JPH0652585B2 - 光学用成形品 - Google Patents
光学用成形品Info
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- JPH0652585B2 JPH0652585B2 JP59270789A JP27078984A JPH0652585B2 JP H0652585 B2 JPH0652585 B2 JP H0652585B2 JP 59270789 A JP59270789 A JP 59270789A JP 27078984 A JP27078984 A JP 27078984A JP H0652585 B2 JPH0652585 B2 JP H0652585B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 6
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TUJHKTMBIVIOOV-UHFFFAOYSA-N 3-(4-hydroxyphenyl)-1,1,3-trimethyl-2h-inden-5-ol Chemical compound C12=CC(O)=CC=C2C(C)(C)CC1(C)C1=CC=C(O)C=C1 TUJHKTMBIVIOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-1-en-2-ylphenol Chemical class CC(=C)C1=CC=CC=C1O WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMTYZTXUZLQUSF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbisphenol A Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 YMTYZTXUZLQUSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSZUAEZQQMHJOL-UHFFFAOYSA-N 3-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-1,1,3,4,6-pentamethyl-2h-inden-5-ol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C2)(C)C)=C1C2(C)C1=CC(C)=C(O)C(C)=C1 QSZUAEZQQMHJOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLWZKRQUBBZKTF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-hydroxy-3-methylphenyl)-1,1,3,4-tetramethyl-2H-inden-5-ol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C2(C)C3=C(C)C(O)=CC=C3C(C)(C)C2)=C1 NLWZKRQUBBZKTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Dihydroxybenzophenone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 4,4'-thiodiphenol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=C(O)C=C1 VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUCTVKDVODFXFX-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)sulfonyl-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 SUCTVKDVODFXFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 4-Propylphenol Chemical group CCCC1=CC=C(O)C=C1 KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZZWZMUXHALBCQ-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)methyl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 AZZWZMUXHALBCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BATCUENAARTUKW-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxyphenyl)-diphenylmethyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BATCUENAARTUKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920005509 