JPH0652138U - ウェハid読み取り装置 - Google Patents

ウェハid読み取り装置

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JPH0652138U
JPH0652138U JP8792392U JP8792392U JPH0652138U JP H0652138 U JPH0652138 U JP H0652138U JP 8792392 U JP8792392 U JP 8792392U JP 8792392 U JP8792392 U JP 8792392U JP H0652138 U JPH0652138 U JP H0652138U
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JP
Japan
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light
wafer
semiconductor wafer
light source
video camera
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Withdrawn
Application number
JP8792392U
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English (en)
Inventor
俊彦 原
孝次 山崎
博 長嶺
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Advantest Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Advantest Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハIDを形成するドットの深さが異なっ
たり、IDパターン上の保護膜の厚さが異なったりして
も、正しくウェハIDを読み取ることを可能とする。 【構成】 光源11よりの光ビームを水平にビームスプ
リッタ12に入射し、その反射光を半導体ウェハ13上
に照射し、その反射光をビームスプリッタ12を通して
ビデオカメラ14で撮影し、そのビデオカメラ14の出
力を画像処理装置15により処理して半導体ウェハ上の
ウェハIDを認識してその結果を表示器16に表示す
る。光源11の光軸を垂直可変機構24により垂直面内
で回動することができ、また光源11の光軸を水平可変
機構25により水辺面内で回動することができ、半導体
ウェハ13に対する入射光の角度を水平面内および垂直
面内で変化させて最良の照明としてウェハIDを正確に
読み取るようにすることができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は半導体集積回路、いわゆるICを作る為に利用され、例えばロット 管理の為に半導体ウェハに付けられた識別文字、つまりウェハIDを光学的に読 み取るウェハID読み取り装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェハを識別できるように、半導体ウェハに文字いわゆるIDがレーザ によるドットパターンや、薄膜に対するパターンエッチングにより記入されてあ る。例えば各半導体ウェハをその処理にあたって、どのロットからのものである かを知るため、そのウェハIDを読み取ることが行なわれている。
【0003】 この読み取り装置としては従来においては図4Aに示すものが用いられていた 。すなわち光源11からの光をほぼ水平に進行させ、ビームスプリッタ12によ りその光を二分し、かつその一方の光をほぼ直角に下方に曲げ、この光を半導体 ウェハ13上に照射し、その半導体ウェハ13の反射光をビームスプリッタ12 を通過してビデオカメラ14により受光し、ビデオカメラ14の出力を画像処理 装置15で処理してその半導体ウェハ13に記入された文字、つまりIDを認識 し、これを表示器16に表示している。
【0004】 このように半導体ウェハ13に対して垂直方向から光を入射して照明し、その 反射光を読み取る、いわゆる落射照明(明視野照明)による読み取りによって、 良く読み取ることができない場合は、光源17から半導体ウェハ13の板面に対 して斜めに光を入射してその反射光をビームスプリッタ12を介して、ビデオカ メラ14で受光して、画像処理装置15により半導体ウェハ13のIDを読み取 るようにしている。後者の光源17よりの斜め照射による照明は暗視野照明と言 われている。この暗視野照明によってIDの読み取りを行ない、読み取りにくい 場合には光源11による落射照明、つまり明視野照明によって読み取りを行なう こともある。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
このように従来においては2つの光源11,17を設け、明視野照明あるいは 暗視野照明の一方で読み取り、読み取りができない時は照明を他方に切り替えて 読み取るようにしている。しかし半導体ウェハ13の表面処理状態やその記入し た文字を構成するドット形状によって反射状態が異なり、切り替えを行ってもI Dを正しく読み取ることができなかった。すなわち、半導体ウェハ13にIDを 構成する為のドット18が配列形成されているが、図4B,Cにそれぞれ示すよ うにそのドット18の表面における直径の大きさやドットの深さ、ドット18の 内周面の傾斜度が異なり一定していない。このため、図4Bと図4Cとでは光の 反射状態が可成り異なり、暗視野照明と明視野照明とを切り替えただけでは、い づれの場合においても半導体ウェハ上のIDを正しく読み取る事が困難な場合が あった。
【0006】 また図4D,Eに示すように半導体ウェハ13上に金属薄膜を形成し、その薄 膜をエッチングして文字パターン19を形成してその半導体ウェハのIDとする 場合もある。この場合そのパターン19に対し通常透明樹脂材の保護膜21が覆 われているが、その保護膜21が図4D,、図4Eに示すように厚さが異なった り、その保護膜による屈折のしかたが異なり、表面反射がおきて明視野照明と暗 視野照明との切り替えだけでは、このパターン19によるIDを確実に読み取る ことができない場合があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この考案によれば半導体ウェハに対する入射角、又はその半導体ウェハからの 反射光を受光するビデオカメラの受光角度を垂直面および水平面内でそれぞれ調 整できる可変機構部が設けられている。 従って半導体ウェハ上のIDが読み取りにくい場合はその可変機構部を調整す ることによっていろいろな角度から半導体ウェハを照明し、またはいろいろの角 度からIDを読み取ることができ、正しくIDを読み取ることが可能となる。
