JPH0651019A - 恒温ユニット - Google Patents
恒温ユニットInfo
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- JPH0651019A JPH0651019A JP3287634A JP28763491A JPH0651019A JP H0651019 A JPH0651019 A JP H0651019A JP 3287634 A JP3287634 A JP 3287634A JP 28763491 A JP28763491 A JP 28763491A JP H0651019 A JPH0651019 A JP H0651019A
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- product
- unit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】恒温ユニット2において、製品5を初期温度か
ら設定温度まで到達させる時間を短縮し、小型化を図
る。又、恒温ユニット2において、製品5の設定温度の
安定化を図れる。 【構成】製品5を加熱し若しくは冷却する恒温ユニット
2において、前記製品5に直接々触する熱伝達ブロック
20を設け、この熱伝達ブロック20にこの熱伝達ブロ
ック20を加熱する加熱手段(22)を設けるととも
に、この熱伝達ブロック20を冷却する冷却手段(2
1)を設ける。
ら設定温度まで到達させる時間を短縮し、小型化を図
る。又、恒温ユニット2において、製品5の設定温度の
安定化を図れる。 【構成】製品5を加熱し若しくは冷却する恒温ユニット
2において、前記製品5に直接々触する熱伝達ブロック
20を設け、この熱伝達ブロック20にこの熱伝達ブロ
ック20を加熱する加熱手段(22)を設けるととも
に、この熱伝達ブロック20を冷却する冷却手段(2
1)を設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、製品の温度制御技術に
関し、特に、測定、検査、試験、加工等を行うことを目
的として製品を加熱若しくは冷却する技術に適用して有
効な技術に関するものである。
関し、特に、測定、検査、試験、加工等を行うことを目
的として製品を加熱若しくは冷却する技術に適用して有
効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】DIP構造、SOP構造、QFP構造等
の構造を採用する樹脂封止型半導体装置は、その組立製
造プロセスが終了すると、半導体製品として良品か不良
品かが選別され、良品となった半導体製品は市場に出荷
される。半導体製品の選別においては、一般的に外観不
良検査等、外観的な検査に加え、正常な回路動作が行わ
れる否か、設定された寿命まで性能を維持できるか否か
といった内部的な特性検査が行われる。この内部的な特
性検査の代表的な検査法としては加速試験(寿命試験)
がある。
の構造を採用する樹脂封止型半導体装置は、その組立製
造プロセスが終了すると、半導体製品として良品か不良
品かが選別され、良品となった半導体製品は市場に出荷
される。半導体製品の選別においては、一般的に外観不
良検査等、外観的な検査に加え、正常な回路動作が行わ
れる否か、設定された寿命まで性能を維持できるか否か
といった内部的な特性検査が行われる。この内部的な特
性検査の代表的な検査法としては加速試験(寿命試験)
がある。
【0003】前記加速試験は、通常、ハンドラに装備さ
れた検査ユニットで行われる。前記ハンドラの一般的構
成は、半導体製品の搬送経路に、複数個の未検査の半導
体製品を順次供給する供給ユニット、この未検査の半導
体製品の加速試験を行う検査ユニット、検査後の半導体
製品を収納する収納ユニットの夫々が装備される。
れた検査ユニットで行われる。前記ハンドラの一般的構
成は、半導体製品の搬送経路に、複数個の未検査の半導
体製品を順次供給する供給ユニット、この未検査の半導
体製品の加速試験を行う検査ユニット、検査後の半導体
製品を収納する収納ユニットの夫々が装備される。
【0004】前記ハンドラの検査ユニットに又はこの検
査ユニットに連結して、加速試験を行うために未検査の
半導体製品を加熱し若しくは冷却する恒温ユニットが装
備される。恒温ユニットは、未検査の半導体製品をヒー
トブロックを介して直接加熱する方式のものがあるが、
これは高温加速試験に限られており、現在、加速試検の
項目として低温加速試験があるので、高温、低温のいず
