JPH0652705B2 - 露光装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の製造に使用される露光装置
に関するものであり、特に、アライメントに関する新し
い手法とシステムを提供するものである。

＜従来技術＞ マスクアライナーに要求される基本的な性能は、解像性
能とアライメント精度である。あと一つ挙げるとすれば
生産機械としての価値感から処理能力（スループツト）
であろう。半導体素子の微細化、高集積度化に伴なっ
て、より高い解像性能とアライメント精度が際限なく要
求される。

マスクアライナーは、素子の微細化に伴ないコンタクト
／プロキシミテイ方式、１：１ミラープロジエクシヨン
方式、レンズプロジエクシヨン方式と、その露光方式の
変遷をたどったが現在は４５０nm〜３５０nmの波長の光
を露光光源とする縮小投影露光装置、いわゆるステツパ
ーが主流となっている。

さらに次世代のデバイス製造のための次世代アライナー
としては、より短い波長を持つ光源、例えばエキシマレ
ーザーの２５０nm程度の波長の光を露光光源とするステ
ツパーが有力視されている。又、これに伴なって、レチ
クルの回路パターンとウエハ上のパターンの重ね合わせ
精度も、解像力の向上に比例してより高い精度が要求さ
れることになる。例えば、１６メガＤＲＡＭを例にとる
と、解像力０．５μｍの場合には重ね合わせ精度０．１
５μｍ、アライメント精度０．１μｍが必要である。

従って、高精度に重ね合わせを行なえる新規アライメン
トシステムが要望されており、本件出願人が、特願昭６
０−１０２７２７号や特願昭６０−２３５９２４号で提
案したアライメントシステムもこの要望に対応するもの
であった。

これらの特許出願に示したアライメントシステムは、ウ
エハを吸着保持するウエハチヤツクをアライメントに用
いるものであり、ウエハチヤツク上にアライメントマー
クを作り込んでおき、オフアクシス顕微鏡とＸＹステー
ジを用いてウエハ上のアライメントマークとウエハチヤ
ツク上のアライメントマークの相対位置関係をＸＹ座標
上（メモリ内）に位置付けた後、ウエハチヤツク上のア
ライメントマークとレチクルのアライメントマークの相
対位置関係を、露光用の投影レンズ系とＸＹステージと
を用いて検出することにより、レチクルとウエハとの位
置関係を求めるものである。

＜発明の概要＞ 本発明は上記のウエハチヤツクを利用したアライメント
システムの応用に関するものであり、常に高精度のアラ
イメントを行なえる新規な露光装置を提供することを目
的とする。

上記目的を達成する為に、本露光装置は、レチクル上に
形成されているパターンをウエハ上に投影露光する投影
光学系と、前記ウエハを保持する保持手段と、前記保持
手段を担持して移動する可動ステージと、前記レチクル
上に形成されたマークに光を照射する照明光学系と、前
記投影光学系を介した前記マークの像を複数記録する為
に、前記保持手段上であって、前記ウエハを囲んで配設
された記録媒体と、前記可動ステージの移動量を計測す
る為の計測手段と、前記記録媒体上の複数の前記マーク
像及び前記ウエハ上のアライメントマークを検出する為
のオフアキシス光学系とを有することを特徴としてい
る。

本露光装置では、上記感光層として光磁気記録材料やフ
ェトクロミツク材料等の書込み・消去ができる記憶材料
を使用し、感光層の繰り返し使用を可能にしている。

本発明の更なる特許及び具体的形態は後述する各実施例
に記載されている。

＜実施例＞ 第１図は、本発明に基づくシステムの全体レイアウトを
示してある。

システム全体は定盤１上に組み上げられる。（構造体は
不図示）。定盤１上にはウエハーステージ２があり、ウ
エハーチヤツク３及びそこに吸着保持されたウエハー４
を投影レンズ５の光軸に垂直な平面及び光軸方向に沿っ
て移動可能としている。ウエハーステージ２は、その上
に設けた光学ミラー６にレーザー干渉計７０の光７を当
てる既知の手法により、その位置座標を知ることが出
来、指定された量の移動がすべて制御される。投影レン
ズ５の上方にはレチクル保持台８に保持されたレチクル
９があり、さらにその上方の照明光学系Ａから光が照射
された時レチクル９にとりこまれたパターンが投影レン
ズ５を介してウエハー４表面に転写される様に構成保持
されている。