ACRYPET® VH Polymers 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N benzocyclopentane Natural products C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- FZFAMSAMCHXGEF-UHFFFAOYSA-N chloro formate Chemical compound ClOC=O FZFAMSAMCHXGEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N diphenyl carbonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(=O)OC1=CC=CC=C1 ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009775 high-speed stirring Methods 0.000 description 1
- -1 indane compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光デイスク基板、プラスチツクレンズ、デイス
プレー用透明電極基板等のオプトエレクトロニクス分野
における光学部品として有用な成形品に関する。
プレー用透明電極基板等のオプトエレクトロニクス分野
における光学部品として有用な成形品に関する。
近年、情報処理分野において光の性質を利用した、例え
ば光メモリー、プロジエクシヨンテレビ、液晶、エレク
トロルミネツセンス等を利用したデイスプレー等の各種
のオプトエレクトロニクス製品が広く実用化され、これ
らの製品に光透過性の各種の光学用成形部品、例えば光
デイスク基板、プラスチツクレンズ、デイスプレー用透
明電極基板が使用され始めている。
ば光メモリー、プロジエクシヨンテレビ、液晶、エレク
トロルミネツセンス等を利用したデイスプレー等の各種
のオプトエレクトロニクス製品が広く実用化され、これ
らの製品に光透過性の各種の光学用成形部品、例えば光
デイスク基板、プラスチツクレンズ、デイスプレー用透
明電極基板が使用され始めている。
上記の諸部品においては、光学的均質性（例えば複屈折
等が少いこと）、熱や吸湿による変形等が少いことが強
く望まれている。特に光デイスク基板においては、基板
を通して反射率や透過率の差異を信号出力としてとりだ
す為複屈折の良否は直接信号雑音比に影響を与える。こ
の問題は、再生専用光デイスク、永久書込光デイスク、
消去可能光デイスク、光カード等に共通しているが、偏
光の回転（カー効果）によつて信号の読みだしを行う光
磁気記録では特にその影響は顕著である。
等が少いこと）、熱や吸湿による変形等が少いことが強
く望まれている。特に光デイスク基板においては、基板
を通して反射率や透過率の差異を信号出力としてとりだ
す為複屈折の良否は直接信号雑音比に影響を与える。こ
の問題は、再生専用光デイスク、永久書込光デイスク、
消去可能光デイスク、光カード等に共通しているが、偏
光の回転（カー効果）によつて信号の読みだしを行う光
磁気記録では特にその影響は顕著である。
又、光デイスクは、レーザビーム１〜２ミクロンに絞つ
て信号の書込み、読みだしを行う為に、基板の熱や吸湿
による変形は焦点制御の観点から極力さけねばならず、
光デイスクの記録層の形成（通常スパツタリング等の無
機薄膜の形成）や貯蔵条件において変形を生じないだけ
の耐熱性や低吸湿性が必要である。
て信号の書込み、読みだしを行う為に、基板の熱や吸湿
による変形は焦点制御の観点から極力さけねばならず、
光デイスクの記録層の形成（通常スパツタリング等の無
機薄膜の形成）や貯蔵条件において変形を生じないだけ
の耐熱性や低吸湿性が必要である。
プラスチツクスは、光透過性でかつ成形が容易なことか
ら、又軽量でかつ衝撃等の外力によつて破壊されにくい
ことからは光学用成形品に好適と考えられているが、現
状においては前記の要求をすべて満足できる程度に兼ね
備えたものは開発されていなかつた。例えば、複屈折現
象の少いメタクリル樹脂は耐熱性や吸湿による変形に問
題があり、ポリカーボネート等の耐熱性に優れ、吸湿に
よる変形の小さい樹脂では、複屈折現象が大きく、偏光
に対する光学的均質性に難点がある。上記の背景から、
上記の三つの問題点を解決した光学用成形材料の開発が
希求されていた。
ら、又軽量でかつ衝撃等の外力によつて破壊されにくい
ことからは光学用成形品に好適と考えられているが、現
状においては前記の要求をすべて満足できる程度に兼ね
備えたものは開発されていなかつた。例えば、複屈折現
象の少いメタクリル樹脂は耐熱性や吸湿による変形に問
題があり、ポリカーボネート等の耐熱性に優れ、吸湿に
よる変形の小さい樹脂では、複屈折現象が大きく、偏光
に対する光学的均質性に難点がある。上記の背景から、
上記の三つの問題点を解決した光学用成形材料の開発が
希求されていた。
