JPH1139712A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 流動性、耐熱性および曲げ弾性率に優れ、光
弾性定数が小さいポリカーボネート樹脂より形成された
面振れが小さい光ディスク基板を提供する。 【解決手段】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８
０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよび
（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンの特定割合の
範囲で構成されたポリカーボネート共重合体であって、
且つそのＭＦＲが３５ｇ／１０分以上、Ｔｇが１３０〜
１６０℃および曲げ弾性率が２．６×１０⁶Ｎ／ｍ²以上
であるポリカーボネート共重合体から形成される光ディ
スク基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は特定のポリカーボネ
ート共重合体より形成された光ディスク基板に関する。
更に詳しくは、流動性、耐熱性、曲げ弾性率に優れ、光
弾性定数が小さい特定のポリカーボネート共重合体より
形成された面振れが小さい光ディスク基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）にホスゲンやジ
フェニルカーボネートを反応させて得られるポリカーボ
ネート樹脂は、その優れた機械的特性、熱的特性から各
種用途に広く用いられている。この樹脂は透明性、耐熱
性、寸法精度がよい等の優れた性質を有することから近
年光ディスク等の分野で情報記録媒体用基板の素材とし
ても広く用いられている。しかしながら、情報記録媒体
用基板の用途が拡大するに従って、用途によっては耐熱
性や曲げ弾性率により優れ、且つ面振れの小さい光ディ
スク基板が求められている。また、ビスフェノールＡか
ら得られるポリカーボネート樹脂は、ベンゼン環の光学
異方性から光弾性定数が大きく、成形品の複屈折が大き
い欠点があり、この改善が求められている。

【０００３】特開平２−８８６３４号公報には、特定構
造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれからの
新規なポリカーボネート樹脂について記載されている。
この公報に開示されている代表例は、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２モル％使
用したポリカーボネート樹脂である。具体的には１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリ
メチルシクロヘキサンを１００〜３０モル％の割合で使
用したホモまたはコポリカーボネート樹脂が示され、コ
ポリカーボネート樹脂の場合の共重合成分としては、ビ
スフェノールＡが３０、５０、６５または７０モル％使
用されている。

【０００４】上記公報には、得られたポリカーボネート
樹脂は、従来のビスフェノールＡからのポリカーボネー
ト樹脂の用途、例えば電気分野、被覆および透明板ガラ
スの分野で使用され、高い耐熱性を有する点で優れてい
ることが開示されている。しかしながら、このポリカー
ボネート樹脂は、溶融流動性が悪く良好な成形品が得ら
れ難いという問題がある。また、この公報にはビスフェ
ノールＡ以外の種々の共重合体に関する記載はあるが、
その具体的事例は何も示されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、流動
性、耐熱性、曲げ弾性率に優れ、光弾性定数が小さいポ
リカーボネート樹脂より形成される面振れが小さい光デ
ィスク基板を提供することにある。本発明者は、上記課
題を達成せんとして、鋭意研究を重ねた結果、特定の２
種の二価フェノールからなる特定の性能を備えたポリカ
ーボネート共重合体から形成された光ディスク基板が、
面振れが小さい光ディスク基板であることを見出し、本
発明に到達した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、全芳香族ジヒ
ドロキシ成分の少くとも８０モル％が（ａ）１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン（成分ａ）および（ｂ）４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールお
よび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（成分ｂ）からなり、成分ａと成
分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲で構
成されたポリカーボネート共重合体であって、且つその
ＭＦＲが３５ｇ／１０分以上、Ｔｇが１３０〜１６０℃
および曲げ弾性率が２．６×１０⁶Ｎ／ｍ²以上であるポ
リカーボネート共重合体から形成される光ディスク基板
に係るものである。

【０００７】本発明のディスク基板を形成するポリカー
ボネート共重合体は、それを構成する芳香族ジヒドロキ
シ成分として全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８０
モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
ａ）（以下ビスフェノールＴＭＣと略称することがあ
る）および（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプ
ロピリデン）ジフェノール（以下ビスフェノールＭと略
称することがある）および／または２，２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）
であり、且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で９９：１
〜２０：８０の範囲であることが必要である。

