JPH06510816A - 3,3´,4,4´−テトラカルボキシビフェニルジアンヒドリド(bpda)部分を含むポリイミドコポリマー - Google Patents
3,3´,4,4´−テトラカルボキシビフェニルジアンヒドリド(bpda)部分を含むポリイミドコポリマーInfo
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- JPH06510816A JPH06510816A JP5506129A JP50612993A JPH06510816A JP H06510816 A JPH06510816 A JP H06510816A JP 5506129 A JP5506129 A JP 5506129A JP 50612993 A JP50612993 A JP 50612993A JP H06510816 A JPH06510816 A JP H06510816A
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- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims description 52
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims description 52
- -1 3,3',4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride Chemical compound 0.000 title claims description 19
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical group C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000006159 dianhydride group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 104
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 60
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 31
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 28
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 14
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001272567 Hominoidea Species 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N indane Chemical compound C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZMJVBOGDBMGI-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpropylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(CC)C1=CC=CC=C1 BUZMJVBOGDBMGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004825 2,2-dimethylpropylene group Chemical group [H]C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- FZAZPMLWYUKRAE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trinitrobenzene-1,3-diamine Chemical compound NC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C(N)=C1[N+]([O-])=O FZAZPMLWYUKRAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIXGISJFDUHZEB-UHFFFAOYSA-N 2-[9,9-bis(4-methylphenyl)fluoren-2-yl]-9,9-bis(4-methylphenyl)fluorene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1(C=2C=CC(C)=CC=2)C2=CC(C=3C=C4C(C5=CC=CC=C5C4=CC=3)(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=C2C2=CC=CC=C21 BIXGISJFDUHZEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEIOZWYBDBVCGW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylaniline Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1N AEIOZWYBDBVCGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methoxymethane Chemical compound COC.CC(O)=O TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229940096118 ella Drugs 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009963 fulling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001145 hydrido group Chemical group *[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000006224 matting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- VWBWQOUWDOULQN-UHFFFAOYSA-N nmp n-methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O.CN1CCCC1=O VWBWQOUWDOULQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 210000001331 nose Anatomy 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellityc acid Natural products OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 235000020354 squash Nutrition 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- OOLLAFOLCSJHRE-ZHAKMVSLSA-N ulipristal acetate Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C@@H]1C2=C3CCC(=O)C=C3CC[C@H]2[C@H](CC[C@]2(OC(C)=O)C(C)=O)[C@]2(C)C1 OOLLAFOLCSJHRE-ZHAKMVSLSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
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- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
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- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
-
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
- C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
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- H—ELECTRICITY
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05K1/0313—Organic insulating material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3.3’、4.4’−テトラカルポキンビフJニルジアンヒドリド(BPDA)
本発明はフポリマー、より詳細には3.3’、4.4’−テトラカルボキシビフ
ェニル7アンヒ1−リド(BPDA)部分を含む、耐薬品性および耐溶剤性ポリ
イミドに関するものである。
芳香族のポリイミドおよびポリアミドーイミ白よ、それらの靭性、柔軟性、機械
的強度および高い熱安定性のため、繊維、複合材料、成形部品および誘電体(絶
縁体または非導体)として工業的に広範な用途が見出されている。エレクトロニ
クス工業においては、ポリイミド被膜はマイクロエレクトロニクスデバイスの加
工に際して誘電体として広く用いられる。二酸化ケイ素または窒化ケイ素などの
無機誘電体と比べてポリイミドを用いることの利点は、誘電率が低いこと、利用
しやすいこと、亀裂抵抗性であること、および大部分の有機材料より基板の凹凸
か平坦化されやすし一二とである。
誘電体は一般にパターン付き導電性材料の薄膜で被覆される。この状態でそれら
は、集積回路の個々の半導体デバイスを系統連系する電気回路網を提供するため
に用いられる。これらの電気回路網は個々の半導体デバイスに電力を供給し、か
つそれらの間で電気信号を伝達する。すなわち誘電体は、一般的な基板上に構築
された集積回路から構成される面々の半導体デバイスのだめの電気系統連系回路
網を提供するシステムにおいて、構成部品として使用しうる。誘電体は、マルチ
チ/ブモジュールまたはマルチパッケージモジュールの部品として、集積回路の
系統連系回路網を形成するためにも使用しうる。
本質的に系統連系回路網の層はパターン付き導電性材料の層であり、これらは基