本発明は上記した３つの問題点を解決した、すなわち複
屈折が少く、耐熱性にすぐれ、更に吸湿性が小さい材料
を用いたオプトエレクトロニクス製品に好適な光学用成
形品を提供することを目的とする。この目的は、以下に
示す本発明によつて達成できる。
屈折が少く、耐熱性にすぐれ、更に吸湿性が小さい材料
を用いたオプトエレクトロニクス製品に好適な光学用成
形品を提供することを目的とする。この目的は、以下に
示す本発明によつて達成できる。
本発明は、下記一般式(A)で表わされる構造単位 を少なくとも有し、下記一般式(B)で表わされる構造単
位 （上記２つの式中、Ｘは炭素数１〜８の２価の炭化水素
基、Ｏ、CO、Ｓ、SO又はSO2、R1〜R8は互いに同一でも
異なつてもよく、水素又は炭素数１〜５の炭化水素基を
表わす。）を有してもよい（共）重合体であつて、両構
造単位(A)及び(B)の全モル数に対して構造単位(A)の占
めるモル数が５％以上である（共）重合体を成形してな
る光学用成形品である。
位 （上記２つの式中、Ｘは炭素数１〜８の２価の炭化水素
基、Ｏ、CO、Ｓ、SO又はSO2、R1〜R8は互いに同一でも
異なつてもよく、水素又は炭素数１〜５の炭化水素基を
表わす。）を有してもよい（共）重合体であつて、両構
造単位(A)及び(B)の全モル数に対して構造単位(A)の占
めるモル数が５％以上である（共）重合体を成形してな
る光学用成形品である。
本発明の光学用成形品については、 で表わされる構造単位(A)を有する特定のポリカーボネ
ート樹脂から形成されることに最大のポイントがある。
ート樹脂から形成されることに最大のポイントがある。
樹脂中に、 で表わされる構造単位(A)を有するものを製造するに
は、一般式 で表わされるビスフエノール類の単量体を用いて達成で
きる。
は、一般式 で表わされるビスフエノール類の単量体を用いて達成で
きる。
上記単量体は、種々の方法で得られるが、例えばイソプ
ロペニルフエノール類またはその二量体より、酸触媒の
存在下に加熱して得る方法〔例えば特開昭54−76,564
号，特公昭55−11,651号，米国特許 4,334,106号，米国
特許 3,288,864号〕、ビスフエノール類を直接酸触媒の
存在下に加熱する方法〔米国特許 2,979,534号〕α−ア
ルキルスチレン類の二量化によつて得られるインダン化
合物をスルホン化、アルカリ溶融して得る方法〔米国特
許 2,819,249号，米国特許 2,754,285号〕などが知られ
ている。
ロペニルフエノール類またはその二量体より、酸触媒の
存在下に加熱して得る方法〔例えば特開昭54−76,564
号，特公昭55−11,651号，米国特許 4,334,106号，米国
特許 3,288,864号〕、ビスフエノール類を直接酸触媒の
存在下に加熱する方法〔米国特許 2,979,534号〕α−ア
ルキルスチレン類の二量化によつて得られるインダン化
合物をスルホン化、アルカリ溶融して得る方法〔米国特
許 2,819,249号，米国特許 2,754,285号〕などが知られ
ている。
具体的な単量体の例としては、１，１，３−トリメチル
３−（４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノール、
１，１，３，４，６−ペンタメチル３−（３，５′−ジ
メチル４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノール、
１，１，３，４−テトラメチル３−（３′−メチル４′
−ヒドロキシフエニル）５−インダノール等をあげるこ
とができ、これらの１種又は２種以上が用入られる。
３−（４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノール、
１，１，３，４，６−ペンタメチル３−（３，５′−ジ
メチル４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノール、
１，１，３，４−テトラメチル３−（３′−メチル４′
−ヒドロキシフエニル）５−インダノール等をあげるこ
とができ、これらの１種又は２種以上が用入られる。
前記のポリカーボネート樹脂は、その構成成分として で表わされる構造単位(B)を有してもよい。前記のポリ
カーボネート樹脂を構成する構造単位(A)及び(B)の全モ
ル数に対して、構造単位(B)の占めるモル数（以下、ｍ
で表わす。）は、０から95未満の範囲ならばよい。ｍが
95以上では、複屈折の低減が十分でないので不適当であ
り、特にｍが85以下であることが望ましい。
カーボネート樹脂を構成する構造単位(A)及び(B)の全モ
ル数に対して、構造単位(B)の占めるモル数（以下、ｍ
で表わす。）は、０から95未満の範囲ならばよい。ｍが
95以上では、複屈折の低減が十分でないので不適当であ
り、特にｍが85以下であることが望ましい。
上記構造単位(B)を与える原料としては、例えば、２，
２−ビス（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン、ビス
（４−ヒドロキシフエニル）メタン、２，２−ビス
（３′−メチル４′−ヒドロキシフエニル）プロパン、
１，１−ビス（４′−ヒドロキシフエニル）シクロヘキ
サン、ビス（４′−ヒドロキシフエニル）ジフエニルメ