【０００８】前述した通り特開平２−８８６３４号公報
には、ビスフェノールＴＭＣ単独からのポリカーボネー
ト樹脂またはビスフェノールＴＭＣと他のジヒドロキシ
化合物からのポリカーボネート共重合体について記載さ
れている。しかしながら、本発明者の研究によればビス
フェノールＴＭＣ単独からのポリカーボネート樹脂は、
本発明の要件を全て満足するものではなく、光ディスク
基板としては不適当であることが判った。また、前記公
報に記載された具体的な共重合体、つまりビスフェノー
ルＴＭＣとビスフェノールＡとからのポリカーボネート
共重合体も、共重合割合に関係なく同様に光ディスク基
板としては、ビスフェノールＡからの従来のポリカーボ
ネート樹脂基板に比べて、耐熱性が改良されていること
以外、特に優れているものとは言えないことがわかっ
た。ところが本発明者の研究によれば、ビスフェノール
ＴＭＣに対して特定構造のジヒドロキシ化合物を一定割
合共重合することによって得られたポリカーボネート共
重合体は、曲げ弾性率が高く、吸水率が低く、流動性、
耐熱性、曲げ弾性率に優れ、光弾性定数が小さく、そし
て、このポリカーボネート共重合体から面振れが少ない
光ディスク基板が得られることが見出された。

【０００９】以下、本発明で使用する特定のポリカーボ
ネート共重合体について説明する。本発明の光ディスク
基板を形成するポリカーボネート共重合体は、それを構
成する芳香族ジヒドロキシ成分として、（ａ）１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン（成分ａ）および（ｂ）４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールお
よび／または２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（成分ｂ）が全芳香族ジヒドロキ
シ成分の少くとも８０モル％、好ましくは少くとも９０
モル％であるのが有利であり、典型的には、成分ａおよ
び成分ｂによって実質的に形成されたポリカーボネート
共重合体であるのが望ましい。この成分ａおよび成分ｂ
の割合が８０モル％未満の場合、本発明の目的であるデ
ィスク基板用材料として不満足な性質になり好ましくな
い。

【００１０】成分ａと成分ｂの割合は、モル比で９９：
１〜２０：８０の範囲であり、９０：１０〜３０：７０
の範囲が好ましく、８０：２０〜４０：６０の範囲がさ
らに好ましい。成分ａの割合が９９モル％より多く、成
分ｂの割合が１モル％より少なくなると、得られる共重
合体の溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好
なディスク基板が得られ難くなる。また、成分ａの割合
が２０モル％より少なく、成分ｂの割合が８０モル％よ
り少なくなると、得られる共重合体の光弾性定数が大き
くなり、またガラス転移温度も低下する傾向にあるので
好ましくない。

【００１１】前記ポリカーボネート共重合体の好ましい
態様の１つは、成分ａがビスフェノールＴＭＣであり、
且つ成分ｂがビスフェノールＭである組合せであり、そ
の場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、９０：１０〜
３０：７０の範囲、特に８０：２０〜４０：６０の範囲
であるのが一層好ましい。

【００１２】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体において、成分ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキ
シ成分の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも
９０モル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキ
シ成分（成分ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０
モル％以下、好ましくは１０モル％以下含有していても
特に差支えない。

【００１３】かかる成分ｃとしては、通常ポリカーボネ
ート樹脂のジヒドロキシ成分として使用されている、成
分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハイ
ドロキノン、レゾルシノール、４，４′−ビフェノー
ル、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）オクタン、４，４′−（ｐ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ジフェノール、９，９−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピル
シクロヘキサン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテル、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシドお
よび４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホン等が挙
げられ、なかでも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）フルオレンおよび９，９−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）フルオレンが好ましい。

【００１４】本発明で使用されるポリカーボネート共重
合体は、通常のポリカーボネート樹脂を製造するそれ自
体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホ
スゲンや炭酸ジエステル等のカーボネート前駆物質を反
応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法
について基本的な手段を簡単に説明する。

【００１５】カーボネート前駆物質として、例えばホス
ゲンを使用する反応では、通常酸結合剤及び溶媒の存在
下に反応を行う。酸結合剤としては、例えば水酸化ナト
リウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物又は
ピリジン等のアミン化合物が用いられる。溶媒として
は、例えば塩化メチレンやクロロベンゼン等のハロゲン
化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために例え
ば第三級アミンや第四級アンモニウム塩等の触媒を用い
ることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃で
あり、反応時間は数分〜５時間である。

