JPH0513304A

JPH0513304A - 投影露光装置及び半導体デバイス製造方法

Info

Publication number: JPH0513304A
Application number: JP3193525A
Authority: JP
Inventors: Fumio Sakai; 文夫坂井; Masao Kosugi; 雅夫小杉
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-07-08
Filing date: 1991-07-08
Publication date: 1993-01-22

Abstract

(57)【要約】【目的】位相シフト法を利用した形成したアライメン
トマークをオフアクシス顕微鏡を用いて検出することに
より、マスクとウエハとの位置合わせを高精度に行なっ
た投影露光装置を得ること。【構成】原板上のパターンを投影光学系を介して可動
のステージ手段面上に載置した被露光基板上の感光層に
投影露光する投影露光装置において、該原板上の所定位
置に通過光束の位相を反転させる領域を一部に設けた特
定マークを設け、該特定マークを該投影光学系を介して
該被露光基板を載置する載置台上の所定位置に設けた感
光層に潜像として又は該被露光基板上の一部に特定マー
ク像として形成し、該潜像又は特定マーク像の位置情報
を利用して原板と被露光基板とのアライメントを行なっ
たこと。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子の製造用の投影露光装置に関し、特にレチクル（マ
スク）とウエハとの相対的位置合わせ機能を有した投影
露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の微細化と高集積化は日進月
歩の進歩を続けている。微細化の牽引車的役割を担って
いるＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダムアクセス・メモ
リ）では、既に商品レベルでサブミクロンの領域に入っ
ており、研究レベルではハーフミクロン（０．５μｍ）
以下の精度でのパターニングが議論されている。

【０００３】２５６ＫビットのＤＲＡＭ時代に出現した
ステッパと呼ばれる縮小型の投影露光装置は１Ｍ〜４Ｍ
ビットのＤＲＡＭの生産における主力機種となってお
り、今後の超微細デバイスにおいても有力視されてい
る。

【０００４】微細化といえば解像力がいつも議論の的に
なるが、一方でマスクとウエハとの重ね合わせ精度も解
像力と同等以上に重要となっている。このときの重ね合
わせの要求精度は一般に解像力の１／３〜１／５程度と
されている。

【０００５】これまでに提案されたステッパにおけるア
ライメントシステムを大きく分類すると以下の３つにな
る。（イ）ＴＴＬＯＮＡＸＩＳシステム：アライメント
光の波長が露光光の波長と同一で、投影レンズを介して
レチクルとウエハを同時に観察する。（ロ）ＴＴＬＮＯＮＡＸＩＳシステム：アライメン
ト光の波長は露光光の波長と異なるが、投影レンズを介
してウエハを観察する。（ハ）オフアクシスシステム：投影レンズとは全く別に
設けたアライメント系によりウエハを観察する。

【０００６】この中でＴＴＬＯＮＡＸＩＳ方式のス
テッパーは、露光光と同じ波長の光をアライメント光と
して使用している為、ウエハのアライメントマーク部分
の感光層が感光されウエハのアライメントマークが一回
しか使用できないこと、感光層が感光され感光層の物理
的性質が変化し、アライメントの誤差が生じることから
現在ではあまり利用されていない。

【０００７】またオフアクシス方式のステッパーは、レ
チクルとウエハの相対位置合わせにおいて介在する間接
誤差因子が多く、またアライメントから露光に至る時間
及び移動距離が長いため誤差成分の経時変化が大きく、
結果的に高い重ね合わせ精度を得るのが難しい。そのた
め、現在ではあまり利用されていない。従ってＴＴＬＮ
ＯＮＡＸＩＳ方式が現在主流となっている。

【０００８】一方、投影レンズの解像力はＲｅ＝ｋ×（λ／ＮＡ）なるレイリーの式にのっとり、露光波長にｇ線（波長４
３６ｎｍ）を用いて投影レンズの開口数（ＮＡ）を大き
くすることで解像力Ｒｅの向上を図ってきた。