タン、２，２−ビス（３′，５′−ジメチル４′−ヒド
ロキシフエニル）プロパン、ビス（３，５−ジメチル４
−ヒドロキシフエニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ
フエニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフエニル）
スルフイド、ビス（４−ヒドロキシフエニル）スルホキ
シド、ビス（４−ヒドロキシフエニル）スルホン、ビス
（３，５−ジメチル４−ヒドロキシフエニル）スルホ
ン、ビス（４−ヒドロキシフエニル）ケトンなどのビス
フエノール類があり、これらの１種又は２種以上が使用
される。
２−ビス（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン、ビス
（４−ヒドロキシフエニル）メタン、２，２−ビス
（３′−メチル４′−ヒドロキシフエニル）プロパン、
１，１−ビス（４′−ヒドロキシフエニル）シクロヘキ
サン、ビス（４′−ヒドロキシフエニル）ジフエニルメ
タン、２，２−ビス（３′，５′−ジメチル４′−ヒド
ロキシフエニル）プロパン、ビス（３，５−ジメチル４
−ヒドロキシフエニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ
フエニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフエニル）
スルフイド、ビス（４−ヒドロキシフエニル）スルホキ
シド、ビス（４−ヒドロキシフエニル）スルホン、ビス
（３，５−ジメチル４−ヒドロキシフエニル）スルホ
ン、ビス（４−ヒドロキシフエニル）ケトンなどのビス
フエノール類があり、これらの１種又は２種以上が使用
される。
本発明に用いられるポリカーボネート樹脂は、上記構造
単位(A)及び(B)がランダムに連結しているランダム共重
合体が好ましい。
単位(A)及び(B)がランダムに連結しているランダム共重
合体が好ましい。
本発明に用いられるポリカーボネート樹脂は、例えば前
記したビスフエノール類の混合物をピリジンの存在下に
ホスゲンと反応させる方法、ビスフエノール類の混合物
のアルカリ水溶液と有機溶媒よりなる二相界面系でホス
ゲンまたはビスフエノール類のクロロホーメートを反応
させる方法、ジフエニルカーボネートとビスフエノール
類の混合物またはビスフエノール類の混合物の酢酸エス
テルとの溶融重合法などの良く知られた方法により製造
することができる。（例えば、 H.Schnell “Chemistr
y and Physics of Polycarbonates.” Interscience P
ublishers，New York-London-Sydney 1964 参照） 本発明の成形品に用いられるポリカーボネート樹脂はフ
ェノール／テトラクロルエタン（重量比6/4）の混合溶
媒中で下記の通り測定される対数粘度ηinh.が０．１〜
２．０の範囲にあるものが好ましい。ηinh.が０．１未
満では樹脂の機械的強度が十分でなく、実用性のある光
学用成形物を得ることができない。一方、ηinh.が２．
０より大きな領域では、加工時の流動性が不良となり、
例えば射出成形等における精密な成形品を得ることは困
難であり、又成形品の複屈折も大きく好ましくない。
記したビスフエノール類の混合物をピリジンの存在下に
ホスゲンと反応させる方法、ビスフエノール類の混合物
のアルカリ水溶液と有機溶媒よりなる二相界面系でホス
ゲンまたはビスフエノール類のクロロホーメートを反応
させる方法、ジフエニルカーボネートとビスフエノール
類の混合物またはビスフエノール類の混合物の酢酸エス
テルとの溶融重合法などの良く知られた方法により製造
することができる。（例えば、 H.Schnell “Chemistr
y and Physics of Polycarbonates.” Interscience P
ublishers，New York-London-Sydney 1964 参照） 本発明の成形品に用いられるポリカーボネート樹脂はフ
ェノール／テトラクロルエタン（重量比6/4）の混合溶
媒中で下記の通り測定される対数粘度ηinh.が０．１〜
２．０の範囲にあるものが好ましい。ηinh.が０．１未
満では樹脂の機械的強度が十分でなく、実用性のある光
学用成形物を得ることができない。一方、ηinh.が２．
０より大きな領域では、加工時の流動性が不良となり、
例えば射出成形等における精密な成形品を得ることは困
難であり、又成形品の複屈折も大きく好ましくない。
上記の対数粘度ηinh.は、フエノール／テトラクロルエ
タン（重量比6/4）混合溶媒中35℃、ポリマー濃度０．
５g/dlの溶液とし、次式にて算出されるものである。
タン（重量比6/4）混合溶媒中35℃、ポリマー濃度０．
５g/dlの溶液とし、次式にて算出されるものである。
〔上式中、ｔはポリマー溶液の流れ時間、t0は溶媒のみ
の流れ時間、Ｃはポリマー溶液濃度（g/dl）である。〕 上記した樹脂を用いた本発明の光学用成形品は、射出成
形、プレス成形、押出成形等の公知のいずれの成形法に
よつても得られる。特に案内溝やアドレス信号を有する
光デイスク基板や異形形状を有するプラスチツクレンズ