【0008】
【実施例】
図1Aにこの考案の原理を示し、図4Aと対応する部分には同一符号を付けて ある。この例では光源11からの光23はほぼ水平に出射され、ビームスプリッ タ12により一方の分割光が半導体ウェハ13上に垂下される。この考案におい ては光源11はその出射光(光ビーム)23を垂直可変機構24により垂直面内 における進行方向角度を変更することができるようにされ、又水平可変機構25 により水平面内における進行方向角度を調整することができるようにされる。従 って垂直可変機構24により光ビーム23を垂直面内で回動するとそのビームス プリッタ12より反射されて半導体ウェハ13に入射する垂直面内の角度θz が 変化し例えば点線に示すように変化する。又水平可変機構25により光ビーム2 3を水平面内で回動するとそのビームスプリッタ12による反射光は半導体ウェ ハ13に対する入射角の水平面内における角度が変化する。従ってこれら両可変 機構24,25を調整することによって、半導体ウェハ13に対する入射光θxy Z を垂直面内、水平面内で変えることができ、その半導体ウェハ13に記入され たIDに対し、色々な角度から照射することができ、よってそのIDを正しく読 むことが可能となる。
【0009】 次にこの考案の実施例の具体的構造を図1B、図2を参照して説明しよう。基 台31の上面中央部に両端に達する凹部32が形成され、凹部32に支持板33 の一端部が嵌合固定される。支持板33は水平方向に延長され、支持板33の遊 端部の上側にこれとほぼ直角に延長した固定筒体34が取り付けられる。その固 定筒体34の支持板33からはずれた端部の下面に、可動筒体35が回動自在に 取り付けられる。つまり固定筒体34の支持板33から離れた端部の底面に円形 穴36が形成され、その円形穴36内に固定筒体34と軸心が互いに直交する可 動筒体35の上端部が円筒面とされて回動自在に嵌合され、その可動筒体35の 挿入端部の外周に鍔37が取り付けられ、可動筒体35は固定筒体34に回動自 在に吊り下げ取り付けられる。
【0010】 可動筒体35の基台31側において、光源11が垂直方向に回動自在に取り付 けられる。例えば可動筒体35の両側板より支持片38,39が突出され、支持 片38,39にそれぞれ円弧状の溝穴41が上下方向に延長されて形成され、こ れら溝穴41に、光源11の端部の両側面より突出したピン42がそれぞれ挿通 されて溝穴41に沿ってピン42が移動できるようにされる。またそのピン42 の位置をねじで固定できるようにされる。
【0011】 光源11の光軸43を水平とした状態で、これと可動筒体35の軸心44が互 いに直交するようにされている。この交差点を通ってビームスプリッタ12が4 5度傾斜して可動筒体35内に取り付けられる。可動筒体35の内部は固定筒体 34内に連通しており、ビームスプリッタ12からの透過光を、水平方向に直角 に、つまり固定筒体34の軸心と平行にかつ支持板33側に反射させる反射鏡4 6が固定筒体34内に取り付けられる。また固定筒体34内の他端部に反射鏡4 6と対向してその反射鏡よりの光をほぼ水平に直角に折り曲る、つまり基台31 側に折り曲る反射鏡47が取り付けられる。
【0012】 この反射鏡47により基台31側に反射された光が透過するように、固定筒体 34に開口が設けられており、反射鏡47より反射した光は結像レンズ48でビ デオカメラ14上に結像される。ビデオカメラ14は、支持板33の基台31上 の部分にL字状固定具49により支持板に取り付けられる。そのビデオカメラ1 4の開口(受光面)側に結像レンズ48が取り付けられている。なお図2Bにお いては光源11の光軸を水平とし、かつ、結像レンズ48の光軸と平行としてい る状態を示している。
【0013】 このように構成されているからピン42のねじをゆるめて光源11をその光軸 43が垂直面内において回動するように回動することができる。従ってその光軸 43が水平となるように設定すれば、半導体ウェハ13に対して落射照明、いわ ゆる明視野照明がなされる。この状態から光源11、つまり光軸43を垂直面内 で回動して図2Aの実線に示す状態にすると、半導体ウェハ13に対して光は斜 めに照射され、半導体ウェハ13に対して暗視野照明となる。
【0014】 このように明視野照明、暗視野照明を自由に取ることができ、かつその暗視野 照明における半導体ウェハ13に対する入射角度をかなり大幅に変えることがで きる。しかもその暗視野照明、明視野照明のいずれの場合においても光源11を 軸心44を中心に水平面内で回動することができ、半導体ウェハ13に対する水 平面内の入射角を変えることができる。従って半導体ウェハ13上のIDのドッ トの深さや、ドットの内周壁の傾斜が各種の場合においても、又IDパターン上 の保護膜の厚さなどが異なっていてもウェハIDを正しく認識することができる 。
【0015】 上述においては光源11の光軸を垂直面内、水平面内で回動したが、図3Aに 示すように光源11は例えばその光軸を水平としたままとしておき、ビデオカメ ラ14の光軸、つまり受光角度を垂直面内及び水平面内で回動するようにしても よい。あるいは図3Dに示すように、光源11及びビデオカメラ14の各光軸を 固定としたままビームスプリッタ12の角度を回動するようにしてもよい。
【0016】
【考案の効果】
以上述べたようにこの考案によれば、半導体ウェハに対する入射角度を垂直面 内および水平面内で変えることができ、あるいはそのビームスプリッタを通過し て受光するビデオカメラの受光角度を水平面内、及び垂直面内で変えることがで き、従ってウェハIDの形成状態が各種の状態であっても、最も認識しやすい状 態にウェハIDを照明することができそのウェハIDを正しく読み取ることがで きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】Aはこの考案の原理を示す図、Bはこの考案の
実施例を示す平面図である。
【図2】Aは図1Bの正面図、Bは図1Bの右側面図で
ある。
【図3】この考案の他の実施例を簡略に示した図。
【図4】Aは従来のウェハID読み取り装置を示す図、
B及びCはウェハIDをドットで形成した場合のそのド
ット形状を示す断面図、C,DはウェハIDをパターン
で形成した場合の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 長嶺 博 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727 宮崎沖 電気株式会社内