【０００９】しかし、これもレイリーの式ＤＯＦ＝±λ／２ＮＡ² で明らかなように、ＮＡの増加と共に焦点深度ＤＯＦが
減少し、他方投影レンズの設計、製造も略限界に達して
いる。そのため、今後のサブミクロンの世代を担うため
には露光波長を短くすることが要望されている。

【００１０】現在ｉ線（波長３６５ｎｍ）の光を用いた
ステッパが種々と提案されている。一方、ＫｒＦエキシ
マレーザ（波長２４８ｎｍ）を光源とする所謂エキシマ
ステッパも有望視されている。

【００１１】エキシマステッパを用いて半導体素子を製
造するには前述のＴＴＬＮＯＮＡＸＩＳアライメントシ
ステムをそのまま用いることが難しい。それはＫｒＦエ
キシマレーザ（波長２４８ｎｍ）の光を通す硝材は現在
のところ僅かに石英とホタル石に限られており、露光波
長以外の光に対する色収差補正が設計上非常に困難であ
る為である。

【００１２】図６（Ａ）は従来のｇ線を対象とした投影
レンズの軸上色収差特性を示す。図６（Ｂ）は従来のエ
キシマレーザ用の石英の単一の硝材を用いた投影レンズ
の軸上色収差特性を示す。図６（Ａ）、（Ｂ）において
横軸は波長、縦軸は軸上色収差を示す。

【００１３】図６（Ａ）のｇ線用の投影レンズの場合、
通常は硝材の組み合わせによって目標とする波長におい
て色収差特性曲線がゼロ点で接するように設計をするこ
とができる。

【００１４】一方、図６（Ｂ）のエキシマ用の投影レン
ズにおいては硝材の自由度がないために色収差は目標波
長の１点でクロスするほぼ直線になってしまう。

【００１５】ｇ線用の投影レンズに対しアライメント光
として例えばＨｅ−Ｎｅレーザ（波長６３３ｎｍ）から
のレーザ光を選択した場合、軸上色収差はおよそ十数μ
ｍである。これに対しエキシマ用の投影レンズに非露光
アライメント光として例えばＡｒレーザ（波長５００ｎ
ｍ）からのレーザ光を選択した場合、その軸上色収差は
ｍｍのオーダーにも達してしまう。この為、軸上色収差
の特性曲線を改良しないとエキシマ用の投影レンズにお
けるＴＴＬＮＯＮＡＸＩＳ（非露光）アライメント
システムの実現は大変困難となってくる。

【００１６】この認識に基づき、再びオフアクシス方式
が着目されオフアクシス方式のアライメントシステムに
対する前述の欠点の改良案としてダミーウエハを用いる
方式（特開平１−１２０８２０号公報）や、記録材料を
搭載したチャックを用いる方式（特開平１−２８６３０
９号公報）等のステッパが種々と提案されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】前述したステッパのう
ちダミーウエハや記録材料に形成したアライメントマー
クを用いる方式ではアライメントマークのコントラスト
が悪かったり、解像力が悪かったりするとアライメント
マークの検出精度が低下してくるという問題点があっ
た。

【００１８】例えばアライメントマークのコントラスト
が悪い場合にはアライメントマークを検出する検出系の
Ｓ／Ｎ比が悪くなり、検出精度が低下してくる。又、ア
ライメントマークを検出する解像力が悪い場合には、一
般にアライメントマークのエッジ部分が不明瞭である
為、コントラストが悪い場合と同様に検出系のＳ／Ｎ比
が低下してくる。

【００１９】従来より露光されるパターンのコントラス
トや解像力を向上させる一方法として位相シフト法を用
いた方法がある。

【００２０】本発明はマスクとウエハとの位置合わせを
行なう為のウエハ、ウエハ載置台に設けた感光層そして
ダミーウエハや記録材料（感光層）に形成するアライメ
ントマークに位相シフト法を適用し、高コントラストで
高解像力でアライメントマークの形成を可能とし、アラ
イメントの検出精度を高めた投影露光装置の提供を目的
とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置で
は、原板上のパターンを投影光学系を介して可動のステ
ージ手段面上に載置した被露光基板上の感光層に投影露
光する投影露光装置において、該原板上の所定位置に通
過光束の位相を反転させる領域を一部に設けた特定マー
クを設け、照明手段により照明された該特定マークを該
投影光学系を介して該被露光基板を載置する載置台上の
所定位置に設けた感光層に潜像として又は該被露光基板
上の一部に特定マーク像として形成し、該潜像又は特定
マーク像を検出手段で検出し、該検出手段からの検出結
果に基づいて制御手段により該ステージ手段の移動を制
御するようにしたことを特徴としている。