等の用途においては射出成形が好ましく、得られた樹脂
の溶融粘度特性（例えばメルトインデツクス等）に応じ
射出成形条件は選択されるが、通常200 〜400 ℃の樹脂
温度にて成形される。
の流れ時間、Ｃはポリマー溶液濃度（g/dl）である。〕 上記した樹脂を用いた本発明の光学用成形品は、射出成
形、プレス成形、押出成形等の公知のいずれの成形法に
よつても得られる。特に案内溝やアドレス信号を有する
光デイスク基板や異形形状を有するプラスチツクレンズ
等の用途においては射出成形が好ましく、得られた樹脂
の溶融粘度特性（例えばメルトインデツクス等）に応じ
射出成形条件は選択されるが、通常200 〜400 ℃の樹脂
温度にて成形される。
又、シート状の光学用成形品は、押出成形によつても連
続的生産が可能であり、デイスプレー用透明電極基板、
光カード、光デイスクカバーシート等に実用することが
出来る。
続的生産が可能であり、デイスプレー用透明電極基板、
光カード、光デイスクカバーシート等に実用することが
出来る。
又プレス成形は、異形品、シートの両方に対応可能であ
るが、生産性の点では前記二つの成形法に較べると劣
る。
るが、生産性の点では前記二つの成形法に較べると劣
る。
本発明の光学用成形品は、極めて複屈折が小さく、耐熱
性に優れ、かつ吸湿によるソリが小さいので各種のオプ
トエレクトロニクス製品等、特に、光デイスク基板やデ
イスプレー用透明電極基板に極めて好適である。
性に優れ、かつ吸湿によるソリが小さいので各種のオプ
トエレクトロニクス製品等、特に、光デイスク基板やデ
イスプレー用透明電極基板に極めて好適である。
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
製造例１ ガス導入管及び撹拌装置の付属した反応器に、２，２−
ビス（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン11.41重量
部、１，１，３−トリメチル３−（４′−ヒドロキシフ
エニル）５−インダノール13.42重量部およびｐ−ｔ−
ブチルフエノール0.75重量部を150 重量部の純水ととも
に加えて撹拌懸濁させ、N2気流を通じ系より酸素を完全
に除去した。ついで45％水酸化ナトリウム溶液18.2重量
部を加え、十分に撹拌しフエノール類の粉末を完全に溶
解させ、室温（25℃）まで冷却した。さらに、ジクロル
メタン100 重量部を加え、撹拌を続けながら室温にて1
1.9重量部のガス状ホスゲンを２時間かけて一定速度で
吹込んだ。ホスゲン吹込開始後15分と30分に45％水酸化
ナトリウム水溶液を4.0重量部づつ追加した。ホスゲン
の吹込み終了後トリエチルアミン0.1重量部を加えて、1
5分撹拌することにより、反応液が非常に粘稠になつた
ので、ジクロルメタン20重量部を加えて粘度を調節し
た。
ビス（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン11.41重量
部、１，１，３−トリメチル３−（４′−ヒドロキシフ
エニル）５−インダノール13.42重量部およびｐ−ｔ−
ブチルフエノール0.75重量部を150 重量部の純水ととも
に加えて撹拌懸濁させ、N2気流を通じ系より酸素を完全
に除去した。ついで45％水酸化ナトリウム溶液18.2重量
部を加え、十分に撹拌しフエノール類の粉末を完全に溶
解させ、室温（25℃）まで冷却した。さらに、ジクロル
メタン100 重量部を加え、撹拌を続けながら室温にて1
1.9重量部のガス状ホスゲンを２時間かけて一定速度で
吹込んだ。ホスゲン吹込開始後15分と30分に45％水酸化
ナトリウム水溶液を4.0重量部づつ追加した。ホスゲン
の吹込み終了後トリエチルアミン0.1重量部を加えて、1
5分撹拌することにより、反応液が非常に粘稠になつた
ので、ジクロルメタン20重量部を加えて粘度を調節し
た。
静置後、水層を分液除去し、さらに水で樹脂溶液を２回
洗浄し、得られた樹脂溶液をメタノールの入つたホモミ
キサーに注ぎ、高速撹拌下に樹脂を析出させた。これを
別し乾燥して樹脂粉末を得た。得られた粉末のηinh.
は0.53であり、ＩＲおよび1H−NMRスペクトルにより、
２，２−ビス（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン残
基数と１，１，３−トリメチル３−（４′−ヒドロキシ
フエニル）５−インダノール残基数とのモル比が50：50
のポリカーボネート共重合体であることが確認された。
1H−NMRによる組成比の決定には、２，２′−ビス
（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン残基によるδ＝
1.70ppmのシグナル（Ｓ，CH3基）と１，１，３−トリメ
チル３−（４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノー
ル残基によるδ＝1.10ppm（Ｓ，CH3基）、δ＝1.39ppm
（Ｓ，CH3基）、δ＝2.34ppm（ｄ．ｄ，CH2基）の各シ
グナルの積分強度測定値を用いた。
洗浄し、得られた樹脂溶液をメタノールの入つたホモミ
キサーに注ぎ、高速撹拌下に樹脂を析出させた。これを
別し乾燥して樹脂粉末を得た。得られた粉末のηinh.