【００１６】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所
定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加
熱しながら撹拌して、生成するアルコール又はフェノー
ル類を留出させる方法により行われる。反応温度は生成
するアルコール又はフェノール類の沸点等により異なる
が、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応はその初
期から減圧にして生成するアルコール又はフェノール類
を留出させながら反応を完結させる。また、反応を促進
するために通常エステル交換反応に使用される触媒を使
用することもできる。前記エステル交換反応に使用され
る炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカーボネ
ート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カ
ーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネ
ート、ジブチルカーボネート等が挙げられる。これらの
うち特にジフェニルカーボネートが好ましい。

【００１７】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体は、前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、
成分ａと成分ｂ、必要であれば成分ｃの混合物を使用
し、それ自体公知のポリカーボネート形成の反応に従っ
て製造することができる。その重合反応において、末端
停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用
することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホ
スゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末
端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、
また得られたポリカーボネート共重合体は、末端が単官
能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、ポリカーボネート樹
脂の末端停止剤として使用されるものであればよく、一
般にはフェノール又はｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ル等の置換フェノールが用いられる。

【００１８】本発明で使用されるポリカーボネート共重
合体はその０．７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解
し、２０℃で測定した比粘度が０．２〜０．５の範囲の
ものが好ましく、特に好ましくは０．２５〜０．４の範
囲のものである。比粘度が０．２未満では成形片が脆く
なり易く、０．５より高くなると溶融流動性が悪くな
り、成形不良を生じ易く、光学的に良好な光ディスク基
板が得られ難くなる。

【００１９】本発明で使用されるポリカーボネート共重
合体は、ＪＩＳ Ｋ−７２１０に従って温度２８０℃、
荷重２．１６ｋｇで１０分間に流出したポリマー量で示
したＭＦＲが３５ｇ／１０分以上であり、３５〜１００
ｇ／１０分が好ましく、５０〜８０ｇ／１０分がより好
ましい。３５ｇ／１０分未満では良好な光ディスク基板
が得られ難く好ましくない。

【００２０】また、かかるポリカーボネート共重合体
は、そのガラス転移点（Ｔｇ）が１３０〜１６０℃であ
り、１３５〜１５５℃が好ましい。ガラス転移点が低く
なると、ディスク基板としての耐熱性が不足する。

【００２１】本発明で使用されるポリカーボネート共重
合体は、ＡＳＴＭ Ｄ−０７９０に従って測定した曲げ
弾性率が２．６×１０⁶Ｎ／ｍ²以上であり、２．６×１
０⁶〜５．０×１０⁶Ｎ／ｍ²が好ましく、２．７×１０⁶
〜４．５×１０⁶Ｎ／ｍ²がより好ましい。曲げ弾性率が
２．６×１０⁶Ｎ／ｍ²未満では、成形した光ディスク基
板の面振れが大きくなるので好ましくない。

【００２２】また、本発明で使用されるポリカーボネー
ト共重合体は、ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０に従って測定し
た吸水率が０．２重量％以下、好ましくは０．１８重量
％以下であることが必要である。吸水率が０．２重量％
を超えると、光ディスク基板表面上に金属膜を形成させ
た光ディスクが吸水によって反りを生じ易くなり、トラ
ッキングエラーを起こし易くなるので好ましくない。特
に好ましい吸水率は０．１５重量％以下である。

【００２３】本発明で使用されるポリカーボネート共重
合体には、必要に応じて燐系熱安定剤を配合することが
できる。燐系熱安定剤としては亜燐酸エステル、燐酸エ
ステルが好ましく使用される。また、酸化防止の目的で
通常知られた酸化防止剤を配合することもでき、離型性
の改良を目的として多価アルコールの高級脂肪酸エステ
ルを加えることもできる。

【００２４】本発明に使用されるポリカーボネート共重
合体には、さらに本発明の目的を損なわない範囲で通常
の光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤、充填剤等を添
加してもよい。

【００２５】本発明の光ディスク基板は、前記ポリカー
ボネート共重合体を、例えば射出成形法、圧縮成型法、
押出成形法、溶液キャスティング法等任意の方法で成形
することにより得ることができるが、射出成形法により
得られたものが好適である。特に、該ポリカーボネート
共重合体を樹脂温度３４０〜３８０℃、金型温度１００
〜１２０℃の条件で射出成形した場合に、より面振れの
小さい光ディスク基板を得ることができる。