板から、および相互に、誘を性かつ一般的に非導電性のポリマーの層により分離
されている。導電層はエツチングされて、下層の誘電層の表面に電流を運ぶ導電
性材料のパター/−一一般に導電ラインまたは導電トレースと呼ばれるm=を形
成する。次いて後続の誘電層を付与して、トレースおよびその下層の誘電層の被
膜されていない部分を双方とも被覆する。実際には後続のポリマー層は凹凸のあ
る(すなわち平坦でない)表面に付与される。誘電体がポリマーである場合、基
板の凹凸を平坦化しやすい。しかし若干の凹凸は残存し、ポリマーが他の領域よ
り薄い領域が若干あるであろう。たとえばトレース上のポリマー層は、下層の誘
電層の被膜されていない部分上のポリマー層より薄いであろう。
ポリマーの厚さが後続の段階で用いられる薬品または溶剤によってさらに薄くな
る場合、相対的に薄い領域のポリマー被膜は導電性材料がポリマー被膜を通して
露出するほど除去される可能性がある。このような露出した導電性材料は導体間
で短絡を生しる可能性かある。さらに、著しく薄い領域または層のポリマー被膜
は大きな電界を生しる可能性かあり、これは誘電体の絶縁性破壊をもたらす可能
性がある。
さらに、2種類の重要な電気的特性、すなわち回路網キャパシタンスおよび信号
伝播速度は、誘電体被膜の厚さによって制御される。回路網キャパシタンスは、
半導体が信号を伝達するために回路網に供給しなければならない電荷の量を決定
Jる。エレクトロニクス部品は、予め定められたキャパシタンスを処理するよう
に設計されており、ポリマー被膜の厚さが薄くなった場合にはエレクトロニクス
部品の容量以上に増大しうるほとキャパシタンスが上昇してその増大を処理する
。
その結果エレクトロニクス部品は信号を伝播することができなくなるであろう。
ポリマー被膜の厚さは信号伝播速度にも影響を及ぼす可能性がある。集積回路は
特定の信号伝播速度で作動するように設計されており、信号が要求どおりに伝播
しない場合、集積回路の性能は低下するであろう。この場合、不均一な誘電体層
は半導体デバイスの電気的性能を損なうであろう。
従って誘電体被膜の厚さは、誘電体被膜の付着過程および後続の半導体デバイス
加T処理段階の双方に際して制御されなければならない。誘電体がポリイミドで
あれば、たとえは一般的な系統連系回路網の加工処理の場合には多段階法を必要
とする。この場合、ポリイミドは加工処理の多数の段階で使用される薬品および
溶剤に抵抗性でなけれはならない。
従って本発明の目的は、マイクロエレクトロニクス用の改良されたポリイミド組
成物を提供することである。本発明の他の目的は、系統連系加工処理の多数の段
階で使用される薬品および溶剤に抵抗性であるポリイミド組成物を提供すること
である。本発明のさらに他の目的は、宵利な特性を備えたポリイミド組成物を提
供することである。これらおよび他の本発明の目的および利点は、以下の記載か
ら当業者に自明であろう。
発明の概要
一般に本発明の目的は、3.3’、4.4’−テトラカルボキンビフェニルジア
ンヒドリド(BPDA)から誘導される部分少なくとも1種、芳香族ジアンヒド
リドから誘導される他の部分少なくとも1種、およびジアミンから誘導される部
分少なくとも1種を含むポリマー組成物であって、1種または2種以上のポリイ
ミドおよびポリアミン酸(polyimie acid)がら選ばれる組成物を
提供することにより達成される。
より詳細には本発明の目的は、1種または2種以上の下記式Iのポリイミドおよ
び式TIのポリアミン酸から選ばれる反復単位を含むポリマー組成物:(式中の
Arは少なくとも1種の四価芳香核であり、ただしArは3.3’、4゜4′−
テトラカルポキ/ヒフェニル・ジアンヒドリド(BPDA)部分ではなく。
RおよびR1は独立して二価の炭化水素基から選ばれる)、ならびにおよび 1
1
(式中のAr、は少なくとも1種の四価芳香核であり、ただしArは3.3’、
4゜4′−テトラカルボキンビフェニルジアンヒドリド(BPDA)部分ではな
く。
R,8よびR1は独立して二価の炭化水素基から選ばれ;R2は独立してハロゲ
ン、−OHおよび一0R5から選はれ、ここでR5は炭素原子1−4個のアルキ
ル基である)であって1式■のポリイミドおよび式IIのポリアミン酸の比率(
m+np+q)が約0:100−約Zoo:0である組成物を提供することによ
り達成される。すなわちポリマー組成物は100%ポリイミドから100%ポリ
アミノ酸にまで及びうる。
Ar、Ar1、R,R,、R1、R,およびR5は、たとえば炭素原子1−4個
のアルキル基またはハロゲンで置換されていてもよく、置換されていなくてもよ
い。
たたし誘電率を低下させるために数種のフッ素化された基または嵩高い基が取り
込まれている場合、ポリイミドの耐溶剤性が低下する場合がある。
良好な加工性を備えたコポリマーを提供するためには、比率m+p:n+qは約
19−約991である。耐薬品性および耐溶剤性という点で最良の結果ならびに
最良の誘π率は、比率m+p+n+clが約1−3−約l=1である場合に碍ら
れる。約11を越えると、ポリイミドの耐薬品性および耐溶剤性を増大させろと
し・う点で認めうるほとの利点はない。約1・3未満では、耐溶剤性が急激1こ
低下し始める。
本発明には式]1の塩類、カルボン酸またはエステルが含まれる。本発明には式
■!のポリアミン酸と共に式■のポリイミドを含有する組成物も含まれる。
本発明のさらに他の観、壱においては、特定の合成反応順序によって特に安定な
粘度をもつポリアミン酸ならびに改良された耐薬品性および耐溶剤性を備えたポ
リイミドが得られることが見出された。特に反応前に前記ジアンヒドリドをジア
ミンと混合またはスラリー化した場合、得られるポリアミン酸は経時的に測定し
て、より安定な粘度をもつ。実施例5−7を参照されたい。
すなわち本発明のコポリマーはエレクトロニクス用として有用であり、電気部品
、インターレベル誘電体(inlerlevsl dielectrics)な
どのための柔軟基板に加工することができる。本発明のコポリマーはマイクロエ
レクトロニクス用の新規な耐薬品性および耐溶剤性ポリイミドを提供する。
本発明のポリアミン酸は一般に、フォトレジスト薬品(たとえばプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、および
プロピレングリコールモノメチルエーテル)、および水酸化テトラメチルアンモ
ニウムの塩基性水溶液を含めた現像液に対して抵抗性である。さらに本発明のポ
リアミン酸はトリエタノールアミン、ブタノール、エタノールおよびポリ(ビニ
ルメチルエーテル)なとの薬品を含有する湿式エツチング溶液によりエツチング
することができる。
発明の説明
より詳細には、式!およびII中の芳香族部分A「およびAr+は芳香族単環、
あるいはそれらの環2m以上が互いに縮合した、または1もしくは2以上の安定
な結合、たとえば共有炭素−炭素結合、オキシ、スルホニル、カルボニル、フル
オロアルキレン、アルキレンなどにより連結されたものを特色とする。芳香族部
9ArおよびAr、には、ベンゼン、ナフタリン、7エナントレン、アントラセ
ンなとの四価部分が含まれる。さらにこれらの芳香環は置換されていなくてもよ
く、あるいはたとえば1個または2個以上の芳香族基、低級アルキル基もしくは
フルオロアルキル基、またはハロゲンで置換されていてもよい。
安定なArおよびAr、部分の個々の例には下記のものが含まれる:適切なジア
ンヒドリドには下記のものが含まれる:ベンゼン、ナフタリン、ジフェニルエー
テル、ベンゾフェノン、ジフェニルスルホン、ジフェニルプロパンおよびジフェ
ニルへキサフルオロプロパンのジアンヒドリド、たとえばピロメリト酸ジアンヒ
ドリド(PMDA) 、3.3 ’、4.4 ’−テトラカルボキシベンゾフェ
ノンジアンヒドリド(BTDA) 、ビス−(3,4−ジカルボキシフェニルエ
ーテルジアンヒドリド(OPAN)、 ビス−(3.4−カルボキシフェニル)
スルホンジアンヒドリド(SPAN)、2.2−ビス−(3.4−ジカルボキシ
フェニル)プロパンジアンヒドリド(IPAN)、2.2−ビス−(3,4−ジ
カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンジアンヒドリド(6FDA)など
。
適切なジアンヒドリドには1.3−ビス=(3.4−ジカルボキシフェニル)テ
トラメチルジ/ロキサンジアンヒドリド(PADS)なども含まれる。
式IおよびIt中の二価炭化水素部OR,R,、R,およびR4は、脂肪族また
は芳香族部分から別個に選ばれる。脂肪族部分は直鎖または分枝鎖炭化水素、た
とえばメチレン、エチレン、プロピレン、テトラメチレン、ヘキサメチレン、オ
クタメチレン、ノナメチレン、デカメチレン、ドデカメチレンなどを特色とし、
これらは置換されていなくてもよく、あるいは1個または2個以上のハロゲン、
たとえはフッ素、または低級アルキル基で置換されていてもよく、たとえば2。
2、4−トリノチルヘキサメチレン、2.2−ジメチルプロピレンなどである。
脂肪族部分はたとえばキ,リレンジアミンまたは約10モル%以下のポリジメチ
ルシロキサ〉などのセグメントを含有することもできる。
芳香族部分は芳香族線環、あるいはそれらの環2個以上が互いに縮合した、また
はlもしくは2以上の安定な結合、たとえば共有炭素−炭素結合、オキシ、スル
ホニル、カルボニル、アルキレン、フルオロアルキレンなどにより連結されたも
のを特色とする。芳香族部分には、ベンゼン、ナフタリン、7エナントレン、ア
ントラセンなとの二価部分が含まれる。さらにこれらの芳香環は置換されていな
くてもよく、あるいはたとえば1個または2個以上のハロゲン、低級アルキル基
、フルオロアルキル基または芳香族基で置換されていてもよい。
ポリアミン酸は一般に芳香族ジアンヒドリド(これにはそれらのエステル形およ
び酸形が含まれる)、および少なくとも1種の芳香族ジアミンから形成される。
適切なジアミンには下記のものが含まれる:2.2−ビス(4−(+)−アミノ
フェノキノ)フェニノリヘキサフルオロプロパン(BDAF) 、3.5−’;
アミノーtーブチルベンセン(DATB)、3,5−ジアミノベンゾトリフルオ
リド(DABF)、4.4′−ヒス(p〜ルアミノフェノキンビフェニル(AP
BP)、2、2−ヒス(4−アミノフェニル)プロパン(BAA) 、2.2−
ビス(4−アミノフェニル)へキサフルオロプロパン(BAAF) 、4.4
’ービス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフエノキン)ビフェニル(FA
PB)、m−フェニレンジアミン(MPDA) 、p−7二二レンジアミン(P
PDA)、4,4′−/゛アミノジフエニルエーテルOBA) 、3.4 ’−
’;アミノジフェニルエーテル(3.4 ′−OBA)、2.2−ヒス[4−(
p−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、4.4’− [1.