は0.53であり、ＩＲおよび1H−NMRスペクトルにより、
２，２−ビス（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン残
基数と１，１，３−トリメチル３−（４′−ヒドロキシ
フエニル）５−インダノール残基数とのモル比が50：50
のポリカーボネート共重合体であることが確認された。
1H−NMRによる組成比の決定には、２，２′−ビス
（４′−ヒドロキシフエニル）プロパン残基によるδ＝
1.70ppmのシグナル（Ｓ，CH3基）と１，１，３−トリメ
チル３−（４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノー
ル残基によるδ＝1.10ppm（Ｓ，CH3基）、δ＝1.39ppm
（Ｓ，CH3基）、δ＝2.34ppm（ｄ．ｄ，CH2基）の各シ
グナルの積分強度測定値を用いた。
製造例２〜７ 製造例１における２，２−ビス（４′−ヒドロキシフエ
ニル）プロパンおよび１，１，３−トリメチル３−
（４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノールを表−
１に示したように使用する他は製造例１と同様の方法で
実施し、いずれも無色の樹脂粉末を得た。得られた樹脂
のηinh.は表−１に示す通りであり、また原料として使
用したビスフエノール類の組成通りのカーボネート重合
体が得られていることをＩＲおよび1H−NMRスペクトル
にて確認した。
ニル）プロパンおよび１，１，３−トリメチル３−
（４′−ヒドロキシフエニル）５−インダノールを表−
１に示したように使用する他は製造例１と同様の方法で
実施し、いずれも無色の樹脂粉末を得た。得られた樹脂
のηinh.は表−１に示す通りであり、また原料として使
用したビスフエノール類の組成通りのカーボネート重合
体が得られていることをＩＲおよび1H−NMRスペクトル
にて確認した。
製造例８〜１４ 製造例１において、ビスフエノール類の種類および使用
量を表−２に示した通りとした他は製造例１と同様に実
施し、表−２に記したηinh.のポリマーを得た。
量を表−２に示した通りとした他は製造例１と同様に実
施し、表−２に記したηinh.のポリマーを得た。
製造時に未反応のビスフエノール成分は、いずれもトレ
ース量しか検出されなかつたことから、原料として使用
したビスフエノール成分(I)及び(II)の組成割合のカー
ボネート重合体であると推定される。
ース量しか検出されなかつたことから、原料として使用
したビスフエノール成分(I)及び(II)の組成割合のカー
ボネート重合体であると推定される。
樹脂の成形及び評価 前記製造例１〜１４の各樹脂粉末をペレタイザー付押出
機（シリンダー温度250℃）にてペレツト状とし、各ペ
レツトを110℃にて４時間乾燥した後、射出成形を行つ
た。金型に鏡面を有するスタンパーを装着し、外径120m
m、厚み1.2mmの円板状の成形物を得た。射出成形機はシ
リンダー径30mmであり、射出圧力1000Kg、金型のゲート
は円板の中心部に設け、金型温度は80℃とした。射出成
形時のシリンダー温度は各樹脂に応じ設定し表−３に記
載した。
機（シリンダー温度250℃）にてペレツト状とし、各ペ
レツトを110℃にて４時間乾燥した後、射出成形を行つ
た。金型に鏡面を有するスタンパーを装着し、外径120m
m、厚み1.2mmの円板状の成形物を得た。射出成形機はシ
リンダー径30mmであり、射出圧力1000Kg、金型のゲート
は円板の中心部に設け、金型温度は80℃とした。射出成
形時のシリンダー温度は各樹脂に応じ設定し表−３に記
載した。
成形した円板は内径15mmとなるように打抜いてドーナツ
状円板とし、次に片面にアルミの真空蒸着をかけて600
オングストロームの反射層を設けて各試料を作成し（試
料番号１〜１４）、複屈折、湿度環境下におけるソリ、
耐熱性について評価を行つた。
状円板とし、次に片面にアルミの真空蒸着をかけて600
オングストロームの反射層を設けて各試料を作成し（試
料番号１〜１４）、複屈折、湿度環境下におけるソリ、
耐熱性について評価を行つた。
尚、試料番号１〜６及び８〜１４は本発明の実施例であ
り、試料番号７は比較例である。
り、試料番号７は比較例である。
複屈折は反射型偏光顕微鏡を用いダブルパスの光路差を
求めた。湿度環境下におけるソリは、上記の試料を50℃
95℃％相対湿度の恒温恒湿槽に24時間放置し、とりだし
後直ちに20℃相対湿度60％の恒温恒湿室に２時間放置後
ソリによる変位を測定した。耐熱性はASTM−D648に準じ
荷重たわみ温度を測定した。以上の評価結果を表−３に
併せて記載する。
求めた。湿度環境下におけるソリは、上記の試料を50℃
95℃％相対湿度の恒温恒湿槽に24時間放置し、とりだし
後直ちに20℃相対湿度60％の恒温恒湿室に２時間放置後
ソリによる変位を測定した。耐熱性はASTM−D648に準じ
荷重たわみ温度を測定した。以上の評価結果を表−３に
併せて記載する。
又、比較例としてメタクリル樹脂（三菱レーヨン社製商
品名アクリペツトＶＨ）を、金型温度のみ65℃とした以
外は前記と同様にして射出成形を行い、又同様にしてア
ルミ反射層を設け試験用試料を作成し（試料番号１５）
評価を行い、その結果を表−３に併せて記載した。
品名アクリペツトＶＨ）を、金型温度のみ65℃とした以
外は前記と同様にして射出成形を行い、又同様にしてア
ルミ反射層を設け試験用試料を作成し（試料番号１５）
評価を行い、その結果を表−３に併せて記載した。
以上の実施例及び比較例の結果から、明らかに本発明の