【００２２】又本発明では、前記投影露光装置は前記被
露光基板を載置する載置台上の所定位置に設けた感光層
に形成した潜像を消去する消去手段を有していることを
特徴としている。

【００２３】この他本発明の半導体デバイスの製造方法
としては、マスクの回路パターンに対してウエハのパタ
ーン領域を位置合わせする際、投影光学系により該マス
クの位置合わせマークの像を該ウエハ上に投影して転写
し、該ウエハ上に転写せしめられた該位置合わせマーク
像を現像せずに検出する段階を有し、該投影光学系によ
り該マスクの回路パターンの像を該ウエハ上のパターン
領域に投影して転写した後、該ウエハを化学的に処理す
ることにより、該ウエハから半導体デバイスを製造する
方法において、前記マスクの位置合わせマークを遮光部
と透光部を交互に並べた格子パターンにより形成し、該
格子パターンに遮光部を挟んで隣り合う透光部を通過す
る光に位相差を付与する位相部材を形成し、該位相部材
が形成された格子パターンの像を投影することを特徴と
している。

【００２４】

【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図であ
る。本実施例では光源としてエキシマレーザを用いたス
テップアンドリピート方式の半導体デバイス製造用の縮
小投影露光装置に適用した場合を示している。

【００２５】図中、１はホトマスクとしての原板（以下
「レチクル」という。）、２は半導体基板（以下「ウエ
ハ」という。）である。エキシマレーザ３０から出射し
た光ビーム３１は照明光学系３を通ってレチクル１を照
明する。このとき、投影レンズ４によりレチクル１上の
半導体素子の回路パターンが被露光基板であるウエハ２
上に縮小投影され、ウエハ２上の感光層に転写される。

【００２６】９８は開口径可変の可変ＮＡ絞りであり、
投影レンズ４のＮＡを変えている。照明光学系３の構成
については、すでに多くのステッパで提案がなされてい
るので、以下簡略化して説明する。

【００２７】ミラー４１により上方（ｚ方向）に向けら
れたビーム３１はインコヒーレント光学系３２、フライ
アイレンズ３３、開口径が可変の可変σ絞り９９、コン
デンサーレンズ３４ａ，３４ｂ、ミラー３５を順に経て
マスキング結像面に至る。３６はマスキング結像面に配
置されているマスキングブレード、３７ａ，３７ｂはマ
スキングブレード３６の像をミラー３８を介してレチク
ル１上に結像するマスキング結像レンズである。

【００２８】レチクル１はレチクル保持台１１により支
持している。レチクル保持台１１はステージ（不図示）
によりＸ，Ｙ，θ方向に移動するように支持している。
ウエハ２は載置台としてのウエハチャック２１により真
空吸着された状態で投影露光されるが、図１では支持チ
ャック２２により支持され、ウエハチャック２１と分離
している状態を示している。ウエハチャック２１の周辺
部にはパターン記録材料（感光層、例えば光磁気記録材
料、ホトクロミック材料）２３と塗布した硝子板２４を
配置している。硝子板２４は同図では２組示している
が、実際には図３に符番１１３，１１４，１１５，１１
６で示すように４組をウエハチャック２１の周辺に配置
している。

【００２９】ウエハチャック２１は可動のステージ５に
よりＸ，Ｙ，Ｚ，θ，ω_X （Ｘ軸回りの回転成分）、ω
_Y （Ｙ軸回りの回転成分）の各方向に移動する。ステー
ジ５はステージ定盤５０に支持している。