4−)ニーしンービス(l−メチルエチリデン)]ビスアニリン(B A P)
、3″,5−ジアミノ−1,3,3。
6′−テトラメチル−1−(4’−トリル)インダン(DATI)など。
本明細書において用いる以下の略号は下記のとおり定義される:略号 化合物名
APBP 4.4’−ヒス(p−アミノフェノキン)ビフェニルBAA 2.2
−ヒス(4−アミノフェニル)フロパンBPDA 3.3’.4.4 −テトラ
カルボキシビフェニルジアンヒドリドBTDA 3.3′,4.4’−テトラカ
ルボキンベンゾフェノンジアンヒドリドCODA 4.4’−−ノアミノ−3−
カルポキンアミドジフェニルエーテJし、3−カルポキ/アミド−4.4′−オ
キシジアニリンとも呼ばれる6FDA 2.2−ヒス−(3.4−ジカルボキシ
フェニル)へキサフルオロプロパン、゛アンヒドリド、
2、2−ヒス−(3.4−ジカルポキンフエニノリへキサフルオロイソプロピリ
デンジアンヒドリドとも呼ばれるNMP N−メチルピロリドン、
1−メチル−2−ピロリジノンとも呼ばれるODA 4.4’−オキシジアニリ
ン
4、4′−ジアミノ、゛フェニルエーテルとも呼1fレルPMDA 無水ピロメ
リト酸
本発明に用いるポリアミン酸は、硬化した本発明ポリイミドの前駆物質である。
さらに本発明の組成物は幾種類かの形態であることが認められる。ポリマーが最
初に製造された時点では、それは本質的にポリアミン酸の形態である。しがしこ
のポリマーは動的状態にあり、若干のポリイミドが存在する場合がある。同様に
、ポリアミン酸を硬化させてポリイミドの形にしたのちにも、若干のポリアミン
酸が存在する場合がある。従ってこのポリマーは主としである形態または他の形
態であるか、両方の形態がある程度存在する場合があると解すべきである。
一般的な系統連系回路網処理法は、多段階処理を必要とする。要約すると、ポリ
アミン酸は一般にジアミンを溶剤に溶解し、次いでジアンヒドリドを添加してポ
リアミン酸の溶液を調製することにより製造される。得られたポリアミン酸の溶
液を基板上に展延して、ポリマー被膜を形成し、加熱して(ソフトベーキング)
溶剤を除去する。
一般にポリマー層をエツチングして、ポリマー被膜を貫通する開口(バイアス)
を付与する。これらの開口は導体層間、または導体と外部環境との接続のための
アクセスを提供する。ポリマーをエツチングするためには2種類の常法、すなわ
ち乾式エツチングおよび湿式エツチングがある。
乾式エツチングは、完全に、または実質的に完全に硬化したポリイミドにつき実
施され、これにはたとえばレーザードリル法(レーザー研削)、酸素または酸素
/7ノ化炭素含有混合物のプラズマガスの使用などが含まれ、これがポリイミド
に暴露される。
ポリマー湿式エノチンク法はポリマーの硬化(すなわちイミド化)状態に応じて
異なる。完全に、または実質的に完全に硬化したポリイミドは、ヒドラジン水和
物またはエチレン/゛アミンを用いてエツチングすることができる。未硬化また
は部1化ポリアミン酸フィルムの湿式エツチングには、塩基性溶液、たとえば水
酸化テトラメチルアンモニウムまたは水酸化ナトリウムの水溶液の使用が含まれ
る。あるいは湿式エツチングには、非イオン性の塩基性湿式エツチング溶液の使
用か含まれる。
一般に湿式エツチング法においては、ポリアミン酸を基板に被覆し、ソフトベー
キ〉グして溶剤を除去する。次いでポリアミン酸被膜を、現像およびフォトレノ
スト材料の除去と共に、またはフォトレジスト材料に形成されたウィンドーを通
して、エツチングすることができる。ポリアミン酸がエンチングされたのち、露
光していないフォ)・し・/゛スト除去し、ポリアミン酸をイミド化してポリイ
ミドを形成する。
次いで導体層をポリイミド層に付与する。導電性材料の層は、当業者に周知の標
準法、たとえば電気めっき、スパッタリング、蒸着などにより、被覆基板上に付
与することができる。
導体層をさらにフォトレジスト材料で被覆し、そして溶剤を除去する(ソフトベ
ーキング)。次いで7オトレジスト材料をフォトマスクで7−ルドし、化学線で
露光し、露光領域を除去して、露出した導体層(ウィンドー)を得る。
導電性材料はフォトレジスト材料のウィンドーを通して工7チングすることがで
き、これは一般に導電性材料をその材料に特異的なエツチング剤と接触させ、そ
してフォトレノスト材料を除去することにより行われる。次いで第2のポリアミ
ン醇屑を付与し、エツチングし、硬化させることができる。このプロセスを反復
して、目的数の層を含む構造体を形成する。一般に構造体は1−6層の導電性材
料を含むか、構造体はより多数の層を含むことができる。
より詳細には、一般に本発明のポリアミン酸は、Polyimides−Tbe
rsally 5lsble Po1yIIe「s、プレナム・パブリジング(
lH7)(本明細書に参考として引用する)に詳述される既知の重縮合法により
製造される。全ジアミン成分および全ジアンヒドリド成分は約1.1の比率で存
在する。しかし過剰のジアミンまたはジアンヒト11ドを反応混合物中に使用す
ることにより(好ましくは約0.9:1.1−約1.1:0.9)、生成物の鎖
長を調節することができる。さらに、予め定められた量のモノアミンまたは、カ
ルボン酸無水物を反応混合物に添加することにより、生成物の鎖長を制限するこ
とができる。反応は一般に約−10℃ないし約100℃において行われる。
ポリアミン酸の溶液全基板、たとえば/リコンウェーハ上にスピン塗布する。
一般にポリアミン酸溶液は基板上に展延される前に希釈される。ポリアミン酸溶
液の希釈度は、最終被膜の厚さに関する要件、溶液の粘度および固形分、ならび
にポリアミン酸のスピン曲線データに基づく。スピン塗布により基板に付与する
のに適した粘度を得るためには、一般にポリアミン酸溶液は分子量に応じて約5
−約50重量%、好ましくは約10=約40重量%である。
スピン曲線データは、ポリアミン酸を種々のスピン速度で基板上にスピン塗布し
、ポリアミン酸を硬化させ、得られた厚さを測定し、厚さ一対一スピン速度をプ
ロントすることにより得られる。希釈された溶液は後続処理の前に一般に濾過さ
れる。
ポリアミン酸溶液は静的または動的に塗布することができる。静的塗布法の場合
、ポリアミン酸溶液を回転していない基板に計量分配し、スピニングにより表面
に展延させる。動的塗布法の場合、ポリアミン酸溶液は回転している基板に計量
分配される。いずれの場合も、基板は要求される最終被膜の厚さにつきスピン曲
線から定められるスピン速度でスピニングされる。
あるいはポリアミン酸を他の常法によって適切なキャリヤー、すなわち基板に付
与することができ、これには浸漬法、はけ塗り、バーによる塗布法、ローラー塗
り、吹付は塗り、漬は塗り、ワーラー塗り(マhirlsr−eo*tiaI)
、カスケード塗り、流し塗りその他の方法が含まれるが、これらに限定されない
。
基板は加工に必要な高温で分解されない材料のいずれであってもよい。適切なキ
麺リヤー、すなわち基板の例は下記のものであるニブラスチック;金属および合
金、たとえばアルミニウム、銅なと:半金属−半導体、たとえばSi、Ge。
GaAs、ガラス、セラミックス;ならびに他の無機材料、たとえば5i02お
