後、フォトリソグラフィープロセスでパターン成形されて相互接続配線を形成 する。

フォトリップラフイープロセスは、当業者に周知のものであり、金属屑３８にレ ノストを塗布し、接触リソグラフィーシステムあるいはステブパーリソグラフィ ーシステムによってレジストを露光し、レノストを現像してマスクを形成し、１ 、述の７プライド・マテリアルズ社等から市販されているプラズマエツチングシ ステムを用いて金属屑３８をエツチングする工程を含んでいる。本明細書で用い られている「パター７成形」という言葉は、屑の上にマスクを形成し、マスクを 介して肩をエツチングして、その後、マスクを取り除くことを意味する。

次に、約１ミクロ／の厚さの絶縁層４２を、エツチングされた金属層３８上に堆 積させる。絶縁Ｎ４４２は、典型的には二酸化ケイ素からなり、好ましくは、カ リフールニア州サンノゼのノベラス（Ｎｏｖｅｌｌｕｓ）社やアプライド・マテ リアルズ社等から市販されている化’？Ｍ着システムを用いて形成される。その 後、絶縁層４２４、に導電Ｉｌ！１４４が形成される。導電層４４は、好ましく は約２０００オングストロームの厚さのＴｉＷ屑である。このチタン−タングス テン（ＴｉＷ）層は、アルミニウムと異なり、ノリコン内部に有意な程度まで拡 散せず、また、表面が非常に漕らかであるという利つを何している。続いて、導 電層４４にパターン成形を行って、図１に示すロウ＄１１８を形成する。図３８ の構造は、プロセス２６のｒ′、ｒＩ２８、即ち、アンチヒユーズ構造体用の基 板表面を準備する工程が終了した状態を示している。

次に、図３ｂに示すように、図３８の構造の表面上に、絶縁層４６が形成される 。絶１１１ｆ１４Ｂも、好ましくは二酸化ケイ素からなり、約３０００オングス トロームの厚さにｌ１ｌｉｌｌされる。次のパターン成形工程では、ロウ線１８ に達する開口部４８と１通孔（ヴイアホール）５０を絶縁層４６に形成する。図 ３ｂの構造は、プロセス２６のＩ、稈３０及び３２が終了した状態を示している 。

図３ｃに小すように、図３ｂの構造体の上、および、開口部４８と貫通孔５０の 内部に、アンチヒユーズ材５２の屑を堆積させる。この堆積プロセスは実質的に 整合的に行なわれるので、アンチヒユーズ材５２は、開口部４８の輪郭に沿って 堆積されて、側壁部５６ａと基底部５８ａとをａする凹部を形成する。アンチヒ ユーズ材５２としては、アプライド・マテリアルズ社から市販されているプリツ ノＷノ！５ｏｏｏｃｖＩ）　（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ　５０００　ＣＶＤ）システ ム等のプラズマ化学蒸着ｆＰＥｃＶＤ）　／ステムを用いて比較的低温で堆積さ れたアモルファスシリコンが好ましい。これまでに説明したＩｙＪ３ｃの構造は 、プロセス２６の工Ｆ１．３４が終ｒした状態を小している。

次に、■稈３５では、アンチヒユーズ（イ５２の上に保護導電材５９の層を堆積 させる。この保Ｊ！ｔｉｌｌ電材５９は、好ましくはＴｉＷであり、その後のエ ツチングやｌ［のｒ程からアンチヒユーズ材５２を保護する。このＴｉＷは、さ らに好ましくは、チタン２２％−タングステン７８％の合金であり、市販のスパ ッタ堆積装置によって８００オングストロームの深さに堆積される。ＴｉＷは、 アモルファスノリコン内に有意な程度に拡散しないので、引き続いて形成される アルミニウム製の接続配線からアンチヒユーズ材を保護する機能も有する。この 堆積工程もまた、保護導電材５９がアンチヒユーズ材５２の輪郭に沿って、側壁 部５８ｂと基底５８ｂとを有する凹部を形成するように、実質的に整合的に行な われる。