照明光学系Ａは、超高圧水銀灯１０から発する光をレチ
クル９上に均等に照射すべく、第１〜第３のコンデンサ
ーレンズ１１，１２，１３と光束を曲げるべく第１，第
２のミラー１４，１５で構成されている。シヤツター１
６は露光の制御を行う。

第２，第３のコンデンサーレンズ１２，１３と第２ミラ
ー１５は、レチクルパターン面１７と共役な面を図示Ｂ
の部分に作り出す様に設計されており、この部分にマス
キングブレードを置くことにより、レチクル９の特定の
部分だけ照明できる様になっている。マスキングブレー
ドは、ＵＳＰ4.474,463 に示す様に既知の技術なので図
示しないが、４枚の独立なブレードを駆動回路７２で駆
動して、認意の矩形の開口を設定することが可能であ
る。

投影レンズ５に近接して、投影レンズ５の光軸と平行な
光軸を有するオフアキシスアライメント光学系Ｃが配置
される。

アライメント光学系Ｃにおいて、ハロゲンランプ２２か
ら出た光は、集光ミラー２３，集光レンズ２４により集
光され第１の編光板３１，ハーフプリズム２５，対物レ
ンズ２６，ミラー２７を経てウエハー面（又はチヤツク
上面）を照射する。ウエハー面から反射した光は逆に可
動ミラー２７，対物レンズ２６を経てハーフプリズム２
５で上方に光軸を曲げ、リレーレンズ２８を介して、一
旦基準マーク３１上に結像する。

エレクター３２は、前記ウエハー４の像と基準マーク３
１上のパターンヲ撮像管２９の管面３０の上に結像する
として、エレクター３２と撮像管２９の間には第２の編
光板３３を配置する。これにより、アライメント光学系
Ｃは編光顕微鏡を構成している。

撮像管２９からの信号はＣＣＵ７１を介して画像処理回
路７３へ送られ、画像処理回路７３は、基準マーク３１
の画像と、ウエハ上のアライメントマークの画像や後述
する磁化像の画像を処理する。（例えば両者の基準マー
ク３１との位置関係を求める。） ウエハーチヤツク３のウエハー４の外側になる部分（即
ち、ウエハ面と接しない部膨）に表面が略ウエハー４の
表面と一致する様な凸起部分４０があり、この表面に光
磁気記録材料１０６がコートされている。

光磁気記録材料は通常の状態では、磁極の方向が一つの
方向（例えば上向きに）に整列しているが、逆方向（下
向きに）の弱い磁場をかけて且つ光エネルギー（露光
光）をあてると、光の当った部分だけ極性が反転する。
そしてこの正逆の磁極のパターンを編光顕微鏡を成すア
ライメント光学系Ｃで観察することができる。

さらに記録時と逆方向の強い磁場（上向き）をかけると
磁極は通常の整列状態に復帰する。従って、パターンの
書き込みと消去が可能である。

この書き込み、消去をする為の手段はいくつか考えら
れ、これについては本件出願人による特願昭６２−２４
５２４４号で詳細に説明してある。

ウエハチヤツク３の部分断面図を第６図に示す。

磁化像形成時に弱い磁力線を発生させる手段は種々ある
が本実施例では、ウエハーチヤツク３に永久磁石を埋設
する方法を採用する。

こうすれば、いつでも磁化像形成の状態を作っておけ
る。なぜならば、コイル等を使う場合には、シーケンシ
アルな動作が入るし、電流・抵抗による熱の発生の心配
があるためであり、永久磁石の使用は安直で確実な方法
である。

ウエハーチヤツク３のウエハー保持面は周辺に輪帯状の
シール面１０１があり、その内側に多数のピン１０２を
配置したピンチヤツク形状を成し、そこにチヤツク内管
路１０３を通して排気（真空）することにより、ウエハ
ー４の平面矯正を行う。

ウエハーチヤツク３の外周には、リング１０５が配置さ
れ、ビス１０６によりチヤツク３と結合される。

リング１０５の表面には磁気記録材料１０６が蒸着（あ
るいはスパツタリング）により、層状に形成されてお
り、その表面の投影レンズ５の光軸方向の位置はウエハ
ー４の表面位置と略一致している。