よびSi、N、など。さらに、ポリアミン酸を付与する前に基板表面の水分を除
去するために、基板を乾燥(脱水)させることができる。
所望により基板へのポリマーの付着を助成するために接着促進剤を用いることが
できる。接着促進剤は周知であり、市販されている。適切な接着促進剤は3−ア
ミノプロピルトリエトキレ、ランである。
あるいは基板へのポリマーの付着性を改善するために少量のシロキサン部分をポ
リマーに含有させることができる。この場合、ポリマーの熱的特性および耐薬品
性か著しく影響されない限り、10重量%以下のシロキサン部分を添加すること
ができる。適切なノロキサン部分は、一般に1−約40のジ置換シロキシル単位
を含むシロキサン含有ジアミンから誘導される。適切なシロキサンジアミンには
、!二とえはヒス−アミノプロピルポリ・ジメチルシロキサン、ビス−アミノプ
ロピルポリジエチルノロキサン、ヒス−アミノプロピルポリジプロピルシロキサ
ン、7゛フエニルシロキサン、1.3−ヒス(3,4−ジカルボキシフェニル)
テトラメチルジ・ノロキサン−ジアンヒドリド(PADS)などが含まれる。
ポリマー被膜をエツチングするだめの常法には乾式エツチングおよび湿式エツチ
ングが含まれる。前記のように、乾式エンチングは、完全に、または実質的に完
全に硬化したポリイミドにつき実施され、これにはたとえばレーザードリル法(
レーザー研削)、酸素または酸素/フン化炭素含有混合物のプラズマガスの使用
などが含まれ、これかポリイミドに暴露される。
ポリマー湿式エツチング法はポリマーの硬化(すなわちイミド化)状態に応じて
異なる。前記のように、完全に、または実質的に完全に硬化したポリイミドは、
ヒドラノン水和物または1千レンジアミンを用いてエツチングすることができる
。
未硬化または部分硬化ポリアミン酸フィルムの湿式エツチングには、塩基性溶液
、たとえば水酸化テトラメチルアンモニウムまたは水酸化ナトリウムの水溶液の
使用か含まれる。
ポリアミン酸の湿式エツチングには、米国特許出願第605,555号明細書(
]、 990年10月30日出願、全体を本明細書に参考として引用する)に記
載され、権利請求される非イオン性の塩基性湿式エツチング溶液の使用が含まれ
る。
を二とえは6 F DA/”A P B Pポリアミン酸は非イオン性塩基、た
とえばトリエタ/−IL7ミン(TEA)、および置換炭化水素系溶剤、たとえ
ばメタノールの水溶液によりエツチングすることができ、その際溶液の主要部分
は水であり、溶液の全組成の1重量%以下がイオン性塩基、たとえば水酸化テト
ラメチルアンモニウム(TMAH)である。
一般に湿式エッチレグ法においては、ポリアミン酸を基板に被覆し、ソフトベー
キングして溶剤を除去する。次いでポリアミン酸被覆された基板を7オトレジス
ト材料、一般にポ・7゛のフォトレジスト材料(たとえば市販の感光性ポリマー
がヘキスト社からAZ 1350J(登録商標)で入手される)で被覆し、この
被覆された基板を高められた温度(約75=約150″C)に加熱して、7オト
レジスト材料から溶剤を除去する。
次いでフォトレジスト材料を、ポリイミド被膜中にポリマーを貫通する開口を得
たい位置に開ロバターンを含むフォトマスクで被覆する。次いでフォトレジスト
材料を化学線(!二とえはUV光線)に露光して、光化学反応によりフォトレジ
スト材料を不溶性材料から塩基性の水性現像液の溶剤に可溶性のものに変換し、
そしてフォトマスクを取り去る。こうしてフォトレジスト材料を選択的に除去し
て、ポリアミン酸被膜を露出させるウィンドーを形成することができる。
露光されたフオトレ・7゛スト材料を、一般にたとえば本質的に水酸化テトラメ
チルアンモニウム(TMAH)からなる水溶液で現像する。これは商標/ツブレ
イ(Sbipley、登録商標)312で市販されている。現像液は露光された
7オトレ7゛スト材料と水溶性塩類を形成し、露光されたフォトレジスト材料を
効果的に洗い流すことかできる。露光されなかったポジのフォトレジスト材料は
水性塩基に不溶性であり;従って露光されなかったフォトレジスト材料の下層に
あるポリアミン酸は、露光されなかったフォトレジスト材料の層により水性塩基
から保護される。
この時点てポリアミン酸はフォトレジスト材料のウィンドーを通して選択的にエ
ツチングすることかできる。これには、導体層と外部環境との電気接続のための
アクセスを可能にする、ポリアミン酸を貫通するバイアス(すなわち開口)を工
・チングする必要かある。多層インターコネクト構造体の場合、導体層間、また
は導体層と外部環境との接続のためのアクセスが必要である。これらの開口は一
般に角形であり、1辺が約15−約50θミクロンであるが、1辺が1ミクロン
程度の小さいものであってもよい。他の形状には、たとえば8角形、丸形などが
含まれる。
この時点でウィンドーの下方にあるポリアミン酸は露出しており、湿式エツチン
グ組成物でエツチングすることかでさる。湿式エツチング組成物は、一般に約〇
−約60°Cの温度に保持される。
一般にポリアミン酸被覆されl;基板をエンチングする湿式エツチング法が少な
くとも2種類ある。すなわち浸漬エツチングおよび吹付はエツチングである。浸
漬エツチングにおいては、被覆された基板または積層モジュールを湿式エツチン
グ組成物の容器に浸漬し、ポリアミン酸を溶解させる。ポリアミン酸は無限希釈
液として効果的に溶解する。吹付はエツチングにおいては、回転している基板ま
たはモジュールの表面に霧状のエツチング剤を付与する。この様式では新鮮なエ
ツチング剤が表面に連続的に付与され、溶解したポリアミン酸は連続的に回転除
去される。個々のエツチング剤が浸漬エンチングおよび吹付はエツチングにおい
て異なる挙動を示す可能性がある。また機械的撹拌は浸漬エンチング法の結果に
影響を及ぼすであろう。
硬化は一般に熟的手段により完了させることができる。熱的イミド化は一般に約
100−約500°C1より一般的には約250−約400℃の温度範囲で実施
される。
乾式1/チング法においては、ポリアミン酸を基板上に被覆し、完全に、または
実質的に完全にイミド化(硬化)する。硬化温度は一般に約100−約500°
C1より一般的には約25〇−約400’C!である。硬化温度を約1−約8時
間にわたって段階的に北昇させることにより、硬化サイクルを高めることができ
る。
導体層と外部環境との電気接続に用いる開口を提供するためにエツチングされる
のは、このポリイミド層である。
ポリイミド層をエツチングバリヤーで覆う。一般にエツチングバリヤーは無機材
料、たとえは二酸化ケイ素である。乾式エツチング条件下では、フォトレジスト
材料とポリイミド層が同し速度でエツチングされるであろう。従ってポリイミド
層を保護するためにエツチングバリヤーを用いる。
次いでエツチングバリヤーを7オトレジスト材料、一般にポジのフォトレジスト
材料(たとえは市販の感光性ポリマーがヘキスト社からAZ 1350J(登録
商標)で入手さ11る)で被覆し、この被覆された基板を高められた温度(約7
5−約150°C)に加熱して、フすトレジスト材料から溶剤を除去する。