れの加速試験も行える下記の槽方式が採用される。この
槽方式が採用される恒温ユニットは、未検査の半導体製
品が搬送された糟内の雰囲気を加熱し若しくは冷却し、
この加熱若しくは冷却された雰囲気で未検査の半導体製
品を初期温度(例えば常温)から設定温度(高温度若し
くは低温度)まで加熱若しくは冷却できる。
査ユニットに連結して、加速試験を行うために未検査の
半導体製品を加熱し若しくは冷却する恒温ユニットが装
備される。恒温ユニットは、未検査の半導体製品をヒー
トブロックを介して直接加熱する方式のものがあるが、
これは高温加速試験に限られており、現在、加速試検の
項目として低温加速試験があるので、高温、低温のいず
れの加速試験も行える下記の槽方式が採用される。この
槽方式が採用される恒温ユニットは、未検査の半導体製
品が搬送された糟内の雰囲気を加熱し若しくは冷却し、
この加熱若しくは冷却された雰囲気で未検査の半導体製
品を初期温度(例えば常温)から設定温度(高温度若し
くは低温度)まで加熱若しくは冷却できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ハンドラに装備される恒温ユニットは、高温、低温のい
ずれの加速試験も行えるが、加熱若しくは冷却した雰囲
気を使用し、未検査の半導体製品を初期温度から設定温
度まで到達させるので、未検査の半導体製品を設定温度
まで到達するまでの時間(到達時間)が長くなる。未検
査の半導体製品はハンドラにより逐次検査ユニットに供
給され加速試験が行われるので、急激に未検査の半導体
製品を設定温度まで到達させることは雰囲気からの熱伝
導方式では困難である。このため、恒温ユニットは、未
検査の半導体製品を予じめ設定温度まで近づける予備加
熱領域若しくは予備冷却領域を槽内に備え、半導体製品
の収納容量を増加する必要があるので、どうしても恒温
ユニットが大型化になるという問題があった。この恒温
ユニットの大型化はハンドラの大型化を意味する。
ハンドラに装備される恒温ユニットは、高温、低温のい
ずれの加速試験も行えるが、加熱若しくは冷却した雰囲
気を使用し、未検査の半導体製品を初期温度から設定温
度まで到達させるので、未検査の半導体製品を設定温度
まで到達するまでの時間(到達時間)が長くなる。未検
査の半導体製品はハンドラにより逐次検査ユニットに供
給され加速試験が行われるので、急激に未検査の半導体
製品を設定温度まで到達させることは雰囲気からの熱伝
導方式では困難である。このため、恒温ユニットは、未
検査の半導体製品を予じめ設定温度まで近づける予備加
熱領域若しくは予備冷却領域を槽内に備え、半導体製品
の収納容量を増加する必要があるので、どうしても恒温
ユニットが大型化になるという問題があった。この恒温
ユニットの大型化はハンドラの大型化を意味する。
【0006】また、この問題点を解決するために、恒温
ユニットの槽内の予備加熱領域若しくは予備冷却領域に
相当する部分を取り除き、この恒温ユニットの小型化を
図ることが考えられるが、逆に、未検査の半導体製品を
設定温度に到達するまでの時間が長くなり、加速試験の
効率が低下するという問題が発生する。
ユニットの槽内の予備加熱領域若しくは予備冷却領域に
相当する部分を取り除き、この恒温ユニットの小型化を
図ることが考えられるが、逆に、未検査の半導体製品を
設定温度に到達するまでの時間が長くなり、加速試験の
効率が低下するという問題が発生する。
【0007】本発明の目的は、恒温ユニットにおいて、
製品を初期温度から設定温度まで到達させる時間を短縮
し、小型化を図ることが可能な技術を提供することにあ
る。
製品を初期温度から設定温度まで到達させる時間を短縮
し、小型化を図ることが可能な技術を提供することにあ
る。
【0008】本発明の他の目的は、恒温ユニットにおい
て、製品の設定温度の安定化を図ることが可能な技術を
提供することにある。
て、製品の設定温度の安定化を図ることが可能な技術を
提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【0011】(1)製品を加熱し若しくは冷却する恒温
ユニットにおいて、前記製品に直接々触する熱伝達ブロ
ックを設け、この熱伝達ブロックにこの熱伝達ブロック
を加熱する加熱手段を設けるとともに、この熱伝達ブロ
ックを冷却する冷却手段を設ける。
ユニットにおいて、前記製品に直接々触する熱伝達ブロ
ックを設け、この熱伝達ブロックにこの熱伝達ブロック
を加熱する加熱手段を設けるとともに、この熱伝達ブロ
ックを冷却する冷却手段を設ける。
【0012】(2)前記手段(1)に記載の熱伝達ブロ