リング１０５の溝部には永久磁石１０７が接着されてい
る。永久磁石の磁極の方向は上側Ｎ、下側Ｓに整列して
おり、破線で示す様な磁力線１０９を発生する。磁力線
１０９は光磁気記録材料層１０６の面に対し略垂直に交
わる。

第７図は投影レンズ５の周辺に設けられる磁界発生手段
を示している。

同図において、２０１が磁界発生手段であり、磁気ヘッ
ドから成る。光磁気記録材料１０６に記録された磁気像
の消去に用いられる。

磁化像消去の手順としては、ウエハステージ２を移動し
て、光磁気記録材料１０６の磁化像の形成された部分を
消去用磁気ヘツド２０１下部に送りこみ、第８図に示す
様に磁気ヘツド２０１のコイル２０２に駆動回路７０１
により電流を流し、コイル２０２の中心に配した鉄心２
０３に磁力線を発生させる。

第６図と対応させると磁気ヘツド２０１側がＮ極になる
様にコイルに電流を流す。この磁力線が十分強ければ、
チヤツク３内部に埋設した永久磁石の磁力線に打ち勝っ
て光磁気記録材料層１０６に略垂直に逆方向の磁力線が
形成でき、磁化像を消去することができる。

第６図では１個の磁力線発生手段２０１が図示されてい
るが、実際には投影レンズ５の回りに複数個の磁力線発
生手段を設けた方が良い。これによりステージのわずか
な移動でウエハチヤツク３上の任意の箇所に形成した磁
化像を高速にして消去できる。

本発明の露光装置のアライメント−露光実施手順の１実
施例を第２図のフローチヤート図及び第３図のレチクル
平面図及び第４図（ａ），（ｂ）のウエハー及びウエハ
ーチヤツク平面図を用いて説明する。

まずこのアライメント−露光の工程を第Ｎ番目の工程と
すると、第３図は第Ｎ工程用のレチクル５０を示すこと
になる。第３図において実素子パターン領域５１の周囲
のスクライブ線に相当する部分５２にはＮ工程以降の工
程で使用するウエハーＡＡ（Auto Aligment）用マーク
５３Ｌ，５３Ｒが入っている。本発明によりウエハチヤ
ツク周辺の光磁気記録材料部に投影する為のマークとし
て、もちろん５３Ｌ，５３Ｒは使えるが、本実施例で
は、実素子パターン領域５１（５２）の外で露光有効領
域５４の内側に相当する領域に作りこんだマーク５５
Ｄ，５５Ｕ，５５Ｌ，５５Ｒを光磁気記録材料へのパタ
ーンの記録に使用することにする。

第２図のフローチヤート図に従えば、まずＮ−１工程が
終了したウエハー６０がウエハー保持台３（ウエハーチ
ヤツク）の上に吸着セツトされる（ＳＴＥＰ［１０
１］）。この時の状態を示したのが第４図（ａ）であ
る。第４図（ａ）において、配列している矩形パターン
６１は、Ｎ−１工程で作られた実素子エリア（ＳＨＯ
Ｔ）を示している。実素子エリア間のスクライブライン
には、前工程で用意されたＮ工程用のウエハーＡＡマー
ク６２が配列されている。ウエハチヤツク３の周辺部で
あってウエハを囲んで配設された磁気記録材料面４０に
は、未だパターンは形成されていない。

次にフローチヤート図に示すＳＴＥＰ［１０２］で、す
くなくとも２ケ所以上のウエハーＡＡマークをアライメ
ント光学系Ｃで検出し、ウエハーの配列方向が装置の基
準方向（例えばＸ軸方向）に一致する様にウエハーチヤ
ツク３をθ方向に回転調整し、ウエハーの配列方向と基
準方向とが合致したところでウエハー４のθを固定す
る。この作業は従来のオフアクシスステツパーにおける
プリアライメントと同じ作業なので詳細は省略する。も
ちろんθ固定時のウエハーＡＡマークの検出値（△ｕ
ｉ，△ｖｉ）とその時のステージの位置座標（ｘｉ，ｙ
ｉ）はＣＰＵ７４を介してメモリー７５に収納する。