次いでフオトレ・ノスト材料を、ポリイミド被膜中にポリマーを貫通する開口を
得たし゛位置に開ロバターフを含むフォトマスクで被覆する。次いでフオトレジ
スi・材料を化学線(たとえばUV光線)に露光して、光化学反応によりフォト
レジスト材料を不溶性材料から塩基性の水性現像液の溶剤に可溶性のものに変換
する。
こうして7オトレジスト材料を選択的に除去して、エツチングバリャー上にライ
〉ドーを形成することかできる。
露光されたフォトレジスト材料を、一般にたとえば本質的に水酸化テトラメチル
アンモニウム(TMAH)からなる水溶液で現像する。これは商標シップレイ3
12で市販されている。現像液は露光されたフォトレジスト材料と水溶性塩類を
形成し、露光されたフォトレジスト材料を効果的に洗い流すことができる。露光
されなかったポ/′のフォトレジスト材料は水性塩基に不溶性であり;従って露
光されなかったフtトレ・ノスト材料の下層にあるエツチングバリヤ一層は、露
光されなかったフォトレジスト材料の層により水性塩基から保護される。
この時点で、エツチングバリヤ一層はフォトレジスト材料のウィンドーを通して
選択的にエツチングすることができる。ポリイミド層へのアクセスを可能にする
、エツチングバリヤーを貫通するバイアス(すなわち開口)のエツチングは、当
技術分野で周知の方法により達成される。たとえばエツチングバリヤーが二酸化
ケイ素材料である場合には、それを希フッ化水素酸でエツチングすることができ
る。
この時、つで、ポリイミド層はエツチングバリヤーの開口を通してエツチングす
ることかできる。ポリイミド層のエンチングは、当技術分野で周知の方法により
、たとえば酸素プラズマにより達成される。
次いでフォトレジスト材料を、一般に酸素プラズマまたは市販のストリッパーに
より除去する。次いで残存するエツチングバリヤ一層を当技術分野で周知の方法
により除去する。たとえばエツチングバリヤーが二酸化ケイ素材料である場合、
それは希7ノ化水素酸で除去することができる。こうして、この時点で開口を有
するポリイミド層が露出し、導電性材料の層を付与しうる状態となる。
導電性材料を付与する前に、ポリイミドの表面をプラズマエンチング、またはプ
ラズマによる反応性イオンエツチングして、ポリイミドと導電性材料どの付着性
を高めることができる。
導電性材料の層は標準法により、たとえは電気めっき、スパッタリング、蒸着な
とにより、被覆基板上に付与することができる。たとえばアルミニウムをE−ヒ
ーム蒸着法により付着させ、マイクロリソグラフィーおよびマスクを用いてパタ
ーン形成することができる。一般に導電性材料はスパッタリング機(たとえばC
vCブロタクツにより販売されるもの)により付与される。
一般に導電性材料をエツチングして、下層のポリイミド上に導電性材料のパター
ンを形成する。エツチングは、一般に導電性材料を7オトレジスト材料で被覆し
、前記に従ってこのフォトレジスト材料をエツチングすることにより達成される
。次いで導電性材料を、フォトレジスト材料に形成されたウィンドーを通してエ
ツチングする。こtlは一般に導電性材料をその材料に特異的なエツチング剤ど
接触させることにより行われる。たとえばアルミニウムをプラズマエンチング、
反応性イオンエツチングするか、またはリン酸、酢酸および硝酸の水溶液でエツ
チングすることかできる。アルミニウム用エツチング剤は、たとえばKTI(カ
リフォルニア州すニーペール)から市販されている。
次いで第2のポリアミン酸層を付与し、前記に従ってエンチングして、導電層と
外部環境との間に開口を形成することができる。このプロセスを反復して、目的
数の層を含む構造体を形成する。一般に構造体は1−6層の導電性材料を含むが
、多層構造体はより多数の層を含むことができる。
多層用のポリイミドの有用性に不都合な影響を及ぼさない他の一般的な添加物を
、被覆用組成物の調製に際して被膜に含有させることができる。添加物の例は、
艶消し剤、流れ調整剤、微粒状充填剤、防炎加工剤、蛍光増白剤、酸化防止剤、
光安定剤、安定剤、色素、顔料、接着促進剤およびハレーション防止色素(u+
tih11o dye)である。
以下の実施例は本発明の特定の形態を説明するためのものである。ただし、当業
者に周知のように本発明の精神から逸脱することなく多数の変更をなしうるので
、これらの実施例が本発明の範囲を限定するものと解すべきではない。
!鼻四
用いる%はすへて重量%である。
溶液の粘度は、ASTM D789−86の記載に従ってブルックフィールド粘
度計を用いて測定されたものであり、センチポイズ単位で報告される。
対数粘度数(TV)は、ASTM D2857の記載に従ってNMP中約0.5
g/dlにお゛いて25′Cで測定された。
七ノで−および溶剤は業者から購入された。
以下の実施例におけるポリアミン酸前駆物質は室温で製造された。
耐薬品性試験法
以下の実施例の試験に用いた薬品は、特に指示しない限り85°Cに予熱された
。
イリマー被覆された基板を約15分間、溶剤に浸漬した。被覆された基板を脱イ
オン水中ですずぎ、乾燥させ、オーブン内で窒素パージ下に100’Cで10分
間ベーキングしl二。
ポリイミド被膜の厚さは、テンコル(Tencor、登録商標)スタイラスプロ
フィロメーター、アルファーステップ200型を用いて測定された。ポリイミド
層を耐薬品性試験操作の前および後の双方で測定した。差、すなわちポリイミド
の厚さの減少を用いて、その薬品または溶剤がポリイミド層を攻撃したが否が、
およびとの程度攻撃したかを判定した。
実、m9’1ll−7ハ、モル比75 6FDA/25 BPDA/100 A
PBPのポリアミン酸組成物を調製するために用いた異なる合成反応順序である
。反応順序を下記の表Iに報告する。モノマー添加順序が本発明のポリアミン酸
の粘度の安定化に影響を及ぼすと考えられる。しかし以下のBPDAを含有する
実施例にお(・て比較的安定性の低いポリアミン酸が製造した反応順序ですら、
BPDAを含有しないポリイミドより耐薬品性の大きなポリイミドを提供した。
表Xの実施例1と対比して実施例8.17および18を参照されたい。表II、
IVおよびVII−XIl、m、EKC830(登録商標) −−49%2−(
2−アミノエトキン)エタノールおよび51%NMPの混合物であると考えられ
るm−に対する本発明ポリイミドの耐薬品性を示す。EKC830は7アトレジ
ストストリツパーとして市販されており、EKCチクノロシーズ社(カリフォル
ニア州)から購入しうる。ファトレジストストリ7バーEKC830のアミン部
分がポリマーを攻撃すると考えられ、従って一般的な溶剤、たとえばNMPより
攻撃的であると甲われる。
実施例1−7の合成反応順序
l BPDAを最初に添加し、
次いで6FDAを添加
2 実施例1の方法に従う、
より大規模のパンチ
3 BPDA/APBPおよび
6FDA/APBPポリアミン酸をブレンド4 6FDAを最初に添加し、
次いでBPDAを添加
5 BPDAおよび6FDAをスラリー化し、次いで添加
6 実施例5の方法に従う、
より大規模のバッチ
7 固体アレヒドリド類の混合物をAPBP溶液に添加実施例1
75 6FDA/25 BPDA/100 APBP370gのNMP中の40