【００３０】ステージ５はステージ定盤５０に対してＹ
軸方向に移動するＹステージ５１、Ｙステージ５１に対
してＸ軸方向に移動するＸステージ５２を有し、その上
に例えば３本の圧電素子（ピエゾ素子）５３によるレベ
リング（ω_X ，ω_Y ）とＺ軸方向に移動するレベリング
ステージ５４が、更にその上に回転（θ）微動ステージ
５５と、上下（Ｚ）微動ステージ５６を載置している。
ウエハチャック２１はＺ微動ステージ５６の上に載置し
ている。

【００３１】レベリングステージ５４の上にはステージ
５の位置座標の基準となるミラー８５をＸ，Ｙ方向に夫
々に載置しており、レーザ干渉計８６を通過したビーム
を反射することでステージ５の位置や走行距離等を検出
している。

【００３２】８７はレーザ干渉計８６からの光信号を電
気信号に変換するレシーバである。又、レベリングステ
ージ５４の上にはθ粗動機構５７とＺ粗動機構５８を設
けており、その面上に支持チャック２２を載置してい
る。

【００３３】レチクル１の上側には投影レンズ４に対し
て一定の位置関係となるように配置したレチクル光学系
６を配置している。レチクル光学系６はレチクル保持台
１１上に設けたレチクルセットマーク１２とレチクル１
上に設けたレチクルアライメントマーク（図２の１０５
Ｌ，１０５Ｒ）の相対位置を検出している。

【００３４】光源（不図示）からの光をファイバー１
４、レチクル照明光学系１３を介してレチクルセットマ
ーク１２とレチクルアライメントマーク１０５Ｌ，１０
５Ｒに照射し、照射した各々のマークの像を、ビームス
プリッタ４７、対物レンズ４６、リレーレンズ４５、そ
してビームスプリッタ４４を介してＣＣＤ４８で検出し
ている。

【００３５】ＣＣＤ４８で検出したマークの像により、
レチクルセットマーク１２とレチクルアライメントマー
ク１０５Ｌ，１０５Ｒの相対位置を算出し、レチクル１
をＸ，Ｙ，θ方向に移動させるレチクルステージ（不図
示）によりレチクルセットマーク１２に対してレチクル
アライメントマーク１０５Ｌ，１０５Ｒを位置合わせす
る。これにより投影レンズ４に対してレチクル１を所定
の位置関係となるようにしている。

【００３６】ステージ５の上方の投影レンズ４に隣接し
た空間にオフアクシス顕微鏡７を配置している。オフア
クシス顕微鏡７は非露光光（白色光）を用いた単眼の顕
微鏡より成り、内部の基準マーク７０とウエハ２上のア
ライメントマークとの相対位置検出を行なっている。

【００３７】対物レンズ７１とリレーレンズ７２はウエ
ハ２上のアライメントマークを拡大して結像面７４に投
影している。エレクターレンズ７７，７８は両者が光軸
上に挿入された時は低倍エレクターレンズとして作用
し、エレクターレンズ７８が光軸上から退去した時は高
倍エレクターレンズとして作用し、結像面７４の空中像
をＣＣＤカメラ７９の受光面に投影している。

【００３８】２５は光源（不図示）から光を導く光ファ
イバーであり、ここからの光は照明レンズ２６、ビーム
スプリッタ７３、リレーレンズ７２、そして対物レンズ
７１とを介してウエハ２の照明光となる。

【００３９】同様に２７は光源（不図示）から光を導く
光ファイバーであり、ここからの光は照明レンズ２８を
介して基準マーク７０を照明する。ビームスプリッタ７
５は基準マーク７０のパターン面と結像面７４がＣＣＤ
カメラ７９の受光面から同じ光路長となるよう配置して
いる。これにより基準マーク７０をエレクターレンズ７
７，７８によりＣＣＤカメラ７９の受光面に投影結像し
ている。

【００４０】オフアクシス顕微鏡７にはフォーカス検出
機能が備わっている。これは例えばＣＣＤカメラ７９の
出力信号を用いてボケ量の検出処理することにより可能
である。

【００４１】更にステージ５の上方には、投影レンズ４
に近接してパターン記録材料面２３に書き込まれたパタ
ーンを消去するための消去手段８０を配置している。消
去手段８０は具体的にはファイバー８１により光を導入
しプリズム８２、レンズ８３により光をパターン記録材
料面２３に落射照明し、これによりパターン記録材料面
２３に形成したパターンを消去している。

【００４２】制御回路９は前述の各構成要素をコントロ
ールするために用いている。ＣＰＵ９１は予め定められ
たシーケンスソフトに従って各要素に指令を出し、また
各要素からのデータを判断して次の手順を決める。

【００４３】演算回路９２は主にステージ５の座標位置
やオフアクシス顕微鏡７の検出結果などからレチクル１
のパターン配置を算出するなど、高速性と高精度を要求
される演算処理に用いており、記録回路９３はそれら測
定データや演算データを記憶している。部分的な詳細構
造については後述するが、以上が本実施例の基本構成で
ある。

【００４４】図２は本発明に使用するレチクル１の要部
正面図である。図２において１０１は投影レンズ４によ
る投影転写可能領域を示し、１０２は半導体素子用の実
素子パターンが形成されている領域であり、この領域に
接するスクライブライン領域には精密なアライメントマ
ーク１０３Ｌ，１０３Ｒを、又図示の上方には粗のアラ
イメントマーク１０４を配置している。更に、Ｘ軸上の
左右にレチクルセットマーク１２との相対位置計測用の
レチクルアライメントマーク１０５Ｌ，１０５Ｒを配置
している。

【００４５】精密アライメントマーク１０３Ｌ，１０３
Ｒは後述するチャック上の画像記録面に露光転写されＡ
ＧＡ（advanced gloval alignment）を行なうマークで
もあり、ウエハ上に露光転写され、次の工程でウエハの
ＡＧＡに使用されるマークでもある。

【００４６】図３は本発明に係るウエハチャック２１と
ウエハ２とを示す要部平面図である。ウエハチャック２
１には、その４角に略等間隔となるように画像記録面１
１３，１１４，１１５，１１６が配置されている。画像
記録面１１３，１１４，１１５，１１６の各表面はＺ方
向に関してウエハチャック２１に保持されているウエハ
２の表面とほぼ同一平面になるように設定している。

【００４７】図４（Ａ），（Ｂ）は本実施例のレチクル
１における精密アライメントマーク１０３Ｌ（１０３
Ｒ）の詳細説明図である。図４（Ａ）は平面概略図、図
４（Ｂ）は断面概略図である。マーク１０３Ｌは遮光部
１１１（例えばクロム膜部）の中に露光光が透過する透
過部１１０（本実施例ではＸ方向とＹ方向に各３箇所）
を形成した格子パターンより成る。

【００４８】透過部１１０には図４（Ｂ）に示すように
隣り合う透過部に通過光の位相を反転させる部材（位相
シフト膜）１１２を形成している。１１９はレチクルの
基板となるガラス（石英等）である。隣り合う透過部に
光の位相を反転させる部材（位相シフト膜）１１２を設
けることにより、ウエハチャック上の画像記録材料面に
高コントラストで高解像のマークを形成している。

【００４９】次に本実施例においてレチクルとウエハと
の位置合わせの動作手順について図５のフローチャート
を参照して説明する。動作が開始される（ステップ１５
０）と図１に示すようにレチクル１がレチクル保持台１
１にセットされる（ステップ１５１）。その後、レチク
ル光学系６と制御回路９によりレチクルセットマーク１
２とレチクルアライメントマーク１０５Ｌ，１０５Ｒの
相対位置が計測され、レチクルステージ（不図示）によ
りレチクルセットマーク１２に対してレチクルアライメ
ントマーク１０５Ｌ，１０５Ｒが位置合わせされる（ス
テップ１５１）。

【００５０】これにより投影レンズ４に対してレチクル
１が所定位置となるようにしている。例えばレチクル１
の中心が投影レンズ４の光軸上に位置するようにしてい
る。レチクルアライメント終了後、ウエハ２がウエハチ
ャック２１に搬入される（ステップ１５２）。

【００５１】次にエキシマレーザ光３１を発生させ、照
明光学系３を介してレチクル１上のパターン及び精密ア
ライメントマーク１０３Ｌ，１０３Ｒをウエハチャック
２１の画像記録面１１３，１１４，１１５，１１６に露
光転写する。レチクル１の精密アライメントマーク１０
３Ｌ，１０３Ｒには通過光束の位相をシフトさせる部材
が図４のように形成されている。画像記録面１１３，１
１４，１１５，１１６に露光転写された精密アライメン
トマーク１０３Ｌ，１０３Ｒに対してオフアクシス顕微
鏡７を通してＡＧＡを行なう（ステップ１５５）。これ
により所謂ベースラインを求める。

【００５２】次いでステップ１５６では図３に示すウエ
ハ上のショットナンバー７，１２，１８，４３，４７，
５１，７６，８２，８７の各ショットの精密アライメン
トマークに対しＡＧＡを実行する。

【００５３】ステップ１５７においてはステップ１５
５，１５６でＡＧＡで得られたアライメント検出データ
及びステージ位置データからウエハ露光時の配列座標を
決定する。

【００５４】ステッップ１５５で得られたデータからは
ベースライン長及びステージの倍率成分と直交度成分及
び投影レンズの倍率成分等を算出している。

【００５５】ステップ１５６で得られたデータからはウ
エハ内のショット配列のＸ軸、Ｙ軸成分とＸ方向、Ｙ方
向の各々の倍率成分及びチップローテーション量を算出
している。以上の結果から露光時の配列座標を決定す
る。

【００５６】ステップ１５８ではステップ１５７で算出
した配列座標に従いウエハのステップアンド露光を行な
う。ステップアンド露光されたウエハはウエハチャック
２１から搬出される（ステップ１５９）。

【００５７】次に画像記録面に次の精密アライメントマ
ークを露光転写する領域があるか、どうか判断し無けれ
ば画像記録面の像を消去手段８０の下に持って行き、消
去する（ステップ１６０，１６１）。

【００５８】次のウエハが待機しているか判断し、待機
しているのであればウエハチャック２１に搬入し、ステ
ップ１５３から再度行なう。無ければ終了となる。（ス
テップ１６２，１６３）。

【００５９】ここで本実施例ではステップ１５４，１５
５を各ウエハ毎に行なっているが、ベースライン長、ス
テージの倍率成分、直交度成分、投影レンズの倍率成分
等が安定しているのであれば各ウエハ毎に行なう必要は
ない。

【００６０】本実施例では、エキシマステッパーのオフ
アクシスアライメントシステムについて述べているが、
画像記録面やダミーウエハ面の感光層に露光転写する光
はアライメントマークを露光転写できる光ならエキシマ
以外のｇ線でもｉ線でも良い。

【００６１】またアライメントシステムとしてオフアク
シスシステムで述べているが画像記録面やダミーウエハ
面の感光層に露光転写されたマークを検出できる方式な
らばＴＴＬＯＮＡＸＩＳ、あるいはＴＴＬＮＯＮ
ＡＸＩＳの方式でも良い。

【００６２】

【発明の効果】本発明によればマスクとウエハとの位置
合わせを行なうアライメントマークを位相シフト法によ
り形成することにより、高コントラストで高解像力のア
ライメントマークが容易に得られ、高精度のアライメン
トを行なうことのできる投影露光装置を達成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の要部概略図