ックはそれに直接々触される製品を含めて断熱カバーで
被覆され、この断熱カバーで被覆された熱伝達ブロック
を含む内部の雰囲気は断熱カバーを介在してその外部の
雰囲気に対して実質的に遮断される。
ックはそれに直接々触される製品を含めて断熱カバーで
被覆され、この断熱カバーで被覆された熱伝達ブロック
を含む内部の雰囲気は断熱カバーを介在してその外部の
雰囲気に対して実質的に遮断される。
【0013】(3)前記手段(2)に記載の断熱カバー
の内部にその内部の雰囲気の温度を制御する雰囲気温度
制御手段、前記製品の特性を検査する検査ユニットの少
なくともいずれか一方を設ける。
の内部にその内部の雰囲気の温度を制御する雰囲気温度
制御手段、前記製品の特性を検査する検査ユニットの少
なくともいずれか一方を設ける。
【0014】
【作用】上述した手段(1)によれば、以下の作用効果
が得られる。
が得られる。
【0015】(A)前記恒温ユニットにおいて、熱伝達
ブロックからなる固体物質から直接製品に熱を伝達し、
気体雰囲気から製品に熱を伝達する場合に比べて、製品
が初期温度から設定温度に達するまでの時間(到達時
間)を短縮できるので、製品を初期温度から設定温度ま
でにある程度到達させる予備領域(予備加熱領域若しく
は予備冷却領域)を廃止し、小型化が図れる。
ブロックからなる固体物質から直接製品に熱を伝達し、
気体雰囲気から製品に熱を伝達する場合に比べて、製品
が初期温度から設定温度に達するまでの時間(到達時
間)を短縮できるので、製品を初期温度から設定温度ま
でにある程度到達させる予備領域(予備加熱領域若しく
は予備冷却領域)を廃止し、小型化が図れる。
【0016】(B)前記作用効果(A)の恒温ユニット
の小型化が図れることに基づき、製品の初期温度から設
定温度までに到達させる熱エネルギ量を低減できるの
で、省エネルギ化が図れる。
の小型化が図れることに基づき、製品の初期温度から設
定温度までに到達させる熱エネルギ量を低減できるの
で、省エネルギ化が図れる。
【0017】(C)前記恒温ユニットにおいて、熱伝達
ブロックに加熱手段、冷却手段の双方を設けたので、熱
伝達ブロックを加熱した際の温度制御(例えば、温度が
若干高い場合は冷却手段で温度を下げる)、冷却した際
の温度制御(例えば、温度が若干低い場合は加熱手段で
温度を上げる)のいずれも行うことができ、恒温を確保
できる。
ブロックに加熱手段、冷却手段の双方を設けたので、熱
伝達ブロックを加熱した際の温度制御(例えば、温度が
若干高い場合は冷却手段で温度を下げる)、冷却した際
の温度制御(例えば、温度が若干低い場合は加熱手段で
温度を上げる)のいずれも行うことができ、恒温を確保
できる。
【0018】上述した手段(2)によれば、前記恒温ユ
ニットにおいて、熱伝達ブロックで製品を加熱若しくは
冷却する際に、前記製品が存在する雰囲気の温度を設定
温度に近づけた状態に保持できるので、製品の初期温度
から設定温度まで到達する時間をより短縮できる。
ニットにおいて、熱伝達ブロックで製品を加熱若しくは
冷却する際に、前記製品が存在する雰囲気の温度を設定
温度に近づけた状態に保持できるので、製品の初期温度
から設定温度まで到達する時間をより短縮できる。
【0019】上述した手段(3)によれば、前記恒温ユ
ニットにおいて、雰囲気温度制御手段を設けた場合は、
熱伝達ブロックで製品を加熱若しくは冷却する際に、前
記製品が存在する雰囲気の温度を設定温度に近づけられ
るので、製品の初期温度から設定温度まで到達する時間
をより短縮でき、前記検査ユニットを設けた場合は、製
品が初期温度から設定温度に到達した後に、この設定温
度に製品が保持された状態で即座に製品の特性を検査で
きる。
ニットにおいて、雰囲気温度制御手段を設けた場合は、
熱伝達ブロックで製品を加熱若しくは冷却する際に、前
記製品が存在する雰囲気の温度を設定温度に近づけられ
るので、製品の初期温度から設定温度まで到達する時間
をより短縮でき、前記検査ユニットを設けた場合は、製
品が初期温度から設定温度に到達した後に、この設定温
度に製品が保持された状態で即座に製品の特性を検査で
きる。
【0020】以下、本発明の構成について、半導体製品
の加速試験で使用される恒温ユニットに本発明を適用し
た一実施例とともに説明する。
の加速試験で使用される恒温ユニットに本発明を適用し
た一実施例とともに説明する。
【0021】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【0022】
(実 施 例 1)本発明の実施例1である恒温ユニット