.544gのAPBPの溶液に、123gのNMP中の7.859gのBPDA
のスラリーを添加した。BPDAが溶解するまで混合したのち、123gのNM
P中の35.597gの6FDAのスラリーをBPD A/A P B P溶液
に添加した。−夜撹拌したのち、ポリアミン酸溶液は1,010cPのブルック
フィールド粘度および0.92dl/gのIV(NMP中0゜5%)を示した。
直径3インチ(7,62cm)のシリコン基板をi−プロパツールアルコールで
清浄にした。清浄にした基板それぞれに3mlの接着促進剤溶液を付与した。
接着促進剤溶液は下記に従って濃厚な3−アミノプロピルトリエトキシシラン(
APES)を希釈することにより調製された:濃厚な接着促進剤をAPES 1
部=95%メタノール15%水 2,000部に希釈した。被覆された基板を5
0Orpmで5秒間スピニングして接着促進剤を展延させ、4.00Orpmで
30秒間スピニングして接着促進剤を乾燥させた。
ポリアミン酸を含有する溶剤溶液約3mlを基板上に分配計量し、500rpm
で30秒間スピニングしてポリアミン酸を展延させ、次いで所望のスピン速度で
60秒間スピニングして、均一な被膜を得た。このポリアミン酸被覆された基板
をオーブン内で100’C!において10分間、窒素パージ下にベーキングし、
次いて温度を20分間にわたって200°Cに高め、200℃に60分間保持し
た。
ウェーハをオーブンから取り出し、環状炉に移し、ここでそれを400℃におい
て60分間イミド化した。
7オトレジストEKC830を加熱して、温度上昇がコポリマーの耐薬品性に影
響を及ぼすか否かを判定した。結果を下記の表IIに報告する。これから分かる
ように、80°Cまではポリマーの厚さの実質的な減少はなかった。
表II
ポリマー 温度 厚さの変化 初期厚 最終厚実施例−−(’C)(ミクロン)
(ミクロン) (ミクロン)1 70 0.00 1.34 1.341 7
5 0.00 1.30 1.301 80 0.00 1.32 1.321
85 −0.09 1.31 1.221 90 −0.20 1,31 1
.11実施例2
75 6FDA/25 BPDA/100 APBP実施例1と同様な方法で、
144.071g(7)APBP、28.198gのBPDA、127.730
gの6FDA、および2,200.5gのNMPを用いて、ポリマーを調製した
。IVおよびブルックフィールド粘度を経時的に観察し、本質的に平衡値に達す
るまで徐々に変化することが認められた。これらの数値をr記の表IIIに報告
する。
表III
実施例 日 ブルックフィールド 対数粘度数一番号−−−−−−−□μ厚(c
P) (dl/g)2 1 5540 1.30
2 2 4710 データ無し
2 4 3790 データ無し
2 8 2890 データ無し
2 14 2520 データ無し
2 21 2450 データ無し
2 24 データ無し 1.12
+ IJ マーの厚さがコポリマーの耐薬品性に影響を及ぼすが否がを判定する
ために、コポリマーの厚さを変化させた。下記の表IVに見られるように、初期
厚を1.12ミクロンから3.08ミクロンにまで変化させたのに伴う最終厚の
減少は本質的に一定に維持された。
実施例 厚さの変化 初期厚 最終厚
番号 (ミクロン) (ミクロン) (ミクロン)2 −0.12 3,08
2.96
2 −0. 11 2. 11 2.002 −0.05 1.57 1.52
2 −0. 10 1. 30 1. 202 −0.09 1.12 1.0
3
実施例3
75 6FDA/25 BPDA/100 APBPll、45gの6FDA/
APRPポリアミン酸(NMP中11.45%の固形分)を2.35gのBPD
A/APBPポリアミン酸(NMP中15.0%の固形分)と混合することによ
り、モル比3:1のジアンヒドリド6FDA:BPDAを含むポリマー溶液を調
製した。得られた溶液は固形分11.94%のもの115.7gであり、1.1
8d l/g (NMP中0.5%)のivおよび3゜000cPのブルックフ
ィールド粘度を示した。
実施例4
75 6FDA/25 BPDA/100 APBP220gのNMP中の28
.96gのAPBPの溶液に、110gのNMP中の25.43gの6FDAの
スラリーを添加した。6FDAが溶解するまで混合したのち、110gのNMP
中の5.61gのBPDAのスラリーを添加した。
5日間混合したのち、ブルックフィールド粘度は810cPであった。この溶液
にさらに0.3gの6FDAを添加して、粘度を調整したところ、IVは0.8
8dl/gと測定された。
実施例5
75 6FDA/25 BPDA/100 APBP220gのNMP中の28
.96gのAPBPの溶液に、176gのNMP中の25.43gの6FDAお
よび5.61gのBPDAのスラリーを添加し、次いでさらに44gのNMPを
添加した。20℃で5日間撹拌したのち、ブルックフィールド粘度は320cP
であった。この溶液にさらに0.6gの6FDAを添加して粘度を調整したとこ
ろ、IVはo、71dl/gと測定された。
実施例6
75 6FDA/25 BPDA/Zoo APBP実施例5と同様な方法で、
172.90g(7)APRP、153.26gの6FDA、33.84gのB
PDA、および2641gのNMPを用いて、ポリマー溶液を調製した。IVお
よびブルックフィールド粘度を観察し、下記の表Vに報告する。
衣ヱ
実施例 日 ブルックフィールド 対数粘度数一番号 粘度(cP) (dl/
g)
6 1 1680 1.02
6 2 1660 データ無し
6 5 1650 データ無し
実施例6の記載に従ってポリマーを調製した場合、ブルックフィールド粘度は安
定である。二の溶液にさらに0.78gの6FDAおよび93.53gのNMP
を添加して、粘度を1.13dl/gのlVおよび2,580cPのブルックフ
ィールド粘度に調整した。
実施例7
75 6FDA/25 BPDA/100 APBP308gのNMP中の40
.344gのAPBPの溶液に、35.76gの6FDAおよび7.90gのB
PDAの粉末混合物を徐々に添加し、次いで残り308gのNMPを添加した。
ブルックフィールド粘度を下記の表Vlに報告する。
衣ヱ土
実施例 日 ブルックフィールド
表Vlに見られるように、実施例7のコポリマーのブルックフィールド粘度は7
日間にわたって安定であった。さらに13.4gのNMPを添加して、粘度を1
、zdl/gのIVおよび2560cPのブルックフィールド粘度に調整しt二
。
実施例2(表T I I)は24日間にわたって観察した場合、不安定な粘度を
もつと思われた。ただし冷蔵によってこの例の粘度は安定化されると考えられる
。
実施例6−7は5−7日間にわたって本質的に安定な状態を維持した。これらは
ジアンヒドリド類をジアミンと反応させる前に混合またはスラリー化した例であ
る。従って実施例6−7の合成法の方が好ましい。
個々の合成反応順序が耐薬品性に及ぼす影響を下記の表Vllに報告する。
表VI■
ポリマー 厚さの変化 初期厚 最終厚実施例
−(ミクロン)(ミクロン)(ミクロン)1 −0. 04 1. 31 1.