【００２６】本発明の光ディスク基板の片面若しくは両
面に金属薄膜を形成させることにより光学ディスクが得
られる。かかる金属としてはＡｌ、Ｔｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｇｄ、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＧｅＳｂＴｅ、Ｚｎ
ＳおよびＡｌ合金等があり、スパッタリング、蒸着等の
手段で形成させることができる。これらの金属薄膜の形
成手段は、それ自体知られた方法で行うことができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げて本発明を更
に説明する。なお、実施例中の部および％は重量部およ
び重量％であり、評価は下記（１）〜（９）の方法によ
った。

【００２８】（１）比粘度：パウダー０．７ｇを１００
ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した。

【００２９】（２）ガラス転移点（Ｔｇ）：パウダーを
用いて、デュポン社製９１０型ＤＳＣにより測定した。

【００３０】（３）流動性（ＭＦＲ）：ペレットを用い
て、ＪＩＳ Ｋ−７２１０に従って、東洋精機製セミオ
ートメルトインデクサーにより温度２８０℃、荷重２．
１６ｋｇで１０分間に流出したポリマー量（ｇ）で示し
た。

【００３１】（４）吸水率：ペレットを１２０℃で５時
間乾燥した後、射出成形機［住友重機（株）製ＳＧ−１
５０］を用い、シリンダー温度３４０℃で射出成形した
試験片を用い、ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０に従って測定し
た。

【００３２】（５）曲げ弾性率：ペレットを１２０℃で
５時間乾燥した後、射出成形機［住友重機（株）製ＳＧ
−１５０］により、シリンダー温度３４０℃で射出成形
した試験片を用い、ＡＳＴＭ Ｄ−０７９０に従って測
定した。

【００３３】（６）全光線透過率：ディスク基板を用い
て、ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に従って、日本電色シグマ
８０により測定した。

【００３４】（７）光弾性定数：ディスク基板を用い
て、理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−１５０に
より測定した。

【００３５】（８）斜め入射複屈折位相差：ディスク基
板を用いて、オーク製エリプソメータＡＤＲ−２００Ｂ
自動複屈折測定装置により、入射角３０度で測定した。

【００３６】（９）面振れ：小野測器（株）製ＬＭ−１
２００を用いて、ディスク基板を内周部でクランプし、
基板上の信号にフォーカスをかけ、基板を回転させた時
のピックアップの上下の変位量を測定した。

【００３７】［実施例１］温度計、撹拌機、還流冷却器
付反応器にイオン交換水２５１６部、４８％水酸化ナト
リウム水溶液３０６．３部を仕込み、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサン１４２部、４，４′−（ｍ−フェニレンジイ
ソプロピリデン）ジフェノール１５８．５部およびハイ
ドロサルファイト６部を溶解した後、塩化メチレン１３
７５部を加えて２０〜２５℃でホスゲン１１７部を６０
分を要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール６．２５部を塩化メチレン５０
部に溶解した溶液を加え、更に４８％水酸化ナトリウム
水溶液３８．３部を加えて、乳化させた後トリエチルア
ミン０．２３１部を加え、２５〜３０℃で６０分撹拌し
て反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレン
で希釈して水洗した後塩酸酸性にして水洗し、水相の導
電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受
け部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにて
塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビス
フェノールＭの比がモル比で５０：５０である無色のパ
ウダー３１７．８部を得た（収率９８％）。このパウダ
ーの比粘度は０．２８６、Ｔｇは１４８℃であった。

【００３８】このパウダーに、該パウダー１００部に対
して、トリス（ノニルフェニル）ホスファイトを０．０
００９４部、トリメチルホスフェートを０．００１５７
部およびステアリン酸モノグリセリドを０．０１４部加
えた。次に、かかるパウダーをベント式二軸押出機[神
戸製鋼（株)製ＫＴＸ−４６]によりシリンダー温度２４
０℃で脱気しながら溶融混練し、ペレット化した。そし
て、このペレットを住友重機（株)製ＤＩＳＫ５Ｍ１１
１を用いて樹脂温度３８０℃、金型温度１１５℃、冷却
時間３．７秒、射出速度２００ｍｍ／秒で１２０ｍｍ
φ、０．６ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。こ
のディスク基板の面振れは、ディスク半径２５ｍｍのと
ころで２０μｍ、ディスク半径５５ｍｍのところで６０
μｍであった。また、前記測定方法によるＭＦＲは６５
ｇ／１０分、曲げ弾性率は２．８７×１０⁶Ｎ／ｍ²、吸
水率は０．１５重量％、全光線透過率は８９％、光弾性
定数は３９×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位
相差は２０ｎｍであった。