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源よりの光をビームスプリッタに入射
    して二分し、その一方の光を半導体ウェハに入射し、そ
    の反射光を上記ビームスプリッタを通してビデオカメラ
    で受光し、そのビデオカメラの出力により上記半導体ウ
    ェハの識別文字を読み取るウェハID読み取り装置にお
    いて、 上記半導体ウェハに対する入射角、又は上記ビデオカメ
    ラの上記半導体ウェハからの反射光の受光角度を垂直面
    および水平面内でそれぞれ調整できる可変機構部が設け
    られていることを特徴とするウェハID読み取り装置。
JP8792392U 1992-12-22 1992-12-22 ウェハid読み取り装置 Withdrawn JPH0652138U (ja)

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JPH0652138U true JPH0652138U (ja) 1994-07-15

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JP8792392U Withdrawn JPH0652138U (ja) 1992-12-22 1992-12-22 ウェハid読み取り装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767591A (zh) * 2015-11-05 2020-02-07 英飞凌科技股份有限公司 用于晶片处理的方法和装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767591A (zh) * 2015-11-05 2020-02-07 英飞凌科技股份有限公司 用于晶片处理的方法和装置
US11637028B2 (en) 2015-11-05 2023-04-25 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for use in wafer processing
CN110767591B (zh) * 2015-11-05 2023-10-03 英飞凌科技股份有限公司 用于晶片处理的方法和装置
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Effective date: 19970306