272 −0.05 1.57 1.52
3 −0. 23 2. 33 2. 103 −0. 24 2. 33 2
. 093 −0.02 2.21 2.19
4 −0. 23 2. 33 2. 105 −0. 03 0. 79 0
. 766 −0. 03 1. 59 1. 567 −0. 02 1.
55 1. 53実施例3は、ポリマー6FDA/APBPおよびB P D
A/A P B Pのブレンドとして調製された。ポリマーをブレンドした当初
は、それらはブロックコポリマーを形成しなかったと考えられる。ただし経時的
にセグメントが再構成されて、よりランダムになり、これによりコポリマーが形
成された。これは表V11においてコポリマーを2週間後に試験し、再び合計7
週間後に試験した場合に分かる。
7週間で厚さの変化は、厚さの変化−0,23ミクロンから厚さの変化−0,0
2ミクロンに減少した。
実施例8−13は、比率0/’100−Zooloのジアンヒドリド(6FDA
/BP D A )を含有するコポリマーの調製を示す。下記の表Vlllに報
告するように、BPDAの割合が増大するのに伴って耐薬品性が増大する。最も
好ましし・組成は、(li 、?の用途に望まれる耐溶剤性の程度に依存するで
あろう。
実施例8
6FDA/APRP
BPDAを含有しないコポリマーを調製した。2608.9gのNMP中の17
9.7gのAPBPの溶液に、210.4gの6FDAを添加した。−夜混合し
たのち、ブルックフィールド粘度は4620cPであった。さらに403.1g
のNMPを添加して粘度を2280cPに調整した。IVは1.x8dl/gで
あった(NMP中0.5%)。
実施例9
90 6FDA/10 BPDA/100 APBP実施例1と同様な方法で、
39.42gのAPRP、41.53gの6FDA。
3.056gのBPDA、および617gのNMPを用いて、6FDA/BPD
Aのモル比90/10のコポリマーを調製した。−夜混合したのち、さらに0゜
035gのBPDAを添加して、ブルックフィールド粘度を840cPに、IV
を0.86d l/g (NMP中0.5%)に調整した。
実施例10
65 6FDA/35 BPDA/100 APBP実1i11i例7 トIf
’1様す方法テ、41.13g(7)APBP、31.60g(7)6FDA。
11.27gのBPDA、および616gのNMPを用いて、6FDA/BPD
Aのモル比65/35のコポリマーを調製した。−夜混合したのち、さらに45
゜5g(7’)NMPを添加して、粘度を2960cP+:、IVを1.24d
l/g (NMP中0.5%)に調整した。
実施例11
50 6FDA150 BPDA/loo APBP実施例1と同様な方法で、
42.68gのAPBP、24.86gの6FDA。
16.46gのBPDA、および616gのNMPを用いて、6FDA/BPD
A(7)モル比50 : 50のコポリマーを調製した。−夜混合したのち、ブ
ルックフィールド粘度は944cPてあり、IVはo、59dl/gであった。
実施例12
25 6FDA/75 BPDA/100 APBP実施例1と同様な方法で、
44.82gのAPBP、13.12gの6FDA。
26.06gのBPDA、および616gのNMPを用いて、6FDA/BPD
A(7)−t−ル比25/ 75のコポリマーを調製した。−夜混合したのち、
ブルックフィールド粘度は1960cPであり、IVは1.02dl/gであっ
た。
実施例13
BPDA /APRP
6FDAを含有しないポリマーを調製した。90gのNMP中の16.97g(
7)APBPの溶液に、13.03gのBPDAを添加し、次イテさらl:80
gのNMPを添加しl;。溶液を一夜混合し、粘度を測定した。ブルックフィ
ールド粘度は14.080cPであり、TVは1.12d l/g (NMP中
0.5%)であっt二。
実施例 6FDA/BPDA 厚さの変化 初期厚 最終厚番号 比 (ミクロ
ン) (ミクロン) (ミクロン)8 10010 −0.22 1,57 1
.359 90/10 −0.10 1.50 1.401 75/25 −0
.03 1.32 1.2910 65/35 +0.01本 1.57 1.
5811 50150 +0.03* 1.79 1.8212 25/75
+0.04$ 1.43 1.4713 0/100 +0.02本 2,33
2.35章 これらのポリマーについては、ポリマーの厚さに無視しうる程度
の増大が記録された。これはポリマーの溶剤膨潤によるものと考えられる。
実施例14−15はAPBPではなくジアミンODAを用いるポリイミド合成を
示す。二t1らのコポリマーの耐溶剤性を下記の表IXに報告する。これは、6
FDA、10DAの耐溶剤性を6FDA/APBPにつき観察されたと同様にシ
ア〉ヒドリドBPDAの含有により増大させうろことを示す。
実施例14
6FDA/APRP
実施例1と同様にして、BPDAを含有しないポリマーを調製した。88.0g
のNMP中の3.798gのODAの溶液に、8.203gの6FDAを添加し
た。−夜混合したのち、さらにO,016gの6FDAを添加して粘度を調整し
Iこ。
実施例15
76 6FDA/25 BPDA/100 0DA実施例1と同様にして、20
.19gのODA、32.61gの6FDA、7゜20gのBPDA、および4
40gのNMPを用いて、6FDA/BPDAのモル比75/25のコポリマー
を調製した。4日間混合したのち、さらに0.067gの6FDAを添加するこ
とにより粘度を調整した。ポリマーのIVは0.64dl/g (NMP中0.