次にＳＴＥＰ［１０３］で磁化像の形成を行う。あらか
じめ、磁化像を形成する為の予定の位置（ＸＹ位置座標
上の）に、ウエハステージ２を移動し、シヤツター１６
を開いて露光をかけ、光磁気記録材料層４０の上に磁化
像を形成する。予定した数を教えるまでＳＴＥＰ露光を
繰り返す。もちろん露光時のステージ座標位置（Ｅｘ
ｊ，Ｅｙｊ）は、読み取られ、メモリー７５に収納す
る。尚、レチクル５０上の磁化像用マーク５５Ｄ，Ｕ，
Ｌ，Ｒのどれを光磁気記録材料層４０の各位置に焼き付
けるかは、マスキングブレード２０を働かせることによ
り行う。またこの磁化像用マーク５５Ｄ，Ｕ，Ｌ，Ｒの
露光時にウエハー上の有効ＳＨＯＴを露光しない為にも
マスキングブレード２０を使用する。この露光の結果形
成された磁化像を第４図（ｂ）に示す。

本実施例では第４図（ｂ）に示す様に計４回の露光によ
りチヤツクの上下左右に計８個の磁化像マーク６５を形
成している。

次にＳＴＥＰ［１０４］で、アライメント光学系Ｃによ
り磁化像マーク６５ｊ（ｊ＝Ｌ，Ｒ，Ｌ，Ｄ…）とウエ
ハーＡＡマーク６２ｉ（ｉ＝１，２，３…）の位置（△
ｕｊ，△ｖｊ）（△ｕｉ，△ｉ）検出と同時にその時の
ステージ位置座標値（ｘｊ，ｙｊ）（ｘｉ，ｙｉ）を読
み取る。この時、磁化像マークとウエハーＡＡマークの
読み取り順序は特に指定はないが、全体のステツプ時間
が最短になる様に手順を決めるのが好ましい。

又、ＳＴＥＰ［１０２］〜［１０４］の中に於るウエハ
ーＡＡマークの検出の数、磁化像の焼付ＳＨＯＴ数と焼
付マークの個数及び検出数等は、Ｎ工程の重ね合せ必要
精度によって決定されるべきものである。

従って例えばＳＴＥＰ［１０４］に於るウエハーＡＡマ
ークについていえば、最大は全ＳＨＯＴの全マークであ
り、最小はＳＴＥＰ［１０２］のデーターで事足りると
してＳＴＥＰ［１０４］での検出数ゼロでもかまわな
い。

本実施例では、以上の［ＳＴＥＰ］で投影レンズ５の投
影倍率、レチクル９のθ誤差を確認することができる。
又、場合によっては、磁化像のコントラスト等を検出す
ることにより、ウエハー４の光軸方向の位置ずれも検出
できる。

ＳＴＥＰ［１０５］に於て、ＳＴＥＰ［１０２］〜［１
０４］で取ったデータから、実素子パターン露光時の配
列座標を決定する為の演算処理を行う。ここでも座標の
演算法について種々の方式があるが、いずれも既知の手
法なのでここでは省略する。基本的には、磁化像の形成
及び検出に於て得られた座標を基準としてウエハーＡＡ
マークの検出座標を補正することになる。そしてＳＴＥ
Ｐ［１０６］でＳＴＥＰ［１０５］で決められた配列座
標に従って、ウエハステージ２のステツプ移動と露光を
行う。

この時はもちろんマスキングブレード２０によって照明
光の照明範囲を規制し、レチクル９上の磁化像用マーク
５５は遮光する。

ＳＴＥＰ［１０７］では、ウエハチヤツク３上の光磁気
記録材料４０に形成されている磁化像を消去する。ウエ
ハチヤツク３自身が消去手段を持っている場合は、ＳＴ
ＥＰ［１０６］の前、あるいはＳＴＥＰ［１０５］やＳ
ＴＥＰ［１０６］の途中で磁化像を消去することができ
る。

又、ウエハチヤツク３自信に消去手段を付設する場合、
前述の磁気ヘツド２０１をチヤツク内部に埋設しておけ
ば良い。この様な構成にしておけばステージ２を駆動す
ることなく、任意の位置で磁化像の消去ができる。

以上説明した本露光装置におけるアライメントの方式
は、理解を容易にする為に単純化してあるが、この方式
に限定するものではない。つまりここでの要点は、ウエ
ハーのθを固定してから以降の作業として、 ウエハー４上の、あらかじめ指定されたアライメント
マーク（複数個）をアライメント光学系Ｃの視野にとら
え、その時の検出位置データーとステージ位置のデータ
ーを情報として取りこむこと。あらかじめ指定された
位置にレチクルの磁化像マークを形成し同時にその時の
位置情報を取りこみ、磁化像マークをアライメント光学
系Ｃの視野にとらえ、その時の検出位置データとステー
ジの位置のデーターを情報として取りこむこと。以上
，のデーターを使ってステツプ露光のシヨツト配列
座標を演算することであり、その中の手順前後は問題に
しないという事である。さらに、磁化像は次にその領域
に次の磁化像を形成する時までに消去されていれば良
い。

この様なアライメント方式ではウエハステージ２は頻繁
に移動することになり、第２図のフローチヤート図の手
順を送っていては、ウエハステージ２の移動量が大きく
なり（即ち移動時間が大きくなり）、ウエハー一枚当り
の処理時間が長くなってしまうという欠点を持ってしま
う。

従って実際には検出すべきウエハーのアライメントマー
クの配置及び、形成し、検出すべき磁化像の位置は決っ
ているのだから、ステージの移動時間がより短くなる様
に手順を組み合わせるのが妥当であり、ＣＰＵをもって
これらをプログラムするのは容易なことである。

以上本露光装置によれば、従来のオフアクシス方式のア
ライメントシステムを利用するものでありながら、従来
持っていた精度上の欠点を大幅に改善でき、精度の向上
が見込めることである。

更には上記の効果がシステムとしての弱点なしに、かつ
実施上の大きな障害なく達成できるという事である。

前述の実施例に対して、光磁気記録材料をホトクロミツ
ク材料に置き換えることも可能である。ホトクロミツク
材料の場合には書き込みに磁場という様な特殊な条件が
不要な事、蓄積型の反応なので露光エネルギーが弱くて
も時間をかければ必ず像が形成できるというメリツトが
あり消去の場合も熱又は白色光で簡単に消去できる。
又、ホトクロミツク材料を使用する場合は、オフアキシ
スアライメント光学系は編光顕微鏡で構成する必要はな
く、通常の顕微鏡を使用する。

一方、前述の実施例で用いた光磁気記録材料の方は、エ
ネルギーの蓄積性が無く、単位時間当りの光エネルギー
がある臨界値より下がると磁化像が形成できない性質を
持っているために、像面での露光光の照度を十分な値に
設定する必要がある。

この場合には、構成的にやや複雑になるが第５図に示す
様に正規の露光用照明光よりも強い光エネルギーを磁化
像用マーク部分に集中して与えてやる方法が考えられ
る。第５図の場合、正規露光時に使用されるミラー９０
を退避可能に構成し、磁化像露光時にはこれを９０′に
退避させ露光光源９１からの光を直接ファイバー９２に
取りこみその射出光を磁化像用マーク位置に相当するレ
チクル上面９５に直接あるいはマスキング面９５′から
間接的に照射し露光する方法が有効である。又、フアイ
バー９２を用いる代りに、別途レーザ光源を配設し、レ
ーザ光源からのレーザ光でレチクル上面９５を照射し、
露光しても良い。

また、第５図に示す露光用光源９１はＫｒＦエキシマレ
ーザーであり、本発明をエキシマレーザステツパーに於
て実施することを考えた場合、磁化像の焼付時に、ステ
ージを走らせながら露光する、いわゆるFlosh on the F
ly方式の使用によりスループツトの短縮が可能である。

エキシマレーザーはパルスレーザーであり、そのパルス
時間は２０nsec／pls 前後であり、仮にステージが１０
０mm／sec で走行していたとしても、２０nsecに走る時
間は0.002 μｍであり、像流など問題になり得ない。ま
た、従来から良く知られているFlash on the Fly方式に
よる露光は、すくなくともＸＹ座標の２軸方向の目標地
点をステージが通過することが前提で、その瞬間に露光
するというものだが、ここでのFlash on the Fly方式は
ステージがあるトレランス領域を通過中に露光をかけ、
その露光の瞬間のステージ座標位置を読み取るという事
であって前者よりもはるかに容易であることは言うまで
もない。

第５図に示すＫｒＦエキシマレーザステツパーは、エタ
ロンやグレーテイング等から成る狭帯域化手段を光源９
１内部に格納してある。この狭帯域化手段によりＫｒＦ
レーザのバンド幅を△λ＝0.005nm程度に狭帯域化して
いる。又、投影レンズ５を構成する複数枚のレンズ素子
はＳ_i Ｏ₂ のみから成り、λ＝248.4nm程度の波長のＫ
ｒＦレーザ光を十分に透過する投影レンズとなってい
る。

この様な露光装置では、多層レジストが形成されたウエ
ハ上のアライメントマークを投影レンズを介して観察す
るのは非常にむずかしいが、本発明によれば、投影レン
ズを介して観察する所謂ＴＴＬ方式のアライメントと同
程度の精度で、ウエハのアライメントマークとレチクル
のアライメントマークの位置関係（即ち、ウエハとレチ
クルの回路パターンとの位置関係）を知り、レチクルと
ウエハの位置合わせを可能にする。

＜発明の効果＞ 以上、本露光装置によれば、ウエハを吸着保持するウエ
ハチヤツクの周辺部であってウエハを囲んで光磁気記録
材料やホトクロミツク材料等から成る感光層を形成して
おくことにより、この感光層にレチクルのアライメント
マークを投影レンズを介して転写して、転写したアライ
メントマーク像とウエハ上のアライメントマークとの位
置関係に基づいてレチクルとウエハ或はウエハ上の各シ
ヨツト領域との位置合わせを行なうことができる。

従って、ウエハの処理プロセスによらず、常に高精度の
位置合わせが行なえる。

又、記録媒体上にウエハを囲んで複数のアライメントマ
ーク像を形成できる為、ウエハステージの移動の際のク
セやウエハチヤツクの熱的変形等の影響を軽減できる。

又、光磁気記録材料やホトクロミツク材料は書き込み及
び消去が可能な記録材料である為、繰り返し使用ができ
るという格別の効果がある。

又、ウエハチヤツクの感光層に転写したアライメントマ
ーク像の状態（位置、コントラスト）に基づいて、投影
レンズの倍率やレチクルの回転方向（θ）のずれやウエ
ハの投影レンズの光軸方向の位置ずれ（ピントずれ）等
も検出でき、極めて多種多用の機能を備えた露光装置を
提供するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る露光装置の一実施例を示すシステ
ム構成図。 第２図は本露光装置によるアライメント−露光の実施手
順の一例を示すフローチヤート図。 第３図は第Ｎ工程に使用するレチクルの平面図。 第４図（ａ），（ｂ）は第Ｎ工程におけるウエハとウエ
ハチヤツクの平面図。 第５図は第１図の露光装置の変形例を示すシステム構成
図。 第６図はウエハチヤツクの部分的断面図。 第７図は投影レンズの周辺に配設される磁界発生手段を
示す図。 第８図は第７図の磁界発生手段による磁化像消去方法を
説明する為の説明図。 Ａ……照明光学系 Ｃ……オフアキシスアライメント光学系 ３……ウエハチヤツク ４……ウエハ ４０……ウエハチヤツクの凸起部分 １０６……光磁気記録材料層 １０７……永久磁石 ２０１……磁気ヘツド（磁化像消去用）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レチクル上に形成されているパターンをウ
   エハ上に投影露光する投影光学系と； 前記ウエハを保持する保持手段と； 前記保持手段を担持して移動する可動ステージと； 前記レチクル上に形成されたマークに光を照射する照明
   光学系と； 前記投影光学系を介した前記マークの像を複数記録する
   為に、前記保持手段上であって、前記ウエハを囲んで配
   設された記録媒体と； 前記可動ステージの移動量を計測する為の計測手段と； 前記記録媒体上の複数の前記マーク像及び前記ウエハ上
   のアライメントマークを検出する為のオフアキシス光学
   系とを有することを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】前記複数の記録媒体に各々前記マーク像を
   記録し、前記可動ステージを一定量送って前記マーク像
   を前記オフアキシス光学系の下にもってくると共に、前
   記マーク像の位置を検出する制御手段を有することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
3. 【請求項３】前記記録媒体が、光磁気記録媒体であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
4. 【請求項４】前記記録媒体が、フォトクロミック材料で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光
   装置。