更に、図３ｃに示すように、導電材５９の上に、約２０００オングストロームの 厚さの絶ＭＩＦ１６０を堆積する。この絶縁層も、二酸化ケイ素で形成すること が好ましい。次に、図３ｄに示すように、絶縁層６０に異方性エツチングを施し 、構造体の鉛直面に接する二酸化ケイ素スペーサ６４と、余分の材料６Ｂ、６８ のみを残して、これ以外の絶縁層を除去する。これによりプロセス２６のスペー サを形成する上程３６が達成される。

スペーサ６４を形成した後、構造体の上に）寸トレジストのマスク７０を形成す る。図３ｅに示すように、フォトレンストマスク７０で覆われた部分と余分の材 ｎ６６．６８で覆われた部分を除−１で、保護材５９とアンチヒユーズ材５２と がエツチングで除去される。あるいは、１０：１強度のフッ化水素酸（ＨＦ）溶 液で構造体をウェットＯエツチングして、余分の材料６６．６８を先に除去して もよい。ウェット・エツチングは本来等方性であり、構造体の鉛直面から二酸化 ケイ素の大部分が取り除かれる。このように余分の材料を除去することにより、 製品の信頼性を高めることができる。

アンチヒユーズ材５２をエツチングする前に余分の材料６６．６８をウェット・ ニーｌチングにより除去する場合には、図３ｆに示すように、はとんど全てのア ンチヒユーズ材が除去される。しかし、次に行なう金属の段差被覆（ステブプカ バレフノ）を容易にするために、構造体の鉛直面に接するコーナーにわずかなア ンチヒユーズ材を残すことが好ましい場合もある。このような場合には、余分の Ｉ４料をウェット・エツチングして除去した後、残余アンチヒユーズ材７２．７ ４を残すようにアンチヒユーズ材をエツチングする。次に、パターン成形を行い 、１１４６．４２に金属層３８まで達する貫通孔７６を形成した後、マスク層を 取り除く。

次に、図３ｇに示すように、導電層のにに金属層８０を堆積する。金属屑８０は 、好ましくは、２２００オングストロームの厚さのＴｉＷの下層と、８５００す ／ゲストロームの厚さのアルミニウムの中間層と、８００オングストロームのＦ ＩさのＴｉＷの１層とで構成される３層サントイブチ構造を育している。このよ うな構造体［、に、更に、マスキング層８２が形成される。

次に、図３ｈに示すように、マスキング層８２を通して金属層８０をエツチング した後、このマスキング層を除去する。金属屑８０の一部分８０ａは、ロウ線１ ８と金属ＩＦ１３８を電気的に接続するための接続配線８４を構成する。また、 金属−８０の別の部分８０ｂは、図１に示すアレイ１０のカラム線２４を構成す る。

従って、この図に示される構造体は、１本のロウ線１８と１本のカラム線２４の 接合・′１に形成された１つのアンチヒユーズ構造体１２を示している。

本発−１のアンチヒユーズ構造体１２は、既存のプロセスに可能な限り適合する よ＾に、絶縁体４２）−に形成される。金属屑３８は、はとんど全ての場合、ア ルミニ・ラムあるいはアルミニウム合金から形成され、ノリコン肩の表面上に形 成される様々なＹバイスを相１ｉに接続する役割を果たすものであるが、上述し たようなアルミニウム拡散の問題があるので、アンチヒユーズ構造体を金属層上 に直接形成することは得策とはいえない。アンチヒユーズ構造体１２を絶縁層４ ２上に形成することにより、金ｆｉｌｌ１１４２や金属層４２の下方の回路から アンチヒユーズ構造体を分層さゼることができる。また、アンチヒユーズ構造体 を絶縁層４２上に形成するプロセスは、金１１１Ｍ４２を形成するプロセスとは 完全に独立した付加的、モノニール的なプロセスである。