5%、25℃)であった。
ポリマー 6FDA/BPDA 厚さの変化 初期厚 最終厚実施例 (ミクロ
ン) (ミクロン) (ミクロン)14 10010 −0.33 1,07
0.7415 75/25 −0.12 0.63 0.51実施例16−17
はBPDA以外のジアンヒドリドを用いるコポリマーの合成を示す。厚さの減少
を下記の表Xに報告する。表Xから分かるように、他のジアンヒドリドはジアン
ヒドリドBPDAを用いた場合に見られるような耐薬品性の増大をもl:らさな
い。
夏鳳咋↓μ
75 6FDA/25 BTDA/Zoo APBP220gのNMP中の28
.71gのAPBPの溶液に、88gのNMP中の6.09gのBTDAの溶液
を添加し、次いで132gのNMP中の25.20gの6FDAのスラリーを添
加した。3日間撹拌したのち、さらにo、05gの6FDAを添加して、粘度を
最終値952cPおよびo、91dl/gのIV(NMP中0.5%、25℃)
に調整した。
75 6FDA/25 PMDA/100 APBP220gのNMP中の29
.68gのAPBPの溶液に、88gのNMP中の426gのPMDAのスラリ
ーを添加した。PMDAが溶解するまで混合したのち、132gのNMP中の2
6.06gの6FDAのスラリーを添加した。さらにo、05gの6FDAおよ
び0.70gのPMDAを添加して、ブルックフィールド粘度を最終値365c
Pに、IVを0.70 d l /g (NMP中0.5%、25℃)に調整し
l二。
1ぼりマー X 厚さの変化 初期厚 最終厚実施例(ミクロン) (ミクロン
) (ミクロン)8 6FDA −0,221,571,351BPDA −0
,031,371,3416BTDA −0,241,321,0817PMD
A −0,170,940,77実施例18はAPBPO代わりに10モル%の
C0DAを用いたコポリマーのfeeを示すe C0DAは完全硬化したポリイ
ミドに取り込まれた場合、イソキノキサリンIII造を土しる。表XIに見られ
るように、この変性により得られるコポリマーの耐薬品性は改良さtlなかった
。
実施例18
1、Oo 6FDA/90 APBP/10 CODA164gのNMP中の1
4.92gのAPBPの溶液に、19.99gの6FDAt添加し、次(・で]
09gのC0DAを添加した。−夜撹拌したのち、この溶液は27.600c
Pのフルツクフィールド粘度および1.11dl/gの[V(NMP中05%、
25°C)を示した。この溶液20gを11.86gのNMPの添加により希釈
し、耐薬品性試験に用いた。
!K1
ポリマー X 厚さの変化 初期厚 最終厚実施例 (ミクロン) (ミクロン
) (ミクロン)8 APBP −0,221,571,3518C0DA −
0,331,361,03実施例19
185gのNMP中の40.344gのAPBPの溶液に、3.583gの6F
DAを添加した。6FDAか反応したのち、この溶液に246gのNMP中の7
.895gのBPDAのスラリーを添加し、−夜撹拌した。この溶液に32゜1
78gの6FDAを添加し、次いでさらに185gのNMPを添加した。−夜撹
拌したのち、この溶液は3.380cPのブルックフィールド粘度を示した。
ブルックフィールド粘度を3日間にわたって測定し、本質的に安定な状態を維持
することが認められた(下記の表X■■を参照されたい)。対数粘度数の安定性
を3日後に測定し、1.17dl/gであることが認められた。厚さの変化を測
定した。初期厚は2.34.5ミクロン二IIk終厚は2.325ミクロン;厚
さの変化は−0,020ミクロンであった。
表Xll
実施例 日 プル7りフィールド
本発明を詳細な特定の形態により説明したが、これらの形態は説明のために提示
されたにすぎず、本発明は必ずしもそれらに限定されないことを理解すべきであ
る。当業者に自明のとおり、以下の請求の範囲に記載される精神および範囲内に
おける修正および変更がこの説明から明らかであろう。
補正書の翻訳文提出書
(特許法第184条の8)
エラ。工、、14ヨ廖
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.式Iおよび式IIよりなる群から選ばれる反復単位を含む組成物:▲数式、 化学式、表等があります▼I および ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のArは少なくとも1種の四価芳香核であり、RおよびR1は独立して二 価の炭化水素基から選ばれる);ならびに▲数式、化学式、表等があります▼I Iおよび ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のAr1は少なくとも1種の四価芳香核であり、R3およびR4は独立し て二価の炭化水素基から選ばれ;R2は独立してハロゲン、−OHおよび−OR 5から選ばれ、ここでR5は炭素原子1−4個のアルキル基である)であって、 比率m+P:n+qが約1:9−約99:1でちり、ただしArおよびAr1は 3,3′,4,4′−テトラカルボキシビフェニルジアンヒドリド(BPDA) 部分ではなく、さらに組成物がシロキサンジアミンから誘導されるシロキサン結 合約10モル%以下を含有する組成物。 2.Arが下記よりなる群から選ばれる少なくとも1種の芳香核からなる、請求 の範囲第1項に記載の組成物: ▲数式、化学式、表等があります▼,▲数式、化学式、表等があります▼▲数式 、化学式、表等があります▼, ▲数式、化学式、表等があります▼,▲数式、化学式、表等があります▼▲数式 、化学式、表等があります▼,▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学 式、表等があります▼, ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学式、表等があります▼ 3.RおよびR1が4,4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニル部分、 および4,4′−ジアミノジフェニルエーテル部分よりなる群から選ばれる、請 求の範囲第4項に記載の組成物。 4.比率m+p:n+qが約1:1−約1:3である、請求の範囲第1項に記載 の組成物。 5.Ar■が ▲数式、化学式、表等があります▼ である、請求の範囲第1項に記載の組成物:6.R3およびR4が双方とも4, 4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニル部分である、請求の範囲第1項 に記載の組成物。 7.請求の範囲第1項に記載の組成物を含有する溶液。 8.請求の範囲第1項に記載の組成物の少なくとも1層で被覆された基板構造体 。 9.請求の範囲第1項に記載の組成物の少なくとも1層を含む多層構造体。 10.3,3′,4,4′−テトラカルボキシビフェニルジアンヒドリド部分以 外のジアンヒドリド部分少なくとも1種およびジアミン少なくとも1種を含むポ リイミドに、3,3′,4,4′−テトラカルボキシビフェニルジアンヒドリド 部分を含有させることよりなる、ポリイミドの耐薬品性を改良する方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US759,426 | 1991-09-13 | ||
| PCT/US1992/007703 WO1993006151A1 (en) | 1991-09-13 | 1992-09-10 | Polyimide copolymers containing 3,3',4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride (bpda) moieties |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06510816A true JPH06510816A (ja) | 1994-12-01 |
Family
ID=25055607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5506129A Pending JPH06510816A (ja) | 1991-09-13 | 1992-09-10 | 3,3´,4,4´−テトラカルボキシビフェニルジアンヒドリド(bpda)部分を含むポリイミドコポリマー |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5304626A (ja) |
| EP (1) | EP0603339A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06510816A (ja) |
| WO (1) | WO1993006151A1 (ja) |
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