【図２】図１のマスク面上のアライメントマークの説
明図

【図３】図１のウエハ及びウエハチャック面の説明図

【図４】図１のマスク面上のアライメントマークの説
明図

【図５】本発明の実施例１のアライメントにおけるフ
ローチャート図

【図６】投影レンズの色収差に関する説明図

【符号の説明】

１マスク２ウエハ３照明光学系４投影レンズ５ステージ６レチクル光学系７オフアクシス顕微鏡９制御回路２１ウエハチャック２２支持チャック２３パターン記録材料２４硝子板８０消去手段１０４粗アライメントマーク１０５Ｌ，１０５Ｒレチクルアライメントマーク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原板上のパターンを投影光学系を介して
可動のステージ手段面上に載置した被露光基板上の感光
層に投影露光する投影露光装置において、該原板上の所
定位置に通過光束の位相を反転させる領域を一部に設け
た特定マークを設け、照明手段により照明された該特定
マークを該投影光学系を介して該被露光基板を載置する
載置台上の所定位置に設けた感光層に潜像として又は該
被露光基板上の一部に特定マーク像として形成し、該潜
像又は特定マーク像を検出手段で検出し、該検出手段か
らの検出結果に基づいて制御手段により該ステージ手段
の移動を制御するようにしたことを特徴とする投影露光
装置。
【請求項２】前記投影露光装置は前記被露光基板を載
置する載置台上の所定位置に設けた感光層に形成した潜
像を消去する消去手段を有していることを特徴とする請
求項１の投影露光装置。
【請求項３】原板上のパターンを投影光学系を介して
可動のステージ手段面上に載置した被露光基板面上の感
光層に投影露光する投影露光装置において、該原板上の
所定位置に通過光束の位相を反転させる領域を一部に有
した特定マークを設け、該特定マークを利用することに
より、該原板と該被露光基板との相対的位置合わせを該
投影光学系を介して行ったことを特徴とする投影露光装
置。
【請求項４】マスクの回路パターンに対してウエハの
パターン領域を位置合わせする際、投影光学系により該
マスクの位置合わせマークの像を該ウエハ上に投影して
転写し、該ウエハ上に転写せしめられた該位置合わせマ
ーク像を現像せずに検出する段階を有し、該投影光学系
により該マスクの回路パターンの像を該ウエハ上のパタ
ーン領域に投影して転写した後、該ウエハを化学的に処
理することにより、該ウエハから半導体デバイスを製造
する方法において、前記マスクの位置合わせマークを遮
光部と透光部を交互に並べた格子パターンにより形成
し、該格子パターンに遮光部を挟んで隣り合う透光部を
通過する光に位相差を付与する位相部材を形成し、該位
相部材が形成された格子パターンの像を投影することを
特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】前記位相部材が前記隣り合う透光部を通
過する光にほぼ１８０度の位相差を付与することを特徴
とする請求項４の半導体デバイス製造方法。
【請求項６】マスクの回路パターンに対してウエハの
パターン領域を位置合わせする際、投影光学系により該
マスクの位置合わせマークの像を記録部材上に投影して
転写し、該記録部材に記録せしめられた該位置合わせマ
ーク像を検出する段階を有し、該投影光学系により該マ
スクの回路パターンの像を該ウエハ上のパターン領域に
投影して転写した後、該ウエハを化学的に処理すること
により、該ウエハから半導体デバイスを製造する方法に
おいて、前記マスクの位置合わせマークを遮光部と透光
部を交互に並べた格子パターンにより形成し、該格子パ
ターンに遮光部を挟んで隣り合う透光部を通過する光に
位相差を付与する位相部材を形成し、該位相部材が形成
された格子パターンの像を投影することを特徴とする半
導体デバイスの製造方法。
【請求項７】前記位相部材が前記隣り合う透光部を通
過する光にほぼ１８０度の位相差を付与することを特徴
とする請求項６の半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】前記記録部材が、基板と該基板上に形成
した光磁気記録材料とを備えることを特徴とする請求項
６の半導体デバイスの製造方法。
【請求項９】前記記録部材が、基板と該基板上に形成
したフォトクロミック材料とを備えることを特徴とする
請求項６の半導体デバイスの製造方法。
【請求項１０】前記基板がダミーウエハより成ること
を特徴とする請求項６の半導体デバイスの製造方法。
【請求項１１】前記ダミーウエハが光磁気記録材料を
備えることを特徴とする請求項１０の半導体デバイスの
製造方法。
【請求項１２】前記ダミーウエハがフォトクロミック
材料とを備えることを特徴とする請求項１０の半導体デ
バイスの製造方法。
【請求項１３】前記ダミーウエハがレジスト材料とを
備えることを特徴とする請求項１０の半導体デバイスの
製造方法。