光学用部品は従来のものよりも複屈折が小さく、耐熱性
に優れ、かつ吸湿によるソリも小さいことが判明した。
光学用部品は従来のものよりも複屈折が小さく、耐熱性
に優れ、かつ吸湿によるソリも小さいことが判明した。
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式(A)で表わされる構造単位 を少なくとも有し、下記一般式(B)で表わされる構造単
位 （上記２つの式中、Ｘは炭素数１〜８の２価の炭化水素
基、Ｏ、CO、Ｓ、SO又はSO2、R1〜R8は互いに同一でも
異なつてもよく、水素又は炭素数１〜５の炭化水素基を
表わす。）を有してもよい（共）重合体であつて、両構
造単位(A)及び(B)の全モル数に対して構造単位(A)の占
めるモル数が５％以上である（共）重合体を成形してな
る光学用成形品。 - 【請求項２】前記光学用成形品が光デイスク基板である
特許請求の範囲第１項記載の光学用成形品。 - 【請求項３】前記光学用成形品がデイスプレー用透明電
極基板である特許請求の範囲第１項記載の光学用成形
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270789A JPH0652585B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光学用成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270789A JPH0652585B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光学用成形品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148401A JPS61148401A (ja) | 1986-07-07 |
| JPH0652585B2 true JPH0652585B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=17491019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270789A Expired - Fee Related JPH0652585B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光学用成形品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652585B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5316884A (en) * | 1993-02-22 | 1994-05-31 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing 5-indanol in the binder resin as a comonomer |
| JPH10231359A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-09-02 | General Electric Co <Ge> | ヒドロキシフェニルインダノール類から誘導される光ディスクグレードのコポリエステルカーボネート |
| US5703197A (en) * | 1997-02-13 | 1997-12-30 | Molecular Optoelectronics Corporation | Indane polycarbonates |
| DE19733570A1 (de) * | 1997-08-02 | 1999-02-04 | Bayer Ag | Copolymerisate auf Basis von Indanbisphenolen |
| DE19733569A1 (de) * | 1997-08-02 | 1999-02-04 | Bayer Ag | Copolycarbonate auf Basis von Indanbisphenolen |
| US6060576A (en) * | 1999-01-28 | 2000-05-09 | General Electric Company | Method for preparing copolycarbonates of enhanced crystallinity |
| US6001953A (en) * | 1999-03-18 | 1999-12-14 | General Electric Company | Polycarbonates suitable for use in optical articles |
| US6333394B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-12-25 | General Electric Company | Copolycarbonate preparation by solid state polymerization |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP59270789A patent/JPH0652585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61148401A (ja) | 1986-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |