JPH0651011A - 薄膜トランジスタ液晶基板検査方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】薄膜トランジスタ液晶基板上に存在している種
々の短絡欠陥を高感度に、しかも基板に非接触にして、
速やかに検出可能な薄膜トランジスタ液晶基板検査方法
とその装置を供する。 【構成】薄膜トランジスタ液晶基板３０における複数の
走査線および信号線を何れも一方の端子側で電気的に共
通に接続した上、該走査線・信号線間に電圧を印加した
時点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を検
出する一方、電圧の印加が停止された時点から所定時間
経過後に画素領域外での赤外画像を検出し、発熱状態の
変化に係る走査線および信号線を、電圧印加状態での赤
外画像と、電圧印加停止状態での赤外画像との差、ある
いは商から検出することによって、短絡欠陥が発生して
いる画素番地を特定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被検査パターンの欠陥
を検出する検査方法とその装置に係り、特に液晶表示装
置に用いられる薄膜トランジスタ液晶基板を被検査パタ
ーンとして、これを検査する方法とその装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】図１に薄膜トランジスタアクティブマト
リクス基板（以下、単に薄膜トランジスタ液晶基板と称
す）の電気的配線構成の一例として、５×５画素配列の
場合を示す。これからも判るように、薄膜トランジスタ
液晶基板は、走査線１１〜１５、信号線２１〜２５、ま
た、それら信号線・走査線交点には薄膜トランジスタ
７、透明画素電極８をガラス基板上に形成したものであ
るが、液晶表示装置とは、この薄膜トランジスタ液晶基
板と共通電極基板を平行に対峙させた状態で、これら両
基板間に液晶を封入したものとして基本的に構成される
ようになっている。なお、図中、符号１１ｐ〜１５ｐは
走査線１１〜１５対応の電極端子パッドを、また、２１
ｐ〜２５ｐは信号線２１〜２５対応の電極端子パッドを
示す。

【０００３】さて、以上の如く構成されてなる薄膜トラ
ンジスタ液晶基板において、例えば走査線１３と信号線
２３との間に短絡欠陥３が発生すれば、走査線１３及び
信号線２３に沿った表示不良が線状に発生するものとな
っている。ところで、短絡欠陥３には、図２（ａ）に示
すように、走査線と信号線の交差点で発生する短絡欠陥
３ａと、薄膜トランジスタ７内で発生する短絡欠陥３ｂ
があるが、これら短絡欠陥３ａ，３ｂの対策のため、図
２（ｂ）に示すように、信号線・走査線交差部や薄膜ト
ランジスタ７を複数化する方法が考えられている。これ
による場合、配線切断位置９ａ、９ｄで配線を切断する
ことにより短絡欠陥３ａ，３ｄを修正し得るものであ
る。しかしながら、この方法を実際に適用するに際して
は、短絡欠陥の発生位置を予め特定する必要があるとい
うものである。

【０００４】ここで、図３により短絡欠陥の有無を確認
する従来の検査方法を示す。この検査方法による場合、
走査線１１〜１５各々はその一端が走査線電極端子パッ
ド１１ｐ〜１５ｐ、外部配線１１ｄ〜１５ｄを介し接続
配線１ｃにより共通接続される一方、信号線２１〜２５
各々についてもその一端が信号線電極端子パッド２１ｐ
〜２５ｐ、外部配線２１ｄ〜２５ｄを介し接続配線２ｃ
により共通接続されるようになっている。このような接
続状態で、探針を接続配線１ｃ、２ｃに接触させ走査線
１１〜１５と信号線２１〜２５の間に電圧Ｖを印加し、
電流計４で電流値を測定するようにすれば、短絡欠陥の
有無が判別され得るものである。しかし、この方法によ
る場合には、何等かの短絡欠陥が発生していることが確
認され得たとしても、その短絡欠陥の発生画素番地まで
は特定し得ないというものである。画素番地を特定する
には、図１に示す配線構造の薄膜トランジスタ液晶基板
を対象として、何れか１本の走査線と何れか１本の信号
線にだけ電圧Ｖを与えた状態での電流値の測定を、走査
線と信号線の組合せ分だけ順次行えばよいことになる。
しかし、この方法では、走査線数と信号線数の積の回数
だけ電流値を測定する必要があることから、短絡欠陥の
発生画素番地を特定するのに、電流測定作業が煩瑣であ
るばかりか、多くの時間が要されることになる。このよ
うな不具合に加え、探針の接触による電極端子部の損傷
も問題となる。検査時間を短縮するためには、多数本の
探針を同時に接触させることも考えられる。これにより
短絡欠陥の発生画素番地が特定され得るにしても、図２
（ｂ）に示すように、走査線・信号線交差部や薄膜トラ
ンジスタが複数化されている薄膜トランジスタ液晶基板
では、何れの走査線・信号線交差部、あるいは薄膜トラ
ンジスタに短絡欠陥が存在しているのかまでは特定し得
ないものとなっている。

【０００５】一方、以上とは別に、検査時間を短縮する
方法として、エレクトロクロミック表示パネルを用い、
この発色膜の発色状態から欠陥を検出する方法が特開平
１−１５４０９２号公報に記載されている。この方法に
よれば、各画素電極の導通状態に応じて発色膜が非発
色、あるいは発色状態となることから、欠陥画素を特定
することが可能となっている。しかし、この方法による
場合には、薄膜トランジスタ液晶基板の画素電極とエレ
クトロクロミック表示基板の発色膜とを電解質を介し導
通接続する必要があることから、液体の電解質を用いた
場合は汚染という問題が、また、固体の電解質を用いた
場合には損傷といった問題が残されたものとなってい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】叙上のように、従来技
術では、薄膜トランジスタ液晶基板上での短絡欠陥を高
感度に、しかも基板自体に損傷を与えることなる速やか
に検出し得ないでいるのが実情である。仮に、短絡欠陥
の存在している画素番地を特定し得たとしても、各画素
に対して走査線・信号線交差点や薄膜トランジスタ自体
の複数化がなされている場合には、何れの交差点、ある
いは薄膜トランジスタに短絡欠陥が存在しているかを特
定することは不可能であったものである。

【０００７】本発明の目的は、薄膜トランジスタ液晶基
板上に存在している種々の短絡欠陥を高感度に、しかも
基板に非接触にして、速やかに検出可能な薄膜トランジ
スタ液晶基板検査方法とその装置を供するにある。

【０００８】また、本発明の他の目的は、走査線・信号
線交差点や薄膜トランジスタ自体が複数化された薄膜ト
ランジスタ液晶基板であっても、何れの交差点、あるい
は薄膜トランジスタに短絡欠陥が発生しているかを特定
可能な薄膜トランジスタ液晶基板検査方法とその装置を
供するにある。

【０００９】また、本発明の他の目的は、薄膜トランジ
スタ液晶基板上の走査線・信号線間、走査線間、あるい
は信号線間に存在している種々の短絡欠陥を基板に非接
触にして、速やかに検出可能な薄膜トランジスタ液晶基
板の検査方法を供するにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、薄膜トランジ
スタ液晶基板上の走査線・信号線間、走査線間、あるい
は信号線間に存在している短絡欠陥位置をＳ／Ｎ大にし
て、しかも基板に非接触にして、かつ速やかに検出可能
な薄膜トランジスタ液晶基板の検査方法を供するにあ
る。

【００１１】また本発明の他の目的は、薄膜トランジス
タ液晶基板上の画素領域に存在している短絡欠陥の位置
を基板に非接触にして、かつ速やかに検出可能な薄膜ト
ランジスタ液晶基板の検査方法を供するにある。

【００１２】また本発明の他の目的は、走査線・信号線
交差部や薄膜トランジスタ自体が複数化された薄膜トラ
ンジスタ液晶基板であっても、短絡欠陥が存在している
画素番地を特定した上で、その画素番地内での短絡欠陥
位置を基板に非接触にして、速やかに検出可能な薄膜ト
ランジスタ液晶基板の検査方法を供するにある。

【００１３】また、本発明の他の目的は、以上の各種の
薄膜トランジスタ液晶基板の検査方法が容易に実施可と
された構成の薄膜トランジスタ液晶基板の検査装置を供
するにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、以下の特徴的事項を採用したものである。

【００１５】薄膜トランジスタ液晶基板の走査線と信
号線の間に電圧を印加し、走査線と信号線の短絡欠陥部
を流れる電流による発熱状態の変化を赤外画像検出器で
検出する。

【００１６】薄膜トランジスタ液晶基板の走査線と信
号線を、何れも一方の端子で電気的に共通に接続する。

【００１７】走査線を電気的に接続する端子と画素領
域との間に存在する走査線、及び信号線を電気的に接続
する端子と画素領域との間に存在する信号線について、
電圧印加前後の発熱状態の変化を検出した赤外画像から
求めることにより、短絡欠陥が発生している画素番地を
特定する。

【００１８】短絡欠陥が発生している画素部について
は、電圧印加前後の発熱状態の変化を検出した赤外画像
から求めることにより、短絡欠陥が発生している位置を
特定する。

【００１９】電圧印加前後の発熱状態の変化の、赤外
画像の差、あるいは商を用いての検出。

【００２０】短絡欠陥が発生している画素番地につい
て、薄膜トランジスタ液晶基板の配線パターンの可視像
を参照し、短絡欠陥が発生している位置を特定する。

【００２１】検出器の感度を受光部周辺にいくに従い
落とした赤外画像検出器で検出する。

【００２２】正常な薄膜トランジスタ液晶基板の走査線
と信号線の間には数十メガオーム程度の抵抗があるた
め、走査線と信号線の間に数十ボルト程度の電圧を印加
しても電流はほとんど流れない。これに対し、薄膜トラ
ンジスタ液晶基板内に走査線と信号線の短絡欠陥が存在
している場合には、この短絡欠陥部分を通して電流が流
れ、正常な配線部の抵抗より大きな抵抗値をもつ短絡部
及びその周辺が発熱する現象が生じるものとなってい
る。その発熱状態を赤外画像検出器で検出すると、放射
率γと温度Ｔの４乗の積に比例した値をもつ画像が得ら
れるというものである。ところで、放射率γの値はガラ
スは１に近く、配線パターンであるクロムやアルミニウ
ムは０に近いため、観測される画像は放射率の違いの影
響を受けることになる。従って、微小な発熱を高感度に
検出するには放射率の影響を除く必要がある。そこで、
電圧印加前後の画像を検出し、差（商）を検出すること
によって、短絡欠陥部での微小な発熱に起因する微妙な
状態変化も検出可能になり、短絡位置を正確に特定可能
となるものである。

【００２３】また、実際に短絡欠陥が発生している画素
番地については、配線パターンの可視像を参照すれば、
短絡欠陥が発生している位置が容易に特定され得るもの
である。

【００２４】更に、発熱部の温度分布は発熱中心より遠
ざかるに従い、なだらかに温度が低下する。このため、
検出器の感度を受光部周辺にいくに従い落とした赤外画
像検出器で検出すると、発熱中心のピーク位置が正確に
求められるものである。

【００２５】また本発明は、電圧，熱，電界等を外部か
ら印加し、その状態変化を検出する検査方法または検査
装置であって、画像の位置を求める手段を有し、印加前
の検出画像と基準画像との位置関係を求めることによ
り、状態が変化する点や領域の位置を正確に算出するこ
とを着目した検査方法または検査装置である。更に本発
明は上記基準画像は、電圧等を印加する前の画像、或い
はその一部であることを特徴とする。

【００２６】即ち本発明は、上記目的を達成するため
に、 薄膜トランジスタ基板の走査線と信号線の間に電圧を
印加し、走査線と信号線の短絡欠陥部を流れる電流によ
る発熱状態の変化を赤外画像検出器で検出する。

【００２７】薄膜トランジスタ液晶基板の走査線と信
号線を、いずれも一方の端子で電気的に接続する。

【００２８】電圧印加前後の発熱状態の変化を検出し
た赤外画像から求めることにより、短絡欠陥が発生して
いる位置を特定する。

【００２９】電圧印加前の赤外画像と基準画像の位置
関係を求めることにより、発熱位置を正確に算出する。

【００３０】画像の位置関係は、例えば画像のマッチ
ングにより行う。

【００３１】正常な薄膜トランジスタ基板の走査線と信
号線の間には数十メガオーム程度の抵抗があるため、走
査線と信号線の間に数十ボルト程度の電圧を印加しても
電流はほとんど流れない。これに対し、薄膜トランジス
タ基板内に走査線と信号線の短絡欠陥が存在した場合、
この短絡欠陥部分を通して電流が流れ、正常な配線部の
抵抗より大きな抵抗値をもつ短絡部及びその周辺が発熱
する。赤外画像検出器でこれを検出すると、対象物温度
Ｔの関数Ｒ（Ｔ）と放射率εの積、および周囲温度の関
数Ｒ（Ｔａ）と（１−ε）の積が加算された値をもつ画
像が得られる。放射率εの値はガラスは１に近く、配線
パターンであるクロムやアルミは０に近いため、観測さ
れる画像は外界の影響を受ける。従って、微小な発熱を
高感度に検出するには外界の影響を除く必要がある。そ
こで、電圧印加前後の画像を検出し、差を検出すること
により外界の影響を除き、短絡部の微小な発熱が原因の
微妙な状態変化も検出可能になる。

【００３２】しかし、通常、赤外画像検出器は、検出器
がポイント型であり、ミラーを走査することにより２次
元の画像を検出する構成のものが多い。この構成では、
走査位置が時間が経つに従いドリフトするなど再現性が
保証できない。また、２次元型のものでもレンズに歪が
あると短絡位置を正確に求められない。このため、電圧
印加前の赤外画像と基準の赤外画像を位置合わせするこ
とにより、正しい短絡位置を計測できる。

【００３３】また、本発明は、薄膜トランジスタ液晶基
板における走査線・信号線間、走査線間、あるいは信号
線間に電圧を印加した状態で、該走査線・信号線間、該
走査線間、あるいは該信号線間に流れる電流による発熱
状態の変化を、電圧印加状態での赤外画像と、電圧印加
停止状態での赤外画像との差、あるいは商から検出する
ことによって、走査線・信号線間、走査線間、あるいは
信号線間に存在する短絡欠陥をが検出することである。
より望ましくは、走査線・信号線間、走査線間、あるい
は信号線間に電圧を印加した時点から所定時間経過後に
赤外画像を検出する一方、電圧の印加が停止された時点
から所定時間経過後に赤外画像を検出し、該走査線・信
号線間、該走査線間、あるいは該信号線間に流れる電流
による発熱状態の変化を、電圧印加状態での赤外画像
と、電圧印加停止状態での赤外画像との差、あるいは商
（割合）から検出することによって、短絡欠陥を検出す
ることである。

【００３４】また本発明は、薄膜トランジスタ液晶基板
における走査線・信号線間、走査線間、あるいは信号線
間に電圧を印加した時点から所定時間経過後に赤外画像
を検出する一方、電圧の印加が停止された時点から所定
時間経過後に赤外画像を検出することを複数回に亘って
繰返し、該走査線・信号線間、該走査線間、あるいは該
信号線間に流れる電流による発熱状態の変化を、電圧印
加状態での複数枚の重ね合せ赤外画像と、電圧印加停止
状態での複数枚の重ね合せ赤外画像との差、あるいは商
から検出することによって、走査線・信号線間、走査線
間、あるいは信号線間に存在する短絡欠陥を検出するこ
とである。

【００３５】また本発明は、薄膜トランジスタ液晶基板
における複数の走査線および信号線を何れも一方の端子
側で電気的に共通に接続した上、該走査線・信号線間に
電圧を印加した時点から所定時間経過後に画素領域外で
の赤外画像を検出する一方、電圧の印加が停止された時
点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を検出
し、発熱状態の変化に係る走査線および信号線を、電圧
印加状態での赤外画像と、電圧印加停止状態での赤外画
像との差、あるいは商から検出することによって、短絡
欠陥が発生している座標を特定した状態で検出すること
である。

【００３６】また、本発明は、短絡欠陥が発生している
画素番地が特定された状態で検出された後は、該画素番
地での差赤外画像を走査線・信号線間に電圧を印加した
時点から所定時間経過後に検出された赤外画像と、電圧
の印加が停止された時点から所定時間経過後に検出され
た赤外画像との差、あるいは商として検出した上、設定
しきい値と比較することで短絡欠陥位置を検出するか、
または該画素番地での配線パターン位置を該画素番地の
可視画像より検出する一方で、該画素番地での配線パタ
ーンを隣接画素番地での配線パターンと比較することで
短絡欠陥位置を検出することである。

【００３７】また本発明は、薄膜トランジスタ液晶基板
上の任意位置での画像が光学的に検出されるべく、該薄
膜トランジスタ液晶基板をＸ，Ｙ，Ｚ方向位置およびＸ
Ｙ水平面内での回転位置θが任意の状態として載置する
ステージ系と、該ステージ系に載置された薄膜トランジ
スタ液晶基板における走査線・信号線間、走査線間、あ
るいは信号線間に電圧を印加可とする電圧印加系と、上
記ステージ系に載置された薄膜トランジスタ液晶基板上
の任意位置での配線パターンを可視像として検出すべく
該薄膜トランジスタ液晶基板を可視光を以て照明する照
明系と、上記ステージ系に載置された薄膜トランジスタ
液晶基板上の任意位置での赤外画像を、電圧印加開始時
点、電圧印加停止時点からそれぞれ所定時間経過後に検
出した上、所定に画像処理することで、短絡欠陥の存
否、短絡欠陥発生画素番地の特定および短絡欠陥発生画
素番地内での短絡欠陥位置の特定を行う赤外画像検出処
理系と、上記ステージ系に載置された薄膜トランジスタ
液晶基板上の任意位置での配線パターンを可視像として
検出した上、所定に画像処理することで、短絡欠陥発生
画素番地内での短絡欠陥位置の特定を行う可視画像検出
処理系と、を少なくとも具備せしめることである。

【００３８】走査線・信号線間、走査線間、あるいは信
号線間に電圧を印加した状態での赤外画像と、電圧印加
停止状態での赤外画像との差画像から短絡欠陥を検出し
ようというものであるが、その際に、電圧印加停止後の
短時間内に赤外画像を検出することによって、熱の拡散
によって生じる短絡部近傍の明るさの変化を相殺し熱の
拡散による影響を補償した上で、短絡欠陥の存否やその
位置特定が高精度に行われるようにしたものである。具
体的には、走査線・信号線間、走査線間、あるいは信号
線間に電圧を印加した時点から所定時間経過後に赤外画
像を検出する一方、電圧の印加が停止された時点から所
定時間経過後に赤外画像を検出し、該走査線・信号線
間、該走査線間、あるいは該信号線間に流れる電流によ
る発熱状態の変化を、電圧印加状態での赤外画像と、電
圧印加停止状態での赤外画像との差、あるいは商から検
出することによって、短絡欠陥を検出するようにしたも
のである。

【００３９】その際での赤外画像検出タイミングは、事
前に検出された電流値、あるいは発熱量により具体的、
個々に定められ、また、差赤外画像上でのＳ／Ｎを向上
させるべく、電圧印加状態、電圧印加停止状態各々での
赤外画像を複数回に亘って検出した上で、電圧印加状態
での複数の赤外画像の重ね合せ画像と、電圧印加停止状
態での複数の赤外画像の重ね合せ画像との差赤外画像か
ら短絡欠陥を検出し、より顕現化された状態で検出され
得るものである。短絡欠陥の存否は一般的には、以上の
如くにして得られた差赤外画像を設定しきい値と比較す
ることによって検出され得るものである。

【００４０】さて、何等かの短絡欠陥が薄膜トランジス
タ液晶基板に存在するか否かは以上の如くにして高精度
に検出可能であるが、薄膜トランジスタ液晶基板の歩留
り向上の観点からすれば、特に短絡欠陥はその位置が特
定された状態で検出された上、後にレーザ光によって除
去される必要があるものとなっている。短絡欠陥が発生
している画素番地は、走査線・信号線間に電圧を印加し
た状態での画素領域外赤外画像と、電圧印加停止状態で
の画素領域外赤外画像との差、あるいは商から検出可と
されるが、その画素番地内での差赤外画像（短絡欠陥位
置での発熱量が大である場合）、あるいはその画素番地
および隣接画素番地での可視画像（短絡欠陥位置での発
熱量が比較的小さい場合）から、画素番地内の如何なる
位置に欠陥が発生しているかが容易に検出され得るもの
である。

【００４１】

【作用】上記構成により本発明においては、薄膜トラン
ジスタ液晶基板上の走査線・信号線間、隣接走査線間、
あるいは隣接信号線間に存在している種々の短絡欠陥を
基板に非接触にして、速やかに検出し得る。また、本発
明においては、薄膜トランジスタ液晶基板上の走査線・
信号線間、隣接走査線間、あるいは隣接信号線間に存在
している短絡欠陥位置をＳ／Ｎ大にして、しかも基板に
非接触にして、かつ速やかに検出可とされる。また、本
発明においては、薄膜トランジスタ液晶基板上の画素領
域に存在している短絡欠陥位置を基板に非接触にして、
かつ速やかに画素番地として検出可とされる。また、本
発明においては、走査線・信号線交差部や薄膜トランジ
スタ自体が複数化された薄膜トランジスタ液晶基板であ
っても、短絡欠陥が存在している画素番地を特定した上
で、その画素番地内での短絡欠陥位置を基板に非接触に
して、速やかに検出可能となる。また本発明においては
以上の各種の薄膜トランジスタ液晶基板の検査方法が容
易に実施可とされた薄膜トランジスタ液晶基板の検査装
置が得られる。

【００４２】

【実施例】先ず、本発明の理論的な背景について説明す
る。

【００４３】即ち、正常な薄膜トランジスタ基板上での
走査線と信号線との間には、通常、数十メガオーム程度
の抵抗があることから、それら走査線・信号線間に数十
ボルト程度の電圧を印加したとしても、電流は殆ど流れ
ないものとなっている。これに対し、走査線・信号線間
に短絡欠陥が存在する場合には、その短絡欠陥部分を介
し走査線、信号線各々には電流が流れるが、その際、短
絡欠陥部分での抵抗値は一般に正常な配線部での抵抗値
よりも大きいことから、その短絡欠陥部分とその近傍は
発熱状態におかれるものとなっている。

【００４４】ところで、赤外画像を検出するに際して
は、赤外画像は見掛け上、文献「サーモグラフィ装置
“サーモビュア”の原理とその手法」（日本電子株式会
社 Product Information）に示されているように、対
象の放射率（放射率：黒体以外の物体の放射エネルギ
と、同温度の黒体の放射エネルギとの比として定義され
る）εとその真温度Ｔの関数Ｒ（Ｔ）の積と、反射率１
−εと反射源（周囲の物体）の温度（通常は室温）Ｔ’
の関数Ｒ（Ｔ’）の積との和、即ち、ε×Ｒ（Ｔ）＋
（１−ε）×Ｒ（Ｔ’）なる見掛け上の温度を明るさに
もつ画像として得られるものとなっている。但し、関数
Ｒ（Ｔ），Ｒ（Ｔ’）はそれぞれ温度Ｔ、Ｔ’に対応す
る有効入射強度を示す。

【００４５】放射率εの値としては、ガラスは１に近
く、配線パターンであるクロムやアルミニウムでは０に
近いため、観測される画像は放射率εの違いによる影響
を受けるものとなっている。対象、反射源の温度がとも
に等しい場合は、画像の値は関数Ｒ（Ｔ）のみに依存し
放射率εの値と無関係となるが、対象、反射源の温度が
等しくない場合には、放射率εの違いによる影響を受け
るものである。反射源には、赤外検出器での対物レンズ
も含まれるものである。ここで、仮に対象、反射源の温
度を等しく得たとすれば、画像の値は関数Ｒ（Ｔ）のみ
に依存する結果、正しく対象の温度が測定され得ること
になる。したがって、短絡欠陥部分での温度上昇を測定
するには、電圧印加前後での赤外画像よりその差赤外画
像を検出すればよいことになる。しかし、短絡欠陥部分
の近傍に着目すれば、熱の拡散による温度上昇が存在す
る。即ち、短絡欠陥部分の近傍では、対象、反射源の温
度は等しくならず、画像の値は関数Ｒ（Ｔ）のみには依
存しないことになる。この結果として、電圧印加前後で
の赤外画像より検出された差赤外画像においては、対象
の場所による放射率の違いが現われ恰もパターンが見え
たような画像となり、差赤外画像から正しく短絡欠陥部
分を特定することは困難となる。

【００４６】以上のように、短絡欠陥による発熱位置を
高感度に検出するには、放射率の違いによる影響を除去
する必要があるが、本発明によれば、対象の場所による
放射率の違いによる影響を除去し得るものとなってい
る。特に、電圧の印加が停止された後、短時間内に赤外
画像を検出するようにすれば、熱の拡散に起因する短絡
欠陥部分近傍での明るさの変化を相殺し得るものであ
る。このような画像の検出は、電圧が印加された後、短
時間内に赤外画像を検出する場合よりも大きな効果が得
られるものとなっている。即ち、後者では、熱の伝達率
高くして、熱がガラス基板を通って伝わり、したがっ
て、短絡欠陥部分近傍での温度は即座に上昇してしまう
のに対し、前者では、短絡欠陥部分近傍に拡散した熱は
熱の伝達率低くして、空気中を伝わって伝達され、即座
には冷えないというものである。よって、電圧印加停止
後の短時間内に赤外画像を検出すれば、短絡欠陥部分近
傍での温度は大きく変化しないことから、短絡欠陥部分
の検出ばかりか、その位置特定を正確に行い得るという
ものである。

【００４７】まず、本発明の実施例を図４から図８によ
り説明する。

【００４８】先ず図４により短絡画素番地特定方法につ
いて詳細に説明すれば、同図において薄膜トランジスタ
液晶基板は、走査線１１〜１５が電極端子パッド１１ｐ
〜１５ｐの外側に形成された外部配線１１ｄ〜１５ｄと
接続配線１ｃにより電気的に共通に接続され、また、信
号線２１〜２５は電極端子パッド２１ｐ〜２５ｐの外側
に形成された外部配線２１ｄ〜２５ｄと接続配線２ｃに
より電気的に共通に接続されるようになっている。この
ような接続状態で、走査線１１〜１５と信号線２１〜２
５との間に電圧Ｖを与えるため、接続配線１ｃ，２ｃに
電圧印加用の探針を接触せしめるようにすれば、同図に
示すように、例えば短絡欠陥３が走査線１３と信号線２
３が交差する画素で発生している場合には、電流は外部
配線１３ｄ→電極端子パッド１３ｐ→短絡欠陥３→電極
端子パッド２３ｐ→外部配線２３ｄへと流れ、この経路
間での配線はその電流により発熱するところとなるもの
である。その際、短絡欠陥３での抵抗値が走査線１３と
信号線２３でのそれよりも大きければ、たとえ、電流が
微小であってもその経路間での発熱量は大きいことか
ら、その短絡欠陥３を検出し得るというものである。即
ち、例えば外部配線１１ｄ〜１５ｄと外部配線２１ｄ〜
２５ｄを、電圧印加前後において破線６に沿って赤外顕
微鏡で検出し、検出した画像信号の差をとり、Ｘ，Ｙ方
向への投影を算出すれば、同図に示した差信号波形から
大きい値をもつ位置を検出することにより、発熱状態に
ある配線位置、即ち、走査線１３及び信号線２３を検出
し得るものである。その結果、種々の短絡不良の短絡画
素番地が特定され得るものであるが、その際、赤外顕微
鏡で検出された画像信号の差を算出するかわりに、割算
により商を算出するようにしても短絡画素番地が特定さ
れ得るものとなっている。なお、本例で、基板内の短絡
がＮ個ある場合は、検出される走査線及び信号線はそれ
ぞれ最大Ｎ本となる。

【００４９】さて、本発明による薄膜トランジスタ液晶
基板検査装置の構成について説明すれば、図５はその一
例での構成を示したものである。これによる場合、本検
査装置は大別して機構系１００、電圧印加系１０１及び
光学系から構成されたものとなっている。このうち、機
構系はθステージ（水平面内回転用ステージ）３１、Ｚ
ステージ３２、Ｘステージ３３およびＹステージ３４か
らなり、θステージ３１上に薄膜トランジスタ液晶基板
３０が載置されることによって、薄膜トランジスタ液晶
基板３０は光学系視野内の任意位置に位置決めされ得る
ものとなっている。Ｘステージ３３の位置は位置検出器
５３で検出されるが、他のＹステージ３４などについて
も同様である。また、電圧印加系１０１は電源３５、電
流計４および探針３６ａ，３６ｂからなり、探針３６
ａ，３６ｂを配線パターンに接触せしめることで、走査
線・信号線間、信号線間、あるいは走査線間には電位差
が与えられるようになっている。一方、光学系は赤外画
像検出処理系１０２、配線切断用レーザ光照射系１０
３、明視野照明系１０４、透過照明系１０５および可視
画像検出処理系１０６からなる。このうち、赤外画像検
出系は対物レンズ３７、ダイクロイックミラー３８、レ
ンズ３９および赤外画像検出器５からなり、薄膜トラン
ジスタ液晶基板３０上の発熱部から放射される赤外光
（波長域λ₁：約３〜１３μｍ、特に約３〜５μｍ、あ
るいは約８〜１３μｍ）は赤外画像として検出されるも
のとなっている。この赤外画像検出系では対物レンズ３
７で赤外像が拡大されていることから、１〜２０μｍ程
度の微小領域から放射される赤外光、即ち赤外光の強度
も状態良好にして検出可能とされている。また、レーザ
光照射系１０３はレーザ発振器４３、ビームエキスパン
ダ４２、（図示しない移動機構を持つ）開口部４１およ
びダイクロイックミラー４０を含むようにしてなり、開
口部４１を透過したレーザ光を対物レンズ３７で縮小し
た上、薄膜トランジスタ液晶基板３０上に投影すること
によって、所望位置での配線パターン、具体的には短絡
欠陥を形成している配線パターンが切断され得るものと
なっている。なお、短絡欠陥の修正はレーザ光に限られ
るものでなく、イオンビーム、電子ビーム等エネルギビ
ームであればよいことは明らかである。明視野照明系１
０４はまた、ランプ４６、レンズ４５、およびハーフミ
ラー４４を含むようにしてなり、対物レンズ３７を介し
薄膜トランジスタ液晶基板３０を上方から可視光を以て
照明するようになっている。更に、透過照明系１０５
は、ランプ５０およびレンズ４９からなり、薄膜トラン
ジスタ液晶基板３０はその背面側から可視光を以て照明
されるようになっている。更にまた、可視画像検出系１
０６は可視画像検出器４８およびレンズ４７を含むよう
にしてなる。なお、可視画像検出器４８は、赤外画像検
出器５と薄膜トランジスタ液晶基板３０上の同一位置で
の可視像を検出すべく予め調整されている。また、本実
施例において対物レンズ３７は可視域から赤外域までの
光を透過する必要があり、その硝子材にはＺnＳ等を用
いればよい。更に、ダイクロイックミラー３８は、赤外
画像検出器５の検出波長域λ₁の光は反射し、検出波長
域λ₁より波長の短い光は透過する特性の光学素子であ
る。更にまた、ダイクロイックミラー４０はレーザ発振
器４３からのレーザ光の波長λ₂（λ₂＜λ₁）は反射
し、可視光（波長域λ₃：λ₃＜λ₂）は透過する特性を
有する。本実施例は、前述の電圧印加、短絡画素番地特
定、短絡位置特定、配線修正を１台の検査装置で実現し
ようというものである。

【００５０】本発明による薄膜トランジスタ液晶基板検
査装置は以上のようにして構成されているが、ここで、
その動作について説明すれば、θステージ３１上に配置
されている薄膜トランジスタ液晶基板３０には探針３６
ａ，３６ｂが配線パターンに接触せしめられることで、
走査線と信号線間には電位差が与えられるが、その電位
差が与えられる前の画像と与えられた後の画像は対物レ
ンズ３７を介し赤外画像検出器５で赤外画像として検出
される。

【００５１】より具体的には、電圧の印加開始時点から
所定時間Ｔ₁経過後に電圧印加状態での赤外画像を先ず
検出する一方、電圧の印加停止時点から所定時間Ｔ₂経
過後に電圧印加停止状態での赤外画像が検出されている
ものである。図１０に示すように、それら所定時間
Ｔ₁，Ｔ₂は一般に相異なるものとして、事前に検出され
た電流値、あるいは発熱量より適当に設定されるものと
なっている。例えば検出された電流値が大きい場合に
は、発熱量、熱拡散量がともに大きく、このような場合
には、比較的短い時間が設定されるようになっている。
また、短絡欠陥が複数発生している場合にも電流値は大
きくなるが、電流値が大きい場合には、何れにしても一
旦赤外画像を検出し短絡欠陥部分各々での発熱量を評価
した上で、所定時間Ｔ₁，Ｔ₂は適当に設定されればよい
ものである。因みに、図１０中では、所定時間Ｔ₁，Ｔ₂
はそれぞれ１６５ms、０〜３００ms程度に設定されたも
のとなっている。

【００５２】さて、赤外画像検出器５で検出される赤外
画像は一般にＳ／Ｎが小さいが、これを向上せしめるた
めには、電圧印加、電圧印加停止に同調させた状態で、
電圧印加状態、電圧印加停止状態各々での赤外画像を検
出することを繰返し、電圧印加状態での複数の重ね合せ
赤外画像と、電圧印加停止状態での複数の重ね合せ赤外
画像とからその差赤外画像を差画像検出回路５５で得た
上、座標検出回路５６で画像処理すればよい。図１１，
図１２には電圧印加／停止に同調させた場合での検出差
赤外画像、同調させない場合での検出差赤外画像の例が
それぞれ示されているが、電圧の印加が停止された後に
短時間内に赤外画像を検出すれば、熱拡散による影響が
相殺され得ることが判る。

【００５３】再び図５に戻り説明を続行すれば、座標検
出回路５６では差画像検出回路５５からの差赤外画像を
画像処理することで、その差赤外画像中での最大値対応
の位置が検出される。その位置は、例えば０．２℃下が
った等温線で囲まれる領域での重心位置として検出され
るか、あるいはその差赤外画像を設定領域内でＸ、Ｙ方
向に投影した上、設定値以上の値をもつ領域各々での
Ｙ、Ｘ座標よりその重心位置として検出するようにして
もよい。尤も設定値以上の値をもつ領域各々でのＹ、Ｘ
座標よりその重心位置が求められる場合は、同時に複数
の短絡欠陥対応にその発生位置が重心位置として求めら
れるものである。画素領域内に短絡欠陥が発生している
場合は、先ずその短絡欠陥画素番地が特定された後、そ
の画素番地内での短絡欠陥位置が特定された上、その短
絡欠陥位置に対しては短絡欠陥除去処理が行われるもの
である。

【００５４】ところで、短絡欠陥部分での発熱量が十分
大きい場合には、その短絡欠陥位置を容易に特定し得る
が、そうでない場合には、可視画像からその位置を特定
し得るものとなっている。

【００５５】また、図９に示すように基準の赤外画像５
７と電圧印加前の赤外画像とのマッチングをとり、走査
線と信号線の交差部などの特定位置からのＹ，Ｘ座標と
して算出する。ここで、５８は差画像、５９は電圧印加
前の赤外画像である。マッチングは、例えば以下のよう
に実現できる。

【００５６】電圧印加前の画像をｆ（ｘ，ｙ）、基準画
像をｇ（ｘ，ｙ）とするとき、次式の値Ｐ（Δｘ，Δ
ｙ）が最小になるΔｘ，Δｙの値を求める。

【００５７】 P(Δx,Δy)＝ΣΣ(f(x-Δx,y-Δy)-ｇ(x,y)）*(f(x-Δx,y-Δy)-g(x,y)) ここで、Δｘ，Δｙは、−２、−１、０、１、２など値
をとる。基準画像ｇ（ｘ，ｙ）は、例えば信号線と走査
線の交差部を含む領域を表すように選ぶと、求められた
Δｘ，Δｙにより、電圧印加前の画像において交差部が
どこに位置するかがわかる。これにより、画像に歪があ
っても正確な測定が可能になる。基準画像ｇ（ｘ，ｙ）
は、切断対象となるトランジスタであってもよい。な
お、画像には外界の影響もあるがパターンの放射率の違
いにより、パターンに対応した濃淡が生じており、これ
により、正確なマッチングが実現できる。また、基準画
像ｇ（ｘ，ｙ）を比較的小さく選ぶと、画像内の歪量の
違いによる影響も受けにくい。

【００５８】一方、透過照明時に可視画像検出器４８で
検出された画像は２値化回路６１で２値化処理された
後、パターンマッチング回路６２で辞書パターン設定回
路６３からの辞書パターンとの間でパターンマッチング
が行われ、検出画像中での辞書パターン位置が求められ
る。この辞書パターン位置データと、位置座標データ設
定回路６５に予め設定されている短絡候補位置および配
線切断位置の座標データとにもとづき、短絡候補位置検
出回路６４では短絡候補位置および配線切断位置が算出
される。一方、また、明視野照明時に可視画像検出器４
８で検出された画像はメモリ６６に一旦記憶された後、
短絡欠陥画素番地内での画像はパターンマッチング回路
６７で隣接画素番地内での画像との間でパターンマッチ
ングが行われることによって、短絡欠陥画素番地内での
パターン不一致座標が検出される。短絡位置決定回路６
９では、パターンマッチング回路６７で求めたパターン
不一致座標に最も近い短絡候補位置を真の短絡位置とし
て決定するが、これにより配線切断位置も求まる。これ
にもとづき開口部４１を位置決めした状態で、ビームエ
キスパンダ４２を介しレーザ発振器４３よりレーザ光を
照射することによって、自動的に所望位置での配線が切
断され短絡欠陥を修正することができる。

【００５９】以上、本発明による薄膜トランジスタ液晶
基板の検査装置での動作概要について説明したが、以上
での動作をより具体的、詳細に説明すれば以下のようで
ある。

【００６０】先ず図４により短絡欠陥画素番地の特定方
法について説明すれば、図示のように、薄膜トランジス
タ液晶基板における走査線１１〜１５は電極端子パッド
１１ｐ〜１５ｐを介し外部配線１１ｄ〜１５ｄに引き出
された上、接続配線１ｃにより電気的に共通に接続され
る一方、信号線２１〜２５も同様に、電極端子パッド２
１ｐ〜２５ｐを介し外部配線２１ｄ〜２５ｄに引き出さ
れた上、接続配線２ｃにより電気的に共通に接続される
ようになっている。このような接続状態で、走査線１１
〜１５と信号線２１〜２５との間に電圧Ｖを印加すべ
く、接続配線１ｃ，２ｃ各々に電圧印加用の探針を接触
せしめるようにすれば、同図に示すように、例えば短絡
欠陥３が走査線１３と信号線２３が交差する画素番地で
発生している場合には、電流は外部配線１３ｄ→電極端
子パッド１３ｐ→短絡欠陥３→電極端子パッド２３ｐ→
外部配線２３ｄへと流れ、この経路間での配線はその電
流により発熱する。その際、短絡欠陥３での抵抗値が走
査線１３と信号線２３でのそれよりも大きければ、たと
え、電流が微小であってもその経路間での発熱量は大き
いことから、その短絡欠陥３を検出し得る。即ち、例え
ば外部配線１１ｄ〜１５ｄと外部配線２１ｄ〜２５ｄに
ついての赤外画像を、電圧印加前後において破線６に沿
って赤外画像検出器５で検出した後、検出された赤外画
像の差赤外画像を求めた上、Ｘ，Ｙ方向への投影分布を
算出するようにすれば、それら投影分布から大きい値を
もつ配線位置を検出することによって、発熱状態にある
走査線１３および信号線２３が検出され得る。このよう
にして、種々の短絡不良の短絡欠陥画素番地が特定され
得るものであるが、その際、赤外画像検出器５で検出さ
れた赤外画像より差赤外画像を算出する代りに、割算に
より商を算出するようにしても容易に短絡画素番地が特
定され得る。なお、本例で、基板内の短絡がＮ個ある場
合は、検出される走査線および信号線はそれぞれ最大Ｎ
本となる。

【００６１】以上は画素領域内での短絡欠陥の画素番地
上での特定方法であるが、信号線間や走査線間での短絡
欠陥もその位置が容易に特定され得るものとなってい
る。信号線間や走査線間での短絡欠陥を検出するに際し
ては、隣接信号線、あるいは隣接走査線との間で電圧が
印加されるわけであるが、何れも事情は同様であること
から、説明の簡単化上、走査線間での短絡欠陥検出方法
とその位置特定方法について説明すれば以下のようであ
る。

【００６２】即ち、走査線間での短絡欠陥を検出するに
際しては、奇数番目位置の走査線は共通接続されるが、
これと同様に、偶数番目位置の走査線もまた共通接続さ
れた上、奇数番目位置の走査線と偶数番目位置の走査線
との間には電圧が印加されるものとなっている。電圧印
加状態での画素領域外赤外画像と電圧印加停止状態での
画素領域外赤外画像より検出された差赤外画像をＸ方向
への投影するようにすれば、短絡欠陥画素番地の特定方
法と同様にして、その投影分布形状からは発熱状態にお
かれている２つの走査線が相互に隣接した状態で、対と
して検出され得るものである。これを以て、それら走査
線間には短絡欠陥が発生していることが知れるわけであ
るが、その発生位置は、例えば差赤外画像上での短絡欠
陥位置と、その際での薄膜トランジスタ液晶基板の位置
決め状態データより容易に特定され得るものである。こ
のようにして、短絡欠陥位置が特定された後は、その短
絡欠陥位置にレーザ光が照射されることで、短絡欠陥除
去され得るものである。信号線間での短絡欠陥も同様に
して、その存否が検出された上、その短絡欠陥位置が特
定され得るが、ただ、走査線間での場合と大きく相違す
る点は、Ｙ方向での投影分布形状から、発熱状態におか
れている２つの信号線が相互に隣接した状態で、対とし
て検出されていることである。

【００６３】次に、短絡欠陥画素番地内での短絡欠陥位
置特定方法について説明すれば、図６に示すように、走
査線・信号線交差部や薄膜トランジスタ７自体が複数化
された薄膜トランジスタ液晶基板では、短絡欠陥は短絡
候補領域７３ａ〜７３ｄ各々で発生する可能性がある。
したがって、後に配線修正を行う上で、それら短絡候補
領域７３ａ〜７３ｄの何れで短絡欠陥が発生しているか
を特定（短絡位置特定）しておく必要がある。

【００６４】ところで、正常な配線ではその抵抗値が小
さいのに対し、短絡欠陥部では一般にそこまで抵抗値が
小さくないため、電流による若干の温度上昇があるが、
赤外画像検出器５でこれを検出すると、ほぼ放射率γと
温度Ｔの２乗又は４乗の積に比例した値、即ち対象物温
度Ｔの関数Ｒ（Ｔ）と放射率εの積、および周辺温度の
関数Ｒ（Ｔａ）と（１−ε）の積が加算された値をもつ
画像が得られる。放射率γの値はガラスは１に近く、配
線パターンであるクロムやアルミニウムは０に近いた
め、外界の影響を受け、この放射率の違いを補正する必
要がある。

【００６５】さて、正常な配線での抵抗値は小さいのに
対し、短絡欠陥部分でのそれは一般にそこまでは小さく
はなく、その部分では電流による若干の温度上昇が生じ
るようになっている。そこで、上記したような手順で、
短絡欠陥画素番地内での電圧印加前後の赤外画像を検出
した後、その差（又は割合）赤外画像を検出することに
よって、短絡欠陥部分での微小な発熱に起因する微妙な
画像状態変化もが高感度に検出され得るものである。因
みに、差（又は割合）赤外画像を検出すること自体は、
これによって赤外画像検出器５自体の誤差、例えばナル
シサスなどの誤差が同時に補償されるものである。

【００６６】より具体的に説明すれば、短絡欠陥画素番
地が既に特定されていることを前提として、その画素番
地内での配線パターンが赤外画像検出器５の視野内に順
次位置決めされる度に、電圧印加前後での赤外画像が検
出されるものとなっている。それら赤外画像より検出さ
れた差（又は割合）赤外画像中での値が、設定しきい値
（予め定めた値）以上の場合には、その画素番地内には
短絡欠陥による発熱位置が存在すると判断した上、差赤
外画像内での短絡欠陥位置が検出されるものである。短
絡欠陥位置は、例えば差赤外画像中での最大値対応の位
置より、例えば０．２℃下がった等温線で囲まれる領域
内での重心位置として検出されるか、あるいはその差赤
外画像を設定領域内でＸ、Ｙ方向に投影した上、設定値
以上の値をもつ領域各々でのＹ、Ｘ座標よりその重心位
置として検出すればよい。

【００６７】そして、図９に示したように、基準の赤外
画像と電圧印加前の赤外画像とのマッチングをとり、走
査線と信号線の交差部などの特定位置からのＹ、Ｘ座標
として算出する。

【００６８】このようにして、短絡欠陥画素番地内に複
数の短絡欠陥が存在する場合であっても、その位置が特
定された状態で短絡欠陥を検出し得る。このようにして
求められた差赤外画像中での短絡欠陥位置座標の他、薄
膜トランジスタ液晶基板の位置決め座標データを用い短
絡欠陥が発生している短絡候補領域を決定すればよい。
これにより図６に示す短絡欠陥３は短絡候補領域７３ｃ
に存在することが判明した上、配線切断位置が９ｃに決
定でき、この配線切断位置９ｃを配線切断すればよい。
因みに差赤外画像中での値が設定値未満の場合には、後
述の可視像によって短絡欠陥位置を特定するか、あるい
はその短絡欠陥画素番地内には短絡欠陥が存在しないと
判断し、短絡欠陥位置の特定は行われない。

【００６９】また、発熱部の温度分布は発熱中心より遠
ざかるに従いなだらかに温度が低下するが、このため、
赤外画像検出の際には、検出器の感度が一定なものより
受光部周辺にいくに従い感度を落とした赤外画像検出器
５で検出するようにすれば、発熱中心のピーク位置がよ
り正確に求められる。

【００７０】なお、視野内差赤外画像中に、短絡欠陥部
分での発熱以外に、その視野内差赤外画像外での短絡欠
陥部分によって生じる走査線や信号線での発熱が同時に
検出されても、その差赤外画像端部での明るさを比較す
ることによって、視野内差赤外画像内に存在する短絡欠
陥部分の位置が特定された状態で正しく検出され得る。
視野内差赤外画像端部での明るさを比較する場合での様
子を図１３に示す。先ず図１３（Ａ）に示す場合につい
て説明すれば、視野内差赤外画像は矩形表示枠内のもの
として示され、その差赤外画像中には短絡欠陥部分対応
の画像部分（位置座標（Ｘ₁，Ｙ₁）Ｓ₁が示されたもの
となっている。したがって、その画像部分Ｓ₁を交差部
とする走査線画像（１端部位置座標Ｙ₁）および信号線
画像（１端部位置座標Ｘ₁）はともに発熱状態におかれ
るが、それら走査線画像、信号線画像はともに他端部方
向には延びていなく、他端部位置座標はともに検出され
得ないことから、これを以て画像部分Ｓ₁を短絡欠陥に
よるものと識別し得るものである。また、図１３（Ｂ）
に示す例では、視野内差赤外画像の近傍には２つの短絡
欠陥部分対応の画像部分Ｓ₂，Ｓ₃が存在しており、本例
では画像部分Ｓ₂を交差部とする走査線画像と、画像部
分Ｓ₃を交差部とする信号線画像はともに視野内差赤外
画像中に出現するようになっている。したがって、視野
内差赤外画像内での走査線画像に対する端部位置座標は
Ｙ₁，Ｙ₂として、また、信号線画像に対するそれは
Ｘ₁，Ｘ₂として求められるが、Ｙ₁＝Ｙ₂、Ｘ₁＝Ｘ₂を以
てそれら走査線画像、信号線画像は視野内差赤外画像外
の短絡欠陥によるものと識別し得るものである。更に図
１３（Ｃ）においては、視野内赤外画像内には短絡欠陥
部分対応の画像部分Ｓ₄が、また、視野内差赤外画像外
には短絡欠陥部分対応の画像部分Ｓ₅が存在している
が、このうち、画像部分Ｓ₄については図７（Ａ）での
画像部分Ｓ₁と事情は同様であるので、画像部分Ｓ₄は短
絡欠陥によるものと判断し得るものである。画像部分Ｓ
₅を交差部とする信号線画像については、端部位置座標
がＸ₁＝Ｘ₂であることを以て、その信号線画像は視野外
の短絡欠陥によるものと判断し得るものである。因み
に、位置座標（Ｘ₁，Ｙ₂）での短絡欠陥の存否は、その
位置座標（Ｘ₁，Ｙ₂）を内部に含む状態でウインド（破
線表示）を設定した上、上記判断を繰返すようにすれば
よいものである。

【００７１】更に、上記説明では、放射率を補正するた
め画像差をとったが、放射率の設計データを用意し検出
器の寸法、感度で補正してこのデータを校正し、電圧印
加後の１枚の画像から温度を正しく求めることも可能と
なる。更にまた、検出器に幾何学的歪がある場合には、
信号線などの配線パターンを検出して補正することも可
能である。

【００７２】以上のようにして、短絡欠陥位置を特定し
得るが、透過照明画像によって特定することも可能とな
っている。この特定方法を図７（ａ），（ｂ）によって
説明すれば、短絡欠陥部の抵抗値が小さい場合には短絡
による電流が十分大きく、外部配線を用いて行う短絡画
素番地の特定は可能であるが、配線抵抗と同一程度か、
あるいはそれより小さい場合は、短絡位置での発熱が小
さく赤外画像を用いたのではこれを検出し得ないことに
なる。即ち、画素内の短絡位置までは特定し得ないとい
うわけである。

【００７３】次に、短絡欠陥画素番地内での短絡欠陥位
置を可視像によって特定する方法について説明する。

【００７４】短絡欠陥部分での抵抗値が小さい場合には
短絡による電流が十分大きく、外部配線を用いて行う短
絡欠陥画素番地の特定は可能であるにしても、短絡欠陥
部分での抵抗値が短絡欠陥画素内での配線抵抗と同一程
度か、あるいはそれより小さい場合には、短絡欠陥画素
番地内においては、短絡欠陥位置での発熱が小さく差赤
外画像を以てしても短絡欠陥を検出し得ないことにな
る。即ち、短絡欠陥画素内での短絡欠陥位置までは特定
し得ないというわけである。短絡欠陥部分での抵抗値が
短絡欠陥画素内での配線抵抗より若干大きい場合も事情
は同様である。したがって、既述の方法によって短絡欠
陥画素番地は特定されたが、したがって、その画素番地
内に程度の差はあるものの、短絡欠陥が存在していると
判断されてはいるが、差赤外画像中での値が設定値未満
の場合には、可視像による短絡欠陥の位置特定が有効と
なるものである。実際に可視像による短絡欠陥の位置特
定を行うか否かは、具体的には、差赤外画像において、
その画像中における最大値がその端部での明るさのα
（例えばα＝２）倍以下となる、といった付加的条件が
満足される場合に、初めて可視像による短絡欠陥の位置
特定が行われるようになっているものである。

【００７５】さて、可視像による短絡欠陥位置特定方法
について具体的に説明すれば、図７（ａ）は図６に示す
配線パターンに対する透過照明状態での検出可視画像を
示したものである。透過照明は薄膜液晶基板背後から行
われることから、図示の如く金属の配線パターンはシル
エット像、即ち、２値化画像として検出し得るものとな
っている。一方、既述の辞書パターン設定回路６３には
予め図７（ｂ）に示す辞書パターンが特徴パターンとし
て登録されているとともに、位置座標データ設定回路６
５には、その辞書パターンの位置７７を原点とする短絡
候補位置（短絡候補領域の対表位置）７４ａ〜７４ｄお
よび配線切断位置９ａ〜９ｄの相対的座標データが予め
設定されたものとなっている。したがって、検出可視画
像中での辞書パターンの位置７７が分れば、検出可視画
像中での短絡候補位置７４ａ〜７４ｄおよび配線切断位
置９ａ〜９ｄも一義的に定まるものである。可視像によ
る短絡欠陥位置特定では、短絡欠陥画素番地内での配線
パターンが順次検出位置がずらされた状態で検査される
が、検出可視画像中での辞書パターンの位置７７は薄膜
トランジスタ液晶基板の位置決め状態に応じて変化する
が、その位置７７は順次検出される可視画像と辞書パタ
ーンとのパターンマッチングにより求められるものであ
る。即ち、透過照明状態下で可視画像が検出される度
に、その検出された可視画像と辞書パターンとの間での
パターンマッチングより、その可視画像中で辞書パター
ンが最も一致する状態での位置決め座標から位置７７が
求められるものである。したがって、その位置７７から
は、可視画像中での短絡候補位置７４ａ〜７４ｄおよび
配線切断位置９ａ〜９ｄの座標データも算出され得るも
のである。

【００７６】一方、短絡欠陥位置は上方より検出した可
視画像、本例では濃淡画像から求められるものとなって
いる。短絡欠陥画素番地での濃淡画像パターンを隣接画
素番地でのそれとパターンマッチングを行うことによっ
て、不一致パターン部分での座標が検出され得るもので
ある。具体的には、そのパターンマッチングでは、短絡
欠陥画素番地に隣接する２つの画素番地各々での濃淡画
像はその短絡欠陥画素番地より１画素ピッチ分だけ左
右、または上下方向に位置をずらした状態で検出可とさ
れるが、これら２枚の濃淡画像各々と、ずらす前の濃淡
画像、即ち、短絡欠陥画素番地での濃淡画像との間での
差画像をそれぞれ求めた上、２枚の差画像より設定値以
上の値をもつ不一致パターン部分が共通に検出された場
合には、その部分での位置座標を短絡欠陥位置として検
出すればよいものである。これより短絡候補位置７４ａ
〜７４ｄの中で、短絡欠陥位置までの距離が最小になる
ものが実際に短絡欠陥が発生している短絡候補位置とし
て決定されるわけである。これにより既述の実施例と同
様に、図６に示す短絡３は短絡候補領域７３ｃに存在す
ることが判明し、更に短絡候補領域７３ｃから配線切断
位置９ｃが配線切断位置として決定され得るものであ
る。このように、本例では、予め設定記憶すべき座標デ
ータが、辞書パターンの位置７７を原点とした際での短
絡候補位置７４ａ〜７４ｄおよび配線切断位置９ａ〜９
ｄだけとされた上、短絡欠陥位置の特定が容易に行われ
るものとなっている。しかして、以上述べた短絡欠陥位
置特定方法により配線切断位置が決定された後は、レー
ザ光等のエネルギビームを用いその配線切断位置を切断
することによって、短絡欠陥が除去修正され得るもので
ある。なお、以上の説明では透過照明状態での可視画像
を配線パターンの位置検出に用いたが、配線パターンの
位置は明視野照明状態での可視画像からも検出可能とな
っている。

【００７７】以上、本発明を説明したが、本発明は薄膜
トランジスタ基板以外の対象でも何等かの欠陥要因によ
り発熱を伴うものであるならば、その欠陥の存否とその
位置特定に同様に適用し得るものであることは明らかで
ある。

【００７８】最後に、図８に、短絡画素番地を特定する
際での検出画像の例を示す。

【００７９】因みに、以上述べた薄膜トランジスタ液晶
基板検査装置の実施例では、短絡欠陥の検査と配線の修
正を１つの装置で行う場合について示したが、欠陥検査
と配線修正を別個の装置で実施してもよいことは勿論で
ある。また、信号線同士、走査線同士の短絡も同様の方
法で検査できることは云うまでもない。

【００８０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、薄
膜トランジスタ液晶基板の配線の種々の短絡欠陥不良を
高感度に検出することができる。また、欠陥検査のため
の接触は外部配線への電圧印加のみであり、基板本体へ
は非接触で検査できる。更に、液晶ディスプレイの各画
素に対し複数の薄膜トランジスタ、あるいは複数の走査
線・信号線交差部が形成されている基板に対しても、短
絡欠陥装置の特定を行うことができ、短絡欠陥の存在す
る基板を修正することが容易に可能になる。この結果、
薄膜トランジスタ液晶基板上に存在している種々の短絡
欠陥を高感度に、しかも基板に非接触にして、速やかに
検出可能となり、このような検査に並行して配線の修正
を行なうようにすれば、薄膜トランジスタ液晶基板の歩
留りを大幅に向上することができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】薄膜トランジスタ液晶基板の電気的配線構成の
一般例を示す図である。

【図２】（ａ），（ｂ）は、短絡欠陥の種類と短絡欠陥
修正方法を説明するための図である。

【図３】短絡欠陥の有無を確認するための従来技術に係
る検査方法を説明するための図である。

【図４】本発明に係る短絡画素番地特定方法を説明する
ための図である。

【図５】本発明による薄膜トランジスタ液晶基板検査装
置の一例での構成を示す図である。

【図６】画素内の短絡位置特定方法を説明するための図
である。

【図７】（ａ），（ｂ）は、透過照明画像による短絡欠
陥位置特定方法を説明するための図である。

【図８】短絡画素番地を特定する際での検出画像の例を
示す図である。

【図９】発熱位置の計測方法を示す図である。

【図１０】図５に示す検査装置での赤外画像検出タイミ
ングの一例を説明するための図である。

【図１１】図１０に示す赤外画像検出タイミングによっ
て検出された赤外画像にもとづく差：赤外画像の定性的
特徴を説明するための図である。

【図１２】図１０に示す赤外画像検出タイミングによる
ことなく、検出された赤外画像にもとづく差：赤外画像
の定性的不具合を説明するための図である。

【図１３】（Ａ）〜（Ｃ）は、短絡欠陥画素内での短絡
欠陥位置を特定するに際し、視野内差赤外画像中に信号
線画像、あるいは走査線画像が比較的顕著に出現する場
合での処理方法を説明するための図である。

【符号の説明】

３…短絡欠陥、 ９ａ，９ｄ…配線切断位置、 ３０…薄膜トランジスタ基板、 ３５…電源（直流、交流） ３６…探針、 ３７…対物レンズ、 ３８，４０…ダイクロイックミラー、 ３９，４５，４７，４９…レンズ、 ４１…開口部、 ４２…ビームエキスパンダ、 ４３…レーザ、 ４４…ハーフミラー、 ４８…可視画像検出器、 ５５…差画像検出回路、 ５６…座標検出回路、 ５７…基準の赤外画像、 ６１…２値化回路、 ６２…パターンマッチング回路、 ６３…辞書パターン、 ６４…短絡候補位置算出回路、 ６５…座標データ、 ６６…メモリ、 ６７…パターンマッチング回路、 ６９…短絡位置決定回路、 ７４ａ〜７４ｄ…短絡候補位置、 ７７…辞書パターン位置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｇ 3/36 7319−5Ｇ

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】薄膜トランジスタ液晶基板における走査線
   と信号線の間に電圧を印加し、該走査線と信号線間に流
   れる電流による発熱状態の変化を赤外画像によって監視
   することによって、走査線と信号線間に存在している短
   絡欠陥を検出することを特徴とする薄膜トランジスタ液
   晶基板検査方法。
2. 【請求項２】薄膜トランジスタ液晶基板における複数の
   走査線と複数の信号線を、いずれも一方の端子で電気的
   に共通に接続した状態で、走査線と信号線の間に電圧を
   印加し、該走査線と信号線間に流れる電流による発熱状
   態の変化を赤外画像によって監視することによって、走
   査線と信号線間に存在している短絡欠陥を検出すること
   を特徴とする薄膜トランジスタ液晶基板検査方法。
3. 【請求項３】薄膜トランジスタ液晶基板における複数の
   走査線と複数の信号線を、いずれも一方の端子で電気的
   に共通に接続した状態で、走査線と信号線の間に電圧を
   印加し、該走査線と信号線間に流れる電流による発熱状
   態の変化を赤外画像によって監視することによって、走
   査線と信号線間に存在している短絡欠陥を検出するに際
   しては、走査線を電気的に接続する端子と画素領域との
   間に存在する走査線、及び信号線を電気的に接続する端
   子と画素領域との間に存在する信号線について、電圧印
   加前後の発熱状態の変化を赤外画像によって監視するこ
   とにより、短絡欠陥が発生している画素番地を特定する
   ことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶基板検査方法。
4. 【請求項４】薄膜トランジスタ液晶基板における複数の
   走査線と複数の信号線を、いずれも一方の端子で電気的
   に接続した状態で、走査線と信号線の間に電圧を印加
   し、該走査線と信号線間に流れる電流による発熱状態の
   変化を赤外画像によって監視することによって、走査線
   と信号線間に存在している短絡欠陥を検出するに際して
   は、走査線を電気的に接続する端子と画素領域との間に
   存在する走査線、及び信号線を電気的に接続する端子と
   画素領域との間に存在する信号線について、電圧印加前
   後の発熱状態の変化を赤外画像によって監視することに
   より、短絡欠陥が発生している画素番地を特定した後
   は、特定された番地の画素について、電圧印加前後の発
   熱状態の変化を赤外画像から監視することにより、短絡
   欠陥が発生している位置を特定することを特徴とする薄
   膜トランジスタ液晶検査方法。
5. 【請求項５】電圧印加前後の赤外画像の差、あるいは商
   （割合）によって短絡欠陥の検出、あるいは短絡欠陥の
   位置特定が行われることを特徴とする請求項１記載の薄
   膜トランジスタ液晶基板検査方法。
6. 【請求項６】電圧印加前後の赤外画像の差、あるいは商
   （割合）によって短絡欠陥の検出、あるいは短絡欠陥の
   位置特定が行われることを特徴とする請求項２記載の薄
   膜トランジスタ液晶基板検査方法。
7. 【請求項７】電圧印加前後の赤外画像の差、あるいは商
   （割合）によって短絡欠陥の検出、あるいは短絡欠陥の
   位置特定が行われることを特徴とする請求項３記載の薄
   膜トランジスタ液晶基板検査方法。
8. 【請求項８】電圧印加前後の赤外画像の差、あるいは商
   （割合）によって短絡欠陥の検出、あるいは短絡欠陥の
   位置特定が行われることを特徴とする請求項４記載の薄
   膜トランジスタ液晶基板検査方法。
9. 【請求項９】短絡欠陥が発生している画素番地につい
   て、薄膜トランジスタ液晶基板の配線パターンの可視像
   を参照し、短絡欠陥が発生している位置を特定すること
   を特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ液晶基板
   検査方法。
10. 【請求項１０】赤外画像検出の際、検出感度を受光部周
    辺にいくに従い落としたことを特徴とする請求項２記載
    の薄膜トランジスタ液晶基板の検査方法。
11. 【請求項１１】電圧印加前の赤外画像と基準画像との位
    置関係を算出することにより、発熱位置を正確に算出
    し、薄膜トランジスタ液晶基板の走査線と信号線の間に
    電圧を印加し、上記算出された発熱位置にもとづいて走
    査線と信号線の短絡欠陥部を流れる電流による発熱状態
    の変化を赤外画像から検出して走査線と信号線間に存在
    している短絡欠陥を検出することを特徴とする薄膜トラ
    ンジスタ液晶基板検査方法。
12. 【請求項１２】薄膜トランジスタ液晶基板の走査線と信
    号線を、いずれも一方の端子で電気的に接続したことを
    特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ液晶基板
    の検査方法。
13. 【請求項１３】電圧印加前後の発熱状態の変化を赤外画
    像から検出することにより、短絡欠陥が発生している位
    置を特定することを特徴とする請求項１２記載の薄膜ト
    ランジスタ液晶基板の検査方法。
14. 【請求項１４】基準画像は、電圧印加前の赤外画像であ
    り、トランジスタ部または走査線と信号線の交差部の画
    像であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トラン
    ジスタ液晶基板の検査方法。
15. 【請求項１５】電圧印加前の赤外画像と基準画像の位置
    関係の算出は、画像のマッチングにより行うことを特徴
    とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ液晶基板の検
    査方法。
16. 【請求項１６】薄膜トランジスタ液晶基板における走査
    線・信号線間、走査線間、あるいは信号線間に電圧を印
    加した状態で、該走査線・信号線間、該走査線間、ある
    いは該信号線間に流れる電流による発熱状態の変化を、
    電圧印加状態での赤外画像と、電圧印加停止状態での赤
    外画像との差、あるいは商から検出することによって、
    走査線・信号線間、走査線間、あるいは信号線間に存在
    する短絡欠陥が検出されるようにした薄膜トランジスタ
    液晶基板の検査方法。
17. 【請求項１７】薄膜トランジスタ液晶基板における走査
    線・信号線間、走査線間、あるいは信号線間に電圧を印
    加した時点から所定時間経過後に赤外画像を検出する一
    方、電圧の印加が停止された時点から所定時間経過後に
    赤外画像を検出し、該走査線・信号線間、該走査線間、
    あるいは該信号線間に流れる電流による発熱状態の変化
    を、電圧印加状態での赤外画像と、電圧印加停止状態で
    の赤外画像との差、あるいは商から検出することによっ
    て、走査線・信号線間、走査線間、あるいは信号線間に
    存在する短絡欠陥が検出されるようにした薄膜トランジ
    スタ液晶基板の検査方法。
18. 【請求項１８】薄膜トランジスタ液晶基板における走査
    線・信号線間、走査線間、あるいは信号線間に電圧を印
    加した時点から所定時間経過後に赤外画像を検出する一
    方、電圧の印加が停止された時点から所定時間経過後に
    赤外画像を検出し、該走査線・信号線間、該走査線間、
    あるいは該信号線間に流れる電流による発熱状態の変化
    を、電圧印加状態での赤外画像と、電圧印加停止状態で
    の赤外画像との差、あるいは商から、走査線・信号線
    間、走査線間、あるいは信号線間に存在する短絡欠陥を
    検出するに際し、電圧印加状態、電圧印加停止状態各々
    での赤外画像検出タイミングを、事前の電圧印加状態で
    の検出電流値、あるいは検出赤外画像上での発熱量の大
    きさにもとづいて定めるようにした薄膜トランジスタ液
    晶基板の検査方法。
19. 【請求項１９】薄膜トランジスタ液晶基板における走査
    線・信号線間、隣接走査線間、あるいは信号線間に電圧
    を印加した状態で、該走査線・信号線間、該走査線間、
    あるいは該信号線間に流れる電流による発熱状態の変化
    を、電圧印加状態での赤外画像と、電圧印加停止状態で
    の赤外画像との差、あるいは商から検出するに際し、該
    値を設定しきい値と比較することによって、走査線・信
    号線間、走査線間、あるいは信号線間に存在する短絡欠
    陥を検出するようにした薄膜トランジスタ液晶基板の検
    査方法。
20. 【請求項２０】薄膜トランジスタ液晶基板における走査
    線・信号線間、走査線間、あるいは信号線間に電圧を印
    加した時点から所定時間経過後に赤外画像を検出する一
    方、電圧の印加が停止された時点から所定時間経過後に
    赤外画像を検出することを複数回に亘って繰返し、該走
    査線・信号線間、該走査線間、あるいは該信号線間に流
    れる電流による発熱状態の変化を、電圧印加状態での複
    数枚の重ね合せ赤外画像と、電圧印加停止状態での複数
    枚の重ね合せ赤外画像との差、あるいは商から検出する
    ことによって、走査線、信号線間、走査線間、あるいは
    信号線間に存在する短絡欠陥が検出されるようにした薄
    膜トランジスタ液晶基板の検査方法。
21. 【請求項２１】薄膜トランジスタ液晶基板における複数
    の走査線および信号線を何れも一方の端子側で電気的に
    共通に接続した上、該走査線・信号線間に電圧を印加し
    た時点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を
    検出する一方、電圧の印加が停止された時点から所定時
    間経過後に画素領域外での赤外画像を検出し、発熱状態
    の変化に係る走査線および信号線を、電圧印加状態での
    赤外画像と、電圧印加停止状態での赤外画像との差、あ
    るいは商から検出することによって、短絡欠陥が発生し
    ている画素番地を検出するようにした薄膜トランジスタ
    液晶基板の検査方法。
22. 【請求項２２】薄膜トランジスタ液晶基板における複数
    の走査線および信号線を何れも一方の端子側で電気的に
    共通に接続した上、該走査線・信号線間に電圧を印加し
    た時点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を
    検出する一方、電圧の印加が停止された時点から所定時
    間経過後に画素領域外での赤外画像を検出し、発熱状態
    の変化に係る走査線および信号線を、電圧印加状態での
    赤外画像と、電圧印加停止状態での赤外画像との差、あ
    るいは商から検出することによって、短絡欠陥が発生し
    ている画素番地を特定した後は、該画素番地で、走査線
    ・信号線間に電圧を印加した時点から所定時間経過後に
    検出された赤外画像と、電圧の印加が停止された時点か
    ら所定時間経過後に検出された赤外画像との差、あるい
    は商として検出し、設定しきい値と比較することで短絡
    欠陥位置を検出し、該画素番地での短絡欠陥を検出する
    ようにした薄膜トランジスタ液晶基板の検査方法。
23. 【請求項２３】薄膜トランジスタ液晶基板における複数
    の走査線および信号線を何れも一方の端子側で電気的に
    共通に接続した上、該走査線・信号線間に電圧を印加し
    た時点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を
    検出する一方、電圧の印加が停止された時点から所定時
    間経過後に画素領域外での赤外画像を検出し、発熱状態
    の変化に係る走査線および信号線を、電圧印加状態での
    赤外画像と、電圧印加停止状態での赤外画像との差、あ
    るいは商から検出することによって、短絡欠陥が発生し
    ている画素番地が特定された後は、該画素番地で、走査
    線・信号線間に電圧を印加した時点から所定時間経過後
    に検出された赤外画像と、電圧の印加が停止された時点
    から所定時間経過後に検出された赤外画像との差、ある
    いは商として検出し、差赤外画像における端部の明るさ
    を考慮して、設定しきい値と比較することで短絡欠陥位
    置を検出し、該画素番地での短絡欠陥を検出するように
    した薄膜トランジスタ液晶基板の検査方法。
24. 【請求項２４】薄膜トランジスタ液晶基板における複数
    の走査線および信号線を何れも一方の端子側で電気的に
    共通に接続した上、該走査線・信号線間に電圧を印加し
    た時点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を
    検出する一方、電圧の印加が停止された時点から所定時
    間経過後に画素領域外での赤外画像を検出し、発熱状態
    の変化に係る走査線および信号線を、電圧印加状態での
    赤外画像と、電圧印加停止状態での赤外画像との差、あ
    るいは商から検出することによって、短絡欠陥が発生し
    ている画素番地を特定し、走査線・信号線間に電圧を印
    加した時点から所定時間経過後に検出された赤外画像
    と、電圧の印加が停止された時点から所定時間経過後に
    検出された赤外画像との差、あるいは商として検出され
    た該画素番地での差赤外画像中に設定しきい値以上の画
    像部分が存在しない場合には、該画素番地での差赤外画
    像中に設定しきい値以上の画像部分が存在しない場合に
    は、該画素番地での配線パターン位置を該画素番地の可
    視画像より検出する一方、該画素番地での配線パターン
    を隣接画素番地の配線パターンと比較することで短絡欠
    陥位置を検出するようにした薄膜トランジスタ液晶基板
    の検査方法。
25. 【請求項２５】薄膜トランジスタ液晶基板の走査線と信
    号線の間に電圧を印加する手段及び赤外画像検出手段を
    有し、電圧印加前後に走査線と信号線の短絡欠陥部を流
    れる電流による発熱状態の変化を赤外画像検出手段で検
    出することを特徴とする薄膜トランジスタ液晶基板検査
    装置。
26. 【請求項２６】走査線と信号線の間に電圧を印加するに
    際し、薄膜トランジスタ液晶基板における複数の走査線
    と複数の信号線はいずれも一方の端子が電気的に共通に
    接続された状態で、走査線と信号線の間に電圧が印加さ
    れることを特徴とする請求項２５記載の薄膜トランジス
    タ液晶基板検査装置。
27. 【請求項２７】走査線を電気的に接続する端子と画素領
    域との間に存在する走査線、及び信号線を電気的に接続
    する端子と画素領域との間に存在する信号線について、
    電圧印加前後の発熱状態の変化を赤外画像検出手段で検
    出することにより、短絡欠陥が発生している画素番地を
    特定することを特徴とする請求項２６記載の薄膜トラン
    ジスタ液晶基板の検査装置。
28. 【請求項２８】薄膜トランジスタ液晶基板上の任意位置
    での画像が光学的に検出されるべく、該薄膜トランジス
    タ液晶基板をＸ，Ｙ，Ｚ方向位置およびＸＹ水平面内で
    の回転位置θが任意の状態として載置するステージ系
    と、該ステージ系に載置された薄膜トランジスタ液晶基
    板における走査線・信号線間、走査線間、あるいは信号
    線間に電圧を印加可とする電圧印加系と、上記ステージ
    系に載置された薄膜トランジスタ液晶基板上の任意位置
    での配線パターンを可視像として検出すべく該薄膜トラ
    ンジスタ液晶基板を可視光を以て照明する照明系と、上
    記ステージ系に載置された薄膜トランジスタ液晶基板上
    の任意位置での赤外画像を、電圧印加開始時点、電圧印
    加停止時点からそれぞれ所定時間経過後に検出した上、
    所定に画像処理することで、短絡欠陥の存否、短絡欠陥
    発生画素番地の特定および短絡欠陥発生画素番地内での
    短絡欠陥位置の特定を行う赤外画像検出処理系と、上記
    ステージ系に載置された薄膜トランジスタ液晶基板上の
    任意位置での配線パターンを可視像として検出した上、
    所定に画像処理することで、短絡欠陥発生画素番地内で
    の短絡欠陥位置の特定を行う可視画像検出処理系と、を
    少なくとも含む構成の薄膜トランジスタ液晶基板の検査
    装置。
29. 【請求項２９】上記特定された短絡欠陥についてエネル
    ギビームを照射して短絡欠陥を除去する短絡欠陥修正手
    段を備えたことを特徴とする請求項２５又は２８記載の
    薄膜トランジスタ液晶基板の検査・修正装置。
30. 【請求項３０】上記特定された短絡欠陥について、エネ
    ルギビームを照射して短絡欠陥を除去することを特徴と
    する請求項１、又は２、又は３又は４、又は１６、又は
    １７記載の薄膜トランジスタ液晶基板の検査・修正方
    法。