図４は、図３　ｈにおいて１７ｓ４で囲まれた部分の拡大図であり、本発明のア ／チー１−ズ＋Ｒ造体１２の詳細をｉＩりす図である。ロウ線１８は、絶縁層４ ２の上に配置されている。アンチヒユーズ材５２は、絶縁層４６の開口部４８内 に整合的にＨＥＭして凹部を形成している。この堆積プロセスのために、アンチ ヒユーズ材５２は、側壁部５６ａと基底部５８ａとの間の境界にカスブを有して いる。導電性保護＋４５９は、アンチヒユーズ材の凹部内に整合的に堆積して凹 部５４を形成している。この保護材５９もまた、側壁部５６ｂと基底部５８ｂと の間の境界８６にカスブを有している。二酸化ケイ素スペーサは、側壁部５８ｂ に密着しており、また保護材５９の基底部５８ｂの一部と境界８６とを覆ってい る。金属層８０の一部分８０ｂはカラム線２４を構成する。

このアンチヒユーズ構造体１２は、当初は１〜２ギガオームのオーダーの非常に 高い抵抗値を有している。ロウ線１８とカラム線２４との間に約１０〜１２ボル トのプログラミング電圧が印加されると、基底部５８ａのアモルファスシリコ／ が溶融し、この高電圧の印加が停止すると、溶融したシリコンが結晶化する。

この溶融や結晶化プロセスの後では、アンチヒユーズ構造体１２の抵抗値は！５ ０オームのオーダーまで下がる。このように、アンチヒユーズ構造体に関連する ロウ線とカラム線との間にプログラミング電圧をかけることにより、そのアンチ ヒユーズ構造体＋２を恒久的にプログラムすることができる。フィールドプログ ラマブルｅゲートアレイに用いられる場合には、導電性のアンチヒユーズは、選 択された論理ゲート同士を接続してユーザーが設計した機能を実現する。また、 ＰＲＯＭのメモリセルに用いられた場合には、高抵抗のアンチヒユーズが第１の 論理状顎を表わし、また、低抵抗のアンチヒユーズが第２の論理状態を表わす。

本発明のＷ４造がスペーサ６４を備えない場合には、経路Ｐ等の低抵抗経路がロ ウ１１１８とカラムｌ！２４との間に形成される可能性がある。このような低抵 抗経路があると、未プログラム状態のアンチヒユーズ構造体１２がプログラム済 みのアンチヒユーズ構造体として誤読される恐れがあり、アレイ１０の信頼性を 低下させる。また、カスブのある境界８６が本発明のスペーサ６４で覆われない 場合には、プログラミング電圧レベル以下の電圧で、経路Ｐに沿って薄いアンチ ヒユーズ材が溶融し、再結晶する可能性がある。スペーサ６４を用いることによ って、カラム１１２４とアンチヒユーズ材５２の基底部５８ａとを、基底部５８ ａの中央厚肉部で接触させることができる。従って、スペーサ６４を加えること によって、アンチヒユーズ構造体アレイ１０の信頼性を飛躍的に高めることがで き、アレイのプログラミング電圧の範囲を狭くすることができる。

以上、本発明を好適な実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定 されるものではなく、様々な変更・変形が可能である。従って、以下に記載する クレームは、本発明の要旨を超えない範囲のこのような変形１変更をも含むもの である。

ＦＩＧ、　２ ＦＩＧ、３ａ ＦＩＧ、３ｂ ＦＩＧ、　３ｃ ＦＩＧ、３６ ＦＩＧ、３ｅ ＦＩＧ、　３ｆ ＦＩＧ、３ｈ 補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の８）

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. １．アンチヒューズ構造体であって、 基板手段（１８）と、 前記基板手段上に刑成きれ、前記基板手段まで連する開口部（４８）を有する絶 縁手段（４６）と、 前記基板手段に接触するように前記開口部内に配置され、前記開口部の輪郭整合 的に設けられてアンチヒューズ材凹部を形成するアンチヒューズ材（５２）と、 前記アンチヒューズ材を覆い、境界で互いに接合する側壁部と基底部とを有する 保護材凹部を形成するように、前記アンチヒューズ材凹部の輪郭に整合的に設け られた導電性保護材（５９）と、 前記保護材凹部内に配置されて、前記側壁部と前記基底部との間の前記境界を実 質的に覆うスペーサ手段（６４）と、を備えるアンチヒューズ構造体。
2. ２．請求項１記載のアンチヒューズ構造体であって、前記スペーサ手段は、前記 側壁部を実質的に覆うとともに、前記基底部を完全には覆わない絶縁体を備える アンチヒューズ構造体。
3. ３．請求項２記載のアンチヒューズ構造体であって、前記基板手段は第１導電ラ イン（１８）を備えるアンチヒューズ構造体。
4. ４．請求項３記載のアンチヒューズ構造体であって、更に、前記保護材と前記ス ペーサ手段との上に形成された第２導電ライン（２４）を備えるアンチヒューズ 構造体。
5. ５．請求項４記載のアンチヒューズ構造体であって、前記アンチヒューズ材は比 較的高い抵抗値を存するアモルファスシリコンを含み、前記アモルファスシリコ ンは、前記第１導電ラインと前記第２導電ラインとの間にプログラミング電圧を 加えて前記アンチヒューズ材内部に電流を通すことにより、比較的低い抵抗値を 有する結晶性シリコンに変換される材料であり、前記保護材は、チタンとタング ステンの合金を含むアンチヒューズ構造体。
6. ６．請求項５記載のアンチヒューズ構造体であって、前記第２導電ライン及び前 記第１導電ラインはタングステンを含むアンチヒューズ構造体。
7. ７．請求項６記載のアンチヒューズ構造体であって、前記第１導電ラインと前記 第２導電ラインとが、チタンとタングステンの合金から形成される層を備えるア ンチヒューズ構造体。
8. ８．請求項７記載のアンチヒューズ構造体であって、前記第２導電ラインが、更 に、アルミニウム層を備えるアンチヒューズ構造体。
9. ９．請求項５記載のアンチヒューズ構造体であって、前記基板手段は、前記第１ 導電ラインの下に設けられた絶縁基板層（４２）と、前記絶縁層の下に設けられ た第３導電ライン（３８）とを備えるアンチヒューズ構造体。
10. １０．請求項９記載のアンチヒューズ構造体であって、前記絶縁層は貫通孔（７ ６）を備え、 前記アンチヒューズ構造体が更に、前記貫通孔を介して前記第１導電ラインを前 記第３導電ラインに接続する導電性接続手段（８４）を備えるアンチヒューズ構 造体。
11. １１．アンチヒューズ構造体の製造方法であって、基板表面（１８）を準備する 工程と、 前記基板表面上に絶縁層（４６）を形成する工程と、前記基板表面まで連する開 口部（４８）を前記絶縁層に刑成する工程と、前記開口部の輪郭に整合し、アン チヒューズ材凹部を形成するように、前記開口部内にアンチヒューズ材（５２） を堆積させる工程と、前記アンチヒューズ材の輪郭に整合し、境界で互いに接合 する側壁部と基底部とを存する保護材凹部を形成するように、前記アンチヒュー ズ材の上に導電性保護材（５９）を堆積させる工程と、 前記保護材の前記凹部内に、前記側壁部と前記基底部との間の前記境界を実質的 に覆うように、スペーサ（６４）を形成する工程と、を備えるアンチヒューズ構 造体の製造方法。
12. １２．請求項１１記載のアンチヒューズ構造体の製造方法であって、基板表面を 準備する前記工程は、 支持面上に導電性基板（４４）を堆積させる工程と、前記導電性基板材にパター ン成刑を行なう工程と、を備えるアンチヒューズ構造体の製造方法。
13. １３．請求項１１記載のアンチヒューズ構造体の製造方法であって、前記保護材 凹部内にスペーサを形成する前記工程は、前記保護材上に絶縁スペーサ材（６０ ）を堆積させる工程と、前基絶縁スペーサ材をエッチングして前記スペーサを残 す工程と、を備えるアンチヒューズ構造体の製造方法。
14. １４．アンチヒューズ構造体のアレイを製造する方法であって、基板表面（１８ ）を準備する工程と、 前記基板表面上に酸化物層（４６）を堆積させる工程と、前記酸化物層をエッチ ングして、前記基板表面まで達する複数の開口部（４８）を前記酸化物層に刑成 する工程と、 前記複数の開口部の輪郭に整合し、複数のアモルファスシリコン凹部を形成する ように、前記複数の開口部内にアモルファスシリコン（５２）を堆積させる工程 と、 前記アモルファスシリコン凹部の輪郭に整合し、境界で互いに接合する側壁部と 基底部とを有する複数の保護材凹部を形成するように、タングステンを含む導電 性保護材（５９）を前記アモルファスシリコンの上に堆積させる工程と、前記保 護材凹部内に、各保護材凹部の前記側壁部と前記基底部との間の前記境界を実質 的に覆うように、酸化物スペーサ（６４）を形成する工程と、を備えるアンチヒ ューズ構造体アレイの製造方法。
15. １５．請求項１４記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、基板 表面を準備する前記工程は、 支持面上に導電性基板材（４４）を堆積させる工程と、前基導電性基板材にパタ ーン成刑を行なう工程と、を備えるアンチヒューズ構造体アレイの製造方法。
16. １６．請求項１５記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、前記 導電性基板材が複数の第１アンチヒューズ構造体に電気的に接続されるアンチヒ ューズ構造体アレイの製造方法。
17. １７．請求項１４記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、前記 保護材はチタンとタングステンの合金を含むアンチヒューズ構造体アレイの製造 方法。
18. １８．請求項１４記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、基板 表面を準備する前記工程は、 支持面上に第１の導電材（３８）を堆積させる工程と、前記第１の導電材にパタ ーン成形を行なう工程と、前記第１の導電材上に絶縁材（４２）を堆積させる工 程と、前記絶縁材上に第２の導電材（４４）を堆積させる工程と、前記第２の導 電材にパターン成形を行なう工程と、を備えるアンチヒューズ構造体アレイの製 造方法。
19. １９．請求項１８記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、前記 第１の導電材がアルミニウムを含み、前記第２の導電材がチタンとタングステン との合金を含心アンチヒューズ構造体アレイの製造方法。
20. ２０．請求項１８記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、前記 第２の導電材が複数の第１アンチヒューズ構造体に電気的に接続されるアンチヒ ューズ構造体アレイの製造方法。
21. ２１．請求項２０記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、更に 、 前記絶縁材に貫通孔（５０）を刑成する工程と、前記貫通孔を介して、前記第１ の導電材を前記第２の導電材に電気的に接続させる工程と、 を備えるアンチヒューズ構造体アレイの製造方法。
22. ２２．請求項１４記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、前記 酸化物スペーサを形成する工程は、前記保護材凹部の輪郭に実質的に整合するよ うに、前記凹部内に酸化物（６０）を堆積させる工程と、 前記酸化物をエッチングすることによって、前記側壁スペーサを形成する工程と 、 を備えるアンチヒューズ構造体アレイの整造方法。
23. ２３．請求項２２記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、前記 酸化物スペーサを形成する工程は、更に、前記保護材凹部内の前記側壁スペーサ をマスク（７０）する工程と、前記保護材凹部の外側の残存酸化物（６８，６８ ）をエッチングする工程と、を備えるアンチヒューズ構造体アレイの製造方法。
24. ２４．請求項２３記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、前記 残余酸化物をエッチングする工程が、フッ化水素酸を含む溶液に前記残余酸化物 を接触させる工程を備えるアンチヒューズ構造体アレイの製造方法。
25. ２５．請求項１６記載のアンチヒューズ構造体アレイの製造方法であって、更に 、 前記保護材と前記酸化物スペーサの上に導電性接続材（８０）を堆積させる工程 と、 前記導電性接続材にバクーン成形を行うことによって、直線的に配置されている 前記第１の複数のアンチヒューズ構造体と１つのアンチヒューズ構造体を共有す る第２の複数のアンチヒューズ構造体に、前記導電性接続材を電気的に接続させ る工程と、 を備えるアンチヒューズ構造体アレイの製造方法。