を含むハンドラの概略構成を図1(システムブロック
図)で示す。
を含むハンドラの概略構成を図1(システムブロック
図)で示す。
【0023】図1に示すように、加速試験を行うハンド
ラは、供給ユニット(ローダ)1、収納ユニット(アン
ローダ)4の夫々の間の製品供給経路に、供給ユニット
1から収納ユニット4に向って、恒温ユニット2、検査
ユニット3の夫々が順次装備される。前記供給ユニット
1は未検査の半導体製品5を複数個逐次検査ユニット3
に供給できる。収納ユニット4は検査ユニット3で加速
試験が行われた検査終了後の半導体製品5を複数個逐次
収納できる。
ラは、供給ユニット(ローダ)1、収納ユニット(アン
ローダ)4の夫々の間の製品供給経路に、供給ユニット
1から収納ユニット4に向って、恒温ユニット2、検査
ユニット3の夫々が順次装備される。前記供給ユニット
1は未検査の半導体製品5を複数個逐次検査ユニット3
に供給できる。収納ユニット4は検査ユニット3で加速
試験が行われた検査終了後の半導体製品5を複数個逐次
収納できる。
【0024】前記半導体製品5は例えば、DIP構造、
SOP構造、QFP構造等の構造を採用する樹脂封止型
半導体装置である。この樹脂封止型半導体装置は、回路
システムが搭載された半導体ペレットを樹脂封止体で封
止した構造で構成され、半導体ペレットに搭載された回
路システムはリードを通して外部装置に電気的に接続さ
れる構造で構成される。
SOP構造、QFP構造等の構造を採用する樹脂封止型
半導体装置である。この樹脂封止型半導体装置は、回路
システムが搭載された半導体ペレットを樹脂封止体で封
止した構造で構成され、半導体ペレットに搭載された回
路システムはリードを通して外部装置に電気的に接続さ
れる構造で構成される。
【0025】前記検査ユニット3は、前記半導体製品5
つまり樹脂封止型半導体装置の半導体ペレットに搭載さ
れた回路システムの電気的特性検査、寿命検査の夫々を
主体に行う。この検査ユニット3に搬送される半導体製
品5は、その搬送経路の前段において、加速試験を行う
ために、恒温ユニット2で所定の設定温度に加熱若しく
は冷却される。
つまり樹脂封止型半導体装置の半導体ペレットに搭載さ
れた回路システムの電気的特性検査、寿命検査の夫々を
主体に行う。この検査ユニット3に搬送される半導体製
品5は、その搬送経路の前段において、加速試験を行う
ために、恒温ユニット2で所定の設定温度に加熱若しく
は冷却される。
【0026】恒温ユニット2は、熱伝達ブロック(ヒー
トブロック)20、冷却管21、冷却装置21A、加熱
用ヒータ22、加熱制御装置22A、温度センサ23、
温度制御装置23A、断熱カバー24を主体に構成され
る。
トブロック)20、冷却管21、冷却装置21A、加熱
用ヒータ22、加熱制御装置22A、温度センサ23、
温度制御装置23A、断熱カバー24を主体に構成され
る。
【0027】この恒温ユニット2の熱伝達ブロック20
はその表面側にレール形状を有する搬送経路20Aが構
成される。この搬送経路20Aは、断熱カバー24の一
壁面に形成された供給口24Aを通して、供給ユニット
1から複数個の未検査の半導体製品5が逐次供給され、
断熱カバー24の一壁面に対向する他の壁面に形成され
た排出口24Bを通して、複数個の未検査の半導体製品
5を検査ユニット3に逐次供給する。この熱伝達ブロッ
ク20の搬送経路20Aは、未検査の半導体製品5を搬
送しながら、この未検査の半導体製品5を初期温度から
加速試験を行う設定温度まで加熱若しくは冷却する領域
である。
はその表面側にレール形状を有する搬送経路20Aが構
成される。この搬送経路20Aは、断熱カバー24の一
壁面に形成された供給口24Aを通して、供給ユニット
1から複数個の未検査の半導体製品5が逐次供給され、
断熱カバー24の一壁面に対向する他の壁面に形成され
た排出口24Bを通して、複数個の未検査の半導体製品
5を検査ユニット3に逐次供給する。この熱伝達ブロッ
ク20の搬送経路20Aは、未検査の半導体製品5を搬
送しながら、この未検査の半導体製品5を初期温度から
加速試験を行う設定温度まで加熱若しくは冷却する領域
である。
【0028】熱伝達ブロック20は、その搬送経路20
Aにおいて未検査の半導体製品5を搬送しながらこの未
検査の半導体製品5に直接々触し、固体間の接触に基づ
く熱伝達により、未検査の半導体製品5を設定温度まで
加熱若しくは冷却する。この熱伝達ブロック20は、熱
伝導性が高く、加工性に優れ、しかも化学的に変化の少
ない材質、例えばステンレス鋼(Fe−Cr合金)で形
成される。
Aにおいて未検査の半導体製品5を搬送しながらこの未
検査の半導体製品5に直接々触し、固体間の接触に基づ
く熱伝達により、未検査の半導体製品5を設定温度まで
加熱若しくは冷却する。この熱伝達ブロック20は、熱
伝導性が高く、加工性に優れ、しかも化学的に変化の少
ない材質、例えばステンレス鋼(Fe−Cr合金)で形
成される。
【0029】この熱伝達ブロック20は冷却管21が埋
設され、この冷却管21は冷却装置21Aに連結され
る。冷却管21の埋設が難しい場合においては、熱伝達
ブロック20に冷却孔を設けこの冷却孔を冷却管を通し
て冷却装置21Aに連結してもよい。この冷却装置21
A及び冷却管21を含む冷却システムは、本実施例にお
いては、ボルテクスの原理に基づき、高圧高速で冷却媒
体(例えば空気)を流すことで冷却する方式を採用し、
熱伝達ブロック20を冷却し、この熱伝達ブロック20
を通して未検査の半導体製品5を冷却する。冷却システ
ムは、例えば常温(例えば、25〔℃〕)から−10
〔℃〕までの範囲の冷却が行える。
設され、この冷却管21は冷却装置21Aに連結され
る。冷却管21の埋設が難しい場合においては、熱伝達
ブロック20に冷却孔を設けこの冷却孔を冷却管を通し
て冷却装置21Aに連結してもよい。この冷却装置21
A及び冷却管21を含む冷却システムは、本実施例にお
いては、ボルテクスの原理に基づき、高圧高速で冷却媒
体(例えば空気)を流すことで冷却する方式を採用し、
熱伝達ブロック20を冷却し、この熱伝達ブロック20
を通して未検査の半導体製品5を冷却する。冷却システ
ムは、例えば常温(例えば、25〔℃〕)から−10
〔℃〕までの範囲の冷却が行える。
【0030】また、前記冷却システムとしては、冷却媒
体に液体窒素、液体ヘリウム等を使用する冷却システム
で構成してもよい。
体に液体窒素、液体ヘリウム等を使用する冷却システム
で構成してもよい。
【0031】また、この熱伝達ブロック20は前述の冷
却管21の埋設に加えて加熱用ヒータ22が埋設され、
この加熱用ヒータ22は加熱制御装置22Aに連結され
る。この加熱制御装置22A及び加熱用ヒータ22を含
む加熱システムは、本実施例においては高周波コイル方
式が採用され、熱伝達ブロック20を加熱し、この熱伝
達ブロック20を通して未検査の半導体製品5を加熱す
る。加熱システムは、例えば常温から100〔℃〕若し
くは150〔℃〕までの範囲の加熱が行える。
却管21の埋設に加えて加熱用ヒータ22が埋設され、
この加熱用ヒータ22は加熱制御装置22Aに連結され
る。この加熱制御装置22A及び加熱用ヒータ22を含
む加熱システムは、本実施例においては高周波コイル方
式が採用され、熱伝達ブロック20を加熱し、この熱伝
達ブロック20を通して未検査の半導体製品5を加熱す
る。加熱システムは、例えば常温から100〔℃〕若し
くは150〔℃〕までの範囲の加熱が行える。
【0032】また、熱伝達ブロック20は温度センサ2
3が装備され、この温度センサ23は熱伝達ブロック2
0の加熱温度若しくは冷却温度を検出する。温度センサ
23で熱伝達ブロック20の加熱温度若しくは冷却温度
が検出されると、温度センサ23に連結された温度制御
装置23Aは、加熱温度制御装置22Aを介して加熱温
度の制御若しくは冷却装置21Aを介して冷却温度の制
御を行う。
3が装備され、この温度センサ23は熱伝達ブロック2
0の加熱温度若しくは冷却温度を検出する。温度センサ
23で熱伝達ブロック20の加熱温度若しくは冷却温度
が検出されると、温度センサ23に連結された温度制御
装置23Aは、加熱温度制御装置22Aを介して加熱温
度の制御若しくは冷却装置21Aを介して冷却温度の制
御を行う。
【0033】この熱伝達ブロック20は、その搬送経路
20Aで搬送される未検査の半導体製品5を含み、断熱
カバー24で被覆される。断熱カバー24は、加熱若し
くは冷却された未検査の半導体製品5に接触する内部雰
囲気を設定温度に近い温度に保持するとともに、この内
部雰囲気と外部雰囲気との間を遮断できる。この断熱カ
バー24の一壁面に配置された供給口24A、他の壁面
に配置された排出口24Bの夫々は、断熱カバー24の
内部雰囲気の容量に対して開口面積が極めて小さく、内
部雰囲気に与える温度変化が小さいので、開口した状態
でもよいが、内部雰囲気の温度変化を極力少なくするた
めに、シャッタ方式の開閉構造を採用する。断熱カバー
24はこの材料に限定されないが例えばベーク材で構成
される。
20Aで搬送される未検査の半導体製品5を含み、断熱
カバー24で被覆される。断熱カバー24は、加熱若し
くは冷却された未検査の半導体製品5に接触する内部雰
囲気を設定温度に近い温度に保持するとともに、この内
部雰囲気と外部雰囲気との間を遮断できる。この断熱カ
バー24の一壁面に配置された供給口24A、他の壁面
に配置された排出口24Bの夫々は、断熱カバー24の
内部雰囲気の容量に対して開口面積が極めて小さく、内
部雰囲気に与える温度変化が小さいので、開口した状態
でもよいが、内部雰囲気の温度変化を極力少なくするた
めに、シャッタ方式の開閉構造を採用する。断熱カバー
24はこの材料に限定されないが例えばベーク材で構成
される。
【0034】このように、半導体製品5を加熱し若しく
は冷却する恒温ユニット2において、前記半導体製品5
に直接々触する熱伝達ブロック20を設け、この熱伝達
ブロック20にこの熱伝達ブロック20を加熱する加熱
手段(加熱用ヒータ22)を設けるとともに、この熱伝
達ブロック20を冷却する冷却手段(冷却管21)を設
ける。この構成により、以下の作用効果が得られる。
(A)前記恒温ユニット2において、熱伝達ブロック2
0からなる固体物質から直接半導体製品5に熱を伝達
し、気体雰囲気から半導体製品5に熱を伝達する場合に
比べて、半導体製品5が初期温度から設定温度に達する
までの時間(到達時間)を短縮できるので、半導体製品
5を初期温度から設定温度までにある程度到達させる予
備領域(予備加熱領域若しくは予備冷却領域)を廃止
し、小型化が図れる。(B)しかも、前記恒温ユニット
2は半導体製品5に加熱、冷却のいずれも行える。
(C)前記作用効果(A)の恒温ユニット2の小型化が
図れることに基づき、半導体製品5の初期温度から設定
温度までに到達させる熱エネルギ量を低減できるので、
省エネルギ化が図れる。(D)前記恒温ユニット2にお
いて、熱伝達ブロック20に加熱手段、冷却手段の双方
を設けたので、熱伝達ブロック20を加熱した際の温度
制御(例えば、温度が若干高い場合は冷却手段で温度を
下げる)、冷却した際の温度制御(例えば、温度が若干
低い場合は加熱手段で温度を上げる)のいずれも行うこ
とができ、恒温を確保できる。
は冷却する恒温ユニット2において、前記半導体製品5
に直接々触する熱伝達ブロック20を設け、この熱伝達
ブロック20にこの熱伝達ブロック20を加熱する加熱
手段(加熱用ヒータ22)を設けるとともに、この熱伝
達ブロック20を冷却する冷却手段(冷却管21)を設
ける。この構成により、以下の作用効果が得られる。
(A)前記恒温ユニット2において、熱伝達ブロック2
0からなる固体物質から直接半導体製品5に熱を伝達
し、気体雰囲気から半導体製品5に熱を伝達する場合に
比べて、半導体製品5が初期温度から設定温度に達する
までの時間(到達時間)を短縮できるので、半導体製品
5を初期温度から設定温度までにある程度到達させる予
備領域(予備加熱領域若しくは予備冷却領域)を廃止
し、小型化が図れる。(B)しかも、前記恒温ユニット
2は半導体製品5に加熱、冷却のいずれも行える。
(C)前記作用効果(A)の恒温ユニット2の小型化が
図れることに基づき、半導体製品5の初期温度から設定
温度までに到達させる熱エネルギ量を低減できるので、
省エネルギ化が図れる。(D)前記恒温ユニット2にお
いて、熱伝達ブロック20に加熱手段、冷却手段の双方
を設けたので、熱伝達ブロック20を加熱した際の温度
制御(例えば、温度が若干高い場合は冷却手段で温度を
下げる)、冷却した際の温度制御(例えば、温度が若干
低い場合は加熱手段で温度を上げる)のいずれも行うこ
とができ、恒温を確保できる。
【0035】また、前記恒温ユニット2の熱伝達ブロッ
ク20はそれに直接々触される半導体製品5を含めて断
熱カバー24で被覆され、この断熱カバー24で被覆さ
れた熱伝達ブロック20を含む内部の雰囲気は断熱カバ
ー24を介在してその外部の雰囲気に対して実質的に遮
断される。この構成により、前記恒温ユニット2におい
て、熱伝達ブロック20で半導体製品5を加熱若しくは
冷却する際に、前記半導体製品5が存在する雰囲気の温
度を設定温度に近づけた状態に保持できるので、半導体
製品5の初期温度から設定温度まで到達する時間をより
短縮できる。
ク20はそれに直接々触される半導体製品5を含めて断
熱カバー24で被覆され、この断熱カバー24で被覆さ
れた熱伝達ブロック20を含む内部の雰囲気は断熱カバ
ー24を介在してその外部の雰囲気に対して実質的に遮
断される。この構成により、前記恒温ユニット2におい
て、熱伝達ブロック20で半導体製品5を加熱若しくは
冷却する際に、前記半導体製品5が存在する雰囲気の温
度を設定温度に近づけた状態に保持できるので、半導体
製品5の初期温度から設定温度まで到達する時間をより
短縮できる。
【0036】(実 施 例 2)本実施例2は、前述の実
施例1のハンドラにおいて、検査ユニット、恒温ユニッ
トの夫々を同一系内に装備した、本発明の第2実施例で
ある。
施例1のハンドラにおいて、検査ユニット、恒温ユニッ
トの夫々を同一系内に装備した、本発明の第2実施例で
ある。
【0037】本発明の実施例2であるハンドラの恒温ユ
ニットの概略構成を図2(要部斜視図)で示す。
ニットの概略構成を図2(要部斜視図)で示す。
【0038】図2に示すように、本実施例2のハンドラ
は、製品搬送経路に装備される恒温ユニット2、検査ユ
ニット3の夫々を1つの断熱カバー24で被覆し、この
恒温ユニット2、検査ユニット3の夫々を同一系内に装
備する。つまり、このハンドラは、恒温ユニット2の熱
伝達ブロック20で設定温度まで到達させた未検査の半
導体製品5をこの設定温度を確保した状態において即座
に次段の検査ユニット3で加速試験を行える。
は、製品搬送経路に装備される恒温ユニット2、検査ユ
ニット3の夫々を1つの断熱カバー24で被覆し、この
恒温ユニット2、検査ユニット3の夫々を同一系内に装
備する。つまり、このハンドラは、恒温ユニット2の熱
伝達ブロック20で設定温度まで到達させた未検査の半
導体製品5をこの設定温度を確保した状態において即座
に次段の検査ユニット3で加速試験を行える。
【0039】また、前記断熱カバー24の内部には内部
雰囲気を制御する雰囲気加熱ヒータ25が装備される。
雰囲気を制御する雰囲気加熱ヒータ25が装備される。
【0040】このように、本実施例2によれば、前述の
実施例1の作用効果の他に、ハンドラの恒温ユニット2
と同一系内に半導体製品5の特性を検査する検査ユニッ
ト3を設ける。この構成により、前記恒温ユニット2で
半導体製品5が初期温度から設定温度に到達した後に、
この設定温度に半導体製品5が保持された状態で即座に
半導体製品5の加速試験ができる。
実施例1の作用効果の他に、ハンドラの恒温ユニット2
と同一系内に半導体製品5の特性を検査する検査ユニッ
ト3を設ける。この構成により、前記恒温ユニット2で
半導体製品5が初期温度から設定温度に到達した後に、
この設定温度に半導体製品5が保持された状態で即座に
半導体製品5の加速試験ができる。
【0041】また、断熱カバー24の内部にその内部の
雰囲気の温度を制御する雰囲気温度制御手段(雰囲気加
熱ヒータ25)を設ける。この構成により、前記恒温ユ
ニット2において、熱伝達ブロック20で半導体製品5
を加熱若しくは冷却する際に、前記半導体製品5が存在
する雰囲気の温度を設定温度に近づけられるので、半導
体製品5の初期温度から設定温度まで到達する時間をよ
り短縮できる。
雰囲気の温度を制御する雰囲気温度制御手段(雰囲気加
熱ヒータ25)を設ける。この構成により、前記恒温ユ
ニット2において、熱伝達ブロック20で半導体製品5
を加熱若しくは冷却する際に、前記半導体製品5が存在
する雰囲気の温度を設定温度に近づけられるので、半導
体製品5の初期温度から設定温度まで到達する時間をよ
り短縮できる。
【0042】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0043】例えば、本発明は、前述の恒温ユニット2
の熱伝達ブロックを中空体(例えば箱型)で構成し、こ
の中空体の内部を冷却システムの冷却管21として使用
し、この中空体の内部に加熱用ヒータ22を設けてもよ
い。
の熱伝達ブロックを中空体(例えば箱型)で構成し、こ
の中空体の内部を冷却システムの冷却管21として使用
し、この中空体の内部に加熱用ヒータ22を設けてもよ
い。
【0044】また、本発明は、半導体製品の加速試験に
限らず、半導体製品を所定温度に加熱若しくは冷却した
状態で加工する場合にも適用できる。
限らず、半導体製品を所定温度に加熱若しくは冷却した
状態で加工する場合にも適用できる。
【0045】また、本発明は、半導体製品に限らず、配
線基板等の検査、加工、その他、機械部品の検査、加工
等に使用する恒温ユニットに適用できる。
線基板等の検査、加工、その他、機械部品の検査、加工
等に使用する恒温ユニットに適用できる。
【0046】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0047】恒温ユニットにおいて、製品を初期温度か
ら設定温度まで到達させる時間を短縮し、小型化を図れ
る。
ら設定温度まで到達させる時間を短縮し、小型化を図れ
る。
【0048】恒温ユニットにおいて、製品の設定温度の
安定化を図れる。
安定化を図れる。
【図1】 本発明の実施例1である恒温ユニットを含む
ハンドラのシステムブロック図。
ハンドラのシステムブロック図。
【図2】 本発明の実施例2である恒温ユニット及び検
査ユニットの要部斜視図。
査ユニットの要部斜視図。
1…供給ユニット、2…恒温ユニット、20…熱伝達ブ
ロック、20A…搬送経路、21…冷却管、21A…冷
却装置、22…加熱用ヒータ、22A…加熱制御装置、
23…温度センサ、23A…温度制御装置、24…断熱
カバー、3…検査ユニット、4…収納ユニット、5…半
導体製品。
ロック、20A…搬送経路、21…冷却管、21A…冷
却装置、22…加熱用ヒータ、22A…加熱制御装置、
23…温度センサ、23A…温度制御装置、24…断熱
カバー、3…検査ユニット、4…収納ユニット、5…半
導体製品。
Claims (3)
- 【請求項1】 製品を加熱し若しくは冷却する恒温ユニ
ットにおいて、前記製品に直接々触する熱伝達ブロック
を設け、この熱伝達ブロックにこの熱伝達ブロックを加
熱する加熱手段を設けるとともに、この熱伝達ブロック
を冷却する冷却手段を設けたことを特徴とする恒温ユニ
ット。 - 【請求項2】 前記請求項1に記載の熱伝達ブロックは
それに直接々触される製品を含めて断熱カバーで被覆さ
れ、この断熱カバーで被覆された熱伝達ブロックを含む
内部の雰囲気は断熱カバーを介在してその外部の雰囲気
に対して実質的に遮断されることを特徴とする恒温ユニ
ット。 - 【請求項3】 前記請求項2に記載の断熱カバーの内部
にその内部の雰囲気の温度を制御する雰囲気温度制御手
段、前記製品の特性を検査する検査ユニットの少なくと
もいずれか一方を設けたことを特徴とする恒温ユニッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287634A JPH0651019A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 恒温ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287634A JPH0651019A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 恒温ユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651019A true JPH0651019A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=17719771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3287634A Pending JPH0651019A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 恒温ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03198829A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 経皮的に挿入される内視鏡のガイド装置 |
| US9446728B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-09-20 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Vehicle |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP3287634A patent/JPH0651019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03198829A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 経皮的に挿入される内視鏡のガイド装置 |
| US9446728B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-09-20 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Vehicle |
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