【００３９】［実施例２］実施例１の１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンを１７０．４部、４，４′−（ｍ−フェニレ
ンジイソプロピリデン）ジフェノールを１２６．６部と
する以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭ
ＣとビスフェノールＭの比がモル比で６０：４０である
パウダーを得た。このパウダーの比粘度は０．２８０、
Ｔｇは１５７℃であった。

【００４０】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混練しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様の成形機を
用いて、１２０ｍｍφ、０．６ｍｍ厚みのディスク基板
を射出成形した。このディスク基板の面振れは、ディス
ク半径２５ｍｍのところで２５μｍ、ディスク半径５５
ｍｍのところで７０μｍであった。また、前記測定方法
によるＭＦＲは５５ｇ／１０分、曲げ弾性率は２．８５
×１０⁶Ｎ／ｍ²、吸水率は０．１７重量％、全光線透過
率は８９％、光弾性定数は３７×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍであった。

【００４１】［実施例３］実施例１の１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサン１１３．５部、４，４′−（ｍ−フェニレン
ジイソプロピリデン）ジフェノール１９０．３部とする
以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣと
ビスフェノールＭの比がモル比で４０：６０であるパウ
ダーを得た。このパウダーの比粘度は０．２９１、Ｔｇ
は１３４℃であった。

【００４２】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混練しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様の成形機を
用いて、１２０ｍｍφ、０．６ｍｍ厚みのディスク基板
を射出成形した。このディスク基板の面振れは、ディス
ク半径２５ｍｍのところで１８μｍ、ディスク半径５５
ｍｍのところで５５μｍであった。また、前記測定方法
によるＭＦＲは８８ｇ／１０分、曲げ弾性率は２．９×
１０⁶Ｎ／ｍ²、吸水率は０．１２重量％、全光線透過率
は８９％、光弾性定数は３９×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、
斜め入射複屈折位相差は２２ｎｍであった。

【００４３】［比較例１］ビスフェノールＡより得た比
粘度が０．２８４、Ｔｇが１４３℃であるポリカーボネ
ートパウダーに実施例１と同様の添加剤を同量加え、実
施例１と同様に溶融混練しペレット化した。そして、こ
のペレットを実施例１と同様の成形機を用いて、１２０
ｍｍφ、０．６ｍｍ厚みのディスク基板を射出成形し
た。このディスク基板の面振れは、ディスク半径２５ｍ
ｍのところで３０μｍ、ディスク半径５５ｍｍのところ
で１０５μｍと大きな値を示した。また、前記測定方法
によるＭＦＲは６０ｇ／１０分、曲げ弾性率は２．４×
１０⁶Ｎ／ｍ²、吸水率は０．３２重量％、全光線透過率
は８９％、光弾性定数は８２×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、
斜め入射複屈折位相差は６８ｎｍであった。

【００４４】

【発明の効果】本発明のポリカーボネート共重合体より
形成される光ディスク基板は、耐熱性や曲げ弾性率に優
れ、光弾性定数が小さく且つ面振れが小さいので、光学
ディスクとして好適に用いられる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８
   ０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
   ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
   ａ）および（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプ
   ロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス
   （３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成
   分ｂ）からなり、成分ａと成分ｂの割合がモル比で９
   ９：１〜２０：８０の範囲で構成されたポリカーボネー
   ト共重合体であって、且つそのＭＦＲが３５ｇ／１０分
   以上、Ｔｇが１３０〜１６０℃および曲げ弾性率が２．
   ６×１０⁶Ｎ／ｍ²以上であるポリカーボネート共重合体
   から形成される光ディスク基板。
2. 【請求項２】 該成分ｂが、４，４′−（ｍ−フェニレ
   ンジイソプロピリデン）ジフェノールである請求項１記
   載の光ディスク基板。
3. 【請求項３】 該光ディスク基板は、該ポリカーボネー
   ト共重合体を樹脂温度３４０〜３８０℃、金型温度１０
   ０〜１２０℃にて射出成形して得られるものである請求
   項１記載の光ディスク基板。
4. 【請求項４】 該ポリカーボネート共重合体が、その
   ０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２
   ０℃において測定された比粘度が０．２〜０．５の範囲
   である請求項１記載の光ディスク基板。